「layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(943ページ目) - Weblio英語例文検索

In the air battery wherein an electrolyte 13 is intervened between an air electrode layer 11 and a negative electrode layer 12 and a pressure means capable of raising contact pressure between the electrolyte and the air electrode layer is prepared, the pressure means is a means for pushing an air electrode to a negative electrode layer side and/or a means 15 for pushing the negative electrode layer to an air electrode side.例文帳に追加

空気極層１１及び負極層１２の間に電解液１３が介在し、電解液と空気極層との接触圧を高めることができる加圧手段を備えた空気電池であって、該加圧手段は、前記空気極を前記負極層側へ押す手段、及び／又は、前記負極層を前記空気極側へ押す手段１５である。 - 特許庁

The hard coating layers consisting of ≥2 layers of transparent hardened matter layers of which the inner layer in contact with the outermost layer is the hardened matter layer of a coating composition (A) containing a compound having ≥1 polymerizable functional group curable with active energy rays and the outermost layer is the hardened matter layer of a coating composition (B) containing polysilazane are formed on the laser beam incident surface of the Blue Laser Disk.例文帳に追加

青色レーザーディスクのレーザー光入射面に、最外層に接する内層が活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を１個以上有する化合物を含む被覆組成物（Ａ）の硬化物層であり、最外層がポリシラザンを含む被覆組成物（Ｂ）の硬化物層である２層以上の透明硬化物層からなるハードコート層を形成する。 - 特許庁

The pattern 4 of the first decorative layer 6 is concealed and the pattern 8 of the second decorative layer 10 is expressed at an angle at which the multi- reflection ink of the second decorative layer 10 reflects light, while the pattern 8 of the second decorative layer 10 is concealed and the pattern 4 of the first decorative layer 6 is expressed at an angle different from the above.例文帳に追加

前記第２の装飾層１０の多重反射性インキが光を反射する角度からは前記第１の装飾層６の図柄４が隠蔽され前記第２の装飾層１０の図柄８が表出され、そうでない角度からは前記第２の装飾層１０の図柄８が隠蔽され前記第１の装飾層６の図柄４が表出される、 - 特許庁

The laminate composed of the dielectric layer and the metallic tin-film layer is manufactured by using a process in which a resin material is attached and the dielectric layer is formed, a process in which a patterning material is attached on the dielectric layer in a beltlike manner, and a process in which the metallic thin-film layer is laminated as one unit and repeating the processes in fixed numbers.例文帳に追加

樹脂材料を付着させて誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上にパターニング材料を帯状に付着させる工程と、金属薄膜層を積層する工程とを一単位とし、これを所定の回数繰返すことにより、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層体を製造する。 - 特許庁

In the organic EL device 1 in which a positive electrode 111, a hole injecting layer 110a, a luminous layer 110b, and a negative electrode 12 are laminated in the order on a substrate 2, a corrosion prevention layer 115 for preventing corrosion of the above positive electrode 111 by a hole injecting layer forming material is installed between the positive electrode 111 and the hole injecting layer 110a.例文帳に追加

基板２上に陽極１１１，正孔注入層１１０ａ、発光層１１０ｂ，陰極１２を順に積層してなる有機ＥＬ装置１において、陽極１１１と正孔注入層１１０ａとの間に、正孔注入層形成材料による上記陽極１１１の腐食を防止するための腐食防止層１１５を設ける。 - 特許庁

The IC tag label 100 comprises an adhesive layer 6, an IC inlet 200, an adhesive layer 5, and a support 1 having a reversible thermosensitive recording layer 2, which are successively laminated on a support 3, wherein inner surfaces between the supports 1 and 3 are liquid-lightly adhered to each other by a hot-melt adhesive layer 4 on the outer circumferential edge side of the adhesive layer 5.例文帳に追加

ＩＣタグラベル１００は支持体３上に粘着剤層６、ＩＣインレット２００、粘着剤層５、可逆性感熱記録層２を有する支持体１の順に積層されており、粘着剤層５の外周縁側方において、支持体１と支持体３との重ね合わせ内面がホットメルト接着剤層４によって液密に接着されている。 - 特許庁

