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solid interfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 304



例文

Reduction of a part of the side surfaces facing each other of the cast ingot is started immediately when the striking of the side surfaces of the cast ingot is started, or after the striking is started, and the cast ingot is preferably reduced before the interface of at least the solid phase ratio of 0.7 on both sides of the inner part of the cast ingot at the reduction position is pressed.例文帳に追加

また、鋳塊の側面の打撃を開始するのと同時または開始以降に、鋳塊の相対する側面の一部の圧下を開始し、引き続きその圧下位置の鋳塊内部の両側の少なくとも固相率0.7の界面が圧着するまで圧下するのがより望ましい。 - 特許庁

By the formation of the fine projections, the reflection of light, occurring on the surface of the semiconductor substrate or the film interface where the refractive index in the inside differs, can be reduced drastically, thus obtaining a solid-state image pickup device, having small loss in the quantity of incident light and the superior sensitivity characteristics.例文帳に追加

微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。 - 特許庁

To improve the yield of production of an entire-area single crystal by preventing the surface of a melt at the solid-liquid interface from becoming concave by specifying the relationship between the length of the non-heat-generating region of a heater and the liquid phase height of the raw material melt in a method for producing a compound semiconductor single crystal by the LEC method.例文帳に追加

LEC法による化合物半導体単結晶の製造方法において、ヒータの非発熱領域長さと原料融液の液相高さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上させる。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction body for realizing a high-output solid polymer fuel cell by reducing inner resistance through improvement of a junction state of a polymer electrolyte membrane with an electrode catalyst layer, and making a three-phase interface three-dimensional to enlarge a reaction area.例文帳に追加

高分子電解質膜と電極触媒層との接合状態を向上させて内部抵抗を低減させ、かつ三相界面を三次元化し、反応面積を拡大させることにより、高出力な固体高分子型燃料電池を実現するための膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

例文

The electrochromic element includes an electrochromic layer 18, an electrolyte layer 16, and a relative electrode layer 14, and is characterized in that a solid inorganic electrolyte film is included as a protective film 22 in the interface between one of the electrochromic layer 18 and relative electrode layer 14, and the electrolyte layer 16.例文帳に追加

エレクトロクロミック層18、電解質層16及び相対電極層14を含み、前記エレクトロクロミック層18及び相対電極層14のうちどちらか一方の層と前記電解質層16との界面に固体無機電解質膜を保護膜22として含むことを特徴とする。 - 特許庁


例文

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るLEC法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

Since the interface S between the screen film 1 and reflective film 2 varies in the angle of light incidence along the circumferential edge of the screen film 1 and the states of light reflection, absorption, and transmission change to make the nameplate have a solid feeling like being embossed and sinking depending on the light incident angle.例文帳に追加

スクリーン皮膜1と反射皮膜2間の界面Sはスクリーン皮膜1の周縁にそって光の当たる角度が変化し、光の反射、吸収、透過の状態が変化するので、マークが光の当たる角度によって、浮き上がって見えたり、沈んで見えたりといった立体感を生み出す。 - 特許庁

In this lotus root-shaped porous metal manufacturing method, an advancing direction of a solid-liquid interface at solidifying as a determination factor of a growing direction of a pore is controlled to be slant, whereby the panel having the insertion hole can be manufactured only by the simple casting and the fabrication.例文帳に追加

ロータス型ポーラス金属作製方法において、気孔の成長方向の決定因子である凝固時の固液界面の進行方向を斜めに制御することにより、単純な鋳造と成形加工のみで貫通孔を有するパネルを作製することを可能とする。 - 特許庁

By means of porosity adjustment of the fuel electrode 12, the rate of hydrogen gas permeation to the solid electrolyte interface is reduced in the region having a higher hydrogen concentration so as to suppress the battery reaction, and in the region having a low hydrogen gas concentration, the rate of permeation of hydrogen gas is heightened to promote the battery reaction.例文帳に追加

燃料極の気孔率の調整により、水素濃度の高い領域では固体電解質界面への水素ガス透過率を低減し、電池反応の抑制を図り、水素ガス濃度の低い領域では水素ガスの透過率を上げ、電池反応の促進を図る。 - 特許庁

