「normal potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which can prevent fluctuations of the potential of adjacent circuit regions caused by a surge voltage and can hold normal operation of an inner circuit, etc., with improved reliability.例文帳に追加

サージ電圧によって隣接した回路領域の電位が変動するのを防ぎ、内部回路等の正常動作を保持し、信頼性を向上させる。 - 特許庁

An operation mode is switched to turn the SW2 ON, and a current is applied to the reproducing head 19 to recover the voltage and the B-point potential of the reproducing head terminal to normal values.例文帳に追加

動作モードが切り替わりＳＷ２がオンし、再生ヘッド１９に電流が印加され再生ヘッド端子の電圧とＢ点電位は定常値に回復。 - 特許庁

When transiting the current supply from the inverted bias voltage impressing condition to the normal directional current supply condition, by switching the either switch prior to the other, the potential between the anode and the cathode of the EL element E1 is made the same potential and the charges are discharged.例文帳に追加

逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行する時に、一方のスイッチを先に切り換えることで、ＥＬ素子Ｅ１のアノードおよびカソード間を同電位にして電荷を放電させる。 - 特許庁

In a second step S2, a current ICrat is measured by using an on-period geometric multiple PMOS gate potential Gp2, the "L" period and trailing time of which are geometric multiples of the normal PMOS gate potential Gp1.例文帳に追加

その後、ステップＳ２で、ＰＭＯＳゲート電位Ｇｐとして、“Ｌ”期間及び立下がり時間がノーマルＰＭＯＳゲート電位Ｇｐ１の等比倍のオン期間等比倍ＰＭＯＳゲート電位Ｇｐ２を用いて電流ＩＣｒａｔを測定する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device, a selecting circuit 371 selects a potential VPP from a pump circuit 11 for normal operation when a selecting signal SELP is an "H" level, the circuit selects an external potential VEX when the selecting signal SELP is an "L" level, and outputs the selected potential as VP.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、選択回路３７１は、選択信号ＳＥＬＰが「Ｈ」レベルの場合は通常動作用正ポンプ回路１１からの電位ＶＰＰを選択し、選択信号ＳＥＬＰが「Ｌ」レベルの場合は外部電位ＶＥＸを選択し、選択した電位をＶＰとして出力する。 - 特許庁

A power source scanner switches a feeding line DS of previous line, from high potential to low potential before the mobility correcting operation, and after the threshold potential correcting operation, introduces a capacity coupling voltage into one current terminal of the transistor T2 for driving via auxiliary capacitance Csub and to make it conduct normal execution of the mobility correcting operation.例文帳に追加

電源スキャナは、閾電圧補正動作の後で移動度補正動作の前に、前行の給電線ＤＳを高電位から低電位に切り換え、補助容量Ｃｓｕｂを介して容量カップリング電圧を駆動用トランジスタＴ２の一方の電流端に入れ、以って移動度補正動作を正常に行わせる。 - 特許庁

At normal operation, the substrate potential of the target transistor is equalized to that of the non-target transistor for use, and at implementation of a scan test, the substrate potential of the target transistor is tested, by impressing a back bias to a side that is increasing in the threshold of the transistor.例文帳に追加

通常動作時には、対象トランジスタの基板電位を、非対象トランジスタの基板電位と同電位にして使用し、スキャンテスト実施時には、対象トランジスタの基板電位を、トランジスタの閾値が上昇する側にバックバイアスを印加してテストする。 - 特許庁

An internal power voltage-down circuit VDC1 is placed to set the voltage of the main power supply L1 higher than a normal operation power source voltage of the higher potential side.例文帳に追加

内部電源電圧降圧回路ＶＤＣ１ａを配置し、メイン電源線Ｌ１の電圧を通常の高電位側の動作電源電圧より高く設定する。 - 特許庁

By this heating processing performed separately from normal printing processing, the absolute value of the residual potential of the surface 10S is reduced, so that optical fatigue is recovered.例文帳に追加

通常の印刷処理とは別個に行われるこの加熱処理により、感光体ドラム表面１０Ｓの残留電位の絶対値を低減して、光疲労を回復させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electrostatic protective element that compatibly improves discharge efficiency and suppresses transfer of potential variation in normal operation.例文帳に追加

