「point layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The solder resist layer 250 is cured with the electron beam, so the curing time by exposure is shortened, and further the Young's modulus and the Tg point of the solder resist layer 250 is improved.例文帳に追加

電子線によりソルダーレジスト層２５０を硬化させるため、露光による硬化時間を短縮することができ、また、ソルダーレジスト層２５０のヤング率、Ｔｇ点を改善することが可能になる。 - 特許庁

The gate electrode GT is formed by laminating a lower layer g1 of an aluminum neodymium alloy film with addition of 0.2 to 0.6 at.% neodymium element to aluminum and a high melting point metal layer g2 thereon.例文帳に追加

ゲート電極ＧＴを、アルミニウムに０．２乃至０．６ａｔ％のネオジム元素を添加したアルミニウム−ネオジム合金膜を下層ｇ１とし、その上層に高融点金属層ｇ２を積層した。 - 特許庁

In this high melting point metallic material having a surface hardened layer, the surface of a base material metal composed of molybdenum or a molybdenum alloy is provided with a surface hardened layer containing nitrogen and carbon.例文帳に追加

表面硬化層を有する高融点金属材料は、モリブデン又はモリブデン合金からなる母材金属の表面に窒素と炭素とを含有した表面硬化層を有する。 - 特許庁

A hard body 50A is formed of a material having higher rigidity than the elastic layer 42 in a spherical shape and is placed inside the elastic layer 42 in such a manner that it overlaps the reference point R in plan view.例文帳に追加

硬質体５０Aは、弾性層４２よりも剛性が高い材料で球体状に形成されて平面視で基準点Ｒに重なるように弾性層４２に内包される。 - 特許庁

A glass rod material 6 having the surface layer previously formed into a high melting point-rich layer is used, and a holding jig 4 is vertically lifted or lowered along a guide 5 by rotating a ball screw 3 by a driving part 2.例文帳に追加

表面層を予め高融点リッチ層に施したガラス棒材(6)を用い、駆動部(2)でボールネジ(3)を回転させて保持治具(4)をガイド(5)に沿って垂直に上昇または下降させる。 - 特許庁

(1) It is composed of at least three layers, (2) each interlayer is attached by thermocompression bonding, and (3) the high melting point layer 2 is disposed at the outermost layer of the laminated body.例文帳に追加

（１）少なくとも３層以上で構成されていること、（２）各層間が熱圧着により接着されてなること、（３）高融点層２が積層体の最外層に配されていること。 - 特許庁

Furthermore, they are baked for a short time at a temperature which is lower than the melting point of the insulating layer 3 and the barrier isolation layer 4 and then multi-layer organic laminate film 5 and electronic injected electrode 6 are formed on the hole injected electrode 2 in order.例文帳に追加

さらに、絶縁層３および隔壁分離層４の融点よりも低い温度で短時間ベーキングを行った後、ホール注入電極２上に多層有機薄膜層５および電子注入電極６を順に形成する。 - 特許庁

The heating member 23 comprises a first heating layer 23a which is formed so that the Curie point becomes lower than or equal to 300°C, and a second heating layer 23b of which volume resistivity is lower than that of the first heating layer 23a.例文帳に追加

そして、発熱部材２３は、キューリー点が３００℃以下になるように形成された第１発熱層２３ａと、第１発熱層２３ａの体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する第２発熱層２３ｂと、を具備する。 - 特許庁

The black pigment particle has a non-magnetic core particle consisting of a light element with an atomic number of ≤22, an isoelectric point control layer that covers the core particle, and an oxide layer at least containing iron which covers the intermediate layer.例文帳に追加

本発明の黒色顔料粒子は、原子番号が２２以下の軽元素からなる非磁性コア粒子と、該コア粒子を被覆する等電点コントロール層と、該中間層を被覆する、少なくとも鉄を含有する酸化物層とを有する。 - 特許庁

At this point, the oxide film 2 and the porous silicon layer 4 are not laminated directly, and a growth silicon layer 5 is interposed between them, by which the porous silicon layer 4 can be ensured of bonding strength to the oxide film 2.例文帳に追加

