「scribe」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

When two passive element units are adjacent to each other in the second direction, the scribe line electrically connects an electrode having the opposite polarity between the passive element units, thereby the passive element units are connected in series.例文帳に追加

２つの受動素子ユニットが第２方向に隣接する場合、スクライブラインは、受動素子ユニット間に反対極性の電極を電気的に連結し、これにより、これら受動素子ユニット間に直列接続を提供するようになる。 - 特許庁

Pads 10a and 10b connected electrically with a semiconductor chip, seal rings 11a and 11b for protecting the semiconductor chip during dicing and a circuit characteristic evaluator 20 for a scribe line 12 are provided on a wafer made of semiconductor.例文帳に追加

半導体からなるウエハー上に、半導体チップと電気的に接続されるパッド１０ａ、１０ｂと、ダイシング時に半導体チップを保護するシールリング１１ａ、１１ｂと、スクライブライン１２の回路特性評価部２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for cutting glass comprising the step of irradiating a laser beam onto a glass sheet to form a scribe line thereon, wherein the efficiency of a cutting work is improved by enhancing the utilization rate of the laser beam.例文帳に追加

レーザビームをガラス板に照射してスクライブラインを形成する工程を有するガラス切断方法において、レーザビームの利用効率を高めることによって切断作業の効率を向上させる方法を提供することにある。 - 特許庁

The exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region includes a ring-like region from a peripheral exposure region boundary of a semiconductor wafer to a film formation region boundary of a high-melting-point metal, and a scribe line region.例文帳に追加

素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域は、半導体ウェハの周辺露光領域境界から高融点金属の成膜領域境界までのリング状の領域、スクライブラインの領域を含む。 - 特許庁

Then, an optical absorption layer 16 and a buffer layer 18 are formed on the first electrode layer 14, and a through-hole (second scribe part 66) penetrating the upper end surface of the buffer layer 18 to the lower end surface of the mica substrate 54 is made like a dot.例文帳に追加

次に、第１電極層１４上に光吸収層１６、バッファ層１８を設け、バッファ層１８の上端面からマイカ基板５４の下端面まで貫通するスルーホール（第２スクライブ部６６）を点状に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer which reduces unevenness in resist coating within each integrated circuit section by reducing the level difference between scribe lines and the integrated circuit section formed on a semiconductor substrate, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたスクライブラインと集積回路部との間の段差を低減することで、集積回路部におけるレジストの塗布ムラを低減することができる半導体ウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent generation of "a remaining bump" in dicing, and can prevent generation of electrical leak or the like caused by the "remaining bump" in an electrode pad of a scribe PCM.例文帳に追加

スクライブＰＣＭの電極パッドにおいて、ダイシングの際の「残留したバンプ」の発生を防止することができ、この「残留したバンプ」部分による電気的なリークなどの発生を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, an electrode 40 is formed on the surface of a wafer 10 as not to be projected thereover, and scribe points are slided on the surface of the wafer 10 so that the electrodes are formed continuously thereon.例文帳に追加

ウエハ１０表面にその表面突出しないように電極４０を形成し、続いて、ウエハ１０表面上にスクライブポイントを摺動することにより形成された為、ウエハ１０表面上を連続するように形成される。 - 特許庁

The photomask includes a base, a plurality of chip pattern regions where a light-shielding pattern comprising a metal material is formed on the base, and scribe regions comprising a light-shielding pattern formed between the chip pattern regions.例文帳に追加

基体と、基体に金属材料による遮光パターンが形成されている複数のチップパターン領域と、チップパターン領域同士の間に形成されている遮光パターンからなるスクライブ領域とを備えるフォトマスクを構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the glass substrate includes a process for subjecting a mother glass substrate to a chemical tempering treatment and a process for forming a scribe line in the mother glass substrate subjected to the chemical tempering treatment by rotating a wheel cutter 3.例文帳に追加

