「pulling method」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a static load testing method for conducting a test by applying load in only one direction, testing changes of load in a pulling-up process, and grasping properties of the ground by a simple method to conduct research on an accurate N value and geological features.例文帳に追加

載荷荷重を一方向のみに付加して試験するとともに、引き上げ過程の荷重変化をも試験し、簡素な方法で地盤の性状を把握し正確なＮ値、地質の調査を可能にする。 - 特許庁

The method is one using the LEC method, wherein the lowest surface of the liquid phase as a raw material melt 4 is situated below the region of the heat generation part of a resistance heater 5 in the initial stage of growing a compound semiconductor single crystal 9 by pulling.例文帳に追加

化合物半導体単結晶９を引き上げ育成する初期段階で、原料融液４である液相の最下面の位置を、抵抗加熱ヒータ５の発熱部の領域から下に外す。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon single crystal includes a process of forming an ingot by a Czochralski method (CZ method), in which a melt 12 of phosphorus-doped polycrystalline silicon is used as a raw material, and the crystal growth rate V is increased as pulling of the ingot 1 advances.例文帳に追加

チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide an excavation method capable of holding a buried pipe by a method except chucking and a method for sustaining a protrusion and facilitating the work for pulling out the buried pipe without regard to its raw material and the buried pipe used therefor.例文帳に追加

素材に関係なくチャッキングや突起物を支える方法以外の方法で埋設管を保持することができ、しかも、埋設管の引き抜き作業が容易な掘削工法及びそれに使用する埋設管を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for determining the temperature of a single crystal under pulling, a means therefor and a method of single crystal growth using these techniques, each intended to stably produce a high-quality silicon single crystal with grown-in defects diminished to a minimum by CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法にてGrown-in欠陥をできるだけ少なくした、高品質シリコン単結晶を安定して製造するための、引き上げ中単結晶の温度計測方法、計測手段およびそれらを用いた育成方法の提供。 - 特許庁

The seed chuck holds a seed crystal upon pulling up a single crystal in a single crystal pulling device by Czochralski method, wherein the material of the seed chuck has a coefficient of thermal expansion in a range within ±25% to/from the coefficient of thermal expansion of the single crystal to be pulled.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶引き上げ装置で単結晶を引き上げる際に種結晶を保持するシードチャックであって、シードチャックの材質の熱膨張係数が、引き上げる単結晶の熱膨張係数±２５％の範囲内のものである単結晶引き上げ装置のシードチャック。 - 特許庁

To provide a method for producing a large diameter quartz glass crucible for pulling a silicon single crystal, whereby the inner surface of the quartz glass crucible has wettability and surface vibration of a silicon melt can be suppressed when pulling a silicon single crystal with use of the quartz glass crucible.例文帳に追加

濡れ性を石英ガラスるつぼ内表面に作り出すことによって、この石英ガラスるつぼを用いてシリコン単結晶を引き上げる際にシリコンメルトの湯面振動を抑制することができるようにしたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus and a control method therefor, in which a single crystal is prevented from dropping to a crucible and is prevented from damaging an apparatus in pulling a heavy weight single crystal even when a vibration is caused by an earthquake of such a large magnitude creating fracture of a neck portion.例文帳に追加

高重量の単結晶を引上げる工程において、ネック部が破断するような大きな地震が発生しても、ルツボ内への単結晶の落下を防ぎ、装置への破損を回避することのできる単結晶引上装置、及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

The equipment, for single crystal manufacturing in the Czochralski method, is equipped with the wire for pulling single crystal and the axial structure for winding up the wire, at least equipped with a structure giving the wire tensile load before pulling single crystal.例文帳に追加

および、単結晶を引上げるためのワイヤと該ワイヤを巻き取るための上軸機構を備えたチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、少なくとも単結晶の引上げを行なう前に、前記ワイヤに引張荷重を加える機構を具備する単結晶製造装置。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a single crystal capable of making a cooling body function effectively with respect to a trend toward an increasingly higher pulling up speed in pulling up a single crystal by a CZ (Czochralski) method by using the cooling body and further capable of effectively preventing the crack of the single crystal due to excessive cooling of the single crystal.例文帳に追加