ここで、酸化膜２と多孔質シリコン層４との間は互いに直接貼り合わせられるのではなく、間に成長シリコン層５を介在させることとすれば、酸化膜２に対するボンディング力を確保することができる。 - 特許庁

In the multilayered structure for packaging comprising a polyester resin layer, an adhesive resin layer and a functional resin layer, the adhesive resin and the functional resin have a melting point of 150°C or higher.例文帳に追加

ポリエステル樹脂層、接着性樹脂層、及び機能性樹脂層から成る包装用多層構造体において、前記接着性樹脂及び機能性樹脂の融点が１５０℃以上であることを特徴とする包装用多層構造体。 - 特許庁

The conductive fine particle has a base fine particle, an inside metallic layer, and an outside metallic layer arranged on the outside of the inside metallic layer and having a melting point of 350°C or less.例文帳に追加

導電性微粒子は、基材微粒子と、基材微粒子の表面に設けられた融点が９００℃以上の内側金属層と、その内側金属層の外側に設けられた融点が３５０℃以下の外側金属層とを有する。 - 特許庁

The conductive particulate has a conductive layer and a low melting-point metal layer formed in this order on a surface of a base material particulate, and the arithmetic average roughness on the surface of that conductive layer is 150-750 nm.例文帳に追加

基材微粒子の表面に、導電層及び低融点金属層が順次形成されている導電性微粒子であって、前記導電層表面の算術平均粗さが１５０〜７５０ｎｍである導電性微粒子。 - 特許庁

The stress measuring device 20 comprises triple layers of a measuring layer 21 and stress buffer layers and detects observed stress at each point of the measuring layer 21 by a plurality of strain gauges 23 fitted to the measuring layer 21.例文帳に追加

応力計測装置２０は、計測層２１と応力緩衝層２２の３重層からなり、計測層２１に取り付けられた複数の歪みゲージ２３により、計測層２１の各点における観測応力を検出する。 - 特許庁

A first GaN crystal layer 1 is grown until it covers the masking layer 3 using the unmasked region 4 as a start point of crystal growth, and a second GaN group crystal layer 2 is grown thereon to provide a GaN group crystal material.例文帳に追加

非マスク領域４を結晶成長の出発点としてマスク層３上を覆うまで第一のＧａＮ系結晶層１を成長させ、その上に第二のＧａＮ系結晶層２を成長させてＧａＮ系結晶基材とする。 - 特許庁

In the case of searching the route of piping, a fixed routing layer defined in advance and a floating routing layer matched to a route end point are combined and each piping connecting direction (vector information) of each is added thereto to perform routing considering the direction of a piping connecting point.例文帳に追加

配管のルート探索を行う際、予め定義した固定ルーティング階層とルート端点に合わせた浮動ルーティング階層とを組合せ、各々の配管接続方向（ベクトル情報）を付加することにより、配管接続点の向きを考慮したルーティングを行う。 - 特許庁

Gases are jetted from the gas ports 21, 22 on the lower layer side toward the machining point of the laser beam, the gases are sucked by a gas port 24 on a stage moving side in the gas ports 23, 24 on the upper layer side, and the gas port 23 facing the gas port 24 jets a gas to the machining point.例文帳に追加

下層側のガスポート２１、２２よりガスをレーザ光の加工点に向けて噴出させ、上層側のガスポート２３、２４のうちのステージ進行側のガスポート２４にガスを吸引し、これに対向するガスポート２３は、加工点に対してガスを噴出する。 - 特許庁

The hologram observation tool reproduces a prescribed image or message to be observed near the position of a point source when the point source is observed through the hologram, and the tool has a configuration comprising a transparent substrate 41, a hologram forming layer 42 and a print layer 45.例文帳に追加

ホログラムを通して点光源を観察すると点光源の位置近傍に所定の画像又はメッセージが再生されて観察可能なホログラム観察具において、透明基材４１と、ホログラム形成層４２と、印刷層４５とを含む構成になっている。 - 特許庁

