「layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(945ページ目) - Weblio英語例文検索

The cylindrical member 129 is provided with a cylindrical insulating layer 1292 constituted of insulating material, a 1st conductive layer 1291 constituted of conductive material and formed on the outer periphery side of the insulating layer 1292, and a 2nd conductive layer 1293 constituted of conductive material and formed on the inner periphery side of the insulating layer 1292.例文帳に追加

筒状部材１２９は、筒状形状を有し絶縁性の材料で構成された絶縁層１２９２と、導電性の材料で構成され絶縁層１２９２の外周側に形成された第１の導電層１２９１と、導電性の材料で構成され絶縁層１２９２の内周側に形成された第２の導電層１２９３とを有する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 100 includes: a semiconductor substrate 11 to be a channel; a conductive layer 15 which is formed from the surface of the semiconductor substrate 11 through a tunnel insulating layer 12 and a block insulating layer 14 to be a control gate electrode; and a plurality of charge storage layers 13 formed between the tunnel insulating layer 12 and the block insulating layer 14.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、チャネルとなる半導体基板１１と、半導体基板１１の表面からトンネル絶縁層１２及びブロック絶縁層１４を介して形成された制御ゲート電極となる導電層１５と、トンネル絶縁層１２とブロック絶縁層１４との間に形成された複数の電荷蓄積層１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device having a partial SOI structure comprises a first semiconductor layer 12 bonded to a part on a semiconductor substrate 10 through a first insulation layer 11, and a second semiconductor layer 14 grown in a region on the substrate 10 not bonded with the first semiconductor layer 12 up to the same height as that of the semiconductor layer 12.例文帳に追加

部分ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、半導体基板１０上の一部に第１の絶縁層１１を介して接着された第１の半導体層１２と、基板上１０の第１の半導体層１２が接着された領域以外に、該半導体層１２と同じ高さまで成長形成された第２の半導体層１４とを備えた。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor has a structure of a base coating layer, an intermediate layer and a photosensitive layer successively laminated on a conductive supporting body, the base coating layer has a structure of dispersion of metal oxides in a resin, and the intermediate layer has a structure of diamond-like carbon or amorphous carbon containing hydrogen.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも下引き層、中間層及び感光層を順次積層した構成を持つ電子写真感光体において、下引き層が樹脂中に金属酸化物を分散させた構造を有し、かつ中間層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device which has a substrate, an active layer formed on the substrate, and a striped current injection area formed on the active layer has a current blocking layer formed between the substrate and active layer, and the current injection area and current blocking layer face each other.例文帳に追加

基板、該基板上に形成された活性層、該活性層の上部に形成されたストライプ状の電流注入領域を有する半導体発光装置において、該基板と該活性層との間に電流阻止層が形成されており、該電流注入領域と該電流阻止層が対向していることを特徴とする半導体発光装置。 - 特許庁

The antireflection layer 4 includes a layer 41 of an intermediate refractive index that serves as a base layer formed by a first composition, containing polyester resin or polyurethane resin and metal oxide particles, a layer 42 of a high refractive index, and a layer 43 of a low refractive index, formed of a second composition including organic oxide particles and porous silica particles.例文帳に追加

反射防止層４は、ポリエステル樹脂またはポリウレタン樹脂と、金属酸化物微粒子とを含む第１の組成物により形成されたベース層となる中屈折率の層４１と、高屈折率の層４２と、有機ケイ素化合物と、多孔質シリカ微粒子とを含む第２の組成物により形成された低屈折率の層４３とを含む。 - 特許庁

The wiring substrate 10 includes a base layer 12 formed selectively by applying the electrophotographic system onto a substrate 11, a conductive metal layer 13 formed of the base layer 12, and the insulating layer 14 formed by applying the electrophotographic system so as to cover at least the part of the front surface of the substrate 11 and the conductive metal layer 13.例文帳に追加

配線基板１０は、基板１１上に電子写真方式を適用して選択的に形成された下地層１２と、下地層１２上に形成された導電金属層１３と、基板１１表面および導電金属層１３の少なくとも一部を覆うように、電子写真方式を適用して形成された絶縁層１４とを具備する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electrochemical device including a couple of opposite electrode layers, a separator layer arranged between the couple of electrode layers, and an electrochemical element body which has an electrolyte present between the couple of electrode layers, at least one of the electrode layer and separator layer is coated with ionic liquid and then the electrodes layer and separator layer are laminated.例文帳に追加

