「line width」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

However, for an error at a position regarded as problematic (because of line width less than required width) on a mask or a substrate at the corner part, the design device determines that the error is a true error.例文帳に追加

一方、設計装置は、コーナー部において、マスク上又は基板上において問題となる（線幅が規定未満となる）箇所のエラーは、真性エラーと判定する。 - 特許庁

To heighten the degree of freedom of a width dimension by setting the width dimension of a data line positioned between pixel electrodes to be an optional dimension smaller than the dimension of the gap between the pixel electrodes.例文帳に追加

画素電極間に位置するデータ線の幅寸法を画素電極間の隙間寸法よりも小さい任意の寸法に設定し、幅寸法の自由度を高める。 - 特許庁

The joint line 5 comprises a first joint line 5A formed on one side of an axis C-C which divides the width of the group of the continuous fibers 8a in half and a second joint line 5B formed on the other side.例文帳に追加

接合線５は、連続繊維８ａの群の幅を２等分する軸Ｃ−Ｃの一方の側に形成された第１接合線５Aと、もう一方の側に形成された第２接合線５Ｂとからなる。 - 特許庁

To provide a line light generation optical system capable of easily obtaining line light having an arbitrary line width by using a simple optical system and a laser marking device mounted with the optical system.例文帳に追加

簡単な光学系を用いて容易に任意の大きさの線幅を有するライン光を得ることができるライン光発生光学系ならびにその光学系を搭載したレーザ墨出し装置を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method, or the like, for easily forming an exposure pattern with a line width in a sub-micron size using a photoresist for g-line and i-line by using a solid laser or a gas laser which is inexpensive and stable as an exposure light source.例文帳に追加

安価で安定性のある個体レーザやガスレーザを露光光源として使用し、ｇ線用、ｉ線用のフォトレジストを使用して、簡便にサブミクロンサイズの線幅の露光パターンを形成する。 - 特許庁

A molded sheet is thermally cut with the heating line 8 by being moved to cross the heating line 8 from one end side to the other end side in the width direction of the heating line 8 of such a shape.例文帳に追加

成形シートは、こうした形状の加熱線８の幅方向の一端側から他端側に向けて加熱線８を横切るようにして移動されることで、加熱線８によって熱切断される。 - 特許庁

To provide a laminated directional coupler that can make the length of a main line or sub line longer without making the width of the line narrower, that can make the size down, that can make the frequency lower, and that can improve a loss of insertion.例文帳に追加

主線路や副線路のライン幅を細くすることなく、ライン長を長くすることができ、小型化、低周波化および挿入損失改善が可能な積層型方向性結合器を提供する。 - 特許庁

The interval Wa between the line La and the line Lb in the front and rear directions of the head is 25-35% of the width W of the head being the length from the line La to the rearmost end E of the head in the front and rear directions.例文帳に追加

境界線Ｌａと稜線Ｌｂとの前後方向の間隔Ｗａを、境界線Ｌａからヘッドの最後端点Ｅまでの前後方向長さであるヘッド巾Ｗの２５〜３５％とする。 - 特許庁

The contact hole and common wiring line are less in width on a side (B) long in distance from the wiring line lead-out part than on a side (A) relatively short in distance from the wiring line lead-out part.例文帳に追加

配線引出部からの距離が遠い辺（Ｂ側）におけるコンタクトホールおよび共通配線は配線引出部からの距離が相対的に近い辺（Ａ側）のコンタクトホールおよび共通配線より幅が小さい。 - 特許庁

The extension ratio η of the line width when the pattern data of a line conductor is converted into the pattern data of a plating window through CAD/CAM conversion is set higher for a region where the line conductors are distributed coarsely.例文帳に追加

線路導体の図形データを、メッキウィンドウの図形データにＣＡＤ／ＣＡＭ変換する際の線路幅の拡張比率ηを、導体線路が疎に分布する領域ほど大きくなるように設定する。 - 特許庁

Next, the CPU 1 determines a coordinate point A (the vanishing point) corresponding to the sight line direction of the driver on the virtual horizontal line, and draws a straight line toward the coordinate point A from road width both end coordinates.例文帳に追加