例文

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

LEC法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to manufacture a catalyst layer with high effective utilization rate of platinum catalyst by making a configuration with little coagulation of catalyst carrying carbon particle and a high porosity and increasing three-phase interface area in the electrode catalyst layer for solid oxide fuel cell.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池用電極触媒層において、触媒担持カーボン粒子の凝集が少なく、空孔率の高い形態をつくり、三相界面の面積を増大させることで白金触媒の有効利用率の高い触媒層を製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a negative electrode containing a negative electrode active material, comprising a carbon material for storing and releasing lithium ions, metal lithium or lithium alloy precipitated on the carbon material, and a solid electrolyte interface(SEI).例文帳に追加

非水電解質二次電池において、リチウムイオンを吸蔵および放出する炭素材料と、炭素材料上に析出した金属リチウムもしくはリチウム合金と、固体電解質界面(SEI)とを備えて構成された負極活物質含む負極を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This apparatus for growing the lithium tetraborate single crystal is characterized in that a cylindrical heat insulating part is arranged between the inner wall face of a furnace core tube heated by a heater and an area where a growth vessel moves and at the position of the solid-liquid interface with regard to the height direction.例文帳に追加

四ほう酸リチウム単結晶を育成させる育成装置において、高さ方向については育成時固液界面となる位置で、且つヒーターで加熱される炉心管の内壁面と育成容器が移動する領域との間に、筒形の断熱部を配置することを特徴とする育成装置。 - 特許庁

The cartridge retains an evaporation prevention material in the cartridge that is solid at a normal temperature and molten in a temperature zone of biochemical reaction; and can prevent the evaporation of a sample solution by the presence of the molten evaporation prevention material in the interface between the sample solution and a gas phase during the biochemical reaction.例文帳に追加

常温で固体であり、生化学反応温度域で融解している蒸発を防止する物質をカートリッジ内部に保持させ、生化学反応時に融解した当該蒸発防止物質がサンプル溶液と気相との界面に存在してサンプル溶液の蒸発を防止することができるカートリッジ。 - 特許庁

Lines of magnetic flux M generated in a coil 22 surrounding the periphery of the melting crucible 11 are directly transmitted into a region of solidified silicon 41 having low conductivity, but are deformed so as to avoid a region of fused silicon 42 having high conductivity by making the boundary of the solid-liquid interface S (lines of magnetic flux Ma portion in the figure 3).例文帳に追加

溶解ルツボ11の周縁を取り巻くコイル22に生じる磁束線Mは、導電率の低い固化シリコン41の領域はそのまま透過するが、固液界面Sを境にして導電率の高い溶融シリコン42の領域を避けるように歪む(図3中の磁束線Ma部分)。 - 特許庁

The method for manufacturing the nanocarbon material composite substrate includes the steps of: supporting catalyst on the substrate; heat treating the catalyst; forming a three-dimensional structural pattern on the substrate; and growing a nanocarbon material on the surface of the substrate on which the catalyst is supported, by means of the solid-liquid interface decomposition method.例文帳に追加

本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に3次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。 - 特許庁

A plurality of non-calcined gas sensor element pieces are cut out from the non-calcined laminate formed by laminating a plurality of non-calcined solid electrolyte sheets, and an insulating paste working as the insulating coat 115 after calcination is applied onto both side faces and the tip face where a laminate interface of the non-calcined gas sensor element pieces is exposed.例文帳に追加

未焼成固体電解質シートを複数積層した未焼成積層体から複数個の未焼成ガスセンサ素子片を切り出し、未焼成ガスセンサ素子片の積層界面が露出した両側面及び先端面に、焼成後に絶縁皮膜115となる絶縁性ペーストを塗布する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of electrode catalyst for a solid polymer fuel cell, of a kind selectively carrying catalyst metal on a reactive interface, with a manufacturing process greatly simplified by increase of a carrying volume of the catalyst metal, and also to provide a solid polymer fuel cell using the electrode catalyst for a fuel cell obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

