「structure memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To effectively perform column selecting operation of a hierarchical structure system by a main column selection line MCSL and a subcolumn selection line SCSL in a semiconductor memory while avoiding the increasing of signal lines.例文帳に追加

半導体記憶装置におけるメインコラム選択線ＭＣＳＬとサブコラム選択線ＳＣＳＬとによる階層構造方式の列選択動作を、信号配線の増大を避けて効率的に行なう。 - 特許庁

To reduce an area occupied by a control block or the like to be repeatedly used by efficiently disposing the structure of a cell array and a core-related circuit of a nonvolatile ferroelectric memory.例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリのセルアレイ及びコア関連回路の構造を効率的に配置し、反復的に用いられるコントロールブロック等により占められる面積を縮小させることにある。 - 特許庁

To provide an error correction circuit, a memory device, and an error correction method which can perform error correction at high-speed and suppress an increase in structure and/or power consumption of the error correction circuit.例文帳に追加

高速な誤り訂正を可能とし、誤り訂正回路の規模や消費電力の増大を抑えることができる誤り訂正回路およびメモリ装置、並びに誤り訂正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a bit line contact of a high aspect ratio is attained controlling an increase of the number of manufacturing processes in a DRAM having a CUB structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＵＢ構造を有するＤＲＡＭにおいて、製造工程数の増加を抑えつつ、高アスペクト比のビット線コンタクトを実現した半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a structure of an array whose size is small enough to reduce the leakage current of the non-selected memory cells and does not increase its layout area in a nonvolatile storage device using resistance change elements.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device for increasing the moving speed of charge, and for quickening writing and deletion by increasing the strength of an electric field by devising the structure of a tunnel insulating layer.例文帳に追加

トンネル絶縁層の構造を工夫することにより電界強度を大きくでき、電荷の移動速度が大きく、書き込み，消去の高速化を可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrically erasable programmable read only memory composed of single layer polycrystalline silicon having a simple structure and exhibiting advantages of high integration and power saving.例文帳に追加

この発明は、高集積度と省電力の長所を具え、構造が簡単である単層多結晶シリコンによってなる電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an electronic device, a state control method and a state control program, which can achieve multi-window display and state control through a simple structure even if memory resources are not sufficient.例文帳に追加

メモリ資源が潤沢でない場合であっても単純な制御でマルチウィンドウ表示及び状態制御を実現する電子機器、状態制御方法及び状態制御プログラムを提供する。 - 特許庁

To increase a degree of integration, a bias line may be substituted by a read word line of other row, the memory cells may be connected in series to be a NAND structure, and the read word line and the write word line may be shared.例文帳に追加

集積度を高めるために、バイアス線を他行の読み出しワード線で代用したり、記憶セルを直列に接続し、ＮＡＮＤ構造とし、読み出しワード線と書き込みワード線を共用してもよい。 - 特許庁

Thereby, since it is almost unnecessary to increase the number of wiring patterns of the printed circuit board 12 even if the connector has a structure allowing insertion of two memory cards 96 and 98, the size of the printed circuit board 12 is not increased.例文帳に追加

したがって、二枚のメモリーカード９６，９８が挿入可能な構成であっても、プリント基板１２の配線パターンを殆ど増やす必要がないので、プリント基板１２が大型化しない。 - 特許庁

To provide a decoding method for an encoding system having a trellis structure and a conjugate encoding system with a parity check code in which computational complexity/memory capacitance is suppressed while improving a bit error rate.例文帳に追加

ビット誤り率の改善を図りながら、計算量・メモリ量を抑制したトレリス構造を有する符合化方式とパリティ検査符合による連接符号化方式の復号方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device wherein the capacity of capacitor of a memory circuit is maximized while at the same time an increase in contact resistance of a logic circuit is suppressed, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ロジック回路のコンタクト抵抗の増加を抑制しつつ、メモリ回路のキャパシタ容量を最大限に高めることが実現される半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of suppressing characteristic variance, by which a high operation rate can be obtained, among resistance variation type nonvolatile memory elements, a structure, and a manufacturing method.例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性記憶素子における、高い動作率を得ることができ素子間の特性ばらつきを抑制することができる半導体記憶装置、構造、及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory employs such a structure as the source-drain regions 23a, 24a, 23b and 24b extend in at least three directions from the channel region when viewed from the gate electrode 27 side on the plan view.例文帳に追加

そして、前記ゲート電極側２７から平面的に見たときに、前記ソース／ドレイン領域２３a、２４a、２３b、２４ｂが前記チャネル領域から少なくとも３方向に延びる構成を採用する。 - 特許庁

There are provided a charge trap type memory device comprising a substrate and a gate structure having a charge trap layer formed of the complex of a nano particle on the substrate, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明によれば、基板と、この基板上にナノ粒子の複合体で形成された電荷トラップ層を有するゲート構造体と、を備える電荷トラップ型メモリ素子と、その製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a structure suitable for fining, is readily manufactured, and comprises a ferrodielectric memory of less constraint on a usable material; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

微細化に適した構造を有し、製造が容易であり、使用できる材料に対する制約の少ない強誘電体メモリを含む半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

