「pattern S」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The respective receiving rolls 20, 21 and 22 are constituted so as to hold the sheet-like material S under pressure along with the embossing roll 10 to apply the embossed pattern of the sheet-like material S.例文帳に追加

各受けロール２０、２１、２２は、エンボスロール１０との間でシート状材料Ｓを挟圧することによりこのシート状材料Ｓに凹凸形状の模様を付けるようになっている。 - 特許庁

Furthermore, since the variation pattern specifying command is developed by a subordinate control board S, the control loads on the main control board C can be reduced by dispersing the loads to the subordinate control board S.例文帳に追加

しかも、変動パターン指定コマンドの展開はサブ制御基板Ｓによって行われるので、主制御基板Ｃの制御負担をサブ制御基板Ｓへ分散して軽減することができる。 - 特許庁

Furthermore, since the variation pattern designating command is developed by a sub-control board S, the control loads on the main control board C is reduced by dispersing the loads to the subordinate control board S.例文帳に追加

しかも、変動パターン指定コマンドの展開はサブ制御基板Ｓによって行われるので、主制御基板Ｃの制御負担をサブ制御基板Ｓへ分散して軽減することができる。 - 特許庁

Moreover, since the variable pattern assignment command is developed by a sub-control board S, the control burden of the main control board C can be reduced being dispersed to the sub-control board S.例文帳に追加

しかも、変動パターン指定コマンドの展開はサブ制御基板Ｓによって行われるので、主制御基板Ｃの制御負担をサブ制御基板Ｓへ分散して軽減することができる。 - 特許庁

A basic pattern P1 with N poles on two surfaces and S poles on the remaining surfaces and a basic pattern P2 with reversed N and S poles are alternately assigned to block members 11-18 of an assembly 100, and an expansion plan is created.例文帳に追加

組み立て体１００において、ブロック部材１１〜１８に関して、２つの表面がＮ極であり残りの表面がＳ極である基本パターンＰ１と、Ｎ極及びＳ極が逆転した基本パターンＰ２とを交互に割り当て、展開図を作成する。 - 特許庁

The pattern molding method includes; a step (S 140) of applying resists on a plurality of small molds marked with the masks or the micro-patterns, a step (S 150) of pressing the plurality of small molds and imprinting the micro-pattern of a curing resist, a step of curing the resist and a step (S 170) of releasing the plurality of small molds from the resist.例文帳に追加

マスクまたは微細パターンの刻印された複数の小型モールドに、レジストを塗布する段階と、前記複数の小型モールドを加圧し、前記レジストに微細パターンをインプリンティングする段階と、前記レジストを硬化する段階と、前記複数の小型モールドを前記レジストから離型する段階とを含む。 - 特許庁

An electrode portion 1a provided on the electronic part 1 and the paste solder 4 applied on the metal substrate 2's wiring pattern 2a are faced, the electronic part 1 is once placed onto the paste solder 4, and then, the electronic part 1 is slightly moved up and down, thus soldering the electronic part 1's electrode 1a to the metal substrate 2's wiring pattern 2a.例文帳に追加

電子部品１に設けた電極部１ａと、金属基板２の配線パターン２ａ上に塗布したペースト半田４を対向させて、ペースト半田４上に電子部品１を一旦載せた後、電子部品１を上下に微動させて、電子部品１の電極部１ａを、金属基板２の配線パターン２ａに半田付けする。 - 特許庁

The mask M for depositing a thin film having a predetermined pattern with respect to a substrate for film deposition comprises a mask base material S consisting of silicon, a reinforcing base material H adhered to one main surface MB of the mask base material S to reinforce the mask base material S, and an opening part 24 formed through the mask base material S and the reinforcing base material H corresponding to the predetermined pattern.例文帳に追加

被成膜基板に対して所定パターンを有する薄膜を形成するためのマスクＭにおいて、シリコンからなるマスク基材Ｓと、マスク基材Ｓの一方の主面ＭＢに密着配置されてマスク基板Ｓを補強する補強基材Ｈと、所定パターンに対応してマスク基材Ｓ及び補強基材Ｈを貫通して形成された開口部２４と、を備える。 - 特許庁

The coating is sprayed on the surface of the plate S through through holes (pattern holes) formed in the plate 321A.例文帳に追加

孔版（柄孔形成部）３２１Ａに形成した透孔（柄孔）を通して粉体塗料が被加工板Ｓの表面に散布される。 - 特許庁

The actuator(s) can be active or passive, and/or a variable mechanical gate can be used to implement the pattern.例文帳に追加

アクチュエータは、能動的または受動的でもよく、および／または可変の機械的なゲートをパターンの実現に使用してもよい。 - 特許庁

To provide a laser emission method and an apparatus capable of preventing a processing pattern like stripes from appearing on a substrate (S) to be processed after laser emission.例文帳に追加

