「material interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable maintenance of a high luminous brightness by eliminating an interface with a layer, containing fluorescent material for wavelength conversion.例文帳に追加

波長変換用の蛍光物質を含む層との間に界面ができないようにして発光輝度を高く維持できる半導体発光装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor film 4 is composed of a material having spontaneous polarization and the direction of spontaneous polarization is parallel with the interface of the ferroelectric film 3 and the semiconductor film 4.例文帳に追加

半導体膜４は、自発分極を有する材料からなり、自発分極の方向が、強誘電体膜３と半導体膜４との界面に対して平行になっている。 - 特許庁

INTERCONNECTION STRUCTURE WITH IMPROVED ADHESION BETWEEN NOBLE METAL LINER AND ADJACENT DIELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD (IMPROVEMENT IN ADHESION FOR METAL/DIELECTRIC INTERFACE)例文帳に追加

貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料間の付着性を向上させた相互接続構造およびその製造方法（金属／誘電体界面のための付着性向上） - 特許庁

The insulating coatings on the surfaces of the particles of the negative electrode active material inhibit the generation of a solid electrolyte interface to minimize the irreversible capacity.例文帳に追加

負極活物質粒子の表面に予め絶縁被膜が形成されている状態となるためＳＥＩの生成が抑制され、不可逆容量を低減できる。 - 特許庁

To provide a laminated material used for an insulating substrate, which has a good property of solder joint and can prevent cracking and peeling at a joint interface surface.例文帳に追加

絶縁基板に用いられる積層材であって、はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生を防止できる積層材を提供すること。 - 特許庁

To provide a spin transistor, with a low interface resistance between a source/drain made of a ferromagnetic material and an organic channel, which achieves a good transistor operation, and to provide a logic circuit device.例文帳に追加

強磁性体からなるソース・ドレインと有機チャネルとの間の界面抵抗が低く、良好なトランジスタ動作を実現するスピントランジスタ及び論理回路装置を提供する。 - 特許庁

The honeycomb structure is characterized in that a compressed elastic material A3 is interposed at least at a part of the interface where adjacent honeycomb segments 2 mutually come close.例文帳に追加

隣接するハニカムセグメント２が互いに近接する面の少なくとも一部に圧縮弾性材料Ａ３を配することを特徴とするハニカム構造体である。 - 特許庁

This thermal interface material 30 is installed between a heat source set with a protection temperature and a heat radiator, and is used to transmit heat from the heat source to the heat dissipator.例文帳に追加

熱伝導部材３０は、保護温度が設定される熱源と放熱装置との間に設置され、前記熱源からの熱を前記放熱装置に伝えることに用いられる。 - 特許庁

The braze thickness arithmetic unit 71 calculates the thickness of the brazing filler material from the plurality of interface echo heights obtained by the measured echo heights using the echo height-braze thickness information.例文帳に追加

ろう厚演算部７１は、エコー高さ−ろう厚情報を用いて、測定されたエコー高さより得られる複数の界面エコー高さからろう材の厚さを算出する。 - 特許庁

The Ir-based conductive coating material having excellent characteristic in resistance to deterioration with time is characterized in that an interface thin layer containing an Ir-Sn-based intermetallic compound is formed to the bonding or pressing interface where Sn or the Sn-based alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｉｒ−Ｓｎ系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＩｒ基導電性被覆材料。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a linear part 22E of a common electrode 22, an interface A between a linear part 22E made of transparent conductive material such as ITO, and a first alignment film 23 being organic film, and an interface B between the first alignment film 23 and liquid crystal LC, exist in this order.例文帳に追加

共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる線状部２２Ｅと有機膜である第１の配向膜２３との界面Ａ、第１の配向膜２３と液晶ＬＣとの界面Ｂが、この順で存在する。 - 特許庁

Further, the gate insulating film of the third transistor is composed of the material identical to that of the second transistor, and also is constructed of a laminated film containing an interface gate insulating film of an identical film thickness and the high dielectric constant film having a higher dielectric constant than the interface gate insulating film.例文帳に追加