To provide an antistatic adhesive polarizing plate comprising an antistatic polarizing plate having an antistatic layer layered on one surface of a polarizing plate, and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the antistatic layer, the pressure-sensitive adhesive layer to be stuck to a liquid crystal cell, and to provide the polarizing plate hardly causing chipping in the pressure-sensitive layer and having preferable rework property.例文帳に追加

偏光板の片面に帯電防止層が積層されている帯電防止性偏光板の当該帯電防止層に粘着剤層が形成されており、当該粘着剤層を液晶セルに貼り合わせる、帯電防止性粘着型偏光板であって、粘着剤欠けが起こり難く、リワーク性が良好なものを提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers including an active layer 6 and a light take-out layer 4, and a reflective metal film layer 11, the light take-out layer 4 is composed of a plurality of layers 23 and 24 having different composition ratios and protrusions and recesses 22 for roughening a major surface S are formed only on the outermost layer 23 of the plurality of layers.例文帳に追加

活性層６と光取り出し層４とを含む複数の半導体層を有し、反射金属膜層１１を有する半導体発光素子において、上記光取り出し層４が組成比の異なる複数の層２３，２４からなり、これら複数の層の最も外側の層２３のみに主面Ｓを粗面とするための凹凸２２が形成された。 - 特許庁

The laser device comprises a first clad layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, an active layer 4 formed on the first clad layer 3 having a strain-multiplex quantum well structure of alternately laminated well layers 4w and barrier layers 4b (barrier layers 4b_1 and optical guide layers 4b_2) having mutually opposite strains, and a second clad layer 5 formed on the active layer 4.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された第１のクラッド層３と、第１のクラッド層３上に形成され、互いに逆の歪を有する井戸層４ｗとバリア層４ｂ（障壁層４ｂ_1 および光ガイド層４ｂ_2 ）が交互に積層された歪多重量子井戸構造をもつ活性層４と、活性層４上に形成された第２のクラッド層５とを備える。 - 特許庁

In a method for aligning the liquid crystal molecules by coating a substrate with a coating liquid for an alignment layer and forming the alignment layer and by coating the alignment layer with a coating liquid containing the liquid crystal molecules and forming a liquid crystal layer, a quaternary ammonium salt is added to the coating liquid for the liquid crystal layer and the tilt angle of the liquid crystal molecules are controlled by an action of the quaternary ammonium salt.例文帳に追加

基板上に、配向膜の塗布液を塗布して配向膜を形成し、そして、配向膜上に、液晶分子を含む塗布液を塗布して液晶層を形成し、液晶分子を配向させる方法において、液晶層の塗布液に四級アンモニウム塩を添加し、四級アンモニウム塩の作用により液晶分子の傾斜角を制御する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element includes a light emitting layer formed between an anode and cathode through an evaporation process, wherein the light emitting layer has an adjoining layer containing at least one sort of light emitting material which makes light emission in the triplet excited condition and located adjacent to at least either of the anode side and cathode side of the light emitting layer, and the adjoining layer contains a conductive highpolymer.例文帳に追加

陽極及び陰極の間に、蒸着により形成された発光層を有し、発光層は三重項励起状態から発光する発光材料を少なくとも１種含有し、発光層の陽極側及び陰極側の少なくとも一方に隣接する隣接層を有し、隣接層は導電性高分子を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

A magnetic memory comprises magnetization fixed layers 50a and 50b which have vertical magnetic anisotropy and in which a magnetization direction is fixed, an interlayer insulation layer 60, an underlying layer 40 formed on upper surfaces of the magnetization fixed layers 50a and 50b and the interlayer insulation layer 60, and a data storage layer 10 which is formed on an upper surface of the underlying layer 40 and has vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁気メモリが、垂直磁気異方性を有し、磁化方向が固定された磁化固定層５０ａ、５０ｂと、層間絶縁層６０と、磁化固定層５０ａ、５０ｂと層間絶縁層６０の上面に形成された下地層４０と、下地層４０の上面に形成された、垂直磁気異方性を有するデータ記憶層１０とを備えている。 - 特許庁