放電効率の向上と、通常動作時の電位変動の伝達の抑制とを両立させることができる静電気保護素子を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To produce an indicator which shows the final time of volatilization without color fading even when used with a volatile oxidant having an oxidation power of ≥0.5 V at the normal electrode potential.例文帳に追加

酸化力が標準電極電位で０．５Ｖ以上である揮散性酸化剤に用いても、退色せずに揮散の終期を示すことができるインジケータを作製する。 - 特許庁

An internal power source voltage booster VUC1a is disposed, and the voltage of the line L3 is set lower than the operating power source voltage of the normal low potential side of the line L3.例文帳に追加

内部電源電圧昇圧回路ＶＵＣ１ａを配置し、メイン接地線Ｌ３の電圧を通常の低電位側の動作電源電圧より低く設定する。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a pair of electrodes each of which having a normal electrode potential different from each other (for example, an ITO electrode and an Al electrode) and a liquid crystal layer interposed between the electrodes.例文帳に追加

標準電極電位が互いに異なる一対の電極（例えばＩＴＯ電極とＡｌ電極）と、電極に挟まれた液晶層とを有する。 - 特許庁

The occurrence of etching defects is made to concentrate on the patterns in the peripheral region with a sharp potential gradient, and the inside region can be secured as a normal etching region.例文帳に追加

これにより、電位勾配が急な外周領域のパターンに積極的にエッチング異常が集中させ、内側の領域を正常なエッチング領域として確保できる。 - 特許庁

At normal operation times, a gate intercepting MOS 4, connected between the gate of power switch element 2 and a grounding potential, is set to OFF state, whereby the MOS structure goes to ON state.例文帳に追加

正常動作時にはパワースイッチ素子２のゲートと接地電位との間に接続されたゲート遮断ＭＯＳ４はオフ状態であり、前記ＭＯＳ構造がオン状態となる。 - 特許庁

An internal power source voltage drop circuit VDC1a is disposed, and the voltage of the line L1 is set higher than the operating power source voltage of the normal high potential side of the line L1.例文帳に追加

内部電源電圧降圧回路ＶＤＣ１ａを配置し、メイン電源線Ｌ１の電圧を通常の高電位側の動作電源電圧より高く設定する。 - 特許庁

A metal Al or a metal having a normal electrode potential lower than that or a semiconductor B2 is conduct-connected with a detection part 3 of the subcutaneous contaminant substance.例文帳に追加

皮下含有物質の検知部３に金属Ａ１あるいはこれより標準単局電位の低い金属または半導体Ｂ２のいずれかを導電接続させる。 - 特許庁

To avoid such a state that normal measurement can not be done because the grounding potential fluctuates and then semiconductor devices malfunction as a measuring number increases when simultaneously measuring multiple semiconductor devices.例文帳に追加

半導体素子を多数個同時測定を行う場合に同時測定数が増加するに伴い、接地電位が変動し素子が誤動作し正常に測定できなくなる。 - 特許庁

To provide a water modifying catalyst, a water modifying device, and a water modifying method for modifying normal water to water with a low oxidation-reduction potential, and functional water.例文帳に追加

本発明は、通常の水を酸化還元電位の低い水に改質する水改質触媒、水改質装置及び水改質方法並びに機能性水を提供する。 - 特許庁

The control section CT controls the device B2 according to one of factors affecting toner chargeability, thereby controlling the offset potential difference Vd so that toner may be charged in normal quantity.例文帳に追加

制御部ＣＴは、トナー帯電性を左右する要因の内、一つに応じ装置Ｂ２を制御してオフセット電位差Ｖｄを、トナーが正規帯電量に帯電する様に制御。 - 特許庁

The peripheral circuit part includes a controller 12 for switching between a normal mode and a power save mode, setting the power supply Vcc to a normal potential in the normal mode to make a drive transistor Tr2 operate in the saturated area, supplying an output current corresponding to an input signal to a light-emitting element OLED as a constant current source.例文帳に追加