対向する一対の電極層、一対の電極層間に配置されるセパレータ層、及び、一対の電極層間に存在する電解質を有する電気化学素体を含む電気化学デバイスの製造方法であって、電極層及びセパレータ層の少なくとも一方にイオン性液体を塗布した後、電極層とセパレータ層とを積層する。 - 特許庁

This heat shrinkable thermal insulating label is formed by laminating a heat shrinkable film layer provided with a printing layer on at least one surface and a foamed resin layer and is so formed that the heat shrinkable film layer and the foamed resin layer are peelable when the label is thermally shrunk at ≥40% in one direction.例文帳に追加

本発明の熱収縮性断熱ラベルは、少なくとも片面に印刷層が設けられた熱収縮性フィルム層と発泡樹脂層とが積層された熱収縮性断熱ラベルであって、このラベルを一方向に４０％以上熱収縮させた際に前記熱収縮性フィルム層と発泡樹脂層とが剥離可能に形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the element substrate 100 includes: a process for forming a sacrifice layer having a first pattern on a substrate 10; a process for forming a metal layer at the upper portion of the formation and non-formation regions of the sacrifice layer; and a process for forming a metal layer 34 having a second pattern by removing the sacrifice layer by heating.例文帳に追加

本発明にかかる素子基板１００の製造方法は、基板１０上に第１のパターンの犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の形成領域および非形成領域の上方に金属層を形成する工程と、加熱することにより、前記犠牲層を除去して、第２のパターンの金属層３４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The magnetic recording medium has an easily adhesive layer and a smoothing layer of a thickness 0.3 to 3.0 μm containing at least a copolymerized polyamide resin consisting of at least nylon 6/nylon 66 in this order between the nonmagnetic support and the magnetic layer or the nonmagnetic layer and the maximum height of the projections existing on the surface of the smoothing layer is ≤100 nm.例文帳に追加

前記非磁性支持体と前記磁性層又は非磁性層との間に、易接着層及び少なくともナイロン６／ナイロン６６からなる共重合ポリアミド樹脂を少なくとも含む厚さ０．３〜３．０μｍの平滑化層をこの順に有し、かつ前記平滑化層表面に存在する突起の最大高さが１００ｎｍ以下である。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁

The wiring board 8 comprises a wiring conductor layer 3, and a ground conductor layer 4 and/or a power supply conductor layer 5 formed oppositely to the wiring conductor layer 3 in the vertical direction through an insulation layer 2 and having openings 4a and 5a arranged in grid wherein the openings 4a and 5a are arranged at positions not overlapping in the vertical direction.例文帳に追加

配線導体層３と、この配線導体層３に絶縁層２を介して上下に対向配置され、格子状に配列された開口部４ａ・５ａを有する接地導体層４および／または電源導体層５とを具備した配線基板８であって、開口部４ａ・５ａは、上下で互いに重ならない位置に配列されている。 - 特許庁

This authenticity identifying body 1 is formed by laminating the cholesteric liquid crystal layer 4 on the upper surface of a laminating body of which a colored pattern layer 3 is laminated on the upper or lower surface of a transparent base material 2, and on the lower surface, a hologram forming layer 5 and a reflecting metal layer 6 along a fine rugged pattern of the hologram forming layer 5.例文帳に追加

透明基材２の上面もしくは下面に着色パターン層３が積層された積層体の上面にコレステリック液晶層４、下面にホログラム形成層５およびホログラム形成層５の微細凹凸に沿った反射性金属層６を積層して真正性識別体１とすることにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor substrate is manufactured by preparing a substrate having a thin layer Si(111) formed via an oxide film on an upper face of a bulk substrate, partially removing the thin layer Si(111), and then forming a thick film gallium nitride semiconductor layer, for example, a thick film AlGaN layer on the substrate surface where the thin layer Si(111) is formed.例文帳に追加

担体基板の上面上に、酸化膜を介して形成された薄層Ｓｉ（１１１）を基板とし、前記薄層Ｓｉ（１１１）の一部を除去した後、該薄層Ｓｉ（１１１）の存在する基板表面上に厚膜の窒化ガリウム系半導体層、例えば、厚膜ＡｌＧａＮ層を形成することで、窒化ガリウム系半導体基板を作製する。 - 特許庁