次いで、ＣＰＵ１は、上記仮想水平線上に、運転者の視線方向に対応する座標点ア（消点）を求め、上記道路幅両端座標から座標点アに向けて直線を引く（図３（ｃ））。 - 特許庁

The separation line (16) has a first line part (18) and a second line part (19) of which the width of at least one corresponding pole parts (20, 21) out of the adjacent plurality of magnetic poles (12, 13) are different.例文帳に追加

分離線（１６）は、隣接する複数の磁極（１２、１３）のうちの少なくとも１つの対応する極部（２０、２１）の幅が異なる第１の線部（１８）と第２の線部（１９）を有する。 - 特許庁

A light shielding film 10 with a width wider than that of the signal line 5 is interposed between the signal line 5 and the surface of the substrate 1, and prevents light leakage from a side portion of the signal line 5 in the transmission region 9.例文帳に追加

信号線５より幅の太い遮光膜１０が信号線５と基板１の表面との間に介在しており、透過領域９で信号線５の脇からの光漏れを防止する。 - 特許庁

Quarter wavelength transformers 4 and 5 are set to different widths corresponding to the power distribution ratios, and a connecting step 9 caused by the different line widths is set in a state where the step 9 is shifted to the output-side strip line 2 side within the range of the one-side line width of the input-side strip line 1 from the center line 6 of the line 1.例文帳に追加

４分の１波長の変成器４、５は、電力分配比に見合った異なる幅に設定され、異なる線路幅による接続段差９が入力側ストリップ線路１の中心線６から入力側ストリップ線路１の片側線路幅の範囲で出力側ストリップ線路２側へずれて設定されている。 - 特許庁

To provide a fingerprint image generation device for suppressing an error taking a sweat gland hole area for a valley line area even if a sweat gland area with a wide width exists in generating a binary fingerprint image where the image is binarized into a ridge line pixel value showing a ridge line area and a valley line pixel showing a valley line area.例文帳に追加

隆線領域を表す隆線画素値と谷線領域を表す谷線画素値に二値化される二値指紋画像の生成において、幅の広い汗腺孔領域が存在しても、その汗腺孔領域を谷線領域とする誤りを抑制可能な指紋生成装置を提供する。 - 特許庁

A retrace line pulse KP is outputted based on the reference pulse VP1 and retrace line width setting data KHD by a counter circuit 103 and a retrace line pulse generation circuit 104, and the retrace line pulse KP is superposed on a vertical sawtooth waveform VN1 by a retrace line circuit 105.例文帳に追加

カウンタ回路１０３および帰線パルス生成回路１０４により垂直帰線基準パルスＶＰ１と帰線幅設定データＫＨＤとに基いて帰線パルスＫＰが出力され、帰線回路１０５により垂直鋸波形ＶＮ１に帰線パルスＫＰが重畳される。 - 特許庁

A microtrip line is formed on the surface of a dielectric whose backside is all covered with a conductor, where a restive layer wider than the microtrip line as prescribed is provided between the surface of the dielectric and the microtrip line, or a resistor of certain width is provided on each side of the microtrip line by coming into direct contact with the strip line.例文帳に追加

裏面を全面導体とした誘電体表面に形成されたマイクロストリップラインにおいて、誘電体表面とマイクロストリップラインの間にマイクロストリップラインより一定幅広い抵抗層を設けるか、マイクロストリップラインの両側にマイクロストリップラインに接して一定幅の抵抗体を設ける。 - 特許庁

To provide a suspended decorative implement and a method for manufacturing the suspended decorative implement with an auxiliary decorative line formed as a line projecting on both sides of a main decorative line to bring about the width and brightness of decoration in addition to the main decorative line with decorative elements mounted to a main line.例文帳に追加

主線に装飾要素を取り付けてなる主装飾ラインの他に、装飾の幅と華やかさをもたらすことができる副装飾ラインを主装飾ラインの両側に張り出すラインとして形成した吊り下げ装飾具とその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The bending line 41 is set to incline to a center line 42 so as to approach one end 41a to a chip end 30a of the body 30 and the bending line is more inclined such that the more the bending line approaches to the center line 42 in the width direction of the blade body 30 as it approaches the blade body chip end side.例文帳に追加

