「structure memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable quick big deformation, unfrequent wrong operations and high speed actuation in the actuation element or actuator of very simple structure using a shape memory alloy.例文帳に追加

形状記憶合金を用いた極めて簡単な構成の動作エレメント又はアクチュエータであって、大きな変形が迅速に生じるとともに、誤作動が少なく、かつ高速動作が可能なものとする。 - 特許庁

a video/audio photographing and video recording unit 121 constituted of an apparatus 122 having photographing and video recording structure and mechanism, a memory apparatus 123 of data, and and a portable storage power source 124 are provided in independent cases.例文帳に追加

撮影録画構造を有する装置１２２及び機構で構成されたビデオ／オーディオ撮影録画ユニット１２１とデータのメモリー装置する１２３、携帯式蓄電電源１２４とを独立ケースに設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory package having a thin-film decoupling capacitor that can reduce the radio-frequency noise, by using the thin-film decoupling capacitor and minimizing parasitic inductance on an electrode structure.例文帳に追加

薄膜デカップリングキャパシタを使用して電極構造上の寄生インダクタンスを最小化することにより高周波ノイズを減らせる薄膜デカップリングキャパシタが内蔵された半導体メモリパッケージを提供する。 - 特許庁

To easily listen to an audio source of a memory card, etc., by a cassette deck such as a radio cassette tape player without using a player in different structure and to simply use it as a portable recorder/player.例文帳に追加

メモリカードのオーディオソースなどを別構造のプレイヤーを用いることなく、ラジオカセットテープ再生機等のカセットデッキで容易に聞くことができ、かつ単純で携帯型記録／再生機として使用可能にする。 - 特許庁

To provide wiring structure and its making method having wiring passable region corresponding to the maximum numbers of pass wiring by calculating the maximum numbers of wiring passing the upper part of a memory-macro.例文帳に追加

メモリマクロの上方通過配線の最大本数を算出し、その通過配線の最大本数に見合った配線通過可能領域を有する配線構造とその作成方法を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric memory element 1 has a ferroelectric layer 5 of a tetragonal structure composed of BiFeO_3 having (001) orientation formed on a perovskite type electrode 4 deposited on an Si oxide film.例文帳に追加

Ｓｉ酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極４上に、テトラゴナル構造で（００１）配向のＢｉＦｅＯ_３からなる強誘電体層５を有してなる強誘電体メモリ素子１。 - 特許庁

To provide a copper-base alloy having shape memory characteristics and superelasticity and also having high yield stress even if crystal grains are so coarsened that bamboo structure is developed and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バンブー構造が発生するほど結晶粒を粗大化させても，高い降伏応力を有する，形状記憶特性及び超弾性を有する銅系合金及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The connector-mounted board structure 101 has a board 51, and at least one type of memory card connector 1a to 1e mounted on respective two faces forming front and rear surfaces of the board 51 with openings aligned at one end.例文帳に追加

コネクタ配置基板構造１０１は、基板５１と、前記基板５１の表裏をなす二面の夫々に少なくとも１種のメモリーカードコネクタ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅを、開口を一端側に揃えて搭載した。 - 特許庁

To simplify a structure by reducing a memory space or the number of light emitting elements of a light source when correcting luminance unevenness in a screen of a liquid crystal panel illuminated by the light source, making it possible to make a device thinner.例文帳に追加

光源により照明される液晶パネルの画面の輝度ムラを補償する際に、メモリしくは光源の発光素子数の削減により構造を簡略化し、装置の薄型化を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic element such as a DRAM semiconductor memory with which proper capacitor characteristics or recording characteristics can be obtained even if the capacitor structure is very small, or a field effect transistor.例文帳に追加

本発明は、容量構造が非常に小さくとも、好適な容量特性や記録特性が得られるＤＲＡＭ半導体メモリまたは電界効果トランジスタ等の電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element having a laminate gate structure such as a non-volatile memory in which a hole to be formed in an insulating film on the source/drain areas is made shallow, and the dimension is easily made fine.例文帳に追加