This ink injection implement, which is equipped with an ink storage part, is characterized in that the ink storage part is formed of a laminated material which is composed of an inside layer including polymethylpentene, an outside layer including a thermoplastic resin, and an adhesive layer for bonding the inside layer and the outside layer together; and in that a bellows-like ink injection mechanism is provided.例文帳に追加

インク収容部を備えた本発明のインク注入具は、上記インク収容部が、ポリメチルペンテンを含む内側層、熱可塑性樹脂を含む外側層、及び該内側層と該外側層とを接着する接着層から構成された積層材で形成されており、蛇腹状のインク注入機構を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The multilayered structure includes a first layer comprising a first layer comprising a first material containing a first inorganic lamellar compound and a second layer comprising a second material containing an inorganic lamellar compound in a volume ratio higher than that of the inorganic lamellar compound in the first material and is characterized in that the first layer and the second layer are laminated so as to be adjacent to each other.例文帳に追加

第１の無機層状化合物を含む第１の材料からなる第１の層と、該第１の材料における無機層状化合物の体積分率よりも高い体積分率で無機層状化合物を含む第２の材料からなる第２の層とを有し、前記第１の層と前記第２の層とが隣接して積層されている多層構造体。 - 特許庁

Both concrete layers 2 and 4 are cast so that the regenerated concrete layer 2 using the regenerated aggregate is positioned on one surface of an ordinary concrete layer 4 using ordinary aggregate and the drying shrinkage of the regenerated concrete layer 2, of which the dry shrinkage factor is larger than that of the ordinary concrete layer 4, is utilized to impart prestressing force to the ordinary concrete layer 4.例文帳に追加

普通の骨材を使用した普通コンクリート層４の片面に、再生骨材を使用した再生コンクリート層２が位置するように両コンクリート層２，４を打設して、その普通コンクリート層４の乾燥収縮率より大きい再生コンクリート層２の乾燥収縮を利用して普通コンクリート層４にプレストレス力を付与する。 - 特許庁

The interlayer 3 is formed having a layer composed of an electron donor acceptor complex or metal, or a metal compound layer 3a having a work function of 3.7 eV or smaller, a light transmitting layer 3b containing a conductive material, a layer 3c composed of a charge transport organic material, and a layer 3d composed of a hole injection material.例文帳に追加

中間層３は、電荷移動錯体からなる層または３．７ｅＶ以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層３ａと、導電体材料を含有する光透過性の層３ｂと、電荷輸送性有機材料からなる層３ｃと、ホール注入材料からなる層３ｄとを備えて形成されている。 - 特許庁

A method of forming an electronic device of thin layers on a flexible board includes the steps of: stacking a buffer layer on the flexible board; heating a stack of the board and the buffer layer to a temperature at which the buffer layer is plastically deformed; cooling the stack; and forming the thin-film electronic device on the plastically deformed buffer layer without further plastically deforming the buffer layer.例文帳に追加

フレキシブル基板の上に薄膜層の電子デバイスを形成する方法は、フレキシブル基板の上にバッファ層を堆積させ、基板とバッファ層のスタックをバッファ層の塑性変形が起こる温度まで加熱し、スタックを冷却し、バッファ層をさらに塑性変形させずに、薄膜電子デバイスを塑性変形したバッファ層の上に形成することを含む。 - 特許庁

An opening formed in a photoresist layer is filled with a non- photosensitive organic film, then the non-photosensitive organic film formed on the photoresist layer is etched back until the photoresist layer is exposed, and all the surface of the photoresist layer is exposed to light and developed, by which the photoresist layer is removed, and a non-photosensitive organic film having a required pattern can be obtained.例文帳に追加

フォトレジスト層に形成された開口部を非感光性有機膜で埋め込み、フォトレジスト層上の非感光性有機膜をフォトレジスト層が露出するまで全面エッチバックし、フォトレジスト層全面を露光及び現像してフォトレジスト層を除去することで、所望するパターンの非感光性有機膜を得ることにより上記の課題を解決する。 - 特許庁

This thin film solar cell has a transparent conductive layer 102 which is formed on a surface of a substrate 101 and is composed of indium oxide containing zinc; a unit cell 106 which transfers an optical energy to an electric energy and comprises a p layer 103, an i layer 104 and an n layer 105; and a collection electrode layer 107 for taking out the transferred electric energy.例文帳に追加