また、第３のトランジスタのゲート絶縁膜は第２のトランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料、かつ、同じ膜厚の界面ゲート絶縁膜と、界面ゲート絶縁膜より誘電率の高い高誘電率膜とを含む積層膜により構成される。 - 特許庁

This antibacterial and antifungal material consists of a metal material 10 and an antimicrobial layer 2 having antibacterial and antifungal properties and arranged on the surface of the metal material and at least one of both of them is in a molten and coagulated state or both of them are in a mutually molten and coagulated state at least at the interface.例文帳に追加

金属製部材１０と，その表面に配設された抗菌・防かび性を有する抗菌層２とからなり，かつ，両者の少なくとも一方がその界面において溶融凝固している状態，または，両者が少なくともその界面において相互溶融凝固している状態にある。 - 特許庁

To provide a control method of the position of an axial direction on a phase interface where a melt crystallizes, in a method for producing a single crystal of a semiconductor material by melting granules of a semiconductor material on a dish having a run-off tube made of the semiconductor material and growing a single crystal downward.例文帳に追加

半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。 - 特許庁

High reflectivity is assured by multilayer reflecting films 23 and 24 of a material different from a light emitting layer 26, a multilayer reflecting film of the same material as that of the light emitting layer is formed thereon, then the light emitting layer is formed, and the distance from an interface for switching the material to the active layer is increased.例文帳に追加

発光層２６と異なる材料系の多層反射膜２３，２４により高い反射率を確保し、その上に発光層と同じ材料系の多層反射膜を形成した後、発光層を形成して、材料系の切り替え界面から活性層までの距離を大きくする。 - 特許庁

The length of a backflow preventive material layer between the inside diameter of the maximum circumscribed circle of the liquid container filled with a backflow preventive material corresponding to the wetting height of the backflow preventive material, or the width of the clearance between the inner wall of the container and the outer wall of a float, the tip part of the float and the liquid interface is regulated.例文帳に追加

逆流防止体の濡れ高さに応じて逆流防止体が充填される、液容器の最大外接円の内径または、液容器内壁と浮体外壁との隙間の幅と浮体の先端部と液界面との間である逆流防止体層の長さを規定する。 - 特許庁

In the laminate, a cushioning layer 3 comprising a rubbery elastic material or a rubber coated fabric formed by coating at least one surface of a fiber fabric with the rubbery elastic material is integrally interposed between a metal rod 1 and the resin material 2 at the molding interface X of them.例文帳に追加

積層体は、金属棒１と、樹脂材料２との成形界面Ｘには、ゴム状弾性材料または繊維の織布の少なくとも一方の面を前記ゴム状弾性材料でコートしたゴム引き布とした緩衝層３を介在させて一体的に構成してある。 - 特許庁

With a phosphorescent luminous element having at least an electrode, a luminous layer containing a host material and a phosphorescent material, and a hole block layer, a high-efficiency and long-life luminous element is realized by providing a layer made of the host material on an interface of the luminous layer and the hole block layer.例文帳に追加

少なくとも電極と、ホスト材料と燐光材料とを含む発光層と、正孔ブロック層とを有する燐光発光素子において、発光層と正孔ブロック層の界面に、前記ホスト材料からなる層を設けることにより、高効率で長寿命の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

A seal projection of an injection hole remaining in an extended portion 14 is cut, so that a portion with weak adhesion strength on the interface between a sealing material 18 and a substrate seal material remains within substrates 15, 13, while the sealing material 18 can be made to firmly adhere to the surfaces of the substrates 15, 13 outside the injection hole.例文帳に追加

延出部１４に残っていた注入孔のシール突起部を削ったことにより、封孔材１８とシール材界面の密着力の弱い部分が基板１５，１３内に留まり、注入孔の外側では封孔材１８が基板１５，１３表面と強く密着できた。 - 特許庁

To provide a pressure sensitive adhesive sheet having a pressure sensitive adhesive layer which reduces total reflection of light at the interface between an optical film or an optical material and the pressure sensitive adhesive layer and does not reduce visibility even when plastic material is used as the optical material.例文帳に追加

