| 例文 |
pulling methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 889件
To provide a crucible and a method for pulling a single crystal capable of effectively suppressing buckling of a quartz crucible and falling down of a body part toward the inside of the crucible by optimizing the shape of the quartz crucible.例文帳に追加
本発明の目的は、石英ルツボ形状の適正化を図ることにより、石英ルツボの座屈及び胴部のルツボ内部への倒れ込みを有効に抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a wiring method for a derricking jib crane for wiring a wire mechanically by dispensing with manual work, using a driving source, and applying sufficient tensile force when wiring on both drums including the horizontally pulling-in drum and the derricking drum.例文帳に追加
起伏式ジブクレーンのワイヤリング方法に関し、水平引込ドラムと起伏ドラムの両ドラムへワイヤリングする際、手作業を廃止し、駆動源を用い十分な張力を掛けながら機械巻きの可能なワイヤリング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for safely and efficiently recovering a quartz crucible and a polycrystalline silicon remaining in the quartz crucible after pulling up a silicon single crystal from a graphite crucible that supports the quartz crucible without breaking the graphite crucible, and an apparatus therefor.例文帳に追加
シリコン単結晶引上げ後の石英ルツボおよび石英ルツボ内に残留した多結晶シリコンを、前記石英ルツボを支持した黒鉛ルツボを破壊することなく、その内から安全かつ効率的に回収する方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
In manufacturing single crystal with the wire type crystal manufacturing equipment in the Czochralski method, tensile load is given to the wire before pulling single crystal at its first use for single crystal manufacturing.例文帳に追加
ワイヤ式単結晶製造装置を用いたチョクラルスキー法による単結晶の製造方法であって、ワイヤを単結晶製造に初めて使用する際に、単結晶の引上げを始める前に前記ワイヤに引張荷重を加える単結晶製造方法。 - 特許庁
To solve a problem of impeding proper handling such as pulling up a seismograph for repair or replacement in the case of a failure or the like in a conventional method of extension-excavating a seismometer installation hole at the lower part of an upper seismometer guide pipe inserted in an excavated seismograph installation well, filling hardening delay cement therein, and embedding the seismograph therein for earthquake wave observation.例文帳に追加
従来、地震計設置井戸を掘削挿入した上部地震計昇降誘導管の下部に地震計設置孔を増掘し、そこに硬化遅延セメントを充填、その中に地震計を埋設し地震波観測を行っている。 - 特許庁
To provide a submarine optical cable and its manufacturing method capable of speeding up the manufacturing of an optical unit, preventing increase of a micro-bend loss and further capable of preventing a phenomenon of pulling a coated optical fiber in the discontinuous part of the cable.例文帳に追加
光ユニットの製造速度を高速化でき、マイクロベンド損失を増加させることがなく、さらにケーブルの非連続部における光ファイバ心線の引き込み現象を防止し得る海底光ケーブル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for producing an optical fiber, which can reduce PMD (Polarization-Mode Dispersion) of an optical fiber by imparting sufficient pulling tension to an optical fiber to thereby enhance twist efficiency, without influencing the winding tension of a take-up bobbin.例文帳に追加
巻取りボビンでの巻取り張力に影響を与えることなく、光ファイバに十分な引張り張力を与えて捻り効率を高め、光ファイバのPMDを低減することができる光ファイバの製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the porous glass preform is carried out by forming glass particles by a burner 7 for synthesizing the glass particles, pulling up a glass rod 11 while axially rotating and depositing the glass particles on the glass rod 11.例文帳に追加
本発明の多孔質ガラス母材の製造方法は、ガラス微粒子合成用バーナ7によりガラス微粒子を生成させ、ガラス棒11を軸回転させながら引き上げ、ガラス棒11に前記ガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母材を形成する。 - 特許庁
This method for greatly improving productivity in a dried bean curd production method and improving taste and palate feeling comprises in producing dried bean curd by pulling up a thin film (membrane) produced on a liquid surface by heating soymilk, adding 0.06-0.6 wt.% of sodium chloride to the soymilk.例文帳に追加
本発明によれば、豆乳を加熱することにより液面に生成する薄膜(皮膜)を引き上げて湯葉を製造するに当たり、該豆乳中に塩化ナトリウム0.06〜0.6重量%添加することにより、湯葉の製造方法における生産性が大幅に向上し、しかも食味・食感も改善する。 - 特許庁