不揮発性メモリ等の積層ゲート構造をとる素子において、ソース及びドレイン領域上の絶縁膜に形成する孔を浅くし、寸法の微細化を容易にできる構造を提供する。 - 特許庁

One end side of the rods 2, 3 is heated in the engaged condition with a structure, the turn buckle 1 of the shape memory alloy is shortened and the axial force is introduced so that the rod 2, 3 is made to approach each other.例文帳に追加

ロッド２，３の一端側を構造物に係合させた状態で加熱し、形状記憶合金製のターンバックル１を短縮させて、ロッド２，３を接近させるようにして軸力を導入する - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a p-channel MOS transistor having high performance and a high breakdown voltage with a surface channel structure is formed on the same substrate as a memory cell, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

メモリセルと同一の基板上に、表面チャネル構造を有する高性能な高耐圧のｐチャネル型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the memory cell array of this NOR type flash memory, a conductive material is supplied to the cavity 22 formed in the source wiring 21 having a U-shaped structure not only from a hole for source contacting but also from a hole for dummy source contacting in the process of forming a source contact electrode 23 and a dummy contact electrode 24.例文帳に追加

本発明に係るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルアレイは、ソースコンタクト電極２３及びダミーコンタクト電極２４を形成する工程においてＵ字構造のソース配線２１に形成された空洞２２にソースコンタクト用のホールに加えてダミーソースコンタクト用のホールからも導電体が供給される。 - 特許庁

The memory element is equipped with a memory structure having: a pair of electrodes 110 and 113; a layer including an organic compound 112 between the pair of electrodes 110 and 113; and a first layer including a first metal oxide layer 111 and a second layer including a second metal oxide layer 114 between the pair of electrodes 110 and 113.例文帳に追加

一対の電極１１０、１１３と、該一対の電極間に有機化合物１１２を含む層を設け、さらに一対の電極１１０、１１３間に第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層を設けるメモリ構造とする。 - 特許庁

To provide a manipulator which can characteristically control the turning action of a turning arm with a simple structure by connecting a supporting arm and the turning arm through a meshy shape memory alloy material formed into a mesh shape and controlling the expansion of the meshy shape memory alloy material by heating and cooling.例文帳に追加

編目状に形成した編目形状記憶合金材料を介して、支持アームと回動アームとを接続し、編目形状記憶合金材料の伸縮を加熱・冷却制御することにより、簡単な構造で前記回動アームの回動動作を制御することを特徴とするマニピュレータを提供するにある。 - 特許庁

A processor 1 formats HDDs replaced by referring to a data structure table 6 when replacing the HDD 11-0 to HDD 11-3 for constituting a disk array, and increases the memory capacity of the disk array device 100 by assigning a memory space to an empty area generated after formatting these HDDs.例文帳に追加

プロセッサ１は、ディスクアレイを構成するＨＤＤ１１−０〜ＨＤＤ１１−３の交換が行われると、データ構造テーブル６を参照して交換されたＨＤＤのフォーマットを行うとともに、このＨＤＤのフォーマット後に発生する空き領域にメモリ空間を割当てて、ディスクアレイ装置１００のメモリ容量の増加を行う。 - 特許庁

By such structure, even when power of the HDD is turned of in the emergency such as the fall and the data is lost from the memory on the HDD side, data not yet recoded in the disk is held in the memory on the device side and the data recording without data loss is attained by restarting the data recording to the disk after restart of the HDD.例文帳に追加

本構成により、落下等の緊急時にＨＤＤの電源を遮断し、ＨＤＤ側メモリからデータが消失した場合でも、ディスクに未記録のデータが装置側メモリに保持され、ＨＤＤ再起動後、ディスクに対するデータ記録を再開することで、データ消失のないデータ記録が実現される。 - 特許庁

Additionally, the nonvolatile semiconductor memory device employs, for the charge storage layer of the memory cell transistor, a silicon oxide film 17, a silicon nitride film 18, the laminate structure 19 of a silicon oxide film, or an insulating layer involving a nanocrystal of silicon, metal, and other conductive substances, instead of such a floating gate as in prior art.例文帳に追加