本発明の薄膜太陽電池は、基板１０１表面に形成された、亜鉛を含む酸化インジウムからなる透明導電層１０２と、光エネルギーを電気エネルギーに変換する、ｐ層１０３，ｉ層１０４，ｎ層１０５からなる単位セル１０６と、変換された電気エネルギーを取り出す収集電極層１０７とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Utilizing a target for spattering which is formed so that the first metal and a metal heavier in atomic weight than that of the first metal have a designated composition ratio each other, the metal catalyst layer is formed on a substrate in which the amorphous silicon layer and a capping layer are formed, and the amorphous silicon layer is crystallized to a polycrystalline silicon layer by annealing the substrate.例文帳に追加

本発明は第１金属と第１金属より原子量が大きい金属とが所定の組成比を有するように形成されたスパッタリング用ターゲットを利用して非晶質シリコーン層及びキャッピング層が形成された基板上に金属触媒層を形成し、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化する。 - 特許庁

The gate electrode 20 is provided with: a seed layer 31 formed by reducing at least parts of selectively introduced metal ions to at least part of the organic resin layer 15, and provided to the substrate 14 to be processed in a way of including an exposed part exposed from the organic resin layer 15; and a metallic layer 32 provided to at least part on the seed layer 31.例文帳に追加

ゲート電極２０に、有機樹脂層１５の少なくとも一部に選択的に導入された金属イオンの少なくとも一部を還元させてなり、有機樹脂層１５から露出する露出部を有するように被処理基板１４に設けられたシード層３１と、シード層３１上の少なくとも一部に設けられた金属層３２とを備えさせる。 - 特許庁

The pipe type rubber or plastic insulation power cable 15, replacing an existing pipe type cable at the inside of a steel pipe 1, is formed by covering a conduction body 4 by a rubber or plastic insulation layer 17, and covering the above insulation layer 17 by a reinforcing layer 19 directly or interposing an outer semiconductive layer 18, and spirally winding a skid wire 20 on the reinforcing layer 19.例文帳に追加

既設のパイプタイプケーブルの鋼管１内に引き替えられるパイプタイプゴム又はプラスチック絶縁電力ケーブル15において、導体４上にゴム又はプラスチックの絶縁層17を被覆すると共に、その絶縁層17上に直接又は外部半導電層18を介して補強層19を被覆し、その補強層19上にスキッドワイヤ20を螺旋状に巻き付ける。 - 特許庁

The endless belt for electrophotographic equipment comprises a single layer comprising only a base layer 1 or 2-4 layers including the base layer 1 and a surface layer 2, wherein the base layer 1 of the endless belt for electrophotographic equipment is formed in a sea-island structure obtained by microscopically dispersing an island phase comprising a polysiloxane compound in a sea phase comprising a polyamidoimide resin or a polyimide resin.例文帳に追加

基層１のみからなる単層，もしくは基層１および表層２を含む２〜４層の電子写真機器用無端ベルトであって、上記電子写真機器用無端ベルトの基層１が、ポリアミドイミド樹脂またはポリイミド樹脂からなる海相中に、ポリシロキサン化合物からなる島相がミクロ分散してなる海−島構造に形成されている。 - 特許庁

The phase change memory device includes: a switching device and a storage node coupled therewith, wherein the storage node includes a lower electrode; a phase change layer formed on the lower electrode; a material layer formed on the upper of the phase change layer; and an upper electrode provided on the phase change layer surrounding the material layer.例文帳に追加

スイッチング素子及びそれに連結されたストレージノードを備える相変化メモリ素子において、ストレージノードは、下部電極と、下部電極上に形成された相変化層と、相変化層の上部に形成された物質層と、物質層周囲の相変化層上に備えられた上部電極と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A second metal oxide layer 17, containing an oxide having a comparatively high permittivity such as titanium oxide, zirconium oxide, and ruthenium oxide, is formed on the metal oxide layer 15 on the opposite side to the semiconductor substrate 10, and a metal nitride layer 19 such as titanium nitride is formed on a metal oxide layer on the opposite side to the first metal oxide layer 15.例文帳に追加

酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ルテニウムのような比較的高い誘電率を有する酸化物を含む第二の金属酸化物層は、半導体基板の反対側にある第一の金属酸化物層の上に形成され、窒化チタンのような金属窒化物層は、第一の金属酸化物層の反対側にある金属酸化物層上に形成される。 - 特許庁

A dicing die adhesive film for semiconductor 100 has a three-layer laminated structure including a first adhesive layer 120 bonded to the backside of a semiconductor wafer, a second adhesive layer 130 bonded facing the first adhesive layer 120, and a dicing film 140 bonded facing the second adhesive layer 130.例文帳に追加

本発明による半導体用ダイシングダイ接着フィルム１００は、半導体ウエハーの背面に付着される第１接着層１２０と、前記第１接着層１２０に面して接着された第２接着層１３０と、前記第２接着層１３０に面して接着されたダイシングフィルム１４０と、を含んでなる三層の積層構造を有する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the pigment sensitizing type photoelectric transducer, an electrode including a semiconductor layer with pigments held thereon and an electrode paired with the said electrode are located face to face via a solid-state charge transfer layer, the semiconductor layer is a p-type semiconductor layer, and the solid-state charge transfer layer includes an organic solid-state electron transfer material.例文帳に追加

色素が担持された半導体層を含む電極と、これと対をなす電極とを固体電荷輸送層を介して対向配置させた色素増感型光電変換素子であって、半導体層がｐ型半導体層であり、かつ、固体電荷輸送層が有機固体電子輸送性材料を含むことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

In this method for inkjet recording, after a printed layer is formed by discharging a colored ink composition on a recording medium, a clear ink composition comprising polymer particulates is discharged on the printed layer to form a liquid layer, and after the surface of the liquid layer forms a horizontal face, it is heated to form an overcoat layer from the polymer particulates.例文帳に追加

インクジェット記録方法は、記録媒体上に着色インク組成物を吐出して印字層を形成した後に、その印字層の上から、ポリマー微粒子を含有するクリアインク組成物を吐出して液層を形成させ、その液層表面が水平面を形成した後に加熱して、前記ポリマー微粒子からオーバーコート層を形成させる。 - 特許庁

By this, the bubbles, which are usually involved between the edge part of the lower layer and the upper layer because it is formed in a state that the edge of the lower layer is covered when forming the upper layer, are not involved, and the plasma display panel provided with the multi-layered structure dielectric layer having few involved bubbles is realized.例文帳に追加

このことにより、従来、上層を形成する際、下層のエッジを覆った状態に形成してしまうことにより、下層のエッジの部分と上層との間に巻き込んでしまう場合があった気泡を巻き込むことがなくなり、包含される気泡の少ない、多層構造の誘電体層を備えるプラズマディスプレイパネルを実現することができる。 - 特許庁

In a mirror layer of first period from the active layer side of the upper reflective layer 6, a current constriction layer 20 is formed of a current injection region 19a arranged in the vicinity of the center of mesa and having circular horizontal cross-section, and a selective oxidation layer 19b arranged contiguously to the current injection region 19a.例文帳に追加

そして、上部反射層６の活性層側から第一周期目のミラー層内に、そのメサ中央付近に配置されかつ水平断面が円状の形状を有する電流注入領域１９ａと該電流流入領域に１９ａに隣接して配置された選択酸化領域１９ｂにより形成された電流狭窄層２０が配置されている。 - 特許庁

The substrate 100 for the electronic device is provided with the substrate 11 having an amorphous layer 15, a buffer layer 12 which is formed so as to make the orientation uniform at least in the thickness direction on the amorphous layer 15 and a conductive oxide layer 13 which is formed on the buffer layer 12 by epitaxial growth and contains a metal oxide having a perovskite structure.例文帳に追加

図１に示す電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁

The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第２ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第３ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

The photoelectric converting element has a pair of electrodes 101 and 104, a photoelectric converting layer 102 disposed between the pair of electrodes 101 and 104, and at least one stress buffer layer sandwiched between one of the pair of electrodes 101 and 104 and the photoelectric converting layer 102, the stress buffer layer being a laminate structure including a crystal layer 108 at least partially.例文帳に追加

一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち一方と光電変換層１０２とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層１０８を含む積層構造である。 - 特許庁