冷却体を用いたＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ速度の高速化に対して冷却体を有効に機能させ、且つ、単結晶の過度の冷却による単結晶の割れを効果的に防止できる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a member for a dynamic pressure bearing capable of easily forcibly pulling the member for the dynamic pressure bearing out of a core pin even if forcible pulling force is small, and manufacturing the member for the dynamic pressure bearing without damaging dynamic pressure groove formed on an inner circumference surface.例文帳に追加

コアピンから動圧軸受用部材を無理抜きする場合の無理抜き力が小さくても、容易に無理抜きでき、しかも内周面に形成されている動圧溝に傷を付けないで動圧軸受用部材を製造できる動圧軸受用部材の製造方法を得ること。 - 特許庁

In the method of pulling up the silicon single crystal, comprising pulling up the silicon single crystal from a silicon melt in a crucible, the distribution of the oxygen concentration in the axial direction in the silicon single crystal above is previously estimated, and nitrogen is previously added into the silicon melt in the amount corresponding to the distribution of the oxygen concentration.例文帳に追加

ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶引上方法であって、前記シリコン単結晶の軸方向における酸素濃度分布を推定し、該酸素濃度分布に応じた量で前記シリコン融液中に予め窒素を添加しておく。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus and raw material silicon filling method, wherein raw material silicon can be efficiently filled and operating time can be shortened when a large amount of raw material silicon is filled in a raw material silicon filling process after pulling a single crystal.例文帳に追加

単結晶引上後の原料シリコン充填工程において、原料シリコンの多量の充填が必要な場合に、作業時間を短縮して効率的に原料シリコンを充填することのできる単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the oxide single crystal is provided by melting the raw material of the oxide single crystal in a crucible 7, bringing a seed crystal 15 in contact with the molten material 8 and pulling down the seed crystal 15 for pulling down the molten material from the opening 13c of the crucible 7 to grow the oxide single crystal 31.例文帳に追加

酸化物単結晶の原料をルツボ７内で溶融させ、溶融物８に対して種結晶１５を接触させ、種結晶１５を引き下げて溶融物をルツボ７の開口１３ｃから引下げることによって酸化物単結晶３１を育成する。 - 特許庁

In the CZ method base single crystal pulling-up equipment, the cooler and the heat shield are lifted up and away from melted liquid surface when raw materials are additionally charged or recharged.例文帳に追加

原料の追いチャージやリチャージの際には、クーラー及び熱遮蔽体が迅速に上昇して融液液面から遠ざかるようなＣＺ法単結晶引上げ装置とする。 - 特許庁

To provide a technology and method for improving the estimation and measurement of the pulling in of a transient current and a stationary current regarding components provided in electronic systems.例文帳に追加

電子システム内の構成要素に関する過渡電流及び定常電流の引き込みの推定及び測定を改善するための技術及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for pulling a semiconductor single crystal (ingot), which prevent generation of difference in dopant concentration in the vertical direction and the cross sectional radial direction.例文帳に追加

上下方向や横断面半径方向におけるドーパント濃度差の発生を防止できる半導体単結晶（インゴット）の引上げ方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glass preform, the glass preform is manufactured through a fixing process, a deposition process, a pulling process, a clarification process and a consolidation process, in the order.例文帳に追加

本発明に係るガラス母材製造方法は、固定工程，堆積工程，引抜工程，透明化工程および中実化工程を順に経て、ガラス母材を製造する。 - 特許庁

To provide a method and a device for eleaning a single crystal pulling apparatus by which dust on the inside of the apparatus can be sufficiently removed without detaching members installed on the inside of the apparatus.例文帳に追加

単結晶引上装置のクリーニング装置及びクリーニング方法において、装置内部の部材を取り外すことなく、内部の粉塵を十分に除去すること。 - 特許庁

The method and the system for crystal frequency pulling that satisfy necessary accuracy requests, and use no expensive temperature compensating crystal oscillator, are provided at low cost.例文帳に追加

コストの嵩む温度補償水晶発振器を用いずに、低コストで必要な精度要求を満たす水晶周波数のプリングのための方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing OF cable, capable of preventing generation of kinks or breaks, when pulling a spiral forming an oil passage and capable of reusing an existing conduit.例文帳に追加