レーザ照射後の被処理基板（Ｓ）に筋のような処理パターンが現れないようにレーザ照射方法を改良する。 - 特許庁

The L/S pattern is arrayed with the line parts 12 with a width narrower than the escape depth at a prescribed interval, with the space part 14 therebetween.例文帳に追加

Ｌ／Ｓパターンはスペース部１４を挟んで、脱出深度より小さい幅のライン部１２を一定の間隔で配列している。 - 特許庁

A cover insulating layer 13 is formed on the base insulating layer 11 to cover the lead wire S for plating and the wiring pattern 20.例文帳に追加

めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０を覆うように、ベース絶縁層１１上に、カバー絶縁層１３が形成される。 - 特許庁

Two pairs of wiring pattern groups 2g are disposed extending from the inside to the outside of two sides of the region S which face each other, respectively.例文帳に追加

領域Ｓの対向する２辺の内側から外側にそれぞれ延びるように２組の配線パターン群２ｇが配置される。 - 特許庁

The microlenses 5 of the plurality of optical sheets 2a and 2b are preferably different in diameter (D), lens-to-lens distance (S), or arrangement pattern.例文帳に追加

これらの複数の光学シート２ａ、２ｂのマイクロレンズ５の直径（Ｄ）、レンズ間距離（Ｓ）又は配設パターンが相違するとよい。 - 特許庁

The 12 successive 0's are a pattern with the minimum bit length of a code array which never appears in the MMR compression.例文帳に追加

連続する１２個の０は、ＭＭＲ圧縮においては絶対に出現しない符号列の最小ビット長のパターンである。 - 特許庁

The photosensitive adhesive composition has a minimum melt viscosity of not more than 30,000 Pa s as measured at 20°C to 200°C after pattern formation.例文帳に追加

パターン形成後の２０℃〜２００℃における最低溶融粘度が３００００Ｐａ・ｓ以下である感光性接着剤組成物。 - 特許庁

The direction of magnetization of the servo pattern part S is kept in one direction by a magnetic field of the permanent magnet 20, and stability of magnetization is improved.例文帳に追加

永久磁石２０の磁界によって、サーボパターン部Ｓの磁化の向きが一方向に維持され、磁化の安定度が高まる。 - 特許庁

The edge detection device of a pattern for detecting an edge of a pattern to be detected from a zero cross signal obtained when an S-shaped signal generated from a signal affected by the pattern to be detected crosses the zero level has a high pass filter (HPF) 60 for passing the S-shaped signal before detecting the zero cross.例文帳に追加

検出対象パターンの関与を受けた信号から生成したＳ字状信号が、零レベルをクロスした時に得られる零クロス信号から、検出対象パターンのエッジを検出するようにされたパターンのエッジ検出装置において、零クロス検出前に前記Ｓ字状信号を通すハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６０を設ける。 - 特許庁

The first pattern and the second pattern are alternately arranged in a longitudinal direction, the light sources are arranged at the respective light source arranging positions, and also prism mirrors 5a and 5b are arranged in a photosynthesis area S.例文帳に追加

第１パターンと第２パターンが縦方向に交互に並べられ、各光源配置位置に光源が配されるとともに、光合成領域Ｓにプリズムミラー５ａ、５ｂが配される。 - 特許庁

Therefore, it is possible to apply limit resolution of a k_1 factor which is the same as that of an L/S pattern, even to a hole array pattern, thus enabling a hole array of high density to be manufactured.例文帳に追加

このため、ホールアレイパターンに対しても、Ｌ／Ｓパターンと同じk_1ファクタの限界解像が適用可能となり、これにより、より密集度の高いホールアレイの作製が可能となる。 - 特許庁

A demodulation circuit 111 outputs one detecting signal S when it has received a specified pattern P1 addressed to itself and outputs data D1 coping with the specific pattern P1.例文帳に追加

復調回路１１１は、自己宛の特定パターンＰ１を受信したときに検出信号Ｓを１個出力するとともに、この特定パターンＰ１に対応するデータＤ１を出力する。 - 特許庁

The laser beam marking device S comprises marking pattern input devices 10 and 20 to input the marking pattern to be marked on a work, a personal computer 30, a laser beam marker 40 to mark the marking pattern by irradiating the work with laser beams.例文帳に追加

本発明のレーザマーキング装置Ｓは、ワークにマーキングするマーキングパターンを入力するためのマーキングパターン入力装置１０，２０と、パソコン３０と、ワークにレーザ光を照射してマーキングパターンをマーキングするレーザマーカー４０と、を備えている。 - 特許庁

A pattern shape of a transverse rectilinear form covering the extraction pattern 17Aa and a pattern shape indicating a character 'OFF' are formed within the display area (on the inner side of an alternate long and two short dashes line f) of the liquid crystal display device by the sealing material S'.例文帳に追加