In a post decoding mechanism, results of plural types can be generated by examining data once independently of that data us supplied by on-the-fly or that data is supplied from structure of an internal test memory.例文帳に追加

後デコード機構は、データがオンザフライで供給されるか、内部テストメモリ内の構造から供給されるかに関係なく、データを一回調べることにより複数のタイプの結果を生成することができる。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a hierarchical structure where bit lines BL are split from a main data line MDL and an inverting sense circuit 10 is inserted between the main data line MDL and the bit lines BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、メインデータ線ＭＤＬからビット線ＢＬが分岐された階層構造となっており、メインデータ線ＭＤＬとビット線ＢＬとの間に、反転センス回路１０が挿入される。 - 特許庁

By providing an offset region in the structure of the second transistor, off current of the second transistor can be reduced; thus, a semiconductor device which can retain memory for a long term can be provided.例文帳に追加

第２のトランジスタを、オフセット領域を有する構造とすることで、第２のトランジスタのオフ電流を低減させることができ、長期に記憶を保持可能な半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

To easily impose use restrictions to an SDK without using an activation key such as a USB memory and without changing an internal structure of the SDK by a software distribution source for an image forming device.例文帳に追加

ＵＳＢメモリのようなアクティベートキーを用いることなく、かつ、画像形成装置用ソフトウェア配布元がＳＤＫの内部構造を変化させることなく、このＳＤＫに容易に使用制限を付加する。 - 特許庁

An information processing apparatus sequentially selects a function whose execution frequency is high as a selected function that is to be stored in an internal memory, in a source program having a plurality of functions having a hierarchy structure.例文帳に追加

情報処理装置は、階層構造を有する複数の関数を含むソースプログラムにおいて、実行頻度の高い関数を、内部メモリに格納する選択関数として順次に選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a new structure that can maintain memory contents for a long period without supply of electric power and has no limitation in the number of times of data writing.例文帳に追加

電力が供給されない状況でも記憶内容の長時間にわたる保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

To solve a problem wherein a card-receiving space of a connector needs to be increased for receiving memory cards having various sizes and different widths and thicknesses, and a positioning means needs a significantly complicated structure.例文帳に追加

様々なサイズ、幅と厚さの異なるカードを収容するためには、コネクタのカード収容空間はかなり拡大して必要であること、又位置合わせの手段はかなり複雑な構造となる。 - 特許庁

An operation history information setting program stores operation history information on operation keys 51 which are selected in order according to the hierarchical structure of set items as key macro data into a nonvolatile memory 47.例文帳に追加

操作履歴情報設定プログラムによって、設定項目の階層構造に従って順次選択した操作キー５１の操作履歴情報を、キーマクロデータとして不揮発性メモリ４７に記憶させる。 - 特許庁

To provide a drive circuit for display capable of avoiding image quality deterioration due to the difference of extension rate between updated data and data which is not updated in memory front stage backlight control part structure.例文帳に追加

メモリ前段バックライト制御部構成において，更新データと更新されないデータの伸長率が異なることによる画質劣化を回避することができる表示用駆動回路を提供する。 - 特許庁

Next, the rewriting part 4 adds instruction description for acquiring an identification number of a memory area to be accessed, to the inspecting program by subtracting the pointer value from the inspection value of the expansion pointer structure.例文帳に追加

次に、書き換え部４は、検査用プログラムに、拡張ポインタ構造体の検査値からポインタ値を減じることで、アクセス対象となるメモリ領域の識別番号を取得する命令記述を追加する。 - 特許庁

In a waveguide hologram memory, light waves of a guided mode are combined with the rugged structure having controlled spacing of recesses and projections by data and converted into a radiation mode including the data to read out the data.例文帳に追加

導波路ホログラムメモリでは、導波モードの光波が、データによって凹凸の間隔等が制御された凹凸構造と結合してデータを含んだ放射モードに変換され、データの読出しを行う。 - 特許庁

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system.例文帳に追加

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。 - 特許庁

Capacitor elements (S) having the same structure as a memory cell capacitor (MS) are arranged along a row or column direction, these capacitor elements are coupled in parallel, and a capacitor type anti-fuse is realized.例文帳に追加

メモリセルキャパシタ（ＭＳ）と同一構造を有する容量素子（Ｓ）を、行または列方向に沿って整列して配置し、これらの容量素子を並列に結合して、キャパシタ型アンチヒューズを実現する。 - 特許庁

An electronic endoscope system 10 includes an absolute humidity sensor 27, a measuring circuit 28, a comparison circuit 29, a memory 30 and a system controlling circuit 43 in the endoscope 20 having an airtight structure.例文帳に追加

電子内視鏡システム１０は気密構造を有する内視鏡２０の内部に絶対湿度センサ２７と測定回路２８と比較回路２９とメモリ３０とシステムコントロール回路４３とを備える。 - 特許庁

To attain stable read operation in a ferroelectric memory device with 1T1C structure, by enabling a reference potential generating circuit to initialize the equalizing nodes of bit lines at a high speed, while suppressing noise.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃ構成の強誘電体メモリ装置において、リファレンス電位発生回路を、ビット線のイコライズノードを高速にかつノイズを抑えつつ初期化できるものとし、安定した読み出し動作を可能とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has simple structure, allows low-power drive and high-speed operation, and is provided with one resistive element and one switch, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

