「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an insulating coating glass material and sealing glass material, from which an insulating protective coating film can be formed in the form of a single layer and the generation of bubbles caused by a reaction with an electrode can be suppressed and which are excellent in flatness and wear resistance and required in the development of electronic material substrates represented by thermal print heads.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドに代表される電子材料基板開発で、絶縁保護被膜を単層で形成でき、電極反応泡が抑制され、かつ平坦性および耐磨耗性の優れた絶縁性被膜ガラス材料及び封着ガラス材料が望まれている。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

A photolithography technique and an etching technique are used to form an immobilizing film 14 in which avidin molecules are immobilized in a single layer at only specific probe biomolecule adhesion-desired sites 101 on the surface of a slide glass substrate 11, thus obtaining the surface-treated substrate 100.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、スライドグラス基板１１の表面のプローブ生体分子を付着させたい特定の部位１０１のみにアビジン分子が単層に固定された固相化膜１４を形成することにより表面処理基板１００を得る。 - 特許庁

A nonwoven fabric laminate is constituted by laminating a composite nonwoven fabric consisting of a natural vegetable cellulosic fiber and a thermoplastic resin fiber and containing 50-90 weight % of the natural vegetable cellulosic fiber to the single surface or both surfaces of a layer comprising a thermoplastic resin.例文帳に追加

天然植物性セルロース系繊維と熱可塑性樹脂繊維とからなり、且つ前記天然植物性セルロース系繊維の比率が５０〜９０重量％である複合不織布を、熱可塑性樹脂からなる層の片面または両面に積層したものである。 - 特許庁

To provide a flexible packaging bag capable of exhibiting a desired self-seal non-return checking function, even when a film-like non-return checking nozzle part and a bag body part are integrally formed for both front-back sides with one piece of single layer plastic film respectively.例文帳に追加

フィルム状逆止ノズルの部分と袋本体の部分とを、表裏ともそれぞれ一枚ものの単層のプラスチックフィルムにて一体に形成した場合においても所望のセルフシール逆止機能を示すことのできるフレキシブル包装袋を提案すること。 - 特許庁

An ID-1 card stipulated in JIS X6301 has a single layer structure formed of a while base material, and the card has a magnetic stripe disposed being flush with one side of the base material, and a pattern is printed on the surface of the magnetic stripe.例文帳に追加

ＪＩＳＸ６３０１に規定されたＩＤ−１カードにおいて、白色の基材からなる単層の構成であって、基材の片面に面一状に配置された磁気ストライプを具備し、表面に絵柄の印刷を施したことを特徴とする磁気ストライプを有するカード - 特許庁

Then, if it is defined that the width of a part arranged in the outside of the groove 5 from between the gate extraction electrode 8 and the resistivity of an n^- type single-crystal silicon layer 1B are CHSP and ρ (Ω cm), respectively, the CHSP is set to satisfy the relation: CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

Not only a means for fastening layers in the peripheral area of an end plate but also a means for applying a pressure in a layer direction in the central area is provided on a battery cell stack 10 equipped with a layered product of a single battery cell 9 and two end plates to sandwich it.例文帳に追加

単一電池セル９の積層体とそれを挟む２枚のエンドプレート１とを備える電池セルスタック１０に対して、エンドプレート１の周辺領域での積層締結手段のみならず、中央領域での積層方向への圧力付加手段をも備えさせる。 - 特許庁

The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２の単結晶には、０．０５〜３重量％以下のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。 - 特許庁

The epitaxial wafer, in which a silicon-epitaxial layer is formed on the surface of a nitrogen-doped silicon single-crystal wafer, is characterized in that an oxygen precipitate density of a size having the gettering ability in bulk is 10^8 piece/cm^3 or more.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハであって、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１０^８個／ｃｍ^３以上であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ。 - 特許庁