The as-grown single crystal body of the barium fluoride is manufactured by the single crystal pulling-up method (Czochralski method), is ≥17 cm in the diameter of a straight cylindrical part, more preferably ≥5 cm in the length of the straight cylindrical part and is ≤3 nm/cm in the birefringence, more particularly 0.1 to 2 nm.例文帳に追加
単結晶引き上げ法(チョクラルスキー法)によって製造され、直胴部の直径が17cm以上であり、好適には直胴部の長さが5cm以上であり、且つ複屈折が3nm/cm以下、好適には0.1〜2nmであることを特徴とするフッ化バリウムのアズグロウン単結晶体。 - 特許庁
This lubricant filling device 1 for all-casing method is used for an all-casing method for forming a drilled hole B for foundation pile by pushing the casing 2 into the ground A with rotation, excavating down the ground A by discharging the sediment in the casing 2, and then pulling out the casing 2.例文帳に追加
ケーシング2を回転させつつこれを地盤A中に押し込むとともに、ケーシング2内の土砂を排出することによって地盤Aを掘り下げ掘削し、その後ケーシング2を引く抜くことによって基礎杭用の掘削孔Bを形成するオールケーシング工法に用いられる、オールケーシング工法用滑材充填装置1である。 - 特許庁
To provide a method for producing a single crystal, by which a high-quality single crystal having little crystal defect can be produced by carrying out both of controlling a diameter of the single crystal and controlling a moving average of a pulling speed of the single crystal, and to provide a single crystal produced by the production method.例文帳に追加
単結晶の直径制御、および単結晶の引き上げ速度の移動平均値の制御を併用することにより、結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を作製することが可能な単結晶の製造方法、及びこの製造方法により作製された単結晶を提供する。 - 特許庁
To provide a method for measuring the quake of an ingot in a CZ type semiconductor single crystal pulling device, wherein the method uses a dummy ingot, enables the accurate measurement of the quake width of the ingot by the use of numerical values, and further enables the separated measurements of the quake characteristics at respective processes with the growth of the ingot, and to provide the device therefor.例文帳に追加
CZ式半導体単結晶引上装置において、インゴットの振れ幅を数値によって正確に測定することができるとともに、インゴットの成長に伴った各工程における振れ特性を個別に測定可能とした、ダミーインゴットを用いたインゴットの振れ測定方法とその装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for pulling up a single crystal by the Czochralski method capable of reducing the dislocation generation of a single crystal resulting from a neck by making a neck part shape capable of reproducibly attaining the optimum values of the neck part length and the average range of fluctuation at this neck part.例文帳に追加
チョクラルスキー法による単結晶の引上げ方法において、ネック部長さと、このネック部平均変動幅における最適値を再現性よく実現することが可能なネック部形状とすることにより、ネックに起因する単結晶の有転位化を低減できる単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for puling a silicon single crystal which is based on a CZ method and by which a high quality silicon single crystal free from distortions or defects in the crystal can be easily and reliably pulled with a high speed even when the crystal has a large diameter, and to provide a pulling device suitably used for the same.例文帳に追加
CZ法によるシリコン単結晶引上げにおいて、結晶歪みや欠陥等がない高品質のシリコン単結晶を、大口径の単結晶であっても、容易かつ確実に高速で引上げることができるシリコン単結晶引上方法、および、この方法に好適に用いられる引上装置を提供する。 - 特許庁
To provide a quartz glass crucible which is capable of suppressing peeling of a crystallized substance on an inner surface when pulling a silicon single crystal by especially using an large-caliber quartz glass crucible, has less toxicity, and is easy to handle and a method for manufacturing the same, and to provide a method for manufacturing the silicon single crystal.例文帳に追加
特に大口径石英ガラスルツボを用いてシリコン単結晶引上げを行う際、内表面の結晶化物質の剥離を抑制でき、石英ガラスルツボの変形を抑制できるとともに、毒性が低く、取扱いが容易な石英ガラスルツボとその製造方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method, crystal frequency pulling is performed using both a first frequency offset determined based on a measured temperature and an estimated frequency based method in a closed loop, that is a second frequency offset determined by allowing a crystal frequency to be synchronized with an accurate estimated frequency of a control device.例文帳に追加