本発明に係るガラス基板の製造方法は、マザーガラス基板に化学強化処理を施す工程と、化学強化処理が施されたマザーガラス基板にホイールカッター３を回転させてスクライブ線を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a breaking device for parting a hard fragile plate such as a glass plate along a scribe line on a surface, capable of simplifying a structure, shortening a working time, and dispensing with a reversing operation of the hard fragile plate.例文帳に追加

ガラス板を代表とする硬質脆性板を、表面のスクライブ線に沿って分断するブレーク装置に関し、構造が簡単で作業時間が短く、硬質脆性板の反転操作も必要としない装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of fuses 13, namely, storage sections for storing the number of contacts, where a probing needle abuts against a first electrode pad 11, and the number of tests corresponding to each of semiconductor chips 2, are provided on a scribe region 3.例文帳に追加

スクライブ領域３上に、半導体チップ２ごとに対応して、第１の電極パッド１１にプローブ針が接触した接触回数、更には試験回数を記憶する記憶部である複数のヒューズ１３が設けられている。 - 特許庁

To provide a scribe line forming method capable of excellently dividing a substrate even in a vicinity of an end of a division projected line when forming the division projected line consisting of a reforming area by condensing laser beams inside the substrate.例文帳に追加

基板内部にレーザ光を集光することで改質領域からなる分割予定線を形成する際に、分割予定線の端部付近においても良好に基板の分割を可能とするスクライブライン形成方法等を提案する。 - 特許庁

In the scribe line region 2 on a substrate 3, an alignment mark 5 having a clear initial difference in level t1 is formed by forming a LOCOS oxide film 4 on the surface of a substrate 3, and then by removing the LOCOS oxide film 4.例文帳に追加

本発明では、基板３のスクライブライン領域２では、基板３表面にＬＯＣＯＳ酸化膜４を形成し、その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜４を除去することで、初期段差ｔ１の深いアライメントマーク５を形成する。 - 特許庁

In the scribe region SAR, there is an N channel field effect transistor TSm(m=1 to 2M) which is switched between ON/OFF according to a control signal, and generates a current for disconnecting the fuse element Fm(m=1 to 2M) when switched to be ON.例文帳に追加

スクライブ領域ＳＡＲには、制御信号に応じてＯＮ／ＯＦＦが切り換わり、ＯＮとなることによりヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）を断線させる電流を発生するＮチャネル電界効果トランジスタＴＳｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）がある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for achieving the electrode pad structure of a scribe PCM, without generating "turned-up electrode pads" in dicing without reducing the number of semiconductor chips, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ダイシングの際に「めくれあがった電極パッド」が発生せず、半導体チップの取れ数を落とすことの無いスクライブＰＣＭの電極パッド構造を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, this manufacturing method comprises a dicing step that performs the dicing of the semiconductor wafer 10 along the scribe line region 16, and pick-up step that picks up good chips from multiple semiconductor chips 14 after the dicing step.例文帳に追加

その後、スクライブライン領域１６に沿って半導体ウエハ１０をダイシングするダイシング工程、およびダイシング工程よりも後に複数の半導体チップ１４の中から良品チップをピックアップするピックアップ工程を経て、半導体装置を得る。 - 特許庁

A protection film 7 is arranged on a substrate 2 for crystal growth for covering the light emission surface from which the light of a light emitting layer 3 is emitted before a process for forming the scribe groove ST for dividing each light emitting element 1 through the use of the laser.例文帳に追加

個々の発光素子１を分離するためのスクライブ溝ＳＴをレーザを用いて形成する工程の前に、結晶成長用基板２において発光層３の光が出射する出射面を覆う保護膜７を設ける。 - 特許庁

In this way, in the scribing apparatus 1, even when each formation necessary for forming the scribe line is moved in relation to the surface of the brittle material substrate S, the occurrence of variation in the forming positions of a heating area and a cooling area is prevented.例文帳に追加

これにより、スクライブ装置１では、スクライブラインの形成に必要な各構成を脆性材料基板Ｓの表面に対して移動させても、加熱領域及び冷却領域の形成位置に変動が生じることが防止される。 - 特許庁