In this method, a single crystal of diamond film 13 is formed along a specified pattern on a diamond growth substrate having a surface capable of epitaxial growth of diamond, for example, a diamond growth substrate which is a magnesium oxide substrate 10 on which an iridium layer 11 is formed.例文帳に追加

ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板、例えば酸化マグネシウム基板１０上にイリジウム層１１が形成されたダイヤモンド成長基板に、所定のパターンに沿って単結晶のダイヤモンド膜１３が形成された構成とする。 - 特許庁

The digital full-color electrophotographic apparatus is constituted by using: a light source having a emission wavelength at 380 to 450 nm as an exposure means; and an image carrying body having a photoconductive layer made of a non-single crystal material essentially comprising silicon atoms and containing hydrogen atoms and/or halogen atoms.例文帳に追加

デジタルフルカラー電子写真装置において、該露光手段として380〜450nmに発光波長を有する光源を用い、シリコン原子を母体とする水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層の像担持体を用いる。 - 特許庁

To provide a new semiconductor package and its manufacturing method capable of arranging the necessary number of bonding pads on the circuit face of a single layer without increasing the inductance of a power source supply circuit, having small cross talk noise and stably supplying large electric power.例文帳に追加

電源供給回路のインダクタンスを高めることなく単層の回路面に必要数のボンディングパッドを配置でき、クロストークノイズが少ない上、安定して大電力を供給し得る新規な半導体パッケージ及びその製造方法を提案することにある。 - 特許庁

In this case, when the width of a part in the gate lead out electrode 8, which is arranged outside the groove 5, is shown by CHSP and the resistivity of an n-type single crystal silicon layer 1B is shown by ρ(Ω cm), the width CHSP is set so as to be CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

The contact 11 has single layer of insulating board 13 formed with an opening part 14 at a position corresponding to the bump 21, a compaction part 24A to be connected to the bump 21 and a contact part 12A arranged in the insulating board 13 so that the connection part 24A is positioned inside of the opening part 14.例文帳に追加

そして、コンタクタ11を、バンプ21との対応位置に開口部14が形成された単層の絶縁基板13と、バンプ21が接続される接続部24A 及びこの接続部24A が開口部14の内部に位置するよう絶縁基板13に配設されるコンタクト部12A とを有した構成する。 - 特許庁

The loose tubes 5 houses at least one water absorptive optical fiber 15 which has a single core optical fiber 23, and has a powdered absorbent 27 substantially uniformly applied and fixed on the outermost layer thereof by use of a water soluble UV resin 25 as a binder.例文帳に追加

単心光ファイバ２３の最外層に、水溶性ＵＶ樹脂２５をバインダとして粉末状の吸水剤２７を略均一に塗布して固着した吸水光ファイバ１５を少なくとも１本を前記ルースチューブ５内に収納したことを特徴とする。 - 特許庁

The release layer has an amount of silicone that transfers to a single-sided adhesive tape of 10 kcps or less per unit surface area equivalent to a circle having a diameter of 30 mm when determined as X-ray intensity of silicon by X-ray fluorescence analysis.例文帳に追加

上記剥離層は、日東電工株式会社製片面粘着テープ品番「Ｎｏ．３１Ｂ」に対するシリコーン移行量が、蛍光Ｘ線分析によるケイ素のＸ線強度として、直径３０ｍｍの円に相当する面積当たり１０ｋｃｐｓ以下である。 - 特許庁

To provide a transfer roller having a single resin layer on the periphery of a metal center core, having good transfer performance (good electrical conductivity which is uniform all over the roller), and ensuring reduced environmental dependency and suppressed bleed-out.例文帳に追加

本発明の課題は、金属芯の外周に単層の樹脂層を有し、かつ、良好な転写性能（良好な導電性がローラ全体に均一である）を有し、さらに環境依存性およびブリードアウトが低減された転写ロールを提供することを課題とする。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

In a photolithography process, element isolation formation of a thin film semiconductor layer and formation of the video signal wiring and drain electrode are achieved simultaneously through single-time photolithography by using a photomask capable of modulating an exposure light quantity of a channel region of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と、映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で、同時に形成する。 - 特許庁

