「scribe」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

More specifically, the sub vernier 104 is formed on the sub vernier pad 103 formed in the inside region of the main vernier 101 so that the level difference of the main vernier pattern formed on the scribe region of the semiconductor substrate 100 is eliminated.例文帳に追加

すなわち、親バーニア１０１の内側領域に形成した子バーニアパッド１０３上に子バーニア１０４を形成することで、半導体基板１００のスクライブ領域に形成された親バーニアパターンの段差をなくす。 - 特許庁

An insulating film is formed so as to coat a scribe line, a field plate or an open electrode 5 included on the surface of a silicon substrate 1, and then an Ni electroless plating is performed on a metal electrode 4, to form a plating.例文帳に追加

シリコン基板１の表面に有するスクライブラインやフイールドプレートあるいはオープン電極５を覆うように絶縁膜を形成した上でＮｉの無電解めっきを金属電極４に行い、めっきを形成する。 - 特許庁

A semiconductor chip 11 is provided with a silicon substrate 16 including an element forming region 21 on the upper side of which a MIS transistor source-drain diffusion layer is formed, and a scribe region 22 for surrounding the element forming region 21.例文帳に追加

半導体チップ１１は、ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層を上面に有する素子形成領域２１と、素子形成領域２１の周囲を囲むスクライブ領域２２とを有するシリコン基板１６を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solar cell module excellent in durability, by solving the problem wherein when contamination remains on a surface of an insulative light-transmissive substrate where a solar cell is not formed, an unremoved conductive film remains on a naked base portion when the naked base portion is formed by laser scribe.例文帳に追加

絶縁透光性基板の太陽電池が形成されない面側に汚れが存在すると、レーザスクライブにより裸地部を形成した際、裸地部に導電性膜の取れ残りが生じる。 - 特許庁

The rear side of the element forming region 21 of the silicon substrate 16 has a mechanical cutting face 23, and the rear side of the scribe region 22 has a polish cutting face 24 whose surface roughness is smaller than that of the mechanical cutting face 23.例文帳に追加

シリコン基板１６の素子形成領域２１の裏面が機械研削面２３を有し、スクライブ領域２２の裏面が機械研削面２３よりも表面粗さが小さなポリッシュ研磨面２４を有する。 - 特許庁

By this structure, the widths of the trenches TR can be made smaller than, for example, the thickness of a dicing blade and the diameter of a laser spot, since the necessity of forming the trenches TR on the entire scribe region SR is eliminated.例文帳に追加

この構成により、スクライブ領域ＳＲ全体に溝ＴＲを形成する必要が無くなるため、溝ＴＲの幅を例えばダイシングブレードの厚さやレーザスポットの径よりも小さくすることが可能となる。 - 特許庁

A single or a plurality of scribe marks 50 made of the same film as the thinnest conductive member in the plurality of conductive members are formed in a portion of the first substrate 10, the portion positioned at the rim of the display panel.例文帳に追加

第１の基板１０における表示パネル周縁に位置する部分に、複数の導電部材のうち最も薄い導電部材と同一の膜からなる１又は複数のスクライブマーク５０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion element, the method securing an insulation characteristic of scribe of a transparent conductive film, and securing quality as a photoelectric conversion element; and to provide a device for cleaning a photoelectric conversion element.例文帳に追加

透明導電膜のスクライブの絶縁特性を確保し、且つ光電変換素子としての品質を確保できる光電変換素子の製造方法及び光電変換素子の洗浄装置を提供することである。 - 特許庁

The fist substrate 10 further includes an electrode line formed of a metal material at the display medium layer 20 side, and the electrode line formed of the meatal material is constituted of the same conductive film as that of the scribe mark 50.例文帳に追加

第１の基板１０は、表示媒体層２０側に、金属材料で形成された電極線をさらに有し、金属材料で形成された電極線は、スクライブマーク５０と同一の導電膜で構成されている。 - 特許庁