さらに，本発明の不揮発性半導体記憶装置においては，メモリセルトランジスタの電荷蓄積層には，従来のような浮遊ゲートの替わりに，酸化珪素膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜の積層構造，又はシリコン，金属その他の導電性物質のナノ結晶を含有する絶縁層を用いている。 - 特許庁

The identical substrate flash memory/DRAM hybrid semiconductor device obtain a DRAM by (1) floating a gate near a substrate and (2) connecting the flash memory to the drain of a write/read pass transistor in a two-layer stack gate structure MOS transistor, storing charges corresponding to data '0', '1', and then turning off the pass transistor.例文帳に追加

２層スタックゲート構造ＭＯＳトランジスタにおいて、基板に近いゲートを（１）フローテングにする事によりフラッシュメモリを、（２）書き込み・読み出し用パストランジスタのドレインに接続して０，１のデータに対応した電荷を蓄積した後、パストランジスタをオフにする事によりＤＲＡＭを実現した同一基板フラッシュ・ＤＲＡＭ混載半導体装置。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１１に行列状に配置された複数のメモリセル部１１と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線１２と、埋め込み絶縁膜１６と、埋め込み絶縁膜１６の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線１３とを備えている。 - 特許庁

High speed expansion and reduction conversion arithmetic circuits of a primitive pattern is constituted by using circuit structure for reading the texture pattern from a cache memory 2 by a texture address generation circuit 1 and loading applicable data from an external memory 3 when a cache mistake detection circuit 4 detects cache mistakes, and an interpolation circuit 4 by the bicubic function.例文帳に追加

テキスチャーアドレス発生回路１で、テキスチャーパターンをキャシュメモリ２から読みだし、キャシュミス検出回路４がキャシュミスを検出すると外部メモリ３から該当データをロードするための回路構成と、双３次関数による補間回路４を用いて、原始パターンの高速拡大および縮小変換演算回路を構成する。 - 特許庁

A memory card 13 is provided with a data structure having three kinds of files, namely, page files 133 being content main bodies to be displayed on a display part 2, content management files 132 for managing the page file 133 belonging to respective contents, and an overall management file 131 for managing all the content management files 132 in the memory card 13.例文帳に追加

メモリカード１３は、表示部２に表示されるコンテンツ本体であるページファイル１３３，各コンテンツに属するページファイル１３３を管理するためのコンテンツ管理ファイル１３２，メモリカード１３内の全てのコンテンツ管理ファイル１３２を管理する全体管理ファイル１３１の３種類のファイルを有するデータ構造を有している。 - 特許庁

To solve the problem in a ferroelectric memory element that, although many nondestructive readout methods have been studied, each has a problem that the difference between "1" and "0" is small, a problem in the process reliability, and so forth, and they have not been solved, and to provide a nondestructive readout method suitable for a simple matrix structure memory element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子において、幾つもの非破壊読み出し方法が検討されてきているが、“１”、“０”の差が小さいことやプロセス的な信頼性の問題等、それぞれ課題を抱えており、未だ実現していないが、本発明は、単純マトリクス構造メモリ素子に好適な非破壊読み出し方法を提供する。 - 特許庁

In a buffer memory 125 having a same structure as that of an image memory 16, a plurality of inclination detecting filters 126 for storing inclination coefficients indicating the relative inclinations of a pixel drawing area group wherein pixel values are connected in a prescribed direction and a plurality of smoothing filters 127 for storing smoothing coefficients corresponding to each inclination are prepared.例文帳に追加

画像メモリ１６と同一構造のバッファメモリ１２５において所定方向に画素値が繋がる画素描画領域群の相対的な傾きを表す傾き係数が格納されている複数の傾き検出フィルタ１２６と、各傾きに応じた平滑化係数を格納した複数の平滑化フィルタ１２７を用意しておく。 - 特許庁