光学フィルムや光学用部材と感圧性接着剤層との界面における光の全反射を低減することができ、光学用部材としてプラスチック部材が用いられていても視認性を低下させない感圧性接着剤層を有する感圧性接着シートを得る。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a negative electrode containing a negative electrode active material, comprising a carbon material for storing and releasing lithium ions, metal lithium or lithium alloy precipitated on the carbon material, and a solid electrolyte interface(SEI).例文帳に追加

非水電解質二次電池において、リチウムイオンを吸蔵および放出する炭素材料と、炭素材料上に析出した金属リチウムもしくはリチウム合金と、固体電解質界面（ＳＥＩ）とを備えて構成された負極活物質含む負極を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This image forming method is for using the photosensitive transfer material, sticking the transfer material to a substrate as an object to be transferred, peeling and removing the temporary support from the thermoplastic resin layer at the interface between them and thereafter, exposing and developing the photosensitive transfer material to form the objective image on the substrate.例文帳に追加

上記の感光性転写材料を用い、この感光性転写材料を被転写体である基体上に密着させ、仮支持体を熱可塑性樹脂層との界面で剥離除去した後に、露光、現像して基体上に画像形成する画像形成方法。 - 特許庁

The joint section between the ceramics pipe 1 or the ceramics pipe 2 and a joining material 4 or a joint section between the joining material 4 and a cylindrical joint 3 is formed in a stair-form state, whereby extension of interface peeling through a section due to the increase of a joining power and a partial defective joining material is prevented from occurring.例文帳に追加

セラミックス管１、セラミックス管２と接合材４、また、接合材４と筒状継ぎ手３の接合断面は階段状になるため、接合力の増大と一部接合材充填不良部から発生した界面剥離の断面貫通を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

The heat-resistant flexible laminated sheet is manufactured by arranging a protective material between the pressure surface of a laminator and a material to be laminated to perform thermal lamination at 200°C or higher so that the adhesion strength of the interface of the protective material and the material to be laminated becomes 0.1-3 N/cm and peeling the protective material from the formed laminated sheet after cooling.例文帳に追加

ラミネート装置の加圧面と被積層材料との間に保護材料を配置し２００℃以上の熱ラミネートを行い、保護材料と被積層材料との界面の密着強度が０．１から３Ｎ／ｃｍの範囲で密着させ、冷却後に該保護材料を積層板から剥離することを特徴とする耐熱性フレキシブル積層板の製造方法により達成される。 - 特許庁

As the steel material 1B being the material to be inserted, the one where 0.1 mm-1.0 mm depth of the decarburized layer 5 having ≤0.2 wt.% carbon content is formed at least at the portion forming the joined interface with the cast iron 2B, is used.例文帳に追加

鋳ぐるまれる材料である鋼材（１Ｂ）として、少なくとも鋳鉄（２Ｂ）との接合界面となる部位に、炭素含有量が０．２重量％以下の脱炭層（５）が深さ０．１ｍｍ〜１．０ｍｍで形成されたものを用いる。 - 特許庁

To provide a bonding material capable of realizing bonding by metallic bonding at a bonding interface at a lower temperature compared to a bonding material using a metal particle having an average particle diameter of not more than 100 nm and a bonding method.例文帳に追加

平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Floor wax 1 applied to an upper face 2a of a floor finishing material 2 laid in a building is peeled while pressurized steam S1 being sprayed to the contacting interface 3 between the lower face of the floor wax 1 and the upper face 2a of the floor finishing material 2.例文帳に追加

建物内に配設した床仕上材２の上面２ａに塗布された床ワックス１を、この床ワックス１の下面１ｂと床仕上材２の上面２ａとの接触際３に加圧水蒸気Ｓを噴霧しながら引き剥がす。 - 特許庁

To provide a solid laser cooling device which improves an optical characteristic by inserting an interface material, which is prone to deformation, to reduce a contact thermal resistance between a laser medium and a heat transfer material and reduce the effect of a thermal lens.例文帳に追加

変形しやすい界面物質を挿入してレーザー媒質と熱伝達物質間の接触熱抵抗を減少させ、熱レンズの効果を減少させることで、光学的特性を向上させる固体レーザー冷却装置を提供する。 - 特許庁