A tabular material 10 for the piping installation 40 comprises a first layer 11 including thin linear-like plates 14 which are arranged in sequence in a manner that longer side faces of the plates 14 are arranged side by side leaving spaces 15, a second layer 13 made of an elastic material, and an intermediate layer 12 arranged between the first layer 11 and the second layer 13.例文帳に追加

配管施工４０のための平板材料１０は、細条状のプレート１４よりなる第１層１１であって、プレート１４の長い方の側面を順次に間隙１５を介在させて配置した該第１層１１と、弾性材料よりなる第２層１３と、第１層１１と第２層１３との間に配置した中間層１２とを備える。 - 特許庁

The coloring chamber 12 is connected to the protective layer depositing chamber 13, the object 50 to be colored with the colored layer deposited thereon is carried into the protective layer depositing chamber 13 without being exposed to the atmosphere, and a protective layer is deposited on the surface of the colored layer with the vapor of the second vapor deposition material emitted from the second vapor deposition source 22.例文帳に追加

着色室１２と保護層形成室１３とが連結されており、着色層が形成された着色対象物５０は大気に曝されずに保護層形成室１３内に搬入され、第２の蒸着源２２から放出される第２の蒸着材料蒸気によって、着色層表面に保護層が形成されるようになっている。 - 特許庁

After a conductive pattern layer 11A is formed by etching the first conductive film 11, the third conductive film 13 is subjected to over-etching through the conductive pattern layer 11A as a mask to form an anchor part 15, and a sealing resin layer 22 and the conductive pattern layer 11A are firmly joined together as the sealing resin layer 22 is made to bite into the anchor part 15.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電パターン層１１Ａを形成した後に、導電パターン層１１Ａをマスクとして第３の導電膜１３をオーバーエッチングしてアンカー部１５を作り、アンカー部１５に封止樹脂層２２を食い込ませて封止樹脂層２２と導電パターン層１１Ａの結合を強くする。 - 特許庁

The HEMT 10 is provided with a first semiconductor layer 24, a second semiconductor layer 26 that is formed on the first semiconductor layer 24 and is larger in band gap than the first semiconductor layer 24, a gate insulation film 34 formed on the second semiconductor layer 26, and a gate electrode 36 formed on the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０は、第１半導体層２４と、その第１半導体層２４上に形成されているとともに第１半導体層２４よりもバンドギャップの幅が広い第２半導体層２６と、その第２半導体層２６上に形成されているゲート絶縁膜３４と、そのゲート絶縁膜３４上に形成されているゲート電極３６を備えている。 - 特許庁

The thin battery is equipped with a substrate 1, a positive electrode layer and a negative electrode layer formed on the substrate 1, an electrolyte layer performing ion conduction between both electrode layers, a positive current collector 3 electrically connected to the positive electrode layer, and a negative current collector 2 electrically connected to the negative electrode layer.例文帳に追加

本発明の薄型電池は、基板1と、基板1の上方に形成される正極層および負極層と、これら両電極層の間でイオンの伝導を行う電解質層と、正極層と電気的に接続される正極集電体3と、負極層と電気的に接続される負極集電体2とを備える薄型電池である。 - 特許庁

In the brightness enhancing film where the protective film, a first adhesive layer, the cholesteric liquid crystal layer, a second adhesive layer, and the quarter-wave plate are laminated in this order, the brightness enhancing film has 0.1 to 1.5 MPa dynamic storage shear elasticity of the first adhesive layer placed between the protective film and the cholesteric liquid crystal layer at 25°C.例文帳に追加