周辺回路部は通常モードと節電モードを切り換える為のコントローラ１２を有し、通常モードの時電源Ｖｃｃを通常の電位に設定し、以ってドライブトランジスタＴｒ２を飽和領域で動作させ、定電流源として入力信号に応じた出力電流を発光素子ＯＬＥＤ供給する。 - 特許庁

Thereby, the number of the normal voltage generating circuits 111 is smaller than the number of the test voltage generating circuits 112, so that the normal voltage, such as a precharge potential or the like, can be stably supplied while suppressing an increase in chip area.例文帳に追加

これにより、テスト電圧発生回路１１２よりも通常電圧発生回路１１１の数の方が多くなることから、チップ面積の増大を抑制しつつ、プリチャージ電位などの通常電圧を安定供給することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, during a test operation, a voltage different from that during a normal operation is supplied to an internal power supply line, and in which a normal voltage, such as a precharge potential or the like, is stably supplied while suppressing an increase in chip area to a minimum level.例文帳に追加

テスト動作時において通常動作時とは異なる電圧が内部電源配線に供給される半導体装置において、チップ面積の増大を最小限に抑制しつつ、プリチャージ電位などの通常電圧を安定供給する。 - 特許庁

The circuit 4 is connected to the gate of the first NMOS transistor, has a capacitive element C with the potential of the gate being set to the same potential as that of power line at the normal operation, and is substantially the ground level at the occurrence of the electrostatic surge.例文帳に追加

第１のゲート電位制御回路４は、第１のＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、容量素子Ｃを有し、通常動作時にそのゲートの電位を電源線と同電位に設定し、静電気サージ発生時にそのゲートの電位を実質的に接地レベルとする。 - 特許庁

To provide a method and a standard solution, for inspecting an electrode of an oxidation-reduction potential measuring apparatus, which more securely inspects whether the property of an electrode is normal relative to an oxidation-reduction potential on the reduction side.例文帳に追加

還元側の酸化還元電位に対して電極の性能が正常であるか否かをより確実に検査することを可能とする酸化還元電位測定装置の電極検査方法及び酸化還元装置の電極検査用の標準液を提供する。 - 特許庁

A source line voltage control circuit 31 controls a source line SL0 in a test mode to a potential (second voltage) different from a potential (first voltage) in a read operation of a normal mode in response to a test mode signal TM supplied from a test mode control circuit.例文帳に追加

ソース線電圧制御回路３１は、テストモード制御回路から供給されるテストモード信号ＴＭに応答して、テストモードにおけるソース線ＳＬ０を、通常モードのリード動作における電位（第１の電圧）と異なる電位（第２の電圧）に制御する。 - 特許庁

The logic circuits 22, 24, 26 are connected with a first power supply VDD1 and the logic circuits 28, 30, 32 are connected with a second power supply VDD2 which supplies a first potential at the time of normal operation and supplies a second potential at the time of test.例文帳に追加

論理回路２２，２４，２６に第１の電位を供給する第１の電源（ＶＤＤ１）が接続され、論理回路２８，３０，３２に通常動作時に第１の電位を供給し、試験時に第２の電位を供給する第２の電源（ＶＤＤ２）がそれぞれ接続される。 - 特許庁

Applied voltage is made to act in the same way as in a normal scorotron electrifying device by a switch 6 during a printing process and the applied potential of an electrode plate 2 and a net shield 5 and applied potential of a grid 4 are switched while printing is not executed.例文帳に追加

印字処理中にスイッチ６は通常のスコロトロン型帯電器と同じ働きをするような印加電圧となるようにし、非印字処理中にスイッチ６は電極板２および網目状シールド５の印加電位とグリッド４の印加電位とを入れ替える。 - 特許庁

In judging the normal/defective state of cells, all cells are set in the high resistance state, the reference voltage generator 62 outputs voltage of 105% of the average value, the discriminator 61 discriminates the cell as defect when the bit line potential at the time of read is higher than this potential.例文帳に追加