A ceria-based electrolyte material contained in an air electrode 3 of a unit cell 1 gets into an interface between an electrolyte layer 2 and the air electrode 3, and inhibits the air electrode from reaction with zirconia as a component material of the electrolyte layer 2.例文帳に追加

単セル１において、空気極３に含まれるセリア系電解質材料は、電解質層２と空気極３との界面に入り込み、空気極３と電解質層２の構成材料であるジルコニアとの反応を阻害する。 - 特許庁

At this time, the fifth step is performed while such a flux ratio (V/III ratio) of a group V raw material to a group III raw material that a propagation direction in the interface between the reversed region and the non-reversed region is substantially the normal direction of the substrate is held.例文帳に追加

この際、第５のステップは、Ｖ族原料とIII族原料のフラックス比（Ｖ／III比）を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。 - 特許庁

A different joint structure is produced by mig-welding aluminum or an aluminum alloy material 2 on a hot dip galvanized steel material 1 and by disposing the layer of at least hot dip galvanizing on the joint interface to perform pile fillet weld.例文帳に追加

異材接合構造体は、溶融亜鉛めっきされた鋼材１にアルミニウム又はアルミニウム合金材２をミグ溶接にて少なくとも前記溶融亜鉛めっきの層を接合界面に配置して重ね隅肉溶接したものである。 - 特許庁

An interface layer which has both functions of an adhesive layer and a high resistance layer (thermal resistance layer) and comprises extremely thin insulator or a semiconductor is inserted between a chalcogenide material layer and an interlayer insulating film, and between the chalcogenide material layer and a plug.例文帳に追加

接着層と高抵抗層（熱抵抗層）の機能を兼ね備えた、極薄の絶縁体または半導体からなる界面層をカルコゲナイド材料層／層間絶縁膜間、及びカルコゲナイド材料層／プラグ間に挿入する。 - 特許庁

Furthermore, oil leakage to the outside can be prevented since a rear plate 4 is manufactured by cutting a steel material as a solid material and an O-ring 6 is oiltightly inserted on an interface between the housing 13 and the rear plate 4.例文帳に追加

さらに、リアプレート４が中実の材料である鋼材を切削加工して製作され、また、ハウジング１３とリアプレート４との界面にＯリング６が油密に挿着されることにより、外部へのオイル漏れを防止することができる。 - 特許庁

Next, laser beams are irradiated on an interface relative to the base material 11 in the semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 13 is separated from the base material 11, thereby forming a nitride semiconductor substrate 13A from the semiconductor layer 13.例文帳に追加

次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、半導体層１３から窒化物半導体基板１３Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor having a thin film capacitor where the worsening of the morphology caused by the oxidation of an electrode/dielectric interface, the deterioration of the capacitor characteristics caused by the electrode material and the deterioration of the characteristics of the electrode material per se are prevented.例文帳に追加

電極／誘電体界面の酸化によるモフォロジーの悪化、電極材料によるキャパシタ特性の低下、電極材料自体の特性低下などを防止した薄膜キャパシタを有する半導体装置が求められている。 - 特許庁

At the interface between the welt part 1 and the hollow sealing part 3, a thin layer 7 constituted by an ethylene copolymer of which melting point is lower than that of a construction material is placed, and a similar thin layer 8 is placed along the outer side of a core material 5.例文帳に追加

ウエルト部１と中空シール部３との界面には、構成材料よりも融点が低いエチレン−酢酸ビニル共重合体からなる薄層７が設けられ、芯材５の外側の面に沿って、同様の薄層８が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, an S-S bond (disulfide bond) of a part of disulfide silane is dissociated with heat in thermocompression bonding on the interface between the metal wiring material 12 and the anisotropic conductive material 13, and the dissociated sulfide silane is chemically bonded to a metal Me.例文帳に追加

また、金属配線材１２と異方性導電材料１３との界面では、圧着時の熱により、ジスルフィドシランの一部のＳ−Ｓ結合（ジスルフィド結合）が解離し、解離されたスルフィドシランが金属Ｍｅと化学結合する。 - 特許庁