保護フィルム、第１粘着剤層、コレステリック液晶層、第２粘着剤層、１／4 波長板が、この順で積層されている輝度向上フィルムにおいて、保護フィルムとコレステリック液晶層の間の第１粘着剤層の２５℃における動的貯蔵せん断弾性率が０．１〜１．５ＭＰａであることを特徴とする輝度向上フィルム。 - 特許庁

This light diffusing plate 3 includes a light diffusing layer 31, a light condensing layer 32, and a low refractive index layer 33 interposed between the light diffusing layer 31 and the light condensing layer 32 while it is fixed on both the layers and made of a substance having a low refractive index of above 1.00 and 1.25 or less.例文帳に追加

この発明の光拡散板３は、光拡散層３１と、集光層３２と、前記光拡散層３１と前記集光層３２の間にこれら両層に対して固定状態に介在せしめられた層であって屈折率が１．００を超えて１．２５以下である物質からなる低屈折率層３３と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the embossed decorative sheet formed by laminating a base material layer 1, an adhesive layer 2, a decorative sheet layer 3 and a thermosetting resin layer 4, regular parallel line-like recessed parts 8 or checkered recessed parts 8 having a definite depth are formed to the outer surface of the thermosetting resin layer 4 and color ink layers 6 are formed to the recessed parts 8 by wiping.例文帳に追加

基材層１と接着剤層２と化粧シート層３と熱硬化性樹脂層４とが積層された化粧板であって、熱硬化性樹脂層４の外面に一定の深さからなる規則的な平行線状の凹部８または碁盤目状の凹部８が形成され、凹部８にワイピングにより着色インキ層６が形成された構成のエンボス化粧板である。 - 特許庁

A first semiconductor laser 1 which can have light injected to its active layer from outside and a second semiconductor laser 2 which can have the output light of the first semiconductor laser injected in its active layer are provided to output an optical light, corresponding to the light injected to the active layer of the first semiconductor layer from the second semiconductor layer.例文帳に追加

活性層に外部から光を注入することが可能な第１の半導体レーザ１と、第１の半導体レーザの出力光を活性層に注入することが可能な第２の半導体レーザ２とを備え、第１の半導体レーザの活性層に注入された光に対応する光信号を第２の半導体レーザから出力させる。 - 特許庁

The composite material 10 for brazing is for brazing materials-to-be-brazed with each other and is structured with a brazing layer 15 which is composed of superposing, in three layers or more, a combination of a Ti or Ti alloy layer 12, a Cu or Cu alloy layer 13 or an Ni or Ni alloy layer 78, and an Al or Al alloy layer 14.例文帳に追加

本発明に係るろう付け用複合材１０は、被ろう付け材同士をろう付けするものであって、Ｔｉ又はＴｉ合金層１２、Ｃｕ又はＣｕ合金層１３或いはＮｉ又はＮｉ合金層７８、及びＡｌ又はＡｌ合金層１４を組み合わせたものを３層以上に重ねてなるろう付け層１５で構成したものである。 - 特許庁

A forming method of a semiconductor layer has a process for forming a mask 3 with an opening part 2 for exposing the surface of a base layer 1 on the base layer 1 and a process for forming a semiconductor layer by performing selective crystal growth for a semiconductor 4 by a catalytic CVD method on the surface of the exposed base layer 1 inside the opening part 2 of the mask 3.例文帳に追加

基層１上に、基層１表面を露出させる開口部２を有したマスク３を形成する工程と、マスク３の開口部２内にて露出した基層１表面上に、触媒ＣＶＤ法により選択的に半導体４を結晶成長させて半導体層を形成する工程と、を備えた半導体層の形成方法。 - 特許庁

In the method including thinning of an active layer wafer after laminating the active layer wafer and a supporting layer wafer, when oxygen ion is implanted to the active layer wafer, oxygen ion is implanted with a dose amount of 5×10^15 to 5×10^16 atoms/cm^2 while the temperature of the active layer wafer is maintained at 200°C or lower.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10^15〜５×10^16atoms/cm^2の条件で酸素イオンを注入する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a base layer (23), a plurality of emitter layers (24, 24A and 24B) formed on the base layer, an insulating layer (60) having an opening including the plurality of emitter layers, and a wiring layer (70) provided to fill the opening wherein the plurality of emitter layers are connected, respectively, with the wiring layer.例文帳に追加