A storage member 2 using first and second electrodes and a phase change material between them is pinched without using any rotary mechanisms and positioning mechanisms of an optical head, a structure in which a control voltage for controlling current flowing to the storage member is provided is set to be a memory cell for storing information, and a plurality of memory cells are arranged on a substrate as storage elements.例文帳に追加

回転機構や光ヘッドの位置決め機構を用いず、第１の電極と第２の電極と、その間に相変化材料を用いた記憶部材２を挟み、記憶部材に流れる電流を制御する制御電圧を設けた構造を情報記憶のメモリセルとし、これを基板上に複数個配置して記録素子とした。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加

第１または第２論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁

A method of operating a memory cell, having a first biasing device for reducing a negative charge in a charge capture structure, and a second biasing device which has the tendency of inducing a balanced charge tunneling between a gate and the charge capture structure and between the charge capture structure and a channel, and comprising the step of applying a first procedure (normally elimination) for establishing a low threshold state.例文帳に追加

電荷捕獲構造内の負の電荷を低減する第１のバイアス装置と、ゲートと電荷捕獲構造との間、および電荷捕獲構造とチャネルとの間に、平衡電荷トンネリングを誘起する傾向がある第２のバイアス装置を含む、低しきい値状態を確立するために第１の手順（通常は消去である）を適用するステップを含むメモリ・セルを動作させるための方法。 - 特許庁

To provide a magnetic material having: the configuration of a ε-Fe_2O_3 crystal having an excellent response property to temperature; and such a structure as a main phase, and also to provide a magnetic memory using the magnetic material, and a temperature sensor.例文帳に追加

温度に対する優れた応答性を有したε−Ｆｅ_２Ｏ_３の結晶の構成ならびにかような構造体を主相とする磁性材料並びにそれを用いた磁気メモリ、及び温度センサの提供。 - 特許庁

A measuring part 20, a memory part 22 and a control part 24 monitors physical properties of the surface (deposited film surface) of a structure (film) formed on a substrate 36, and based on this monitoring results, a block controls parameters of an apparatus.例文帳に追加

測定部２０、記憶部２２及び制御部２４は、基板３６上に形成された構造物（膜）の表面（成膜面）の物理特性をモニタし、このモニタ結果に基づいて、装置のパラメータを制御するブロックである。 - 特許庁

A structure of an NOR-type nonvolatile memory having a common-source-line configuration which has floating gates is characterized by that the overlap between its drain and its gate is larger than the overlap between its source and its floating gate.例文帳に追加

浮遊ゲートを有する共通ソース線構成のＮＯＲ型不揮発性フラッシュメモリ構造において、メモリセルのドレインとゲートとのオーバーラップが、ソースと前記浮遊ゲートとのオーバーラップよりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

In the calculator system 20 with which a magnetic resonance imaging apparatus is provided, a memory part 23 stores sequence defined data wherein the structure of the sequence and the parameter related to the sequence are defined at every kind of the sequence.例文帳に追加

磁気共鳴イメージング装置が備える計算機システム２０において、記憶部２３が、シーケンスの構造および当該シーケンスに関するパラメータをシーケンスの種類ごとに定義したシーケンス定義情報を記憶する。 - 特許庁

To provide an element structure suitable for a high integration by realizing compatibility of a high speed operation and a low power consumption difficult in a conventional memory cell using a negative differentiating resistor and a load.例文帳に追加

従来の負性微分抵抗及び負荷を用いた記憶素子で困難であった高速動作と低消費電力の両立を実現し、高集積化に適した素子構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a connecting structure capable of visually confirming a connection state of an object to be connected such as a cable or a memory card to a connector 2 and doing away with the need for conduction confirmation after a connection work.例文帳に追加

ケーブルやメモリーカードなどの被接続体のコネクター２への接続状態を目視により確認可能であって、接続作業後の導通確認を行う必要がないコネクターへの接続構造を提供すること。 - 特許庁

To provide the nonvolatile semiconductor memory element of a new structure which comprises one resistor (R) and one diode (D), wherein a production is simple, a low power drive is possible, and a fast operating characteristic can be provided.例文帳に追加