セルの良否判別時には、全セルを高抵抗状態にセットし、参照電圧発生器６２は前記平均値の105％の電圧を出力し、判別器61は、読み出し時のビット線電位がこの電位より高い場合はそのセルを不良と判定する。 - 特許庁

At a normal mode, the potential of only one of plural plate segments is pulsated and the potentials of the two plate segments are simultaneously pulsated at a test mode for accessing the memory cell MC.例文帳に追加

ノーマルモード中はメモリセルＭＣへのアクセスにあたり、複数のプレートセグメントのうちそのつど１つだけの電位がパルス化され、テストモード中は同時に２つのプレートセグメントの電位がパルス化される。 - 特許庁

A potential contrast image is acquired to detect defects, in a state of enhancing an electric resistance difference between a normal part and a defective part sufficiently, taking advantage of the electric charges induced by irradiation with an electron beam.例文帳に追加

電子ビーム照射による帯電を利用し、正常部と欠陥部の電気抵抗値の差を十分増大させた状態で電位コントラスト像を取得し、欠陥を検出する。 - 特許庁

A fuse element corresponding to a memory cell column being redundancy-replaced among fuse elements Fcs11-Fcs24 is cut off, supply of a ground potential for a replaced normal memory cell column is stopped.例文帳に追加

ヒューズ素子Ｆcｓ１１〜Ｆcｓ２４のうち、冗長置換をされるメモリセル列に対応するヒューズ素子は切断され、置換される正規メモリセル列への接地電位の供給が停止される。 - 特許庁

To heighten potential difference between a pixel electrode having an adjacent defect and a normal pixel electrode and to heighten detection sensitivity of an adjacent defect of pixel electrodes across a source line, in TFT array inspection.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ検査において、隣接欠陥を有する画素電極と正常な画素電極との電位差を高め、ソースラインを挟む画素電極の隣接欠陥の検出感度を高める。 - 特許庁

Upon generating a partial hydrogen shortage condition at the high-potential operation, a new hydrophilic layer 55 is formed by oxidizing and eluting the surface layer of the diamond-like carbon layer 54 since an electrode potential of the separator 50 is set higher than that at a normal operation of the fuel battery system 20 by using such a condition.例文帳に追加

高電位運転では、部分水素欠状態を発生させ、それを利用して、セパレータ５０の電極電位を、燃料電池システム２０の通常運転よりも高電位にすることで、ＤＬＣ層５４の表層を酸化溶出させて、新たな親水層５５を形成させる。 - 特許庁

Then, potential images in a defective state (images whose brightness is different before and after the disconnected part when disconnection failure is present) and potential images in a normal state (images whose brightness is the same before and after the disconnected part even when the disconnection failure is present) are generated, based on those detected results.例文帳に追加

これらの検出結果に基づいて、それぞれ故障状態の電位像（断線故障がある場合には、断線箇所の前後で明度が異なる画像）と、正常状態の電位像（断線故障があっても、断線箇所の前後で明度に差がでない画像）とを生成する。 - 特許庁

If a Vcc is supplied to the n-type semiconductor lower layer 105a, a pn joint normal current does not run in the p-type semiconductor upper layer 105b, even when the potential is made to vary from the ground potential to Vcc, the structure can be made to function as a signal wiring.例文帳に追加

ｎ型半導体下部層１０５ａにＶｃｃを供給した場合には、ｐ型半導体上部層１０５ｂは、グランド電位からＶｃｃまで電位を変動させても、ｐｎ接合順方向電流は流れないので、信号配線として機能させることができる。 - 特許庁

Consequently, a potential difference ΔV0 between the write pulse Pwa to be impressed to the address electrode 11 and the write pulse Pw to be impressed to a scan electrode 12 becomes larger than the potential difference ΔV1 of the normal operation period, and a wall load is formed on the discharge cell.例文帳に追加

それにより、アドレス電極１１に印加される書き込みパルスＰｗａとスキャン電極１２に印加される書き込みパルスＰｗとの間の電位差ΔＶ０が通常動作期間の電位差ΔＶ１に比べて大きくなり、放電セルに壁電荷が形成される。 - 特許庁