折り曲げ線４１を、一端４１ａがブレード本体３０の先端３０ａに至るように、かつブレード本体先端側に至るほどブレード本体３０の横幅方向での中心線４２により近づく状態に中心線４２に対して傾斜するように設定してある。 - 特許庁

To solve the problem that word line and data line ends are short-circuited or broken at boundary parts between a memory array and a sub-word driver or a sense amplifier due to interference of diffracted light generated at a pattern end part when a fine word line and a data line having a line width less than a wavelength are patterned in a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決する。 - 特許庁

The device is constituted so that a line-width measuring function executed by a line-width measuring means and a superposition-accuracy measuring function executed by a superposition-accuracy measuring means are unified in the shared high-vacuum chamber 4, and an X-Y stage 1 for high-accuracy positioning is shared between the line-width measuring function and the superposition-accuracy measuring function.例文帳に追加

線幅測長手段が実行する線幅測長機能と重ね合わせ精度測定手段が実行する重ね合わせ精度測定機能とを共有高真空チャンバ４内で一体化し、高精度位置決め用のＸ−Ｙステージ１を線幅測長機能と重ね合わせ精度測定機能との間で共有する装置構成となっている。 - 特許庁

The plurality of coil conductor layers 18 are connected to one another to constitute the spiral coil L, and coil conductor layers which form one annular track when viewed from a z-axial direction such that they alternate a line width W1 and a line width W2 larger than the line width W1 at a constant period T.例文帳に追加

複数のコイル導体層１８は、互いに接続されることにより、螺旋状のコイルＬを構成し、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、一つの環状の軌道を形成しているコイル導体層であって、線幅Ｗ１と該線幅Ｗ１よりも太い線幅Ｗ２とに一定周期Ｔで変化する形状をなしている。 - 特許庁

The method consists in arranging the first scribed line data regions 10 having a respective scribing width into lower parts and right parts on the chip data regions 9 and arranging the second scribed line data regions 11 having a width below 1/4 times the scribed width of the first scribed line data regions in the upper parts and left parts of the chip data regions 9.例文帳に追加

この方法は、前記チップデータ領域９の下部及び右部に所定のスクライブ幅を有する第１のスクライブラインデータ領域１０を配置し、前記チップデータ領域９の上部及び左部に第１のスクライブラインデータ領域のスクライブ幅の１／４倍以下の幅を有する第２のスクライブラインデータ領域１１を配置するものである。 - 特許庁

The photomask includes a substrate, and a light shielding film provided on a major surface of the substrate, having a first transmittance in a first area having a first mask line width and having a second transmittance different from the first transmittance in a second area having a second mask line width different from the first mask line width.例文帳に追加

基板と、前記基板の主面上に設けられ、第１のマスク線幅を有する第１の領域では第１の透過率を有し、前記第１のマスク線幅とは異なる第２のマスク線幅を有する第２の領域では前記第１の透過率とは異なる第２の透過率を有する遮光膜と、を備えたことを特徴とするフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A cell output part 151 merges the column width and line height of the two generated cell definition information 21 and 23, and calculates the column width and line height of the cells corresponding to the layout positions of the items and overlay, and sets the calculated column width and line height, and generates/outputs a spreadsheet 41 specifying the cells corresponding to the items or overlay.例文帳に追加

セル出力部１５１は，生成した２つのセル定義情報２１，２３の列幅および行高をそれぞれマージし，項目とオーバレイとのレイアウト位置に対応するセルの列幅および行高を計算し，計算した列幅および行高を設定し，項目またはオーバレイに対応するセルを特定したスプレッドシート４１を生成・出力する。 - 特許庁

In the laying direction, width of the transmission line conductors 22a and 22c located on the outermost side is different from the width of the transmission line conductor 22b located on the innermost side, and the transmission line conductors are connected in series such that propagating high frequency signals travel in the same direction.例文帳に追加

そして、積層方向において、最も外側に位置している伝送線路導体２２ａ，２２ｃと内側に位置している伝送線路導体２２ｂはそれぞれの導体幅が異なり、伝播する高周波信号の進行方向が相互に同方向となるように直列に接続されている。 - 特許庁