触媒金属が反応界面に選択的に担持した固体高分子形燃料電池用電極触媒において、触媒金属の担持量を増加させ、製造工程の大幅な簡略化が可能な、固体高分子形燃料電池用電極触媒の製造方法と、この製造方法で得られた燃料電池用電極触媒を用いることを特徴とする固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a large crystal grain can be formed by making the energy absorption distribution of the a-Si layer constant in the transmitting direction at a part where the energy beam is passed a plurality of times and making the solid-liquid interface flat along the optical path thereby realizing lateral epitaxial growth in the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、a−Si層は、そのレーザビームを複数回透過された部分で、透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定にして固液界面を光路に沿った平坦なものとすることにより、a−Si層における横方向結晶成長を実現して大結晶粒の形成を可能とする。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第1の転送MOSトランジスタ22のゲート酸化膜41の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路31を介してフローティングディフュージョン領域FDに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第1の転送MOSトランジスタ22のゲート酸化膜41の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路31を介してフローティングディフュージョン領域FDに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

By turning and pressing the rotary tool, the aluminum sheet 17 is softened by the friction heat and subjected to the plastic flow, the adhesive layer 21 is squeezed out from the welding part via the flow of the zinc material melted by the friction heat, and the interface between the steel sheet 16 and the aluminum sheet 17 is welded in a solid phase state.例文帳に追加

この回転ツールの回転及び押圧により、アルミニウム板17が摩擦熱で軟化し塑性流動すると共に、摩擦熱により溶融した亜鉛材料の流動を介して接着剤層21が接合部から押し出され、鋼板16とアルミニウム板17の界面が固相状態で接合される。 - 特許庁

The multi-layered transparent gel composition comprises an outer layer composition and an inner layer composition each exhibiting a solid state at the ordinary temperature, wherein at least one portion of the inner layer composition is placed, while forming an interface in the outer layer composition, and the inner layer composition can visually be checked.例文帳に追加

常温において固化状態を呈する外層用組成物と内層用組成物とからなり、外層用組成物の内部に内層用組成物の少なくとも一部を境界面を形成させつつ位置させ、外層用組成物を透して内層用組成物を外部から視認可能としたことを特徴とする。 - 特許庁

To suppress a crack in a cathode layer of a capacitor element and a rise in interface resistance caused by stress generated by the expansion of an exterior resin by a heat history and exposure to a high temperature caused by the solder mounting of the solid electrolytic capacitor to a printed board and contraction on cooling.例文帳に追加

固体電解コンデンサのプリント基板上へのはんだ実装の際、高温下に曝される為、この熱履歴により、外装樹脂が膨張、冷却時の収縮により発生する応力が原因となって、コンデンサ素子の陰極層に亀裂が発生し、界面抵抗が上昇することを抑制すること。 - 特許庁

This novel solid direct crystallization method is useful for obtaining a firm interface between zeolite crystal and the base body without deteriorating the base body by a hydrothermal treatment or for abtaining a large catalytic surface area important for the adsorption of hydrocarbons or the automobile application such as a deNOx catalyst.例文帳に追加

この新しい固相直接結晶化法は、水熱処理により基材を劣化させることなくゼオライト結晶と基板の強固な界面を得るため、また、炭化水素の吸着や脱NOx触媒などの自動車用の用途にとって重要な良好な触媒表面積を得るためのものである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Static magnetic field having a prescribed intensity (desirably, ≥0.1 T) is impressed to molten metal and also, AC current having ≥1 Hz frequency is supplied so that the current component in the perpendicular direction to the static magnetic field direction exists in the range exceeding a prescribed distance (δ) from the solid-liquid interface to the solidifying direction.例文帳に追加

溶融金属に、所定の強さ(好ましくは0.1T以上)の静磁場を印加するとともに、周波数1Hz以上の交流電流を、固液界面から凝固方向へ所定の距離(δ)を超える領域にて、静磁場方向に対して垂直な方向の電流成分が存在するように通電する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle.例文帳に追加

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a high quality single crystal wherein a desired defect area is formed in the crystal growth direction can be easily manufactured with a high productivity and yield by suppressing the fluctuation of the temperature gradient in the vicinity of the solid-liquid interface to be minimum when the single crystal is grown.例文帳に追加

単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum-degassing treating method for molten steel with which, in the vacuum-degassing treatment, the reaction interface area is increased by making small bubbling diameter of blowing gas and also, uniformly dispersing the blowing gas bubble in the cross sectional area of an immersion tube, and the remarkable growth of solid metal is restrained at the outlet side of a gas blowing hole.例文帳に追加