A plurality of sections exposed by one shot are defined on a surface of a substrate to be exposed, an outer peripheral near region of each section overlaps with an outer peripheral near region of an adjacent section, and the overlap portion corresponds to a scribe line.例文帳に追加

露光すべき基板の表面上に、１ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、隣の区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する。 - 特許庁

To provide a scribe head device for a brittle material such as a glass plate which is capable of instantly and surely detecting the upper surface level of the brittle material without damaging the brittle material and in which a supporting structure of a cutter holder is simplified.例文帳に追加

ガラス板などの脆弱材料を損傷することなく、瞬間的に確実に脆弱材料の上面レベルを検出動作でき、さらに、カッターホルダーの支持構成を簡単にできる脆弱材料スクライブヘッド装置である。 - 特許庁

Grooves 4a and 4c are cut in semiconductor substrates 1a to 1c at the position of scribe lines SL, the semiconductor substrates 1a to 1c are laminated, and then the grooves 4a and 4c provided to the cut surfaces of the semiconductor substrates 1a to 1c are filled up with a conductive material 11.例文帳に追加

半導体基板１ａ〜１ｃのスクライブラインＳＬの位置に溝４ａ〜４ｃを設け、半導体基板１ａ〜１ｃを積層した後、半導体基板１ａ〜１ｃの切断面に設けられた溝４ａ〜４ｃ内に導電材料１１を充填する。 - 特許庁

Stress, generated when the second glass substrate G2 is broken, reaches the first glass substrate G1 through the sealing material 5, thereby the first glass substrate G1 is broken along the scribe line at substantially same time with the breakage of the second glass substrate G2.例文帳に追加

第２ガラス基板Ｇ２が割断する際に発生する応力がシーリング材５を介して第１ガラス基板Ｇ１に伝わることにより、第２ガラス基板Ｇ２の割断と実質的に同時に、第１ガラス基板Ｇ１をスクライブラインに沿って割断する。 - 特許庁

Dam-shaped projections 11 are provided along a scribe line 16 for cutting the couple of original substrates by scribing and also provided with cut parts 12 and step parts 13 on both edges along a row of connection pads 15.例文帳に追加

一対の原基板をスクライブにより切断するためのスクライブ線１６に沿って堰堤状突起１１を設けるとともに、接続パッド１５の列に沿った個所において、堰堤状突起１１に抜き部１２、及び両縁の段部１３を設けておく。 - 特許庁

A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3.例文帳に追加

半導体基板１上の全面に多結晶シリコン膜５を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜５をパターニングすることにより、スクライブ領域Ｒ３にゲッタリングサイト５ａを形成する。 - 特許庁

Since an interlayer film 3 is formed in such a way that it covers the proximity of a scribe line 10, the surface of a silicon wafer 2 is not damaged by anisotropic etching for forming aluminum wiring 4 and passivation films 5a and 5b during manufacturing operations.例文帳に追加

層間膜３はスクライブライン１０近傍を覆って形成されているため、製造工程において、アルミ配線４やパッシベーション膜５ａ、５ｂを形成するための異方性エッチングによってシリコンウエハー２表面がダメージを受けることがない。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electronic component, capable of forming a slit by using a scribe chip for hardly causing interference with a pattern, even in the case of narrowing a distance between the adjacent patterns and increasing an effective area at pattern forming.例文帳に追加

隣接するパターン間の距離を狭めた場合であっても、パターンとの干渉が生じ難いスクライブチップを用いてスリットを形成することができ、パターン形成に際しての有効面積の増大を図り得る電子部品の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus where a surface scribe having a depth of around 200 μm is made by CO_2 laser beam irradiation on glass being used as a solar cell substrate and having a thickness of around 5 mm and where dividing is attained by following machine breaking.例文帳に追加

太陽電池基板として用いられる板厚５ｍｍ程度のガラスにＣＯ２レーザ光照射によって深さ２００μｍ程度の表面スクライブを発生させ、後続の機械ブレークによって割断を実現させる方法及び装置。 - 特許庁