The active areas 12A and 12B are folded in an active layer 12, and the resonator length of the whole active areas 12A and 12B is longer by a folded part when comparing it with that in a single belt-like active area in a normal laser structure.例文帳に追加

活性領域１２Ａ，１２Ｂは、活性層１２内に折り畳まれた状態となっており、活性領域１２Ａ，１２Ｂ全体の共振器長は、通常のレーザ構造における単一帯状の活性領域のそれと対比すると、折り畳んだ分だけ長い。 - 特許庁

Since the silicon nitride film 7d is formed directly on the high dielectric insulating film 7c, leak currents when applying a high field effect can be suppressed in comparison with, for example, a structure wherein a single layer of the silicon oxide film 7e is applied onto the high dielectric insulating film 7c.例文帳に追加

シリコン窒化膜７ｄが高誘電体絶縁膜７ｃの直上に形成されているため、例えば高誘電体絶縁膜７ｃの上にシリコン酸化膜７ｅを単層で適用している構成に比較して高電界印加時のリーク電流を抑制できる。 - 特許庁

A sole member 7 consisting of a single layer or multilayer is provided with a ground contact pressure reducing part 9 (a recessed part, a hole part, an elastic material or the like) in a part corresponding to the joining parts 56 of the phalanxes and the metatarsuses of the forefinger, the middle finger and the third finger of a foot.例文帳に追加

単層または多層からなるソール部材７において、足の人差し指、中指及び薬指における趾節骨と中足骨の接合部分５６に対応する部分に配置された接地圧低減部９（凹部、孔部、弾性材等）が設けられている。 - 特許庁

A plurality of conductive layers 1 and a plurality insulation layers are alternately arranged in a single line from left to right, and each conductive layer 1 is used as a conductive member containing, in the vertical thickness direction, chain powder 4 of a 200-500 parts by mass in an insulating elastomer resin of 100 parts by mass.例文帳に追加

複数の導電層１と絶縁層とを交互に横一列に並べ備え、各導電層１を、絶縁性エラストマー樹脂１００質量部に、２００〜５００質量部の鎖状粉末４を上下厚さ方向に含有した導電部材とする。 - 特許庁

A laminated structure formed of GaN crystal layers is formed on an Al_xGa_1-xN (0.5≤x≤1) crystal layer (it may be a single crystal substrate) which has a dislocation density of 1×10^11 cm^-2 or below and a thickness of 0.1 μm or above for the formation of a GaN semiconductor laser.例文帳に追加

転位密度１×１０^11ｃｍ^-2以下、厚さ０．１μｍ以上のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．５≦ｘ≦１）結晶層（単独の結晶基板であってもよい）上に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、ＧａＮ系半導体レーザを構成する。 - 特許庁

The optical connecting structure includes a solid pressure-sensitive adhesive connecting member having refractive index matching property as a single layer present between end faces of opposing holey fibers, or between an end of a holey fiber and an end of another optical transmission medium or optical component.例文帳に追加

本発明の光学接続構造は、互いに対向するホーリーファイバの端面間、またはホーリーファイバの端部と他の光伝送媒体の端部もしくは光学部品との間に、屈折率整合性を有する固形の粘着性接続部材が単一層として介在する。 - 特許庁

A half-wave retardation film 30 consisting of a uniaxially stretched single-layer polycarbonate film is joined with a photosetting adhesive 4 between the inclined end face 11 of the first light transmitting base material 10 and the inclined end face 21 of the second light transmitting base material 20.例文帳に追加

第１の透光性基材１０の傾斜端面１１と第２の透光性基材２０の傾斜端面２１との間には、一軸延伸された単層のポリカーボネートフィルムからなるλ／２位相差フィルム３０が光硬化性の接着剤４で接合されている。 - 特許庁