真空脱ガス処理における、吹込みガスの気泡径を小さくするとともに、浸漬管の断面内において吹込みガス気泡を均一に分散させて反応界面積を増大し、しかもガス吹込み口出側における地金の著しい成長を抑制した、溶鋼の真空脱ガス処理方法について提案する。 - 特許庁

To manufacture a membrane-electrode assembly (MEA) of a solid polymer fuel cell wherein a catalyst retaining carbon layer for controlling a condensation state is formed on a polymer electrolyte membrane and improvement of power generation performance is aimed by sufficiently forming a three-phase interface of a catalyst layer and by making a membrane/catalyst layer at an interfaceless state.例文帳に追加

高分子電解質膜上に凝集状態を制御した触媒担持カーボン層を形成し、触媒層の三相界面を十分に形成するとともに、膜/触媒層を界面レスにすることによる発電性能の向上を図った固体高分子型燃料電池用膜電極接合体(MEA)を製造する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

LEC法(Liquid Encapsulated Czochralski法)により結晶径φ200mm以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal ingot having a desired oxygen concentration and suppressed in defects is produced by independently controlling the temperature distribution and the oxygen concentration distribution of a silicon melt by applying an unbalanced magnetic field to the silicon melt so that the magnetic field intensity of an oxygen gushing region is different from that of a solid-liquid interface region.例文帳に追加

シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 - 特許庁

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation.例文帳に追加

チャンバ11内のヒータ18により融解された融液12から引上げられる単結晶インゴット15内の固液界面24近傍の軸方向温度勾配Gを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、SOI層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したSOI層の酸化を防止する。 - 特許庁

The addition-curable silicone elastomer is provided in a solid form in two or more components or parts containing at least one hydrosilylation catalyst and the complete and uniform curing is effected without mixing by their contact with each other and the transfer of the catalyst and other components through the interface of two components or parts.例文帳に追加

付加硬化可能なシリコーンエラストマーを、固体の形で、少なくとも1個のヒドロシリル化触媒を含有する、2個以上の成分または部分で提供し、これらを互いに接触させた際の2個の部分の界面を渡っての触媒および他成分の移動により、混合することなく、完全かつ均一な硬化が生じることが見いだされた。 - 特許庁

For the solid oxide fuel cell, using a separator made of an alloy containing Cr, a separator, made of alloy which has an interface formed between the air electrode and the electrolyte, having a nature of selectively deoxidizing only oxygen in the air, and not deoxidizing the vapor of chromium oxide, is used.例文帳に追加

セパレータとしてCrを含む合金製セパレータを用いてなる固体酸化物形燃料電池において、空気極と電解質との界面で空気中の酸素のみを選択的に還元し、酸化クロムの蒸気種を還元しない性質の界面を形成してなることを特徴とする合金製セパレータを用いた固体酸化物形燃料電池。 - 特許庁

To provide a proton conductive polymer membrane wherein peeling-off of bonded interface of membrane-electrode junction is suppressed even in a hot press method similar to a conventional technology and wherein a superior and stable membrane-electrode junction is capable of preparing, and provide the membrane-electrode junction using the same, and further provide a solid polymer fuel cell using the same.例文帳に追加

従来技術と類似したホットプレス法であっても、膜−電極接合体の接合界面の剥がれを抑制し、良好かつ安定な膜−電極接合体を調製するのが可能なプロトン伝導性高分子膜、これを使用した膜−電極接合体、更にはそれを使用した固体高分子型燃料電池を提供する - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a catalyst ink is brought into a liquid droplet, in which the dispersion uniformity of platinum carrying carbon as a solid content of the ink and a proton conductive material (liquefied Nafion or the like) is improved by depositing them on a base material surface, and in which a ternary phase interface of carbon/platinum/proton conductive material is efficiently formed.例文帳に追加