ベース層（２３）と、前記ベース層の上に設けられた複数のエミッタ層（２４、２４Ａ、２４Ｂ）と、前記複数のエミッタ層を包含する開口を有する絶縁層（６０）と、前記開口を埋め込むように設けられた配線層（７０）と、を備え、前記複数のエミッタ層のそれぞれは、前記配線層に接続されてなることを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

This adhesive label without a release paper for thermosensitive recording having serially constituted thermosensitive recording layer, protective layer and a solvent-free release agent layer hardened by radiation on a surface of a substrate and an adhesive layer on the other surface of the substrate, includes fine particles of a polysiloxane compound in the release agent layer.例文帳に追加

支持体の表面に感熱記録層、保護層を順次設け、該保護層上に放射線によって硬化させた無溶剤型の剥離剤層を設け、且つ支持体の裏面側に粘着剤層を設けた剥離紙不要の感熱記録用粘着ラベルにおいて、剥離剤層中にポリシロキサン化合物の微粒子を含有させた感熱記録用粘着ラベル。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

The laminate includes a base material layer and a skin material layer laminated thereon, wherein the skin material layer is a layer consisting of a polyolefin resin composition A containing a polyvinyl alcohol fiber (A) and a polyolefin resin (B), and the base material layer is a foamed body consisting of a polyolefin resin composition B other than the polyolefin resin composition A.例文帳に追加

基材層と、この基材層に積層された表皮材層と、を有する積層体であって、前記表皮材層は、ポリビニルアルコール繊維（Ａ）と、ポリオレフィン樹脂（Ｂ）と、を含有するポリオレフィン樹脂組成物Ａからなる層であり、前記基材層は、前記ポリオレフィン樹脂組成物Ａ以外のポリオレフィン樹脂組成物Ｂからなる発泡体であることを特徴とする。 - 特許庁

For forming an inner catalyst layer 12, an outer catalyst layer 13 and an intermediate catalyst layer 14 carried on a carrier 11 in layers, Pd and the NOx adsorbent are spaced by arranging the former in the intermediate catalyst layer 14 and arranging the latter in the outer catalyst layer 13 in order that the NOx adsorbent might prevent the decrease in low temperature activity of Pd.例文帳に追加

担体１１に内側触媒層１２、外側触媒層１３及び中間触媒層１４を層状に形成するにあたり、ＰｄとＮＯｘ吸着材とを、前者を中間触媒層１４に配置し後者を外側触媒層１３に配置して離間させることにより、ＮＯｘ吸着材がＰｄの低温活性を低下させることを避ける。 - 特許庁

The light receiving element comprises a waveguide having a first band gap wavelength; a reflection layer that is provided on the waveguide layer and reflects or transmits light through the waveguide layer in the direction of waveguide depending on the wavelength of light; and a light absorption layer that is provided near the waveguide layer and has a second band gap wavelength that is longer than the first one.例文帳に追加

第１のバンドギャップ波長を有する導波路層と、導波路層に設けられ、導波路層を通過する光を導波方向に該光の波長に依存して反射または透過する反射層と、導波路層近傍に設けられ、第１のバンドギャップ波長より長い第２のバンドギャップ波長を有する光吸収層とを具備する。 - 特許庁

The hologram laminate has a hologram layer and the reflective layer formed on the hologram layer, wherein the hologram layer contains fine particles whose refractive index is lower than the average refractive index of other components contained in the hologram layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ホログラム層と、上記ホログラム層上に形成された反射層とを有するホログラム積層体であって、上記ホログラム層が微粒子を含有しており、上記微粒子の屈折率が上記ホログラム層中に含まれる他の成分の平均屈折率より小さいことを特徴とするホログラム積層体を提供する。 - 特許庁