The optical disk device further includes tracking driving means for driving tracking moving means so that a condensing point of a light beam for recording and reproducing is positioned on a prescribed track of a recording layer on the basis of a deviation between a track of the recording layer and the condensing point of the light beam for recording and reproducing.例文帳に追加

さらに、記録層のトラックと記録再生用光ビームの集光点とのずれに基づき、記録再生用光ビームの集光点を、記録層の所定トラック上に位置させるようにトラッキング移動手段を駆動するトラッキング駆動手段を備える。 - 特許庁

It is preferred that the connection member (11) includes a bump portion (12) penetrating the chip surface insulation layer (7), a low melting point portion (13) penetrating the substrate surface insulation layer (10) and a contact region (16) at which the bump portion (12) and the low melting point portion (13) contact with each other.例文帳に追加

接続部材（１１）は、チップ面絶縁層（７）を貫通するバンプ部分（１２）と、基板面絶縁層（１０）を貫通する低融点部分（１３）と、バンプ部分（１２）と低融点部分（１３）とが接触している接触領域（１６）とを備えることが好ましい。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

Further, a low melting-point metal layer 33 melted by Joule heat of the resistance domain 30 is formed on the probe mounting pad 32, and the contact probe 15 is fixed on the probe mounting pad 32 by the low melting-point metal layer 33.例文帳に追加

さらに、プローブ取付け用パッド３２上には、抵抗領域３０のジュール熱によって溶融する低融点金属層３３が形成されており、コンタクトプローブ１５は、この低融点金属層３３によってプローブ取付け用パッド３２上に固着されている。 - 特許庁

The back-seamed casing with the casing film comprises a first outer layer 56 which contains a polyamide having a melting point of about 250°-400°F, and a second outer layer 58 which contains a polyamide having a melting point of about 250°-400°F.例文帳に追加

ケーシングフィルムを含むバックシームケーシングで、該ケーシングが、約２５０°〜４００°Ｆの融点を有するポリアミドを含有する第１の外層５６と約２５０°〜４００°Ｆの融点を有するポリアミドを含有する第２の外層５８とを含むことを特徴とするバックシームケーシング。 - 特許庁

In the well point drainage method used for construction works on a ground, in which there is a soft clay layer in a sand layer and which has a high groundwater level, a flexible pipe 12 is arranged between a well point 10 disposed in a pit 7 and the riser pipe 11 and worked as one water absorption pipe.例文帳に追加

砂層の間に軟質な粘土層があり、地下水位の高い地盤での工事に使用するウエルポイント工法において、縦孔７に配置するウエルポイント１０とライザーパイプ１１の間に、フレキシブルパイプ１２を配置して１つの吸水パイプとして作用させる。 - 特許庁

By making the length of the seam part longer than a distance between a point P1 on the drive tension member 2 and a point P2 on the tension member 3, it is possible to make a shearing force applied to an adhesive layer to the minimum.例文帳に追加

シーム部の長さを、駆動張架部材２の点Ｐ１と、張架部材３の点Ｐ２間との距離以上とすることにより、接着層にかかるせん断力を最小とすることが可能である。 - 特許庁

To provide an etching end point judging method and a plasma processing device which performs the end point judging method, by using a film thickness measurement method of a processed material, capable of measuring the amount of actual remaining film and etching the depth of the processed layer on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In this case, the material constituting layers 10, 12, 13 is selected so that the hardening temperature of the solid core 10 and the melting point of the outermost coating material 13 become higher than the melting point of the secondary layer 12.例文帳に追加

この場合、ソリッド・コア１０の硬化温度及び最外被覆材１３の融点が、第二層１２の融点よりも高い温度となるように、層１０、１２、１３を構成する材料を選択する。 - 特許庁

In a subsequent second step, the reminder of the high melting point metal layer is etched by a second plasma chemical system that etches the high melting point metal on the lower side much faster than it etches aluminum.例文帳に追加

次の第２のステップでは、アルミニウムをエッチングする速度よりも非常に高速で下側の高融点金属をエッチングする第２のプラズマ化学系により、高融点金属層の残りがエッチングされる。 - 特許庁