To provide a steering gear for a vehicle allowing stable steering control by supplying power to a control unit with the other voltage regulating means even when one voltage regulating means cannot output a normal electric potential (conversion electric potential) due to a failure or the like.例文帳に追加

ある電圧調整手段が故障等により正常な電位（変換電位）を出力できなくなった場合でも、他の電圧調整手段により制御ユニットへの電力供給が行なえ、安定した操舵制御を可能とした車両用操舵装置を提供する。 - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁

This bootstrap circuit is constituted so that a high potential power source voltage HVCC and a low potential power source voltage LVCC are sensed, clamp is performed at only the high potential power source voltage HVCC, and normal operation is performed at the low potential power source voltage LVCC, and read-out operation of a flash memory cell can be performed stably by controlling easily a level of word line boost voltage.例文帳に追加

高電位電源電圧ＨＶｃｃと低電位電源電圧ＬＶｃｃを感知し、高電位電源電圧ＨＶｃｃでのみクランプを行い、低電位電源電圧ＬＶｃｃでは正常動作を行うようにブートストラップ回路を構成してワードラインブースト電圧のレベルを容易に制御することにより、フラッシュメモリセルの読出動作を安定的に行うことが可能なブートストラップ回路を提示する構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

An accelerator pedal reaction force characteristic switching unit is provided with a normal reaction force spring and an added reaction force spring; and when the risk potential exceeds a predetermined value, it combines an electromagnetic clutch, to make the accelerator pedal work spring force of the normal reaction force spring and the added reaction force spring act as a reaction force.例文帳に追加

アクセルペダル反力特性切換装置は、通常反力用スプリングと付加反力用スプリングとを備え、リスクポテンシャルが所定値を超えると電磁クラッチを結合して通常反力用スプリングと付加反力用スプリングのバネ力をアクセルペダルに反力として作用させる。 - 特許庁

In the region of the resist in the vicinity of normal opening contacts 13, 14 and 15, a leakage current flowing through a silicon substrate 10 through the normal contacts causes a potential is lowered but is not so much because the leakage current is small.例文帳に追加

正常な開口のコンタクト１３、１４、１６近傍の領域では、その正常なコンタクトを介してシリコン基板１０に流れるリーク電流により電位が低くなるが、開口不良のコンタクト１５近傍の領域ではリーク電流が少ないため電位はあまり低くならない。 - 特許庁

In another method, bit line capacity is made approximately twice as much as capacity at the time of normal use and minute potential difference between a pair of bit lines is made approximately the same as that of a normal DRAM circuit having a single array by turning on all four bit line separating switches 23-26 and performing read-out operation.例文帳に追加

他の方法では、４つのビット線分離スイッチ２３〜２６を全てオンにして読み出し動作を行うことにより、ビット線容量を通常使用時の約２倍にしてビット線対間微小電位差を、シングルセルアレイを有する通常のＤＲＡＭ回路の場合と同程度にする。 - 特許庁

To always hold a reference level at a predetermined constant level during data reading from a normal cell in a ferroelectric memory device for comparing the potential of data read from the normal cell with the reference level of the reference cell to determine whether the read data is "H" data or "L" data.例文帳に追加

ノーマルセルから読み出したデータの電位をリファレンスセルのリファレンスレベルと比較して、その読み出しデータが”Ｈ”データか”Ｌ”データかを判別する強誘電体記憶装置において、ノーマルセルからのデータの読み出し時には、前記リファレンスレベルを常に所定の一定レベルに保持する。 - 特許庁

In this nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a positive electrode containing a positive electrode active material, a negative electrode containing a negative electrode active material, and a nonaqueous electrolyte containing room temperature molten salt, after injecting the nonaqueous electrolyte, the potential of the negative electrode is swept to a potential by which the cations of the normal temperature molten salt is reduced and decomposed by potential scanning before first time charging.例文帳に追加

正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、常温溶融塩を含有する非水電解質とを備える非水電解質二次電池において、非水電解質を注入した後、初回充電前に、電位走査により、負極の電位を常温溶融塩のカチオンが還元分解する電位以下まで掃引したことを特徴としている。 - 特許庁