この方法では、測定した温度に基づいて決定される第1の周波数オフセットと、クローズドループの周波数推定値ベースの方法、即ち水晶周波数を制御デバイスの推定された正確な周波数に同期させることで決定される第2の周波数オフセットの両方を用いて水晶周波数をプリングする。 - 特許庁
To provide a method of producing a zinc oxide single crystal by which a seed crystal can be prevented from melting in the initial stage of the production of a crystal and the crystal during growing can be prevented from dropping while suppressing sublimation of the zinc oxide seed crystal in a continuous pulling method for a zinc oxide single crystal using a flux.例文帳に追加
フラックスを用いた酸化亜鉛単結晶の連続引上げ法において、酸化亜鉛種子結晶の昇華を抑制し、結晶製造初期段階での種子結晶の溶損および育成途中での結晶の脱落を防ぐことが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
To enhance the yield of a silicon single crystal and improve the quality of the silicon single crystal in pulling it by melting the corner R portion at a temperature higher than that of the upper part in a method for producing a quartz crucible in contact with a silicon melt.例文帳に追加
シリコン融液と接する石英ルツボの製造法において、上部よりコーナーR部の方が高い温度で熔融することで、シリコン単結晶引上げ時における、シリコン単結晶の単結晶化歩留まりを高くし、かつシリコン単結晶の品質を向上する。 - 特許庁
To provide a production method of a glass chopped strand mat, causing no fracture on the mat when pulling out the mat from a roll, capable of suppressing generation of defects called sink mark on the molded products using the mat, to provide a glass chopped strand mat, and to provide an automotive molded ceiling material.例文帳に追加
回巻体からマットを引き出す際にマットに断裂が生じず、マット使用の成形品にひけと呼ばれる欠点の発生を抑制することができるガラスチョップドストランドマットの製造方法、ガラスチョップドストランドマット、及び自動車成形天井材を提供する。 - 特許庁
The method for pulling up the silicon single crystal is that a solid-liquid interface 26 between the silicon melt 12 and the ingot 25 is controlled to be upward convex by convection in the silicon melt 12 which is caused by the flowing velocity of the inert gas at an inside space between the cylindrical body 48 and the ingot 25.例文帳に追加
引上げ方法は、筒体48とインゴット25の間の内空間における不活性ガスの流速によりシリコン融液12に対流を起こさせてシリコン融液12とインゴット25との固液界面26が上凸状になるように調整する。 - 特許庁
The single crystal pulling-up method is characterized in that the above raw material crystal is used, and a melting operation is performed while sinking a non-melted remaining crystals in a solid state into a melted liquid so as to reduce the area of crystal portion exposed above the surface of the melted liquid.例文帳に追加
融け残っている固体状態の結晶塊の融液から露出した部分の面積を減らすように前記融け残った結晶を前記融液中に沈み込ませながら溶融を行うことを特徴とする単結晶引き上げ方法である。 - 特許庁
To provide a ball linear guide having the function of preventing the falling of a ball when pulling a LM block off a rail, having simple and light construction and capable of reducing noises, and its manufacturing method requiring less man-hours and allowing easy assembly.例文帳に追加
LMブロックをレールから引き抜いた際、ボールが脱落しないような防止機能を有し、構造簡単、軽量で、騒音の軽減が可能なボールリニアガイドを提供可能とし、また、工数削減可能で組み付けも容易な製造方法を提供可能とする。 - 特許庁
To provide an inexpensive toner leakage preventing material having good sealing performance in spite of a small width, also having good property of retaining the shape and quality of a toner in a toner tank and ensuring low pulling resistance of a toner sealing film and to provide a method for producing the toner leakage preventing material.例文帳に追加
狭い幅であっても、シール性が良好で、しかも、トナータンク内のトナーの形質保持性が良好であると共に、トナー封止フィルムの引き抜き抵抗が少なく、安価なトナー漏洩防止材及び該トナー漏洩防止材の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method comprises a process for making the CSM latex thermosensitive, soaking a heated hand mold corresponding to the three-dimensional shape of the rubber glove in the latex, and pulling up the hand mold from the latex followed by drying the hand mold, so as to form the CSM coating film on the surface of the hand mold.例文帳に追加
製造方法は、前記CSMのラテックスを感熱化し、前記ラテックスに、ゴム手袋の立体形状に対応する加熱した手型を浸漬して引き上げたのち乾燥させることにより、前記手型の表面に前記CSMの皮膜を形成する工程を含む。 - 特許庁