This formation method of an active material layer for a battery is characterized by forming a plating base point on a surface of a collector, and by growing an active material from the plating base point to fix it to the collector by plating.例文帳に追加

集電体表面にメッキ基点を形成し、活物質を前記メッキ基点から成長してメッキにより該集電体に固定することを特徴とする電池用活物質層の形成方法。 - 特許庁

In a member 1000 for junction, a surface layer is composed of a low melting-point material or a low temperature flexibility material, and the inside is composed of a relatively high melting-point material or a high temperature flexibility material.例文帳に追加

接合用部材１０００は、表層部が低融点材料または低温軟化材料で構成され、内部が相対的に高融点材料または高温軟化材料で構成されている。 - 特許庁

In a primary heat treatment apparatus 1, after heating bearing parts at the temperature exceeding A_1 transformation point with a heating machine 11, the nitrogen-rich layer is formed on the surfaces of the bearing parts by cooling them lower than A_1 transformation point.例文帳に追加

一次熱処理装置１は、加熱機１１で軸受部品をＡ_1変態点を越える温度に加熱した後、Ａ_1変態点未満に冷却して軸受部品の表面に窒素富化層を形成する。 - 特許庁

To provide a laser beam welding method by which defective welding is not developed in the welding of a metallic material having an intermediate layer composed of a metal having lower boiling point than the melting point of a metal to be welded.例文帳に追加

溶接される金属の融点より低沸点の金属よりなる中間層を有する金属材の溶接において溶接不良が生じないレーザー溶接方法を提供すること。 - 特許庁

After heating bearing parts to the temperature exceeding A_1 transformation point with a primary heating machine 11-13, a nitrogen-rich layer is formed on the surface by cooling them lower than the A_1 transformation point with a primary cooling machine 14.例文帳に追加

軸受部品を、一次加熱機１１〜１３でＡ_1変態点を越える温度に加熱した後、一次冷却機１４でＡ_1変態点未満に冷却して表面に窒素富化層を形成する。 - 特許庁

Light is coupled between a plurality of optical waveguide layers in an optical chip at a desired connection point by interconnecting the optical waveguide of each layer at the desired connection point using an "optical via".例文帳に追加

「光ビア」を使用して個々の層の光導波路を所望の接続ポイントで接続することによって光チップ内の複数の光導波路層間の所望の接続ポイントで光が結合される。 - 特許庁

The antenna having a feeding point at an impedance matching point of a radiation electrode in two axial directions formed on the surface of a dielectric board is mounted on a 2-layer wiring board provided with a 90° phase adjusting circuit and ports.例文帳に追加

誘電体基板の表面に形成した放射電極の２軸方向のインピーダンス整合点に給電点を具えたアンテナを、90°ハイブリッドとポートを具えた2層配線基板に搭載する。 - 特許庁

The surveying target (2) comprises a symmetrical peripheral face centering a point (86), a support part (10) formed on an axis (6) passing the point (85), and a recurrent reflective layer (14) forming the peripheral face.例文帳に追加

測量用ターゲット（２）は、点（８６）を中心として対称な周面と、点（８５）を通る軸（６）上に形成された支持部（１０）と、周面を形成する再帰性反射層（１４）とを備えている。 - 特許庁

This sealing tape is characterized by lamenting a substrate portion comprising a polyester-based elastomer having a melting point of ≥150°C to an adhesive layer comprising a polyetherester-based elastomer having a melting point of 50 to 130°C.例文帳に追加

融点が１５０℃以上のポリエステル系エラストマーからなる基体部と、融点が５０℃以上１３０℃以下のポリエーテル−エステル系エラストマーからなる接着層とが積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

The metal with low melting point 4 is applied on a sealing face of a metal frame 3 through an insulation layer 6, and the metal with low melting point 4 is heated, fused, and sealed by supplying a current to the metal frame 3.例文帳に追加