A plurality of grooves 10 are formed on the both faces of the both-face coated part 14, and the groove 10 is not formed on the single face coated part 17, and the grooves 10 are formed spreading over from the surface of the porous protective membrane 28 through the surface of the active material layer 13.例文帳に追加

両面塗工部１４の両面に複数の溝部１０が形成され、片面塗工部１７には溝部１０が形成されておらず、溝部１０は、多孔性保護膜２８の表面から活物質層１３の表面に及んで形成されている。 - 特許庁

To provide a single-layer type electrophotographic photoreceptor having such properties that when the photoreceptor is immersed in Isopar (R) without applying an overcoat, the appearance of the photoreceptor surface does not change, that the photoreceptor is excellent in the resistance against Isopar (R) (with extremely little elution of the charge transfer agent into Isopar (R)) and has practical sensitivity.例文帳に追加

オーバーコートを施さないで、アイソパーに浸漬させても感光体表面の外観変化がなく、耐アイソパー性に優れ（電荷輸送剤のアイソパーへの溶出が極めて少ない）、且つ実用感度を有する単層型電子写真感光体を提供することである。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoconductor having good chargeability and sensitivity, excellent light resistance and durability and further having high stability of electrostatic properties even after a repeated copying processes, and to provide an electrophotographic method, an electrophotographic apparatus and a process cartridge for the electrophotographic apparatus.例文帳に追加

帯電性、感度が良好で、かつ、耐光性、耐久性に優れ、複写プロセスを繰り返しても静電特性の安定性に富んだ単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material enhanced in sensitivity by allowing a sensitizing dye to be adsorbed to the surfaces of silver halide grains in an amount of more than the saturated amount of a single layer and enhancing the light absorbance per unit surface area of the silver halide grains.例文帳に追加

ハロゲン化銀粒子表面上に単層飽和吸着量よりも多い増感色素を吸着させ、ハロゲン化銀粒子の単位表面積の光吸収強度を高めることにより、感度が高められたハロゲン化銀感光材料を提供する。 - 特許庁

In the organic EL device 1, an organic EL element holding at least a light emitting layer by a pair of electrodes is formed on a composite substrate comprising a single crystal silicon substrate, and a support substrate of a glass, a quartz or the like which are affixed to each other.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ表示装置１は、単結晶シリコン基板とガラス、石英等の支持基板とを貼り合わせてなる複合基板上に、少なくとも発光層を一対の電極で挟持した有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ装置である。 - 特許庁

To provide a method and a structure for mechanically inserting, sealing and retaining a vent valve for fuel vapor from an opening part of a fuel tank wall, which is made of a simple and single assembly at a relatively low cost and surely seals the blocking layer for the fuel vapor of the fuel tank.例文帳に追加

簡単な単一アセンブリで、比較的低コスト、かつ、燃料タンクの燃料蒸気用遮蔽層を確実にシールする、燃料タンク壁部の開口部から燃料蒸気用ベントバルブを機械的に挿入、シールし、保持する方法と構造を提供する。 - 特許庁

The method includes a creation of a finite element analysis model that includes structure, surrounding fluid, a blast source of the explosion and a single layer of boundary elements each having a segment representing a boundary of the fluid facing the blast source.例文帳に追加

方法は、構造体と、周囲流体と、爆発の爆発源と、それぞれが爆発源に面する流体の境界を表わすセグメントを含んでいる複数の境界要素により構成された単一層と、を有する有限要素解析法モデルの生成を備える。 - 特許庁

To provide an optical film which is suitable for an optical filter to be disposed on the front face (in the viewing side) of a plasma display panel, which has both of high near IR absorbing performance and tone correcting performance by a single layer, and which has practical durability and high production stability.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの前面（視認側）に設置して用いられる光学フィルタ用として好適な、高度な近赤外線吸収能と色調補正能を一層で兼備し、実用的な耐久性、生産安定性が良好である光学フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide an insulating coating glass material and sealing glass material, which are excellent in flatness and wear resistance and with which an insulating protective coating can be formed in the form of a single layer and the generation of bubbles caused by a reaction with an electrode can be suppressed, in the development of electronic material substrates represented by thermal print heads.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドに代表される電子材料基板開発で、絶縁保護被膜を単層で形成でき、電極反応泡が抑制され、かつ平坦性および耐磨耗性の優れた絶縁性被膜ガラス材料及び封着ガラス材料が望まれている。 - 特許庁

