「pulling method」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This inspecting wire cutting method is characterized by having at least a carrying process for carrying the wire, a detecting process of detecting the cut length of the wire, a heating process for heating a cut part of the wire, and a pulling process of pulling by constant force and a speed from both sides of the cut part of the heated wire.例文帳に追加

少なくとも、ワイヤーを搬送するための搬送工程と、ワイヤーのカット長さを検出する検出工程と、ワイヤーのカット部を加熱するための加熱工程と、加熱されたワイヤーのカット部の両側より一定の力と速度で引張る引張工程とを有する事を特徴とする検査用ワイヤーのカット方法とする。 - 特許庁

The solution treatment method of an Mg alloy material comprises: a heating step of heating the Mg alloy material; a cooling step of cooling the Mg alloy material by soaking the Mg alloy material in a refrigerant after the heating step; and a pulling step of pulling up the Mg alloy material from the refrigerant after the cooling step.例文帳に追加

Ｍｇ合金材の溶体化処理方法は、Ｍｇ合金材を加熱する加熱工程と、加熱工程を経た前記Ｍｇ合金材を冷媒に浸漬させて前記Ｍｇ合金材を冷却する冷却工程と、冷却工程を経た前記Ｍｇ合金材を冷媒から引き上げる引き上げ工程とを具える。 - 特許庁

In the method for pulling a silicon single crystal, in order to control the V/G value with high accuracy, the distance Δt between the melt surface 13a of the silicon melt 13 and the heat shielding member 17 that is disposed so as to oppose to and to partially cover this melt surface 13a is continuously measured while pulling (growing) the silicon single crystal 15.例文帳に追加

本発明のシリコン単結晶引上方法では、Ｖ／Ｇを高精度に制御するために、シリコン単結晶１５の引上（育成）中に継続してシリコン融液１３の融液面１３ａと、この融液面１３ａに対面してその一部を覆うように配された遮熱部材１７との間隔Δｔの測定を行う。 - 特許庁

This single crystal pulling-up method is characterized in that the time required for passing the temperature region of 1,150-1,050°C is regulated to more than 50 min and/or that of 1,050-950°C is regulated to less than 40 min in a process for pulling up the single crystal while growing from a nitrogen- doped silicon raw material melted liquid.例文帳に追加

(1) 窒素がドープされたシリコン原料融液から単結晶を成長させながら引上げる方法であって、前記単結晶の引上げ過程で1150〜1050℃の温度領域の通過時間を50分以上、または／および1050〜 950℃の温度領域の通過時間を40分以下とすることを特徴とする単結晶の引上げ方法である。 - 特許庁

In a plasma treatment method for applying an oxidation treatment to a wafer W provided with trenches 61 after provided with a thermal oxide film 60 with plasma, the wafer W is mounted on a susceptor to which a high-frequency voltage for pulling ions is applied, and the plasma oxidation treatment is performed while applying a high-frequency voltage for pulling ions to the wafer W.例文帳に追加

熱酸化膜６０形成後にトレンチ６１が形成されたウェハＷをプラズマによって酸化処理するプラズマ処理方法であって、ウェハＷはイオン引き込み用の高周波電圧が印加されるサセプタに載置され、プラズマによる酸化処理は、イオン引き込み用の高周波電圧をウェハＷに印加しながら行われる。 - 特許庁

When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.例文帳に追加

ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling-up apparatus capable of producing a silicon single crystal ingot having a prescribed shape and no defect by suppressing the occurrence of a flushed burr in a growth process for the crown part of single crystal ingot which is the most important step in the pulling-up process for silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

本発明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ過程で最も重要とされる単結晶インゴットのクラウン部成長工程においてフラッシュアウトの発生を抑制し、所望形状で欠陥のないシリコン単結晶インゴットを製造することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

This method for squeezing the excess medicinal liquid from the carbon fiber yarns immersed in a medicinal liquid vessel is provided by pulling up the carbon fiber yarns with a guide roller through an immersion roller from the medicinal liquid vessel and at the same time jetting a compressed air toward the carbon fiber yarns on the guide roller in a tangential reverse direction toward the pulling up direction.例文帳に追加

薬液槽に浸漬した薬液含浸炭素繊維糸条から過剰の薬液を搾液するに当たり、薬液槽から浸漬ローラーを経て炭素繊維糸条をガイドローラーで引き上げると共に、引き上げ方向とは逆方向の接線方向に該ガイドローラー上の炭素繊維糸条に対し加圧気体を噴射する。 - 特許庁