A recording layer comprising a composition whose solubility to water or alkaline water is varied by the action of light or heat is disposed on a substrate and a middle layer having the same function as the recording layer and having higher sensitivity to the action of light or heat than the recording layer is disposed between the substrate and the recording layer to obtain the objective photosensitive or heat sensitive image forming material.例文帳に追加

支持体上に、光又は熱の作用により、水又はアルカリ水に対する可溶性が変化する組成物からなる記録層を設けてなり、該支持体と記録層との間に、記録層と同じ機能を有し、且つ、該記録層より光又は熱の作用に対する感度が高い中間層を設けることを特徴とする。 - 特許庁

As for this coaxial cable 10, a first insulating layer 12 of an insulating material is formed at the outer periphery of a center conductor 11, and a second insulation layer 13 is formed directly at the outer periphery of that first insulation layer 12, and a shielding layer 14 constituted of an Ag thin film is installed by a silver mirror reaction at the outer periphery of that second insulating layer 13.例文帳に追加

本発明に係る同軸ケーブル１０は、中心導体１１の外周に絶縁体による第１絶縁層１２を設け、その第１絶縁層１２の外周に、直接、第２絶縁層１３を設け、その第２絶縁層１３の外周に、銀鏡反応によるＡｇ薄膜で構成されるシールド層１４を設けたものである。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises steps of: forming a dielectric layer by depositing an oxide film on the surface of a valve metal substrate; forming an electrolyte layer on the dielectric layer by immersing the valve metal substrate into polymerization liquid containing a monomer and an oxidizing agent; and forming a conductor layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、弁金属基体の表面に酸化皮膜を生じさせて誘電体層を形成する工程、この弁金属基体を、モノマー及び酸化剤を含む重合液中に浸漬して、誘電体層上に電解質層を形成する工程、及び、この電解質層上に導体層を形成する工程を有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a second nitride semiconductor layer 14 formed on a first nitride semiconductor layer 13 and having a larger band gap than that of the first nitride semiconductor layer 13; and a recess of a shape penetrating through the second nitride semiconductor layer 14 and removing one part of the first nitride semiconductor layer 13; and an electrode 17 embedded into the recess.例文帳に追加

半導体装置は、第１の窒化物半導体層１３上に形成され第１の窒化物半導体層１３よりバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４を貫通して第１の窒化物半導体層１３の一部を除去する形状の凹部と、凹部を埋め込む電極１７とを備える。 - 特許庁

The etching method of a conductor layer comprises a process for forming a conductor layer 22 on an insulation substrate 21, a process for forming metallic etching resist 23 on the formed conductor layer 22, and a process for etching the conductor layer 22 by a spray method for spraying etchant to the conductor layer 22 wherein the metallic etching resist 23 is formed.例文帳に追加

1)絶縁基板上に導体層を形成する工程、2)形成された前記導体層上に金属製エッチングレジストを形成する工程、および、3)前記金属製エッチングレジストが形成された導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法により前記導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする導体層のエッチング方法である。 - 特許庁

The anode electrode 104 comprises: a third nitride semiconductor layer 143 of p-type formed on the stack of semiconductor layers 102; a first metal layer 141 that is in ohmic contact with the third nitride semiconductor layer 143; and a second metal layer 142 that contacts the first metal layer 141 and is in ohmic contact with the channel.例文帳に追加

アノード電極１０４は、半導体層積層体１０２の上に形成されたｐ型の第３の窒化物半導体層１４３と、第３の窒化物半導体層１４３とオーミック接触する第１の金属層１４１と、第１の金属層１４１と接し且つチャネルとオーミック接触する第２の金属層１４２とを有している。 - 特許庁

The carpet tile comprises the cover layer consisting of the carpet, an adhesive layer and the backing layer consisting of the fabric or the nonwoven fabric, wherein the adhesive layer consists of a ventilable resin layer formed of the nonwoven fabric composed of thermoplastic resin powders or a thermoplastic resin by being heated and fused.例文帳に追加

カーペットからなる表層、接着層、及び、織布又は不織布からなる裏打ち層からなるカーペットタイルにおいて、接着層が熱可塑性樹脂パウダー又は熱可塑性樹脂からなる不織布を加熱溶融することにより形成された通気性樹脂層であることを特徴とする空調用通風性カーペットタイル、及び、該空調用通風性カーペットタイルの製造方法。 - 特許庁