The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises: a support layer 2; an insulating layer 12 that is provided on the support layer 2 and in which cavities 4 are formed in a portion thereof; and a semiconductor layer 14 that is provided on the insulating layer 12 and in which a semiconductor element structure including a plurality kinds of impurity regions 20, 23, and 24 is formed.例文帳に追加

半導体装置１０は、支持層２と、支持層２上に設けられているとともに、一部に空洞４が形成されている絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられているとともに、複数種類の不純物領域２０，２３，２４で構成される半導体素子構造が形成されている半導体層１４を備えている。 - 特許庁

This composite ion-exchange membrane comprises a composite layer in which an ion-exchange resin made of polyarylene ether-based copolymer is impregnated in a porous base material, a surface layer of an ion-exchange resin made of polyarylene ether-based copolymer formed on one surface of the composite layer, and a surface layer of a fluoride ion-exchange resin formed on another surface of the composite layer.例文帳に追加

多孔性基材にポリアリーレンエーテル系共重合体からなるイオン交換樹脂が含浸されてなる複合層、該複合層の一方の表面にポリアリーレンエーテル系共重合体からなるイオン交換樹脂の表面層と他方の表面にフッ素系イオン交換樹脂からなる表面層を形成した複合イオン交換膜である。 - 特許庁

The printed wiring board 1 includes a metallic substrate 2, an insulating layer 3 formed on the surface of the metallic substrate 2, an adhesive layer 6 formed on the surface of the insulating layer 3 and composed of polyimide resin having a glass transition temperature of 20 to 300°C and thermoplasticity, and a metallic foil layer 8 formed on the surface of the adhesive layer 6.例文帳に追加

本発明のプリント配線板１は、金属基板２と、金属基板２の表面上に設けられた絶縁層３と、絶縁層３の表面上に設けられ、ガラス転移温度が２０℃〜３００℃であって熱可塑性を有するポリイミド樹脂により形成された接着層６と、接着層６の表面上に設けられた金属箔層８とを備えている。 - 特許庁

The thin film lamination comprises a stress generating layer 2A, a distorted substrate layer 3A having a first principal plane and a distortion introduced in the direction nearly parallel to the first principal plane by a stress applied from the stress generating layer 2A, and the epitaxial layer 4A which is epitaxially grown on the first principal plane of the distorted substrate layer 3A.例文帳に追加

応力発生層２Ａと、第１の主面を有し、前記応力発生層２Ａから印加される応力によって、前記第１の主面に対して略平行な方向に歪みが導入された歪み基板層３Ａと、前記歪み基板層３Ａの前記第１の主面上にエピタキシャル成長されたエピタキシャル層４Ａと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The optically compensatory plate is obtained by disposing a pressure sensitive adhesive layer or an adhesive layer 4 on an optically compensatory layer 1 having a thickness of 0.1-20 μm formed by applying a polymer solution on a plastic substrate 2 and subjecting the resulting layer to at least one of extension and shrinkage after or during drying to orient the layer.例文帳に追加

ポリマー溶液をプラスチック基材２に塗布し、乾燥した後、伸張及び収縮の少なくとも一方をさせるか、又は前記の乾燥工程で伸張及び収縮の少なくとも一方をさせて配向処理してなる厚さ０．１〜２０μｍの光学補償層１の上に、感圧性接着剤層あるいは接着剤層４を設け、光学補償板とする。 - 特許庁

The printed circuit board includes an insulating layer 6, circuit patterns 10a and 10b formed on the both surfaces of the insulating layer 6 so as to be embedded into the insulating layer 6, and bumps 4 formed so as to penetrating the insulating layer 6 in order to connect electrically the circuit patterns formed on both the surfaces of the insulating layer 6 to each other.例文帳に追加