This method for producing the candies comprises setting a movable pin 2 on a candy forming mold 1, pouring peripheral candy dough 41, pulling out the pin 2 after stiffening up to a position where the top side of the pin closes the bottom side of a space formed after pulling out the pin 2, holding the pin, and pouring central candy dough 42 into the space followed by stiffening the whole.例文帳に追加

製造方法は、飴成型モールド１に進退可能なピン２をセットして外周のキャンディ生地４１を流し入れ、硬化後、前記ピン２をその天面がピン２を抜いた後に形成される空間の底面を塞ぐ位置まで引抜いて保持し、前記空間に中心のキャンディ生地４２を流し入れ、全体を固化させる。 - 特許庁

This method for producing the gloves having the lubricating resin layers at their inside is characterized by immersing a glove main body formed on a hand-shaped mold in a coating liquid for forming the lubricating resin layer, pulling up the main body from the coating liquid by 0.7-14 cm/sec pulling up speed, and then drying.例文帳に追加

滑性樹脂層を内面に有する手袋を製造する方法であって、手型上に形成された手袋本体を、滑性樹脂層を形成するコーティング液に浸漬し、これを０．７〜１４ｃｍ／秒の引き上げ速度で該コーティング液から引き上げて、その後それを乾燥させることを特徴とする手袋の製造方法。 - 特許庁

To provide a C/C member suitable as a member used at a high temperature, e.g. a supporting crucible for a quartz crucible, a heater, a shielding plate or the like, which is incorporated in a single crystal pulling device based on a CZ-method.例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶引上げ装置に使用される、例えば石英ルツボの支持ルツボやヒータ、遮蔽板などの高温部材として好適なＣ／Ｃ部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a single crystal capable of enhancing productivity by increasing pulling speed in manufacturing a low oxygen N (neutral) region crystal, and its manufacturing unit.例文帳に追加

低酸素Ｎ領域結晶を製造する際の引上速度を高速化して、生産性を向上することができる単結晶の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating metal contamination of a silicon single crystal, by which the circumstances of metal impurity generated in a pulling apparatus that causes metal contamination in a silicon single crystal is surely grasped.例文帳に追加

シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flat cable terminal processing structure and a terminal processing method capable of preventing leak at a terminal part and securing sufficient strength against a pulling load.例文帳に追加

端部におけるリークを防止すると共に引張荷重に対して十分な強度を確保することのできるフラット電線の端末処理構造及び端末処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for a vehicle having a wheel slide control system capable of detecting a pulling brake and displaying an error before occurrence of a serious disturbance of a brake operation.例文帳に追加

片効きのブレーキを検出し、ブレーキ作用の重大な妨害が発生する前に、エラーを表示可能な、車輪滑り制御システムを装備した車両用の装置および方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of processes and to disuse a wire operated by pulling as a method of inserting a cylindrical reinforcing sheet from a side face to stick it into a hollow pipe body.例文帳に追加

中空のパイプ体内部に筒状の補強シートを側面から挿入して貼り付ける工法として、工程数を減らすとともに、引っ張ることで操作をするワイヤーを用いないようにする。 - 特許庁

A hollow cast slab having a vacuum hollow is formed by causing a molten core to fall off in a stage of pulling up the cast slab to the 3/4 circumferential point in a bending type continuous casting method.例文帳に追加

湾曲式の連続鋳造方法において鋳片を３／４周点まで引き上げる過程で、溶融芯を脱落させて真空の空洞を持つ中空鋳片を形成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for forming a mounting hole of a handrail support which allows surely pulling out a pull-out mold from a molded concrete flange and makes workability good.例文帳に追加

成形されたコンクリート突縁部から抜子型を確実に抜き取ることができ、作業性も良好となる手摺支柱の取付穴の形成工法および形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide the removal method of a plaster board 3 capable of removing the plaster board 3 as it is a plate and simply performing pulling working of a fastener for fixing of the plaster board 3.例文帳に追加

石膏ボード３を板状のまま取り外すことができ、しかも石膏ボード３の固定用ファスナーの引き抜き作業も簡単に行なうことができる石膏ボード３の取り外し工法 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor wafer composed of silicon, which comprises at least one measure which counteracts the formation of pinhole defects in a single crystal and which is effective during the process of pulling the single crystal.例文帳に追加