The plane shape of the first dummy part 13 includes two first long sides perpendicular to the longitudinal direction of the scribe line 150, and two first short sides located near the outer periphery of the first check element pad 10.例文帳に追加

第１ダミー部１３の平面形状は、スクライブ線１５０の長手方向と垂直な２つの第１長辺と、第１チェック素子パッド１０の外周部近傍に配置される２つの第１短辺とを含む。 - 特許庁

After the electrical characteristic of a semiconductor wafer are evaluated by using a TEG formed in a scribe region of the semiconductor wafer (Step S11), an insulating mask layer which masks the TEG is formed (Step S12).例文帳に追加

半導体ウェハーのスクライブ領域に形成されたＴＥＧを用いて前記半導体ウェハーの電気的特性を評価したのち（ステップＳ１１）、このＴＥＧをマスクする絶縁性のマスク層を形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

The width of the region between the substrates outside the sealing material is reduced by carrying out laser cutting along scribe grooves 110a, 120a formed on the upper side of outer peripheries of the sealing material 13, and thereby, a galvanic corrosion is prevented.例文帳に追加

シール材１３の外縁の上方に形成されたスクライブ溝１１０ａ，１２０ａに沿ってレーザ割断を行うことによって、シール材の外側の基板間領域の幅を低減し、電解腐食を防止する。 - 特許庁

The semiconductor wafer 1 where many elements 2 are formed is suctionally held on an x-y table 4 and irradiated with very short pulse laser light 7 whose pulse width is ≤1 picosecond along scribe lines between the elements 2 and 2, thereby cutting the wafer.例文帳に追加

多数の素子２を形成した半導体ウェーハ１をｘ−ｙテーブル４に吸着保持して、前記各素子２，２間のスクライブラインに沿って、パルス幅が１ピコ秒以下の超短パルスレーザ７を照射して切断する。 - 特許庁

The square dummy patterns disposed in a knight jump manner automatically generable at high uniformity in a chip, and the rectangular dummy patterns in lattice arrangement which have high chipping resistance is formed in a scribe line area.例文帳に追加

チップ内部では、自動発生時に高い均一性で発生することができる正方形の桂馬とび配置のダミーパターンを、スクライブ線上には高い対チッピング耐性をもった格子状配置の矩形ダミーパターンを形成する。 - 特許庁

A groove processing tool 2 for a thin film solar cell is held by a holder 17 and is reciprocated relative to the scheduled scribe line of a substrate together with the holder 17, to form a groove on the substrate.例文帳に追加

この薄膜太陽電池用溝加工ツール２は、ホルダ１７に保持され、ホルダ１７とともに基板のスクライブ予定ラインに沿って相対的に往復移動させて基板上に溝を形成するためのツールである。 - 特許庁

To form a scribe line having an enough depth for cleaving a substrate without thermal damage in device circuits formed in the substrate even the substrate is relatively transparent with a lower energy absorption efficiency.例文帳に追加

エネルギ吸収効率の低い比較的透明な基板であっても、それに作り込まれたデバイス回路に熱的損傷を与えることなく、これに割断に必要な十分な深さのスクライブ線を形成すること。 - 特許庁

To form a scribe line on an optional position of a brittle substrate by surely preventing scratches formed on the surface of the brittle substrate by cullet produced in a work for scribing the surface of the brittle substrate such as a glass plate.例文帳に追加

ガラス板などの脆性基板の表面にスクライブ加工を施す時に発生するカレットにより、脆性基板の表面に傷が付くことを確実に防止して、脆性基板の任意の位置にスクライブラインを形成する。 - 特許庁

When two passive element units are adjacent to each other in the first direction, the scribe line electrically connects an electrode having the same polarity between the passive element units, thereby the passive element units are connected in parallel.例文帳に追加

２つの受動素子ユニットが第１方向に互いに隣接する場合、スクライブラインは、受動素子ユニット間に同一極性の電極を電気的に連結し、これにより、受動素子ユニットを並列で連結するようになる。 - 特許庁