When the pixel having the prescribed line width over 8 pixels around pixel does not exist, a pixel satisfying the said conditions is retrieved oppositely to the said prescribed direction and by tracking a pixel having the prescribed line width from the retrieved pixel, contour line tracking is performed.例文帳に追加

また、上記画素の周囲８画素に所定の線幅を有する画素が存在しなかった場合、上記所定の方向とは逆方向に上記条件を満たす画素を検索し、検索された画素から所定の線幅を有する画素を追跡することにより、輪郭線追跡を行う。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, the pulse width of a gate-on signal applied to a line applied with a data signal differing in polarity from that of a data voltage applied to the last line is widened and the pulse width of a gate-on signal applied to a line applied with a data voltage with the same polarity is narrowed.例文帳に追加

液晶表示装置で、直前の行に印加されたデータ電圧に対して反転された極性のデータ電圧が印加される行に印加されるゲートオン信号のパルス幅を広げ、同一の極性のデータ電圧が印加される行に印加されるゲートオン信号のパルス幅を狭める。 - 特許庁

The first antenna pattern 11 is a repetitive pattern of triangle waves comprising a thin and long line with a prescribed amplitude L(11) drawn by a conductor thin film 11a with a prescribed line width w and a pitch P(11) of each triangle waveform is selected about thrice the line width w of the dielectric thin film 11a.例文帳に追加

第１アンテナパターン１１は一定線幅ｗの導電体薄膜１１ａにより描かれた細長い一定振幅Ｌ（１１）の三角波形の繰り返しパターンであり、各三角波形のピッチＰ（１１）が誘電体薄膜１１ａの線幅ｗの約３倍とされている。 - 特許庁

The length La of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a longer direction Y of the line pattern 121 is not less than four times as large as the width Da of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a direction X of the width.例文帳に追加

しかも、ライン状パターン１２１の長手方向Ｙにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の長さ寸法Ｌaが、幅方向Ｘにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の幅寸法Ｄaの４倍以上となっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transparent conductive film with improved yields without losing appearance quality by accurately forming a fine line having a line width of 50 μm or smaller without any defects, such as variations in line width and disconnection, when printing a shield pattern by a screen print method.例文帳に追加

スクリーン印刷法によりシールドパターンを印刷する際に、線幅５０μｍ以下の微細なラインを正確に、線幅のばらつきや断線といった欠陥なく形成し、外観品質を損なうことなく、且つ歩留まりよく透明導電性フィルムを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The SAW device 10 sets the ratio η(η=electrode line-width L/inter-electrode pitch P) of the electrode line-width L to inter-electrode pitch P of the interdigital electrode 20 at 0.14 to below 0.22 so as to acquire a high Q value.例文帳に追加

そしてＳＡＷデバイス１０は、高いＱ値を得るために、すだれ状電極２０の電極線幅Ｌと電極間ピッチＰとの比η（η＝電極線幅Ｌ／電極間ピッチＰ）を０．１４以上、０．２２未満にしている。 - 特許庁

The printed matter formed by laminating printing films by a letterpress reverse printing method is characterized in that the line width thereof is 30 to 50 μm and the aspect ratio thereof is 0.5 or greater, the aspect ratio being defined by the height to the line width of the cross section.例文帳に追加

凸版反転印刷法による印刷塗膜の積層により形成され、線幅が３０〜５０μｍであり、断面の高さ／断面の線幅で定義されるアスペクト比が０．５以上であることを特徴とする印刷物。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which is free from breaking, and has nearly rectangularly sectioned wiring of ≤30 μm in line width with a high aspect ratio (a value obtained by dividing a thickness by a line width) in a ceramic insulating layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

断線がなく、セラミック絶縁層の内部に線幅３０μｍ以下でアスペクト比（厚みを線幅で除した値）の高い断面が略矩形状の配線を有する多層配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is determined by a character line complementing part 36 whether the character has been partially removed together with the character frame or not, and the character is complemented with lines of the width calculated by the character line width calculation part 35, when it has been removed.例文帳に追加

文字線補完部３６では、文字枠と共に文字の一部が除去されているか否かが判定され、除去されている場合にその除去された箇所が、文字線幅算出部３５で算出された幅の線で補完される。 - 特許庁