To provide a sulfide solid electrolyte particle capable of suppressing formation of a high resistance layer caused by reactions of an oxide active material and a sulfide solid electrolyte material, and low in interface resistance.例文帳に追加

本発明は、酸化物活物質および硫化物固体電解質材料の反応によって生じる高抵抗層の生成を抑制でき、界面抵抗の低い硫化物固体電解質粒子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

In a joint formed by joining a base material comprising aluminum nitride and a member comprising an Al-base metal to be joined to the base material, a Ge thickened phase and an Mg thickened phase having ≤100 μm thickness are present along the joining interface.例文帳に追加

窒化アルミニウムからなる母材と、この母材に接合されるＡｌ系金属からなる接合相手部材との接合部に、接合界面に沿って、厚さが１００μｍ以下のＧｅの濃化相とＭｇの濃化相が存在している。 - 特許庁

A heat removal system (250) includes: a printed circuit board (PCB) (106); at least one thermal via (222) extending through the PCB; and a thermal interface material (TIM) (122) coupled to the at least one thermal via such that heat is removed from the PCB through the at least one thermal via and the thermal interface material (122).例文帳に追加

熱除去システム（２５０）は、印刷回路板（ＰＣＢ）（１０６）と、該ＰＣＢを通って延在する少なくとも１つの熱的バイア（２２２）と、熱が前記ＰＣＢから前記少なくとも１つの熱的バイア及び当該熱界面材料（１２２）を通って除去されるように、前記少なくとも１つの熱的バイアに結合されている熱界面材料（ＴＩＭ）（１２２）とを含む。 - 特許庁

In another embodiment, the polarizer is structured by forming at least a part of the interface into a loosely curved plane in a nonlinear state so as to extend the length of each interface, to sufficiently keep the interfacial area as a contact area between the conductor and the dielectric material and to improve adhesiveness between the conductor and the dielectric material.例文帳に追加

又、変更例として、境界面の少なくとも一部を非直線状態である緩やかな曲面を描くように形成して偏光子を形成することにより、各境界面の長さを延長し、導電体と誘電体との接触箇所である境界面の面積を十分に確保して、導電体と誘電体との密着性を向上させる。 - 特許庁

A method comprises a lamination step of laminating an interface chip 12b smaller than one face of a memory chip 12a in area on the one face of the memory chip 12a and a filling step of supplying a first encapsulation resin material 16 to a periphery of the memory chip 12a to fill the first encapsulation resin material 16 between the memory chip 12a and the interface chip 12b.例文帳に追加

メモリチップ１２ａの一面上に、メモリチップ１２ａの一面よりも面積が小さいインターフェースチップ１２ｂを積層する積層工程と、メモリチップ１２ａの外周部に第１の封止樹脂材１６を供給し、メモリチップ１２ａとインターフェースチップ１２ｂとの間に第１の封止樹脂材１６を充填する充填工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a plate-shaped wiring material for a battery pack suppressing heat generation in the use of a battery to a substantially low level, enhancing weldability and corrosion resistance, and stably manufacturing a clad material, without generating a rippling phenomenon, for example, in the adhesion interface between the clad materials when the clad material is manufactured by rolling, and to provide a battery pack that uses this wiring material.例文帳に追加

電池使用時の発熱を十分低いレベルに抑制すると共に、抵抗溶接性、耐食性に優れ、更には、圧延によりクラッド材を製造する際にクラッド材の接着界面に波打ち等の現象を生じさせないでクラッド材を安定して製造することができる電池パック用板状配線材及びそれを用いた電池パックを提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive material film difficult to generate voids in the adhesion interface and excessive squeeze-out of the adhesive material in a semiconductor device having a structure to connect semiconductor chips with an external connecting member having a wiring which mounts the semiconductor chips by using the adhesive material film and a semiconductor mounting external connecting member excellent in reliability which uses the adhesive material film, and a semiconductor device.例文帳に追加

半導体チップとこれを搭載する配線付外部接続部材を接着材フィルムで接続する構造の半導体装置において、接着界面のボイドや接着材の過剰なはみ出しが発生しにくい接着材フィルムおよびそれを用いた信頼性に優れる半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置を提供する。 - 特許庁