The ratio per unit area of a first dummy pattern 7 disposed in a cutting region 5 of a scribe region 4 is lower than that per unit area of a second dummy pattern 8 disposed in a non-cutting region 6.例文帳に追加

スクライブ領域４の切断領域５に配置される第１のダミーパターン７の単位面積当たりの占有率は、非切断領域６に配置される第２のダミーパターン８の単位面積当たりの占有率よりも小さい。 - 特許庁

To properly split a brittle material by a splitting apparatus by reducing or eliminating the non-continuous part of a broken line-shaped scribe groove formed in the surface of the brittle material.例文帳に追加

脆性材料の表面に形成される破線状のスクライブ溝の非連続部を低減あるいは皆無にして、割断装置による脆性材料の割断を適正に行うことができるスクライブ方法を提供する。 - 特許庁

To smoothly form a through-hole without generating any winkling or chipping in the peripheral edge of he through-hole in the method of forming a through-hole in a fragile material substrate by a scribe using a cutter.例文帳に追加

カッターを用いたスクライブによって脆性材料基板に貫通孔を形成する方法において、コジリやハマカケ等を貫通孔の周縁に発生させることなく円滑に貫通孔を形成できるようにする。 - 特許庁

After that, any processing isn't given to a front surface of the discrete element 80, but a stress is applied along the scribe line 7 in which the processing region 24 is formed, and cracks are generated from the processing region 24 to perform the cleavage.例文帳に追加

その後は、個別素子８０の表面に対して加工が施されず、加工領域２４が形成されたスクライブライン７に沿って応力が加えられ、加工領域２４から亀裂を発生させて劈開が行なわれる。 - 特許庁

In a first process, a scheduled process line L1 is arranged in a gap between the sealing materials 5 of the adjacent cells, and a laser beam is irradiated along the scheduled process line L1 to form a scribe line on the first glass substrate G1.例文帳に追加

第１工程では、隣接するセルのシーリング材５の間隙に加工予定線Ｌ１を配置し、加工予定線Ｌ１に沿って、第１ガラス基板Ｇ１にレーザを照射し、第１ガラス基板Ｇ１にスクライブラインを形成する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is provided with a structure that serves as a mark for a dicing step of a scribe line adjacent to a specific product chip in each block of the semiconductor wafer in which a plurality of blocks, each of which consists of a plurality of product chips, are arranged.例文帳に追加

複数の製品チップからなるブロックを複数個配置した半導体ウェーハの各ブロックにおいて、特定の製品チップに隣接するスクライブラインにダイシング工程における目印になる構造を設ける。 - 特許庁

Recesses (scribe line) 45 are cut in the P--type Si layer 25 beyond the N+-type Si layer 24, and a positive electrode 32 is filled into the recess 45 through the intermediary of a P+-type Si layer 26.例文帳に追加

半導体層２４、２５の裏面に、ｎ^+型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ^+型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。 - 特許庁

This glass scribe device is so constituted that on a glass cutter holder 10, a holding hole 11 is formed for setting up an axis supporter 24 of a glass cutter 20, and the attaching holes 14, 15 having the axes perpendicular to the axis of the holding hole 11 are formed.例文帳に追加

ガラスカッター保持具１０には、ガラスカッター２０の軸支部２４を取り付けるための保持孔１１が穿設され、保持孔１１の軸線と直交する軸線を有する装着孔１４，１５が形成されている。 - 特許庁

Then a ruled line is formed by applying the scribe processing on the other face of the glass substrate so as to cross the ruled line through the first film and the glass substrate is divided along the ruled line.例文帳に追加

次いで、前記ガラス基板の他方の面に、前記罫書き線と交差するようにスクライブ加工により前記第１のフィルムを介して罫書き線を形成し、前記ガラス基板を前記罫書き線に沿って分割する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having structure by which an electrode pad can be formed on a scribe line so as not to be easily left after dicing, a semiconductor device, a method for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for measuring the semiconductor device.例文帳に追加