簡単な構造を有し、低電力駆動及び高速の動作が可能で、かつ１つの抵抗体及び１つのスイッチを備えた不揮発性半導体メモリ素子、及び、その駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide electronic equipment, a state control method and a state control program, in which multi-window display and state control can be achieved through a simple structure even if memory resources are not rich.例文帳に追加

メモリ資源が潤沢でない場合であっても単純な制御でマルチウィンドウ表示及び状態制御を実現する電子機器、状態制御方法及び状態制御プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element which avoids the employment of a laminated structure of a pin layer, a spacer layer and a free layer unlike a prior art magnetoresistive effect element, and also to provide a magnetic head and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a terminal connection structure of a memory device 10 hardly causing abrasion of a terminal 12 and with many durable life number by the action of insertion and removal for electrical connection or electrical isolation.例文帳に追加

挿入抜き取りで端子１２を電気的接続または電気的分離し、しかも端子１２の摩耗が生じにくく耐久寿命回数が多い記憶装置１０の端子接続構造を提供する。 - 特許庁

To decrease an area occupied by a control block or the like repeatedly used by efficiently arranging a structure of a cell array of a nonvolatile ferroelectric memory device and a core related circuit.例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリのセルアレイ及びコア関連回路の構造を効率的に配置し、反復的に用いられるコントロールブロック等により占められる面積を縮小させることにある。 - 特許庁

At the time of restoration, a parser syntactically analyzes values from the tags, and the configuration managers restore the contents of an internal data structure in the memory of the router to syntactically analyzed values in accordance with the corresponding tags.例文帳に追加

リストア時に、パーサを使用してタグからの値を構文解析し、構成マネージャが、ルータのメモリの中の内部データ構造のコンテンツを対応するタグに従って構文解析された値にリストアする。 - 特許庁

In a storage medium 1, a plurality of terminals 2 and a flash memory device 4 are packaged in one body structure by resin molding using a resin 6, so that its outer form becomes approximately parallelepiped.例文帳に追加

記憶メディア１は、複数の端子２とフラッシュメモリ素子４を、樹脂６によって樹脂モールドを行うことによって外形が略直方体状となるように一つの構造体としてパッケージ化されている。 - 特許庁

The backup processor reads directory information showing a logical directory structure of backup target data and file management information about files in each directory and stores the directory information and the file management information into the memory (S14 and S15).例文帳に追加

バックアップ処理装置は、バックアップ対象データの論理的なディレクトリ構造を示すディレクトリ情報と各ディレクトリ内のファイルに関するファイル管理情報とを読み出し、メモリに記憶する（Ｓ１４、Ｓ１５）。 - 特許庁

To improve all of charge injection efficiency, charge retention characteristics and reliability compared with a conventional gate structure in a nonvolatile memory in which charge is injected from a gate electrode to a charge storage layer.例文帳に追加

ゲート電極から電荷蓄積層に電荷を注入する不揮発性メモリにおいて、従来のゲート構造に比べて電荷の注入効率、電荷保持特性および信頼性を共に向上させる。 - 特許庁

A memory cell 12 is configured so as to include metal lines 16 intersecting with bit liens 14 in a no-contact manner therewith, and a second wiring structure 24 for connecting the lines 16 to switching elements 20.例文帳に追加

本発明のメモリセル１２は、ビット・ライン１４と非接触で交叉する金属線１６と、金属線１６とスイッチング素子２０とを接続する第２の配線構造体２４と、を含むように構成されている。 - 特許庁

To provide a DIMM fixing device with improved mounting accuracy in a simple structure, by absorbing dimensional variations of a memory (DIMM) and DIMM-related components.例文帳に追加

メモリ（ＤＩＭＭ）およびＤＩＭＭ関連部品の寸法バラツキを吸収し、簡単な構成でＤＩＭＭ固定装置の取り付け精度を向上するＤＩＭＭ固定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The organic semiconductor forms a structure having two or more electrodes and may be used in a single or multi-cell memory device using the organic semiconductor along a passive device between the electrodes.例文帳に追加

有機半導体は、２つもしくはそれ以上の電極を有する構造を形成し、一方で各電極間のパッシブデバイスに沿って有機半導体を利用して、シングル及びマルチセルメモリデバイス内に用いられてよい。 - 特許庁

The copper-base alloy has shape memory characteristics and superelasticity and has recrystallized structure where bainitic phase (γ) is precipitated in at least either of austenitic (β) phase and grain boundary.例文帳に追加

形状記憶特性及び超弾性を有する銅系合金であって，再結晶組織が，オーステナイト（β）相内又は結晶粒界の少なくとも一方に，ベイナイト（γ）相を析出させている銅系合金。 - 特許庁

To provide a method and a structure for a non-volatile magnetic random access memory (MRAM) device having a stationary magnetic electrode, an oxide layer adjacent to the stationary magnetic electrode, and a free magnetic electrode.例文帳に追加

固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスのための方法および構造が提供される。 - 特許庁