To provide a laser beam machining method which can perform the positional control of a scribe with high precision without decreasing the machining speed and without depending on the scanning direction of a machining head even if there is a change in the shape of a substrate, warpage of the substrate or the like due to a temperature change, and a device therefor.例文帳に追加

基板形状に温度変化、反りなどが存在する場合においても、加工速度を落とすことなく、また加工ヘッドの走査方向に依存せず、スクライブを高精度に位置制御できるレーザ加工方法および装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 where a semiconductor layer 3 is formed on the surface of a substrate 2 is scribed by means of a cutter 22 while applying vibration at least to the contact point of the cutter 22 on the semiconductor wafer 1 thus forming a scribe line 4.例文帳に追加

基板２の表面上に半導体層３が形成されてなる半導体ウエハー１を、少なくとも該半導体ウエハー１におけるカッター２２の接触点に振動を加えながら、該カッター２２によりスクライブしてスクライブライン４を形成する。 - 特許庁

To prevent the cutting waste of a metal material constituting an electrode pad resulting from dicing, thereby inhibiting the occurrence of a defect caused by the scatter of the cutting waste in a semiconductor chip where the electrode pad for monitoring is located in a scribe area.例文帳に追加

スクライブ領域にモニタリング用の電極パッドを設けた半導体チップにおいて、ダイシングにともなって電極パッドを構成している金属材料からなる切削屑の発生を防止して、切削屑の飛散による不良の生起を抑止可能とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device, resist 20 is patterned on a semiconductor substrate 11 where a semiconductor circuit 12 is formed by a nano-imprint method so as to form an opening in a scribe area S using a stamper 30.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造方法においては、まず、半導体回路１２が形成された半導体基板１１上にナノインプリント法により、スタンパ３０を用いて、スクライブ領域Ｓに開口部を形成するようにレジスト２０をパターニングする。 - 特許庁

This reticle is provided with a chip region which is within a projection range of an exposure device and is formed with semiconductor circuit patterns and a plurality of marks for measurement for measuring the superposition accuracy in a scribe line region which is the region exclusive of the chip region.例文帳に追加

本発明のレチクルは、露光装置の投影範囲内であり、半導体回路パターンが形成されたチップ領域と、チップ領域以外の領域であるスクライブライン領域に重ね合わせ精度を測定する為の測定用マークが複数設けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of accurately recognizing the positions of scribe lines along which a wafer is divided in a manufacturing method where the wafer is sealed by resin and then divided into chips to obtain a semiconductor device.例文帳に追加

ウエハ状態で樹脂封止し、個片に分割して半導体装置を得る半導体装置の製造方法において、分割する領域であるスクライブラインの位置を正確に認識することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An element structure 4 to be measured having the same pattern as that of a structure 2 being the object of the management, of the film thickness of the residual film of an inter-layer insulating film in a chip 1 and optical film thickness measuring patterns 5 and 6 are arranged in a scribe line 3 outside the chip 1 as a pair.例文帳に追加

チップ１内の層間絶縁膜の残膜の膜厚を管理する対象となる構造２と同じパターンの被測定対象素子構造４と、光学式膜厚測定パターン５，６とを１組にして、チップ１外のスクライブライン３に設ける。 - 特許庁

When cutting by a cutter 2 is performed to provide a scribe line 4, steam or vapor or mist of an organic solvent such as kerosine is locally sprayed to a cutting surface and an area (5) 1-3 mm in diameter peripheral thereto with a time lag of 0.1-0.01 second from the cutting.例文帳に追加

スクライブライン４を設けるべくカッター２による切削を行う際、切削から0.1〜0.01秒のタイムラグで、切削面及びその周辺の1〜3mm径の領域５に、水蒸気、または、ケロシンその他の有機溶媒の蒸気またはミストを局所的に吹き付ける。 - 特許庁

Before the trench for SJ is formed in an active region of an epitaxial substrate, a second mask oxide film thinner than a first mask oxide film for formation of the trench for SJ in the active region is formed in a scribe region to form an alignment marker.例文帳に追加