製造が簡単であり、低電力駆動が可能であり、高速の動作特性を有する一つの抵抗体（Ｒ）及び一つのダイオード（Ｄ）を備えた新たな構造の不揮発性半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that hardware becomes complicated due to an increase of an image processing part, and that software development becomes complicated due to multiplication of pieces of memory management information when a structure where processing systems are uniformly made parallel is used.例文帳に追加

処理系を一様に並列化させた構成を用いた場合に、画像処理部の増加によるハードウエアの複雑化、メモリ管理情報の複数化によるソフト開発の複雑化という問題が生じてしまう。 - 特許庁

To provide a circuit board that can avoid damage, shortcircuiting and earth fault of a circuit pattern due to a memory card by a simplified structure even if a through hole is made in an attachment area to form the circuit pattern.例文帳に追加

簡略化された構成により、装着領域にスルーホールを設けて回路パターンを形成しても、メモリカードによる当該回路パターンの損傷並びに短絡及び地絡を回避することができる回路基板を提供する。 - 特許庁

Such a structure can simply transfer data to an external device without requiring complicated cable connection, reading/readout of data to/from a recording medium such as a USB memory, or the like.例文帳に追加

このような構成により、ケーブル接続等の煩わしい作業や、ＵＳＢメモリ等の記録媒体へのデータの読み込み・読み出し作業などを行うことなく、データを外部装置に簡単に転送することができる。 - 特許庁

A blade 1 of a fan has an elastically deformable composite structure including at least one shape memory alloy foil 2 adapted to be heated by means of electric current to vary the geometry of the blade.例文帳に追加

ファンのブレード1は、ブレードの形状を変更するための電流によって加熱されるように構成された少なくとも一つの形状記憶合金箔2を含む弾性的に変形可能な複合構造体を有する。 - 特許庁

According to an embodiment, a nonvolatile semiconductor memory device is provided which includes a first laminate structure, a first semiconductor layer, a first organic film, a first semiconductor side insulator film, and a first electrode side insulator film.例文帳に追加

実施形態によれば、第１積層構造体と、第１半導体層と、第１有機膜と、第１半導体側絶縁膜と、第１電極側絶縁膜と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

The memory IC comprises a subject data storage area for storing the subject data of the file and a management data storage area for storing management data for managing the stored file with the hierarchical directory structure.例文帳に追加

メモリＩＣには、ファイルの実体データが記録される実体データ記録領域と、記録されているファイルを階層ディレクトリ構造で管理する管理データが記録される管理データ記録領域とを形成しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can reduce a coupling capacity between layers in a layered bit line structure of a semiconductor memory and coupling capacity noise between adjoining conductors, and which increases reading speed and improves a reading margin.例文帳に追加

半導体メモリの階層ビット線構造における階層間の結合容量および隣接配線間の結合容量ノイズを低減することができ、読み出しの高速化、読み出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

This method also includes that a candidate page having identical content to a requesting page is searched for in the memory system; and at the time the candidate page is searched for in the data structure utilizing a check value of the requested page.例文帳に追加

また、本方法は、メモリシステムにおいて、要求ページと同一の内容を有する候補ページをデータ構造の中で検索することも含み、その際、要求されたページのチェック値を使用して、データ構造の中で検索する。 - 特許庁

Control signal lines (210l, 211a, and 211b) having a divided structure for transferring a control signal are disposed in a wiring layer which is parallel with and different from write current lines (BL0 and BL1) for transmitting a write current to memory cells.例文帳に追加

メモリセルに書込み電流を伝達する書込電流線（ＢＬ０、ＢＬ１）と平行にかつ異なる配線層に、制御信号を転送する分割構造の制御信号線（２１０ｌ、２１１ａ、２１１ｂ）を配置する。 - 特許庁

To provide a flash memory cell which maintain a threshold voltage uniformly across a channel width even when the charge density of a charge trapping structure across the channel width size is not uniform, and its manufacturing method.例文帳に追加

チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