金属枠３の封着面には絶縁層６を介して低融点金属４が塗布され、前記金属枠３に通電することで、前記低融点金属４を加熱溶融し、封着する。 - 特許庁

When using the L0 layer as the target layer, the focusing is carried out by setting up the spherical aberration correction obtained by adding the compensation shift b calculated to maximize the RF signal amplitude, for example, to the spherical aberration correction for the center point between the L1 layer and the L0 layer.例文帳に追加

Ｌ0層をターゲット層としたフォーカスオン動作を、Ｌ1層とＬ0層との中間点に合わせた球面収差補正値に対し、例えばＲＦ信号振幅値が最大となるようにして求めた補正シフト値ｂを加算した球面収差補正値を設定した状態で行う。 - 特許庁

The powder 10 for the dust core comprises soft magnetic metal powder 1, an alkoxide layer 2 covering the soft magnetic metal powder 1 and made of Al-Si-O-based compound oxide, and an insulating layer 4 covering the alkoxide layer 2, wherein glass powder 3 having a low melting point is dispersed in the alkoxide layer 2.例文帳に追加

圧粉磁心用粉末１０は、軟磁性金属粉末１と、該軟磁性金属粉末１を被覆するＡｌ−Ｓｉ−Ｏ系複合酸化物よりなるアルコキシド層２と、該アルコキシド層２を被覆する絶縁層４と、からなり、該アルコキシド２層内に低融点のガラス粉末３が分散しているものである。 - 特許庁

In the lid material having at least a base material layer, a heat seal layer, and a content sticking preventing layer comprising hydrophobic fine particles, the heat seal layer is constituted of a resin composition in which a softening point is ≥90°C and a melting viscosity at 160°C is ≤4,000 mPa.例文帳に追加

少なくとも基材層と熱封緘層と、疎水性微粒子からなる内容物付着防止層とを有する蓋材において、 前記熱封緘層が軟化点９０℃以上、１６０℃における溶融粘度が４０００ｍＰａ・ｓ以下である樹脂組成物によって構成される。 - 特許庁

As compared with a conventional element obtained by laminating the photo current multiplying layer and an organic EL layer, a degree of freedom in design is high in a point that light can be exited to a different position from incident light, or materials of the photo current multiplying layer and the organic EL layer can be freely selected.例文帳に追加

光電流増倍層と有機ＥＬ層とを積層させた従来の素子と比較すると、入射光と異なる位置に光を出射できることや、光電流増倍層と有機ＥＬ層の材料を自由に選択できる等の点で設計の自由度が高い。 - 特許庁

This cover tape is made up of a biaxially oriented film layer, a thermoplastic resin layer and a heat seal layer; wherein a resin 0-40% in degree of crystallinity and ≤100°C in melting point is used as the thermoplastic resin layer; thereby the objective cover tape flat and seldom causing curling phenomena can be obtained.例文帳に追加

二軸延伸フィルム層、熱可塑性樹脂層、ヒートシール層からなるカバーテープにおいて、熱可塑性樹脂層に結晶化度が０〜４０％であり、融点が１００℃以下である樹脂を用いることにより、平坦でカーリング現象の少ないカバーテープを得ることができる。 - 特許庁

The organic semiconductor device provided with a p-type organic semiconductor layer pinched between a source electrode and a drain electrode is equipped with an n-type organic semiconductor layer, interposed at a middle point in the p-type organic semiconductor layer and a gate electrode embedded in the n-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたｐ型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、ｐ型有機半導体層の中間に介在されたｎ型有機半導体層と、ｎ型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。 - 特許庁

At an electronic component mounting position of the surface conductor 2, two-layer structure of a metal substrate conductor layer 2a containing metal component and glass component whose softening point is 750°C or higher, and of a metal surface conductor layer 2b containing the same metal component as the metal substrate conductor layer 2a, is formed.例文帳に追加

そして、表面導体２の電子部品搭載位置２０には、金属成分と軟化点が７５０℃以上のガラス成分とを含有させた金属下地導体層２ａと、金属下地導体層２ａと同じ金属成分を含有した金属表面導体層２ｂの２層構造で形成されている。 - 特許庁