Then a second mask M2 consisting of a recessed pattern M2Xa of a line width d2 and a recessed pattern M2Xb of the line width d1 is imaged while the position of the focus is changed and the relative positions MD2 of both patterns M2Xa and M2Xb are measured.例文帳に追加

次に、線幅ｄ２の凹パターンＭ２Ｘａと線幅ｄ１の凹パターンＭ２Ｘｂとからなる第２マークＭ２Ｘをフォーカス位置を変化させながら撮像し、両凹パターンＭ２Ｘａ，Ｍ２Ｘｂの相対位置ＭＤ２を計測する。 - 特許庁

Even if an increase in the number of viewpoints decreases the resolution, the font in which the horizontal line width is n_V pixels or greater and the vertical line width is at least n_H pixels or greater is displayed for right and left eyes, so that visual rivalry is prevented from occurring.例文帳に追加

視点数増大によって解像度が低下しても、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅が少なくともｎ＿Ｈ画素以上のフォントは、左右両方の眼に表示されるので、両眼視野闘争は発生しない。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has improved performance of Line Width Roughness and Depth of Focus and also adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and to provide a pattern forming method employing the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス、デプスオブフォーカスの性能が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When the measured line width in a peripheral portion of the wafer is larger than a targeted line width, an amount of a developing fluid to be supplied to the peripheral portion is corrected to be increased in development processing (Step S4).例文帳に追加

外周部の線幅測定結果が目標線幅より大きい場合には、現像処理においてウェハの外周部に供給する現像液の供給量を増加させ、当該現像液の供給量を補正する（ステップＳ４）。 - 特許庁

The left-side mask rightward maximum deviation width and left-side mask leftward maximum deviation width of a deviation between the substrate virtual aligning line and the left-side mask aligning line projected onto the semiconductor substrate for exposure are determined.例文帳に追加

そして、基板仮想合わせラインに対する半導体基板上に露光投影された左側マスク仮想合わせラインの合わせずれの左側マスク右方向最大ずれ幅と左側マスク左方向最大ずれ幅を決定する。 - 特許庁

A mask pattern 4 consisting of a first mask pattern 4a in the shape of a line of with a width WT of 0.15 μm and a second mask pattern 4b in the shape of a line with a width WF of 1.0 μm parallel with the pattern 4a is made on a mask 1.例文帳に追加

マスク１に、線幅Ｗ_Ｔが０．１５μｍの線形状の第１マスクパターン４ａ、このパターン４ａに平行な線幅Ｗ_Ｆが１．０μｍの線形状の第２マスクパターン４ｂからなるマスクパターン４を形成する。 - 特許庁

This display panel is so structured that the extraction electrodes 11X1 (11Y1) are branched from bus electrodes 11; and a plurality of narrow electrode parts 151-153 each having a line width in the range of ±30% of a line width of the bus electrode 11 are formed.例文帳に追加

引出電極１１Ｘ１（１１Ｙ１）はバス電極１１から分岐されるとともにバス電極１１の線幅の±３０％の範囲の線幅を有する複数の狭幅電極部１５１〜１５３を備えて構成される。 - 特許庁

Then, when a line occupancy ratio of electrode fingers constituting the IDT is defined as electrode finger width/(electrode finger width + space between electrode fingers), the line occupancy ratio mr is set to 0.53≤mr≤0.65, or 0.55≤mr≤0.68.例文帳に追加

そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 - 特許庁

RESIST PATTERN LINE WIDTH CALCULATING METHOD, MASK PATTERN LINE WIDTH CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, EXPOSURE MASK FABRICATING METHOD, ELECTRON DRAWING METHOD FOR FABRICATING THE EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁

The width which one pixel electrode is superposed with the first side edge part of the signal line and the width which the other pixel electrode is superposed with the second side edge part of the signal line and the screening electrode are made mutually different.例文帳に追加

一方の画素電極が上記信号線の第１側縁部と重畳する幅と、上記他方の画素電極が上記信号線の第２側縁部およびシールド電極と重畳する幅とが互いに相違している。 - 特許庁