In the disk drive of the perpendicular magnetic recording system having a two-layer disk medium 2 and a magnetic head 1 which uses a single pole type head, the magnetic head 1 employs a structure having the shape of the end of the return yoke 11 capable of suppressing the spred of the magnetic flux.例文帳に追加

２層ディスク媒体２と単磁極型ヘッドを使用する磁気ヘッド１とを有する垂直磁気記録方式のディスクドライブにおいて、サイドライトの発生を抑制できるようなリターンヨーク１１の端部の形状を有する磁気ヘッド１の構造が開示されている。 - 特許庁

To provide a soluble surface treatment method for LaSrAlO_4 single crystal substrate by which a superconductive oxide thin film having a super conductivity transition temperature can be formed with a high yield, by removing a deteriorated layer left on the surface of a substrate by a soluble surface treatment.例文帳に追加

基板表面に存在している劣化層を溶解性表面処理により取り除き、超伝導転移温度の高い超伝導酸化物薄膜を高歩留まりで作製できるＬａＳｒＡｌＯ_４単結晶基板の溶解性表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The common mode choke coil 1 has a rectangular parallelepiped-like outer shape as a whole by forming an insulating layer 60, first/second helical coils 11, 12, and a closed magnetic circuit 141 on a silicon substrate 51, which is formed of single-crystal silicon, with a thin-film formation technique.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁

Consequently, the strength of the base body 1 is enhanced, and the strength is raised in spite of a small/thin antenna; and the antenna is miniaturized, while obtaining superior radiation characteristic and is made inexpensive by using a low-cost single-layer board.例文帳に追加

基体１の強度を十分に確保することができ、小型・薄型のアンテナでありながら強度を高くすることができ、良好な放射特性を得ながらアンテナを小型化できるとともに、低コストの単層基板を用いて安価なアンテナとすることができる。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたＬＥＤ等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing through a comparatively simple and easy manufacturing process a chip-type electronic component, in which a variation of electric characteristic due to a material of a sintered body is reduced by forming an outer electrode of only single layer thick-film material.例文帳に追加

本発明の目的は、外部電極を１層の厚膜材料のみで形成し、焼結体の材料に起因する電気特性のバラツキを減少させたチップ型電子部品を、比較的簡易な製造工程で製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor thin film 15 can be manufactured, by developing the solvent where the semiconductor colloidal nanodots 30 are dispersed in the solvent on the surface of water, and then transferring single particle layer film, arranged regularly on the occasion of vaporizing the solvent to the substrate with the horizontal adhering method.例文帳に追加

半導体薄膜１５は、半導体コロイダルナノドット３０を溶媒中に分散させた溶液を水の表面に展開し、溶媒を蒸発させてその際に規則配列となった単粒子層膜を水平付着法により基板に移し採ることで作製する。 - 特許庁

A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.例文帳に追加

多入力論理ゲート回路を構成するＭＯＳトランジスタであって、各入力端子に接続されるＭＯＳトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁

A core, comprising one or more layers, has pre-molded hemispherical cover cups placed about the core, and the cover cups are heated and compressed such that the resinous materials in the cover cups intermingle with each other to form a single cover layer comprised of a non-distinct blend of the materials.例文帳に追加

１またはそれ以上の層を有するコアの回りに予め準備された半球カバーカップが配され、カバーカップが加熱され圧縮されて、カバーカップ中の樹脂材料が相互に混交して材料の不分明なブレンドを有する単一カバー層を形成する。 - 特許庁