To provide a wire rod winding spool, a wire rod winding device and a wire rod winding method using the same, capable of improving working efficiency, by automatically controlling even a pulling-out process of the wire rod end after winding a wire rod.例文帳に追加
線材を巻き取った後の線材端末の引き出し工程についても自動化することができ、これにより作業効率を向上することが可能な線材巻取り用スプール、これを用いた線材の巻取り装置および線材の巻取り方法を提供する。 - 特許庁
This electroplating method comprises, as an electroplating of the tin-base alloy, simultaneously immersing an anode consisting of tin and a cathode consisting of the member to be plated into an acidic electrolytic plating bath containing tin and at least one copper, silver and bismuth and simultaneously pulling up the same.例文帳に追加
本発明は、錫系合金の電解メッキ処理として、錫と少なくとも1種の銅、銀、ビスマスを含む酸性電解メッキ浴中に、錫からなる陽極と被メッキ処理部材からなる陰極を、同時に浸漬、同時に引き上げる電解メッキ処理方法とすること。 - 特許庁
The method and apparatus for growing a semiconductor crystal include steps of pulling the semiconductor crystal from melt at a predetermined pull speed and modulating the pull speed by combining a periodic pull speed with an average speed.例文帳に追加
半導体結晶を成長するための方法および装置は、所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、周期的な引き上げ速度を平均速度と組み合わせることによって前記引き上げ速度を調整するステップとを具える。 - 特許庁
Thus, the line showing the previously set and displayed travel route (recommended route) can be corrected or re-set by picking up and pulling a rubber string, so that the recommended route can be corrected easily and by the new method different from the conventional art.例文帳に追加
これにより、既に設定表示されている走行経路(推奨ルート)を示すラインを、ゴム紐を摘んで引っ張るようにして補正又は再設定することができるので、容易、かつ、従来とは異なる新規な方法で推奨ルートの補正をすることが可能となる。 - 特許庁
To provide a method for controlling the diameter of a single crystal, by which the diameter of the single crystal can be precisely controlled while maintaining the quality of the crystal being pulled without using a large-scale process and apparatus, and the cost for pulling the single crystal can be reduced.例文帳に追加
大掛かりな方法、装置によらず、引上げられる結晶の品質を維持しながら、単結晶の直径を精密に制御することができかつ、単結晶引上げコストを削減することができる単結晶直径の制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, accurately controlling the level position of a silicon melt surface and manufacturing a high quality silicon single crystal having desired crystal characteristics, by accurately detecting the level position of the melt surface while pulling the crystal.例文帳に追加
結晶引上中の液面位置を正確に検出することによって、シリコン融液の融液面の位置を正確に制御し、所望の結晶特性を備えた高品質なシリコン単結晶を製造することが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
The single crystal pulling method comprises measuring the temperature of the surface of the melt in the crucible and controlling the surface level of the melt according to the measurement results so as to keep the distance from the surface of the melt to the lower end part of the radiation screen constant.例文帳に追加
および坩堝内の融液表面の温度を測定し、該測定結果に基づき、予め設定した融液表面から輻射スクリーン下端部までの間隔が一定に維持されるように、融液表面位置を制御する単結晶の引き上げ方法。 - 特許庁
To provide a vibration isolation method and a vibration isolation structure capable of bearing pulling force with fluctuating axial force in the case of earthquake, further lengthening a periodic term of the vibration isolation structure and, at the same time, ensuring twist rigidity to enable the modulus of eccentricity to adjust.例文帳に追加
地震時に変動軸力により引張力を負担することができ、さらに免震構造物の長周期化を図ることができるとともに、ねじれ剛性を確保して、偏心率の調整が可能な免震構法並びに免震構造物を提供する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the porous glass preform, the porous glass preform is formed by producing glass fine particles by a burner 27 for synthesizing the glass fine particles, pulling up a glass rod 23 while axially rotating the glass rod to deposit the glass fine particles on the glass rod 23.例文帳に追加
本発明の多孔質ガラス母材の製造方法は、ガラス微粒子合成用バーナ27によりガラス微粒子を生成させ、ガラス棒23を軸回転させながら引き上げ、ガラス棒23に前記ガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母材を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加
チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にCuデポジション欠陥が検出されないN領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Fのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C.例文帳に追加
CZ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で750℃以上850℃以下の温度で、1時間以上3時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of reducing crystal defects such as COPs when manufacturing silicon single crystals without lowering cooling power of a cooling body, and preventing generation of cracks or fractures from occurring even when dislocations occur in the silicon single crystal, and an apparatus for pulling a silicon single crystal for use for the method.例文帳に追加
冷却体の冷却能を低下させることなく、シリコン単結晶の製造時におけるCOP等の結晶欠陥の低減を図ることができ、かつ、シリコン単結晶に転位が発生した場合でも、クラックや割れの発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for detecting the diameter of a single crystal capable of improving the measurement accuracy of a large, heavy crystal and achieving improvement in the yield of the single crystal and reduction of quality variation thereof in a method for detecting the diameter of a single crystal grown by the CZ process, and to provide a single crystal pulling apparatus.例文帳に追加
CZ法により育成される単結晶の直径を検出する方法において、大口径、高重量結晶の直径の測定精度を向上し、単結晶の歩留まりの向上と品質ばらつきの低減を達成することができる単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8.例文帳に追加
液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶8の引き上げを行うための種結晶6として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が200個/cm^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が3000個/cm^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。 - 特許庁
In a lubrication treatment method being a method of applying water-soluble lubricant to the surface of the work by dipping the work 2 into the water-soluble lubricant, when the work 2 is pulled up from the water-soluble lubricant after being dipped into the water-soluble lubricant in a lubricant applying tank 11, this pulling-up speed is set to ≤20 mm/sec.例文帳に追加
本発明の潤滑処理は、ワーク2を水溶性潤滑剤に浸漬させることで、ワーク表面に水溶性潤滑剤を塗布する方法であり、潤滑剤塗布槽11の水溶性潤滑剤にワーク2を浸漬させた後、水溶性潤滑剤からワーク2を引き上げる際に、その引き上げ速度を20mm/sec以下に設定している。 - 特許庁
When growing silicon single crystal by the Czochralski method, the manufacturing method comprises mounting a heat shielding member that is composed of graphite and a heat insulating material into the chamber, and heating the inside of the chamber in a state where a graphite susceptor is removed, then carrying out a single crystal-pulling operation by charging the graphite susceptor and a quartz crucible filled with polycrystal silicon into the chamber.例文帳に追加
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際、チャンバに黒鉛及び断熱材からなる熱遮蔽部材を取り付け、かつ黒鉛質サセプタを取り除いた状態でチャンバ内を加熱し、その後に黒鉛質サセプタ及び多結晶シリコン充填石英るつぼをチャンバ内に装填して単結晶引上げ操作を行う。 - 特許庁
In the method of producing a single crystal material by an edge-defined film-fed growth (EFG) method, the single crystal material having a flat plate form is produced by arranging a seed substrate 130 for crystal- growing in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of a liquid pool 304 for growing the single crystal having the flat plate form and pulling up the seed.例文帳に追加
エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース(EFG)法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり304の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板130を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。 - 特許庁
To provide an arsenic dopant for pulling a silicon single crystal which is safe and with which arsenic can be efficiently doped into the silicon single crystal, the resistivity of the silicon single crystal is lowered drastically, and lowering of the in-plane resistance in the radial direction of the silicon single crystal can be realized; and to provide a method for producing the same, and a method for producing the silicon single crystal using the dopant.例文帳に追加