油通路を形成するスパイラルを引抜く際のキンクや破断を防止でき、既設管路の再利用を図ることのできるＯＦケーブルの撤去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing high-purity synthetic silica powder used for a crucible for silicon single crystal pulling and in various semiconductor manufacturing fields with good productivity at a low cost.例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げ用ルツボや、各種半導体製造分野で使用される高純度の合成シリカ粉を生産性よく低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for pulling out metal rings from an alignment stocker capable of automatically executing the heat treatment of a large amount of the metal rings.例文帳に追加

金属リングの熱処理を自動的にかつ大量に行うことを可能とした整列ストッカーからの金属リングの引き出し方法及び引出装置を提供する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is grown by a CZ method in an inert atmosphere containing hydrogen, gaseous hydrogen is supplied into a single crystal pulling furnace in a concentration not higher than the concentration mentioned below.例文帳に追加

水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、単結晶引上げ炉内に水素ガスを次記の濃度以下で供給する。 - 特許庁

To provide an underground curved cross section wall ditch excavating apparatus capable of erecting and pulling up by itself without needing shaft excavation in advance by another method.例文帳に追加

本発明は、予め別方法での立坑掘削の必要がない自力建込み、引揚げが行える地中断面曲線形状壁溝掘削装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The method for producing the bean curd for processing comprises pulling up bean curd from a bean curd tank, lowering water content of the pulled up bean curd to 45-55% and storing the bean curd under conditions preventing escape of the water content.例文帳に追加

湯葉槽から引き上げた湯葉を、４５〜５５％の水分に低下せしめた後、水分の逸散を防ぐ条件下で保存する加工用湯葉の製造法。 - 特許庁

To provide a package element of a level wound coil which can certainly prevent the break and the deformation of a copper tube due to the poor pulling-out of the copper tube when uncoiling by an ETS method.例文帳に追加

ＥＴＳ方式でアンコイルしたときの銅管の引き出し不良による銅管の折れ及び変形を確実に防止できるレベルワウンドコイルの梱包体を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus and a single crystal manufacturing method by which falling of a crystal can be prevented by measuring the swing quantity of the crystal without providing an additional complicated and expensive device.例文帳に追加

複雑でかつ高価な装置を付加することなく、結晶揺れ量を計測し、結晶落下を防止できる単結晶引上装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

A crucible C used in an apparatus for manufacturing the single crystal by a rotary pulling method is integrally formed together with a vessel 2 for melting a raw material, which vessel is integrally formed using silicon nitride as the material.例文帳に追加

回転引き上げ法による単結晶製造装置で用いられるるつぼＣにおいて、窒化珪素を材料として原料溶融容器２を一体成形する。 - 特許庁

To provide an improved zipper type package provided with a peak part seal capable of opening the package like peeling by the picking and pulling method of a conventional thin layer type package.例文帳に追加

従来の薄層式梱包の「摘み、引っ張る」方法により剥がすように開梱可能な頂部シールを有する改善されたジッパー式梱包を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling up and growing a semiconductor single crystal containing no COP at a high productivity while solving problems occurring along with the increase in bore diameter of the crystal.例文帳に追加

結晶の大口径化に伴い発生する問題を解決しつつ、生産性高く、ＣＯＰの無い半導体単結晶を引き上げ成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling method by which micro defects caused by bubbles formed on the surface of a quartz crucible or the like, and dislocations in the single crystal can be reduced.例文帳に追加

石英坩堝の表面に形成される気泡等に起因する微小欠陥や単結晶の有転位化を低減できるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon single crystal, by which excellent production efficiency is achieved in pulling a silicon single crystal having a large diameter and the crystal quality is made stable.例文帳に追加

大口径のシリコン単結晶の引上げにおける生産効率に優れ、結晶品質を安定させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a silicon single crystal capable of pulling up a silicon single crystal having a large diameter using a relatively small quartz crucible.例文帳に追加

相対的に小さい石英坩堝を用いて大口径のシリコン単結晶の引き上げが可能なシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