本発明の目的は、触媒インクを液滴化し、それを基材表面に堆積する事により、インクの固形分である白金担持カーボンとプロトン伝導性物質(液状ナフィオンなど)の分散均一性を向上させ、カーボン/白金/プロトン伝導性物質の三相界面を有効に形成する製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminate suitable for a printed circuit board, which is excellent in adhesiveness to an insulating film and is easily capable of forming a conductive layer in an arbitrary solid surface with small irregularity in the interface with the insulating film, and to provide a printed circuit board on a substrate formed thereby, which has fine interconnections with excellent adhesiveness to the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜との密着性に優れ、絶縁膜との界面における凹凸が小さい導電性層を任意の固体表面に容易に形成しうるプリント配線板用として好適な積層体、及び、それを用いて形成した基板上に、絶縁膜との密着性に優れた高精細の配線を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁

In hotpressing, a presser 10 is provided with a water content supplying mechanism 11, otherwise a wet hydrated object is arranged outside a laminate 1 in which a hydrocarbon based solid polyelectrolyte film 2 is pinched by a gas diffusion electrode 3, so that a water content is refilled to the joint interface of electrolyte film 2 through the gas diffusion electrode 3.例文帳に追加

ホットプレスに際して、プレス装置10に水分供給機構11を設けることによって、あるいは炭化水素系固体高分子電解質膜2をガス拡散電極3で挟持して成る積層体1のさらに外側に湿潤状態の含水体を配置することによって、ガス拡散電極3を介して電解質膜2の接合界面に水分を補給する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a camera effectively and quickly performing a series of operations including the generation of photo-carrier, storage, read-out of charges, and the reset of residual charges; preventing degradation in sensitivity to blue light; suppressing trapping influence of a carrier caused by light in a silicon interface; performing high sensitization and miniaturization of pixels; and moreover exerting a sufficient driving efficiency.例文帳に追加

フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly for solid polymer fuel cell composed of an electrolyte membrane, a catalyst layer, and a conductive porous gas diffusion layer is provided with a groove for circulating or storing fluid at the interface between the catalyst layer and the electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜、触媒層及び導電性多孔質ガス拡散層とから構成される固体高分子型燃料電池用膜電極接合体において、前記触媒層と電解質膜との界面に流体を流通または溜めるための溝が設けられている固体高分子型燃料電池用膜電極接合体およびその膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The molten salt electrolytic refiner having an electrolytic cell installed in an electric furnace and housed with a molten salt, an anode container charged with a used nuclear fuel, and a liquid metal crucible housed with liquid metal cathode is equipped with a compressive apparatus which compresses the solid precipitated object generated at the interface of the liquid metal cathode to a liquid metal cathode bottom.例文帳に追加

電気炉内に設置され溶融塩が収容された電解槽と、使用済み核燃料が装荷された陽極容器と、液体金属陰極が収容された液体金属ルツボと、を有する溶融塩電解精製装置において、前記液体金属陰極の界面に発生する固体析出物を液体金属陰極底部に圧縮する昇降可能な圧縮装置を備える。 - 特許庁

The continuous casting method of molten metal is characterized in that a temperature of molten metal 2 at a central part of a depth beneath the surface of molten metal in the continuous casting mold 1 is made higher by 5°C or more than a liquid-phase line temperature and a forced fluidity of molten metal 2 along a solid-liquid interface is provided in the continuous casting mold.例文帳に追加

溶融金属の連続鋳造方法であって、連続鋳造鋳型1内の溶融金属表面直下の厚み中央部における溶融金属2の温度を液相線温度+5℃以上とし、連続鋳造鋳型内において固液界面に沿った溶融金属2の強制流動を起こさせることを特徴とする溶融金属の連続鋳造方法。 - 特許庁

This method is executed by pouring the solid supplying material together with carrier gas into a fused bath through one or more of lances/ tuyeres 11 extended downward to generate gas stream from the fused bath at least at 0.30 Nm3/s/m2 flow rate in the interface between a metal layer 15 and a slag layer 16 of the fused bath (under static condition).例文帳に追加

この方法は、固体の供給材料を、担体ガスと共に、溶融浴に、1つまたはそれより多くの下方に延びているランス/羽口(11)を通して溶融浴に注入し、(静止条件下)溶融浴の金属層(15)とスラグ層(16)との間の界面において、少なくとも0.30Nm^3/s/m^2の流量において、溶融浴からガス流を生じさせることを含む、溶融浴に基づいた方法である。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト(melt)にシード(seed)を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー(Cz)法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを0.6〜1.5rpmの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁

例文

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約800℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁




  
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