単結晶におけるピンホール欠陥の形成を妨げ、単結晶を引き上げる工程の際に有効である少なくとも１つの手段を含む方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for operating a device for pulling back a weft capable of smoothly carrying out an weft inserting operation during a discontinuous operation without weaving and weft inserting defects in a fluid spray type loom.例文帳に追加

流体噴射式織機において、織り欠点及び緯入れ不良を招くことなく、非連続稼働時にも円滑な緯糸操作が行える引戻し装置の操作方法を提供する。 - 特許庁

The hollow pipe is pulled out together with the packer and soil inside thereof to form a naked hole in a mark made by pulling, and the coefficient of permeability in the horizontal direction of the naked hole is obtained by a piezometer method.例文帳に追加

中空管をパッカーおよびその内側の土壌と共に引き抜いて、その跡に裸孔を形成し、ピエゾメーター法により裸孔の水平方向の透水係数を求める。 - 特許庁

To provide a phase detecting method, a phase detecting circuit and a phase synchronizing device capable of performing frequency pulling by obtaining a differential value of a phase error even without performing exception handling.例文帳に追加

例外処理をしなくとも位相エラーの微分値を求め、周波数引き込みが行えるようにした位相検出方法、位相検出回路および位相同期装置を提供する。 - 特許庁

To provide an alarm device not allowing returning of a lever as it is after pulling the lever to start alarm operation, and making it difficult for a third party to gather a method for returning the lever too.例文帳に追加

レバーを引いて警報動作を開始させた後に、そのままレバーを戻すことを不可能とし、また、レバーを戻す方法も第三者に察知されにくい警報装置を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane separation type activated sludge treatment method in which the sludge concentration in an aeration tank is maintained high without depending on the control of the amount of pulling out of a seed sludge and a surplus sludge, and stable film filter is performed.例文帳に追加

膜分離活性汚泥処理方法において、種汚泥や余剰汚泥の引き抜き量の制御によらずに曝気槽内の汚泥濃度を高く維持して安定した膜濾過を行う。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling-up method by which the variation in the radial direction of the temperature gradient in the axial direction, in the vicinity of a crystallization boundary of a single crystal being grown, can substantially be avoided.例文帳に追加

結晶化境界近傍における半径方向の軸線方向温度勾配の変動を実質的に回避することができる、シリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transportation device and a transportation method for a hydraulic turbine suitable for transporting components of the hydraulic turbine by pulling up the same between installation position of the hydraulic turbine apparatus and a transportation entrance.例文帳に追加

水車機器の設置位置と搬出入口との間を水車機器の部品を吊り上げて搬送するのに好適な水車機器の搬送装置及び搬送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, capable of reducing the occurrence of a bipolar phenomenon due to voltage dropping within a body, when pulling out holes produced due to impact ionization.例文帳に追加

インパクト・イオン化により発生するホールを引き抜く際のボディ内で電圧降下による寄生バイポーラ現象の発生を低減する半導体集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To continuously and stably grow a plate-like body of an oxide single crystal having good crystallinity when the plate-like body of the oxide single crystal is grown by a micro pulling-down method.例文帳に追加

酸化物単結晶の板状体をマイクロ引き下げ法によって育成するのに際して、良好な結晶性を有する板状体を、連続的に安定して育成する。 - 特許庁

To provide a CZ method base single crystal pulling-up equipment provided, with a cooler and a heat shield in a furnace, and capable of smoothly performing additional charge and recharge of raw materials.例文帳に追加

ＣＺ炉内にクーラー及び熱遮蔽体を備えると同時に、特に原料の追いチャージやリチャージの動作を円滑に行うことができるＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

It is possible to mount this locking device with a brake control system in a method to brake by pulling a cable regardless of the structure of the car body and the size of the wheel.例文帳に追加

この錠装置は、車体の構造及び車輪の大きさによらず、ケーブルを引き制動を得る方式のブレーキ装置があれば本発明の錠装置を取り付けることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of cutting a wire easily, obtaining a bump electrode in an appropriate shape, and pulling out the wire from a capillary easily.例文帳に追加

ワイヤを容易にカットすることができ、適切な形状のバンプ電極を得ることができ、キャピラリからワイヤを容易に引き出すことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

A sapphire single crystal can be produced by filling a crucible with spherical α-alumina obtained by the production method, melting the α-alumina by heating, and crystallizing the resultant melt under pulling.例文帳に追加