エピ基板の活性領域にＳＪ用トレンチを形成する前に、スクライブ領域に、活性領域へのＳＪ用トレンチ形成のための第一マスク酸化膜の厚さよりも厚い第二マスク酸化膜を形成してアライメントマーカーを形成する。 - 特許庁

A semiconductor chip is formed by mutually separating the chip constitution sections 2 by cutting the semiconductor wafer 1 along a scribe line 4 extended to cross the connection wiring 3 between the mutually adjacent chip constitution sections 2.例文帳に追加

相互に隣り合うチップ構成部２の間において接続配線３と交差するように延伸するスクライブ線４に沿って、半導体ウェハ１を切断することによって、チップ構成部２の各々を相互に分離させて半導体チップを形成する。 - 特許庁

The depth of the scribe line 17 does not reach other surface of the glass substrate 11 by emitting the cooling mist 16 within a time until the temperature of the glass substrate 11 heated by the laser spot 14 is transmitted on the other surface of the glass substrate 11.例文帳に追加

レーザスポット１４により加熱されたガラス基板１１の温度がガラス基板１１の他面上に伝わるまでの時間内に冷却ミスト１６を放射することにより、スクライブ線１７の深さはガラス基板１１の他面に到達しない。 - 特許庁

First back electrodes 141 arranged in the adjoining solar cell formation regions 120 out of the plurality of solar cell formation regions 120 are interconnected by a second back electrode 142 arranged on a part of the scribe line 121.例文帳に追加

複数の太陽電池形成領域１２０のうちで互いに隣接する太陽電池形成領域１２０に位置する第１裏面電極１４１同士は、スクライブ線１２１上の一部に位置する第２裏面電極１４２により繋がっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel with which the display panel is made thin and productivity thereof is increased by accurately forming scribe grooves for partition even when the display panel is large-sized and uses thinned substrates.例文帳に追加

薄型化した基板を用いた大型のパネルであっても分割のための切り溝を精度良好に形成することが可能であり、これにより薄型化および生産性の向上を図ることが可能な表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

A scribe line 160 having a crack with a prescribed depth is formed by irradiating a cutting path set on the nonmetallic substrate with a first laser beam 120 having a wavelength for breaking the molecular bond of a material constituting the nonmetallic substrate.例文帳に追加

非メタル基板に設定された切断経路上に前記非メタル基板を構成する物質の分子間の結合を切断することができる波長の第１レーザビーム１２０を照射して所定深さのクラックを有するスクライブライン１６０を形成する。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride sintered compact suitable for use requiring high dimension precision and having high thermal conductivity, wherein chipping hardly occurs by intergranular fracture in processes such as cutting by a blade or a breaking and cracking treatment after scribe treatment.例文帳に追加

高い熱伝導性を有しながら、ブレードによる切断、スクライブ処理後の折割処理等の加工において粒界破壊によるチッピングが起こり難く、加工の際に高い寸法精度が求められる用途に好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a cutoff device having a minimized cutting error in manufacture and improved in yield of manufacture in a scribe type substrate cutoff method for forming a groove on the surface of a substrate and cutting of the substrate along the groove.例文帳に追加

基板の表面に溝を形成した後この溝にそって基板を切断分離するスクライブ方式の基板の分離切断方式において、製造時の切断誤差が小さく、製造歩留まりの向上した分離切断装置を提供することにある。 - 特許庁

Trenches 4a-4c are provided at the position of a scribe line SL of semiconductor substrates 1a to 1c, and after the substrates 1a to 1c are laminated, a conductive material 11 is filled inside the trenches 4a to 4c provided at cut-sections of the substrates 1a to 1c.例文帳に追加

半導体基板１ａ〜１ｃのスクライブラインＳＬの位置に溝４ａ〜４ｃを設け、半導体基板１ａ〜１ｃを積層した後、半導体基板１ａ〜１ｃの切断面に設けられた溝４ａ〜４ｃ内に導電材料１１を充填する。 - 特許庁