このシール材Ｓ’により、液晶表示装置の表示エリア内（二点鎖線ｆの内側）に引き出しパターン１７Ａａを覆う横一直線状のパターン形状と「ＯＦＦ」の文字を表すパターン形状とが形成される。 - 特許庁

To provide a catalyst pattern manufacturing method for manufacturing s catalyst pattern to be used for forming a metal pattern which has excellent adhesion to a substrate, thin line reproducibility, and conductivity using a good discharge stability ink, and a metal pattern manufacturing method using thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、吐出安定性に優れたインクを用い、基板との密着性、細線再現性及び導電性に優れた金属パターンの形成に用いる触媒パターンを製造する触媒パターン製造方法及びそれを用いた金属パターン製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the pattern forming method comprising a process for forming the thick film resist layer 25 with a pattern on a substrate 10 by using a mask 30, the thick film resist layer 25 is formed, and then the side faces S of the thick film resist layer 25 are hardened by irradiating the side faces S with an electromagnetic wave.例文帳に追加

マスク３０を用いて基板１０上にパターン付き厚膜レジスト層２５を形成する工程を含むパターン形成方法において、厚膜レジスト層２５を形成した後、厚膜レジスト層２５の側面Ｓに電磁波を照射して側面Ｓを硬化させた。 - 特許庁

In a hardness testing machine 100, the surface of a sample S is captured by a CCD camera 12, and a pattern formation program 63a is executed by a CPU 61, then, a user can form an optional pattern to be projected on the surface of the sample S.例文帳に追加

硬さ試験機１００において、ＣＣＤカメラ１２により試料Ｓの表面が撮像され、ＣＰＵ６１が、パターン作成プログラム６３ａを実行することによって、その試料Ｓの表面に投影する任意のパターンをユーザが作成することができる。 - 特許庁

On the other hand, a threshold array is produced from an expansion threshold pattern, which is obtained by combining threshold patterns Δh×K, Δh×K+1,..., Δh×K+2'(s-1), whose threshold interval is a power (2's) number of 2 of Δh.例文帳に追加

一方で、閾値間隔がΔｈの2のｓ乗（２＾ｓ）個の閾値パターンΔｈ×Ｋ、Δｈ×Ｋ＋１、...、Δｈ×Ｋ＋２＾（ｓ−１）を組み合わせて得られる拡張閾値パターンから閾値配列を生成する。 - 特許庁

A reference area S including a part of the test pattern is set on the read image expressing the content of an image of the read image data, and a comparison area C1 to be compared with the reference area on the read image is set.例文帳に追加

読取画像データの画像内容を表す読取画像上でテストパターンの一部を含む基準領域Sを設定し、読取画像上で基準領域と比較する比較領域C1を設定する。 - 特許庁

Then, the image processing apparatus 15 decomposes the color image into image data of brightness I, hue H, and chroma S for comparing with the reference pattern for each of H, S and I for each image for judgment.例文帳に追加

そして、画像処理装置１５がこのカラー画像をＨＳＩ変換で、明度Ｉ、色相Ｈ、彩度Ｓの画像データに分解し、この各画像に対してＨ、Ｓ、Ｉ毎の基準パターンと比較して判定する。 - 特許庁

After a large number of resist layers S have been formed by a photolithographic process on the surface of a quartz substrate 10, the resist layers S are subjected to a hot reflow process for imparting a convex spherical pattern to each resist layer.例文帳に追加

石英基板１０の表面上に多数のレジスト層Ｓをホトリソグラフィ処理により形成した後、レジスト層Ｓに加熱リフロー処理を施して各レジスト層に凸球面状パターンを付与する。 - 特許庁

Subsequently, the mold release agent S is supplied from a process liquid supply section 120 to the clearance 116, and the mold release agent S is diffused only onto the pattern region D_1 by capillary phenomenon (Figs. 12(b)-(d)).例文帳に追加

その後、処理液供給部１２０から隙間１１６に離型剤Ｓを供給し、当該離型剤Ｓを毛細管現象によってパターン領域Ｄ_１上にのみ拡散させる（図１２（ｂ）〜（ｄ））。 - 特許庁

When creating additional bank(s) having different lighting pattern, the user selects "partial lighting complementation," and selects a set bank to which he/she wants to add bank(s) from a list of banks already set by him/her.例文帳に追加

ユーザは点灯パターンの異なる追加のバンクを作成したときには、「部分点灯補完」を選択し、そして、既にユーザが設定したバンクの一覧から、バンクを追加したい設定バンクを選択する。 - 特許庁

The plate-like sample S as a wafer having a fine pattern is drilled from the surface toward the depth by glow discharge, and drilled cross section is formed, from the surface of the sample S toward the depth direction.例文帳に追加