本発明の製造方法により得た球状αアルミナを坩堝に充填し、加熱溶融したのち、溶融物を引き上げながら結晶化させてサファイア単結晶を製造できる。 - 特許庁

This method is optimal upon pulling a silicon single crystal having a diameter of 450 mm by using a quartz crucible in a size of 36 inches (914 mm) to 44 inches (1,118 mm).例文帳に追加

この製造方法は、直径が４５０ｍｍのシリコン単結晶を３６インチ（９１４ｍｍ）〜４４インチ（１１１８ｍｍ）の石英ルツボを用いて引き上げる場合に最適である。 - 特許庁

According to this invention, the laying method of this optical fiber cable 1 is through pulling the optical fiber cable 1 in the longitudinal direction of a suspension wire after winding the optical fiber cable 1 around the pre-laid suspension wire 31.例文帳に追加

本発明の光ファイバケーブルの布設方法は、光ファイバケーブル１を既設の吊り線３１に巻きつけた後、光ファイバケーブル１を吊り線３１の長手方向に引っ張って布設する。 - 特許庁

To provide an attaching/detaching method of a separation membrane element in a pressure vessel in which the charge, pulling out, and exchange of a spiral type separation membrane element to/from the pressure vessel are executed efficiently.例文帳に追加

スパイラル型分離膜エレメントの圧力容器への装填、抜き出し及び交換を効率良く実施きる分離膜エレメントの圧力容器内への着脱方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into the silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, silicon polycrystal is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a defect analysis method of a silicon single crystal, by which distribution of crystal defects in a silicon single crystal can be easily analyzed even in pulling a silicon single crystal by MCZ (Magnetic Czochralski) method in which a magnetic field is applied in a horizontal direction.例文帳に追加

水平方向に磁場を印加するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げにおいても、シリコン単結晶の結晶欠陥の分布を容易に解析することが可能なシリコン単結晶の欠陥解析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting speed deviations between an actual pull speed and a nominal pull speed during crystal growth in the production of a single crystal silicon by Czochralski process, and to provide a mechanism of pulling a crystal for the method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造において、育成中の実際の引き上げ速度と名目の引き上げ速度との間の速度偏差を補正する方法およびそのための結晶引き上げ機構を提供する。 - 特許庁

Further the method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, a silicon multicrystal rod is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

および、シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶棒を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a flat cable fixing clamp in which the problem has been solved that a flat cable moves when pulling it longitudinally by a strong force (about 6N) by a method using a tightening band or a heat-shrinkable tube and a fixing band at the contact surface with the flat cable as a method for fixing a flat cable.例文帳に追加

フラットケーブルを固定する方法として、フラットケーブルとの接触面に締結バンド又は熱収縮チューブと固定バンドを使用する方法では、フラットケーブルを長さ方向に強い力（約６Ｎ）で引っ張ると動く。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal ingot, capable of solving unevenness of BMD density on a wafer surface caused by an OSF ring in pulling out the silicon single crystal ingot doped with nitrogen by CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドーピングしたシリコン単結晶インゴットの引上げにおいて、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消するシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a single crystal by Czochralski method by pulling a single crystal from the feed melt liquid in a crucible heated and melted by a heater, this method uses a heater having an inner diameter of ≥1.26 times the inner diameter of the crucible and manufactures N region crystal in total surface.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりヒータで加熱溶融されたルツボ中の原料融液から単結晶を引上げて単結晶を製造する方法において、前記ヒータの内径をルツボの内径の１．２６倍以上として全面Ｎ領域結晶を製造する単結晶の製造方法。 - 特許庁

To suppress the formation of polycrystals, which generate partially in the process for growing a single crystal, and to produce a crystal body having improved purity, in the production of a fluoride single crystal by a pulling method.例文帳に追加

引き上げ法によるフッ化物単結晶の製造において、単結晶の育成の過程で部分的に生じる多結晶化の発生を低く抑え、より高純度の結晶体を製造すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling the swing of a suspension hook in a workboat capable of effectively controlling the swing of the suspension hook in a crane for pulling up a heavy article.例文帳に追加

起重機船等の揚重装置を有する船舶において、重量物を吊り上げる揚重装置の吊りフックの揺れを効果的に抑制することができる、吊りフックの揺れ止め制御方法を提案する。 - 特許庁