絶縁層６と、前記絶縁層６の両面に前記絶縁層６に内蔵されるように形成された回路パターン１０ａ，１０ｂと、前記絶縁層６の両面に形成された回路パターン同士を電気的に接続させるために、前記絶縁層６を貫通するように形成されたバンプ４とを含む、プリント基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a silicon-containing two-layer resist comprising a first resist layer containing an organic high molecular compound and a photosensitive silicon-containing second resist layer for reworking after the patterning of the second resist layer while suppressing the occurrence of defects on a wafer in removal in a process for producing a device using the two-layer resist on a substrate.例文帳に追加

基板上に有機高分子化合物を含む第１レジスト層と感光性シリコン含有第２レジスト層からなるシリコン含有２層レジストを用いるデバイス製造工程において、第２レジスト層をパターニングした後で、リワーク等のために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記２層レジストを剥離する方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming a resin layer 4a, getting round the electrodes, patterning the conductive layer 5 on the electrodes and on the resin layer 4a in correspondence with the projections 4, and forming the projections 4 by removing the resin layer 4a located between the conductive layers 5, with the patterned conductive layer 5 as a mask.例文帳に追加

半導体装置１に電極を避けて樹脂の層４ａを形成する工程と、電極上及び樹脂の層４ａ上に導電層５を突起体４に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層５をマスクとし、導電層５の間に位置する樹脂の層４ａを除去して突起体４を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method includes: the step of injecting a second metal in liquid form, which is a metal different from a first metal layer, onto a semi-finished cover disposed in a mold and formed of the first metal layer so as to form a second metal layer on the first metal layer; and the step of compressing the second metal layer with a pressure in the mold.例文帳に追加

該方法は、第１の金属層とは異なる金属である液状の第２の金属を、金型内に配置され且つ第１の金属層から形成される半完成状態のカバー上に射出して、第２の金属層を第１の金属層の上に形成するステップと、第２の金属層に圧力をかけて金型内で圧縮するステップと、を含む。 - 特許庁

To provide the structure of a fin-type field-effect transistor (FinFET) having an embedded oxide layer 130 on a substrate 110, at least one-layer first structure 112 on the embedded oxide layer and at least one-layer second fin structure 114 on the embedded oxide layer and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板１１０の上の埋め込み酸化膜層１３０、この埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第１のフィン構造１１２、およびこの埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第２のフィン構造１１４を有するフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）の構造および製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a composite substrate, preventing cracks in the upper dielectric layer in forming the upper layer caused by the lower layer step and preventing the generation of uneven application at forming of the upper layer, by applying a solution in the manufacturing method for the multiplane composite substrate that forms the dielectric layer on the substrate provided with an electrode.例文帳に追加

電極を設けた基板上に誘電体層を形成する多面付け複合基板の製造方法において、下層の段差起因で上層形成時に上層の誘電体層にクラックが入るのを防止し、また、上層を溶液の塗布により形成する場合の塗布ムラの発生を防止する複合基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first felt layer 13 has a property that a rupture is generated in the first felt layer in preference to a peeling off or a rupture at other areas and the second felt layer 14 is separated from the carpet 11 accompanying with a part of the first felt layer 13 when a force for peeling off it from the carpet 11 is applied to the second felt layer 14.例文帳に追加

第１のフェルト層１３は、第２のフェルト層１４にカーペット１１に対して剥離方向の力を付加した際に、他の領域での剥離または破断に優先して、第１のフェルト層内で破断が生じ、第１のフェルト層１３の一部を伴って第２のフェルト層１４がカーペット１１から分離される性質を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the ferroelectric memory device comprises processes of (a) forming a ferroelectric layer 214a over a first conductive layer 212a, (b) patterning the ferroelectric layer 214a, and (c) forming an insulation layer 222 so as to fill in spaces formed in the ferroelectric layer 214a by a method which allows no hydrogen to be generated.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の製造方法は、（ａ）第１導電層２１２ａの上に、強誘電体層２１４ａを形成する工程、（ｂ）強誘電体層２１４ａをパターニングする工程、（ｃ）強誘電体層２１４ａの相互間を充填するように、水素を発生させない方法により絶縁層２２２を形成する工程を含む。 - 特許庁