微細パターンが形成されたウエハである平板状の試料Ｓに対して、グロー放電によって表面から深さ方向に掘削し、試料Ｓの表面から深さ方向に掘削断面を形成する。 - 特許庁

In an intonation DB 102, F0 patterns corresponding to the intonation environment information and feature quantities of the F0 patterns are registered by pattern No.'s.例文帳に追加

韻律ＤＢ１０２には、パタンNo.ごとに、韻律環境情報と対応したＦ０パタンとＦ０パタンの特徴量とが登録されている。 - 特許庁

Since the same test pattern TPb is also formed on the other surface Sb of the sheet S, the density difference between these images is emphasized when observed.例文帳に追加

シートＳの反対面Ｓｂにも同様のテストパターンＴＰｂを形成するので、両画像部の濃度差が強調されて見える。 - 特許庁

Therefore, the background due to the scattering of air and scattered X-rays is reduced and a diffraction pattern having a desired S/B ratio is measured.例文帳に追加

このため、空気散乱及び散乱Ｘ線によるバックグラウンドが低減され、所望のＳ／Ｂ比を有する回折パターンが測定される。 - 特許庁

A defect is determined according to the result of comparison between the generated ideal pattern and the unit patterns contained in the inspection image S.例文帳に追加

そして、この生成された理想パターンと被検査画像Ｓに含まれる単位パターンとを比較した結果を用いて欠陥を判定する。 - 特許庁

The water molecules m and the solvent s stuck to the resist pattern R on the wafer W after the smoothing process are removed by drying.例文帳に追加

スムージング処理されたウエハＷ上のレジストパターンＲに付着する水分子ｍ及び溶剤ｓを乾燥により除去する。 - 特許庁

When the embroidery or the trace is started, based on the distance data from the selected prescribed point to the start point S, the embroidery frame 5 positioned at the corresponding position to the selected prescribed point is moved to a position corresponding to the start point S of the embroidery pattern, and then, the embroidery or the trace is started with the start point S of the embroidery pattern as an original point.例文帳に追加

刺繍、または、トレースを開始する時に、選択された所定点からスタート点Ｓまでの距離データに基づいて、選択された所定点に対応する位置にある刺繍枠５を刺繍柄のスタート点Ｓに対応する位置へ移動させた後に、該刺繍柄のスタート点Ｓを起点とする刺繍、または、トレースを開始する。 - 特許庁

The laser marking system S is provided with: marking pattern inputting apparatuses 10 and 20 for inputting a marking pattern to be marked on a work; a personal computer 30; and a laser marker 40 by which the work is irradiated with a laser beam and dot-marking of the marking pattern is performed.例文帳に追加

本発明のレーザマーキング装置Ｓは、ワークにマーキングするマーキングパターンを入力するためのマーキングパターン入力装置１０，２０と、パソコン３０と、ワークにレーザ光を照射してマーキングパターンをドットマーキングするレーザマーカー４０と、を備えている。 - 特許庁

At least one of the patterns are formed of plural pattern factors displayed so as to be adjacent to each other or so as to overlap with each other and a controller 24 can temporarily s display one pattern factor seperatedly from the other pattern factors.例文帳に追加

図柄の少なくとも１つを、相互に近接しあうよう又は相互に重なりあうよう表示される複数の図柄因子により構成するとともに、制御装置２４は一時的に１の図柄因子を他の図柄因子から離間表示しうる。 - 特許庁

In other words, the test pattern CP is printed so that the formation position of a sub-pattern printed by using a second ink lighter than a first ink comes to the center side of the paper S more than the formation position of a first sub-pattern printed by using the first ink.例文帳に追加

つまり、第一インクよりも淡い第二インクを用いて印刷されるサブパターンの形成位置が、第一インクを用いて印刷される第一サブパターンの形成位置よりも、用紙Ｓの中央側に来るように、テストパターンＣＰは印刷される。 - 特許庁

To provide an exposure method and an aligner wherein exposure can be made with high resolution but without exchanging a mask pattern having a fine width (e.g. smaller than 0.15 μm), with the pattern being a mixture pattern ranging from various patterns, isolated and complicated patterns including L and S patterns.例文帳に追加

微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）線幅を持ち、各種パターンや、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A bottom surface 111, a front surface 112, a back surface 113, and side surfaces 114 in the drawer body 110 forming a storage space S are given a fine pattern by embossing on the sides of the storage space S, and the fine pattern is given before bending.例文帳に追加

その場合、収納空間Ｓを形成する引き出し本体１１０における底面１１１、前面１１２、背面１１３、及び側面１１４，１１４の収納空間Ｓ側に、エンボス加工による微細凹凸加工が施されており、かつ、この微細凹凸加工は、折曲加工前に施されている。 - 特許庁