The placement mechanism of washing tool in which the tool is rotated and inclined on an axis parallel to the longitudinal direction of the works during pulling up in the liquid and the method of washing the sticks are provided.例文帳に追加

液中引き上げ時に、治具をワーク長手方向に平行な軸に対して回転、傾斜させる洗浄治具の載置機構及び棒状部材の洗浄方法。 - 特許庁

To provide a color image forming device and a color image forming method capable of facilitating a work of pulling out a recording medium when jamming occurs.例文帳に追加

本発明は、ジャム発生時の記録媒体の取り出し作業を容易化できるカラー画像形成装置及びカラー画像形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a shielding material, which easily grasps and manages the manufacture number for each kind when manufacturing the shielding material by pulling out a rolled flexible metal layer.例文帳に追加

ロール状のフレキシブル金属層を引き出してシールド材を製造する際に、品種ごとの製造個数を容易に把握して管理できるシールド材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to pull up a single crystal stably by preventing the rapid increasing phenomenon of a crystal diameter from occurring during pulling up which is a problem in an HMCZ method using a saddle type coil.例文帳に追加

鞍型コイルを用いたＨＭＣＺ法において問題となる引上げ中の結晶径の急増現象を阻止して、安定な結晶引上げを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of removing horizontal sheathings in little labor in a short time by pulling up the horizontal sheathings superposed at multistages at a stretch without so increasing pull-up force.例文帳に追加

多段に重ねた横矢板を、引き抜き力をさほど増大させることなく、一度に引き抜あげ、少ない時間や手間で横矢板を撤去する方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor single crystal by a Czochralski method is characterized by using a CCD camera to obtain the temperature fluctuation power spectrum of a raw material melt surface near the semiconductor single crystal, and controlling the pulling conditions so as to agree with the predetermined power spectrum when pulling the single crystal to grow the single crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造方法において、ＣＣＤカメラを用いて、半導体単結晶近傍の原料融液表面の温度変動パワースペクトルを求め、所定の単結晶引上げ時のパワースペクトルと一致するように引上げ条件を制御して単結晶を育成することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect area can be efficiently manufactured in a short time at a high yield by controlling the ratio V/G by controlling change of the crystal temperature gradient G during pulling the single crystal without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずに結晶引上げ中の結晶温度勾配Ｇの変化を制御することによりＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に、かつ高い歩留まりで製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect area can be efficiently manufactured in a short period of time by controlling the ratio V/G by controlling a change in the crystal temperature gradient G during pulling the single crystal without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずに引上げ中の結晶温度勾配Ｇの変化を制御することによりＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a silicon single crystal pulling apparatus, wherein a Chokralsky method is used and active silicon oxide adhering to the inside of a furnace and an exhaust pipe during pulling a silicon single crystal containing a dopant added at a high concentration and having a low resistivity is efficiently removed by oxidation combustion before disassembling and cleaning the apparatus.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal pulling device 1 for pulling a single crystal 32 from a source melt 31 in a crucible 30 by CZ (Czochralski) method is equipped with a cooler 10 for cooling a single crystal 32 during being pulled, wherein the cooler 10 includes a cooling piping system where cooling water is circulated and the cooling piping system is divided into a plurality of lineages along the pulling direction of the single crystal 32.例文帳に追加

ＣＺ法によりるつぼ３０内の原料融液３１から単結晶３２を引上げる単結晶引上げ装置１であって、引上げ中の単結晶３２を冷却するクーラー１０を備える単結晶引上げ装置１において、クーラー１０は、冷却水が流通する冷却配管系を含み、かつ冷却配管系を単結晶３２の引上げ方向に複数の系統に分割して構成する。 - 特許庁

To provide a level wound coil (LWC), its manufacturing method, and a level wound coil packing body for eliminating such trouble that a copper pipe is caught when pulling it out of the LWC in an ETTS method.例文帳に追加

ＥＴＴＳ方式において、レベルワウンドコイル（ＬＷＣ）から銅管を引き出す際の引っ掛かり等のトラブルを解消することのできるＬＷＣとその製造方法、およびＬＷＣの包装体を提供する。 - 特許庁