スクライブラインに形成された電極パッドを、ダイシング後に残存しにくく形成することができる構造を有する半導体基板、半導体装置及びその製造方法ならびに測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for machining a deposition film with high yield by solving the problem of positional accuracy of a scribe groove occurring at the time of machining a deposition film formed on a large area substrate or a flexible substrate.例文帳に追加

大面積あるいは可撓性基板に形成した堆積膜を加工する際に発生するスクライブ溝の位置精度の問題を解決して、歩留まりの高い堆積膜の加工装置および加工方法を提供する。 - 特許庁

When a first section between the first section and a second section which are adjacent to each other is exposed, mark regions of first and second reticles correspond to the scribe line where the first section and second section overlap with each other.例文帳に追加

相互に隣接する第１の区画と第２の区画のうち第１の区画を露光する時に、第１及び第２のレチクルの各々のマーク領域が第１の区画と第２の区画との重なったスクライブラインに対応する。 - 特許庁

To discharge an end material part to be unnecessary of the end of a fragile material substrate outside a substrate disruption apparatus in the substrate disrupting apparatus which scribes the fragile material substrate and disrupts it along a scribe line.例文帳に追加

脆性材料基板をスクライブし、スクライブラインに沿って分断する基板分断装置において、脆性材料基板の端部の不要となる端材部分を基板分断装置の外部に排出できるようにすること。 - 特許庁

An alignment pattern 10 is substantially formed in parallel to the scanning direction of the rays of light to scan in exposure in one scribe line 6 positioned at the rightmost end of the exposure region 4 of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ１の露光領域４の最右端に位置する１本のスクライブライン６に、露光時に走査される光の走査方向に対して実質的に平行にアライメントパターン１０が形成されている。 - 特許庁

A plurality of types of semiconductor substrate 1 for forming different products are respectively provided with focus patterns 14f identical in height on scribe lines on the semiconductor substrates 1, and focusing is obtained with reference to these focus patterns.例文帳に追加

異なる製品を形成する複数種の半導体基板１それぞれに対し、半導体基板１上のスクライブライン上に同じ高さのフォーカスパターン１４ｆを設け、このフォーカスパターンを基準としてフォーカスを合わせる。 - 特許庁

In order to optimize the energy density distribution, a temporally and spatially uniform distribution having symmetry on both sides of the scribe line direction and avoiding excess energy density is achieved using a diffraction grating type optical element.例文帳に追加

この実現のために前者では回折格子型光学素子を使用してスクライブ線方向の両側で対称性を持つ時間的にも空間的にも一様で過剰なエネルギー密度を避けた分布を実現した。 - 特許庁

A small diameter hole 23 and a large diameter hole 24 are formed in the lower end part of a movable support shaft 22, and a support shaft 27 constituting a scribe blade unit 26 in the large diameter hole 24 through a radial ball bearing 25 is supported rotatably.例文帳に追加

可動支持軸２２の下端部に小径孔２３及び大径孔２４を形成し、前記大径孔２４にラジアルボールベアリング２５を介してスクライブ刃ユニット２６を構成する支持軸２７を回転可能に支持する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wafer-level chip scale package that prevents the number of chips per wafer from reducing, by making use of a wafer, having a scribe region the width of which is the same as that of a general wafer.例文帳に追加

一般的なウェーハと同じ幅のスクライブ領域を有するウェーハを利用することによって、ウェーハ当たりチップの個数が減少しないようにするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

Penetrating holes 13a are formed on a glass substrate 16 by using a sand blast method, and notch trenches 17 which not penetrating with wedge-shaped sections are previously formed at a position corresponding to the scribe line S.例文帳に追加

ガラス基板１６に対して、サンドブラスト法により、貫通穴１３ａを形成すると共に、スクライブラインＳに対応した位置に断面くさび状をなす非貫通状の切込み溝１７を予め形成しておく。 - 特許庁