安全であり、かつ、シリコン単結晶に砒素を効率よくドープさせることができ、シリコン単結晶の抵抗率を格段に低下し、かつ、シリコン単結晶の径方向での面内低抵抗化が図られたシリコン単結晶引上げ用砒素ドーパント及びその製造方法並びにそれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a method of producing the fluoride single crystal such as a calcium fluoride single crystal, comprising growing the single crystal from a melt of a fluoride raw material by the pulling method, solid impurities floating on the surface of the melt of the fluoride raw material are removed by scooping-up, or the like, with a removing member provided in a chamber.例文帳に追加
原料フッ化物の溶融液から、引き上げ法により単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、該原料フッ化物の溶融液表面に浮遊する固体不純物を、チャンバー内に設けた除去部材により掬い取る等して除去することを特徴とするフッ化カルシウム等のフッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁
The method of mounting the sheet member is a method of mounting at least one sheet member on the light outgoing side of the surface light source, and characterized in that by giving tension to the sheet member after pulling the sheet member and the surface light source frame closer to each other using at least one linear elastic body, the sheet member is stretched over the surface light source frame.例文帳に追加
本発明のシート部材取付方法は、面光源の光出射面側に少なくとも一枚のシート部材を取り付ける方法であって、少なくとも一本の線状弾性体を用いてシート部材と面光源枠体とを引っ張り合わせ、該シート部材に張力を与えることによって展張することを特徴とするものである。 - 特許庁
In a contact pressure setting method of setting a contact pressure between the contact members of an image forming apparatus, the film member is inserted between the contact members and the contact pressure is set so that a pulling force to pull out the film member lies within the predetermined range.例文帳に追加
画像形成装置の接触部材間の接触圧力を設定する接触圧力設定方法であって、フィルム部材を前記接触部材間に挿入し、前記フィルム部材を引き抜く引き抜き力が所定の範囲内になるように前記接触圧力を設定する。 - 特許庁
To provide a melt leakage detection method whereby melt leakage can be instantaneously detected with high accuracy by directly detecting the melt leakage and operations such as alarming and shut-down can be promptly and securely performed, even when the melt accidentally flows out of a crucible in single crystal pulling.例文帳に追加
単結晶引上げにおいて、不慮の事故によって融液がルツボ外へ流出しても、湯漏れを直接検出することによって、いち早く湯漏れを高精度に検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早くかつ確実に行うことができる湯漏れ検出方法を提供する。 - 特許庁
To solve the problem wherein a position can be measured only once by operation for inserting a sensor probe into a pipeline and pulling out the sensor probe from the pipeline since position measurement is performed only when inserting the sensor probe toward a target position from the inlet/outlet of the pipeline in a conventional pipeline position measurement method.例文帳に追加
従来の管路位置計測方法は、管路の出入口から目的位置に向けてセンサプローブを挿入するときにのみ位置計測を行うので、前記管路に前記センサプローブを挿入し、前記管路から前記センサプローブを引き抜くという操作で、1回の位置計測しか実施できない。 - 特許庁
The method for separating drawn yarn of polylactic acid multifilament for separation is to open the multifilament by opening roller rotating in a peripheral speed 0.5-1.0 times of the pulling speed in the reverse direction to the running direction of the yarn and wind up the monofilaments to bobbins, in winding up the monofilaments by separating the multifilament from a dram package.例文帳に追加
ドラムパッケージから分繊してモノフィラメントを巻き取るに際し、糸条走行方向とは逆方向に引取速度の0.5〜1.0倍の周速度で回転する開繊ローラーでマルチフィラメントを開繊させてボビンに巻き取ることを特徴とする分繊用ポリ乳酸マルチフィラメント延伸糸の分繊方法。 - 特許庁
Next, the rod for checking the ground is pulled up by predetermined length, a curve Pt indicating the load and amount of deformation when pulling up the rod 2 for checking the ground is obtained, and a curve indicating difference between the curve Pu and the curve Pt is inferred as real curve Pu-Pt to decide the geological features in this method.例文帳に追加
続いて、地盤調査用ロッドを所定長さ引き上げ、地盤調査用ロッド2を引き上げるときの荷重と変形量の曲線Ptを求め、曲線Puと曲線Ptの差の曲線を真の曲線Pu−Ptと推定し、地質等を判定する方法である。 - 特許庁
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