To provide a division method of laminated substrate which can perform chip division with high precision and high density using a laser scribe method, an to provide a manufacturing method of liquid drop ejection head and a manufacturing method of liquid drop ejector.例文帳に追加

レーザースクライブ法を使用して高精度かつ高密度にチップ分割を行なうことのできる積層基板の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin-film solar cell module 1 comprises a step of forming an intermediate contact layer dividing trench in which a conductive dividing trench 23 is formed in an intermediate contact layer 11 by a mechanical scribe method.例文帳に追加

薄膜太陽電池モジュール１の製造方法は、中間コンタクト層１１にメカニカルスクライブ法によって導電分離溝２３を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus for scribe processing includes a holder of holding a workpiece, a scriber performing scribe processing on the workpiece held by the holder and including a scriber shank having a diamond chip arranged atop, a moving module of relatively moving the holder and the scriber, and a cooling jet ejection unit including a cooling jet ejection nozzle emitting a cooling jet to a processing point where the workpiece and diamond chip abut against each other.例文帳に追加

スクライブ加工装置であって、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にスクライブ加工を施す、ダイアモンドチップが先端に配設されたスクライバシャンクを含むスクライブ手段と、該保持手段と該スクライブ手段とを相対移動させる移動手段と、被加工物と該ダイアモンドチップとが当接する加工点へ冷却ジェットを噴射する冷却ジェット噴射ノズルを含む冷却ジェット噴射ユニットと、を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The compound semiconductor element has a lamination with a crystal substrate and a compound semiconductor multilayer, wherein at least one of the side faces of the lamination includes at least a portion of a scribe groove that extends out from that side edge of the lamination and at least a partial depth of the scribe groove seen from the principal plane of the lamination is shallow in the vicinity of the edge and deep far from the edge.例文帳に追加

結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、前記積層体の側面の少なくともいずれかは、その側面の端部から延在するスクライブ溝の少なくとも一部分を含み、前記積層体の主面からみた前記スクライブ溝の少なくとも一部分の深さは前記端部の近傍において浅く前記端部の遠方において深いことを特徴とする化合物半導体素子が提供される。 - 特許庁

The conducting film pattern formed in the scribe line region is made smaller than a pad pitch of an external terminal pad and greater than a lead wire width, thereby making it possible to prevent the occurrence of the short circuit between lead wires, when the conducting film is rolled up by dicing.例文帳に追加

このスクライブライン領域に形成する導電膜パターンを、外部端子パッドのパッドピッチより小さく且つリード線幅より広くする事により導電膜がダイシングにより捲れ上がってもリード線間ショートの発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a method for scribing a brittle material substrate capable of processing the brittle material substrate by internal cutting without externally cutting the brittle material substrate in spite of using a normal cutter wheel when a scribe line is formed to the brittle material substrate.例文帳に追加

脆性材料基板にスクライブラインを形成する際にノーマルカッターホイールを使用するものでありながら、脆性材料基板を外切りすることなく、内切りで加工することのできる脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。 - 特許庁

Thus, for example, differently from a method where a scribe groove is physically formed on the TFT substrate 2, the pressing of force acting on the TFT substrate 2 can be suppressed when forming a splitting starting point on the TFT substrate 2.例文帳に追加

それゆえ、例えば、ＴＦＴ基板２に物理的にスクライブ溝を形成する方法と異なり、ＴＦＴ基板２に分断の起点となる起点部を形成する際に、ＴＦＴ基板２に押圧力がかかることを抑制できる。 - 特許庁

By setting the depth Ds [μm] above (200/3) t [mm]+70/3, the substrate 1 is broken by a scribe dominant mode, so that the substrate 1 can be rapidly split with no influence of the scanning speed of the laser beam.例文帳に追加

このとき、スクライブ溝１ａの深さＤｓ［μｍ］を、（２００／３）ｔ［ｍｍ］＋７０／３を越える深さとすることにより、スクライブ支配モードにて基板１が破断されるので、レーザ光の走査速度に律速されずに迅速に基板１を分断することができる。 - 特許庁