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substrate effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1734件
To solve the problem that a conventional CMOS image sensor does not have a frame shutter function and has loss since a signal output drops because of the substrate effect of a transistor for amplification and a large threshold voltage.例文帳に追加
従来のCMOSイメージセンサは、フレームシャッタができず、また、増幅用トランジスタの基板効果や大きなしきい値電圧により、信号出力が下がりロスを招いている。 - 特許庁
To inexpensively form a protective coating which can utilize abrasive blasting wastes, prevents a structural substrate, particularly an iron-base material, from generating rust and corrosion, and gives a decorative effect.例文帳に追加
ブラスト廃材の有効利用を可能とし、構造物基材、特に、鉄系基材の防錆及び防食及を図り、かつ、装飾効果を付与できる保護皮膜を低コストで形成すること。 - 特許庁
At the same time, in order to quickly transfer high heat produced by the electronic parts to the metal material, the heat scattering area is increased and an excellent heat-scattering effect is achieved by the high conductivity substrate.例文帳に追加
並びに電子部品が産生する高熱を急速に金属材に伝導するため、その散熱面積を増加し、高伝熱性基板により良い散熱効果を達成させる。 - 特許庁
To obtain a highly reliable high-performance SOI substrate which has a getter effect, etc., against contamination.例文帳に追加
汚染に対するゲッター効果があるなどの高性能でしかも高信頼度のSOI基板およびその製造方法とそのSOI基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A setting of the exposure parameter in every exposure process is adjusted according to deviations in optical proximity effects of respective areas in a semiconductor substrate, whereby a deviation in the optical proximity effect of an exposure area is compensated for, resulting in a fixed and uniform optical proximity effect.例文帳に追加
半導体基板におけるそれぞれの露光エリアの光学近接効果の偏差に応じて、毎度の露光プロセスの露光パラメータ設定を調整することによって、露光エリアの光学近接効果の偏差を補償し、固定で均一な光学近接効果の結果を得られる。 - 特許庁
To enable to reduce a stress effect undergoing from an element isolation film by an element formation region by a dummy pattern provided to flatten the front surface of a substrate in which the element isolation film is formed, and to enable to improve the operating characteristic of the element by controlling positively the stress effect.例文帳に追加
素子分離膜が形成された基板表面の平坦化を図るために設けるダミーパターンによって、素子形成領域が素子分離膜から受ける応力効果を低減できるようにし、また、応力効果を積極的に制御して素子の動作特性を向上できるようにする。 - 特許庁
In a magnetoresistance effect thin film 1 wherein ferromagnetic particles are covered with a nonmagnetic film, the ferromagnetic particles 2 are formed on a substrate 5, and resistance between electrodes 4 interposing the nonmagnetic film 3 is very largely changed by applying a magnetic field as compared with the conventional magnetoresistance effect material.例文帳に追加
強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜1であり、強磁性粒子2は基板5上に作製され、非磁性膜3を介した電極4間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。 - 特許庁
On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor.例文帳に追加
半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。 - 特許庁
To provide a reflection suppressing film which has high reflection reducing effect of incident light from an atmospheric air side, has durability to frictional force or the like, suppresses transmission of reflected light from a substrate side to the atmospheric air side and consequently brings high reflection reducing effect, at a low cost.例文帳に追加
大気側からの入射光の反射低減効果が高く、摩擦力などに対して耐久性があり、基板側からの反射光を大気側に透過させることを抑制して結果として高い反射低減効果を奏する反射抑制膜を安価に提供する。 - 特許庁
In the magneto-resistance effect type head of the CPP structure, at least a part of a boundary between a lower shield layer 10 and a nonmagnetic film 11 formed around it is covered with an insulating protective film 20, and an area of the lower shield layer exposed to the surface of a substrate during patterning of a magneto-resistance effect sensor film is reduced.例文帳に追加
CPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下部シールド層10とその周囲に設けられている非磁性膜11との境界の少なくとも一部を絶縁保護膜20で被覆して、磁気抵抗効果センサ膜のパターニングの際に基板表面に出る下部シールド層の面積を小さくする。 - 特許庁
A magneto-sensitive sensor element and a fixed resistance element are formed with the same magnetic resistance effect film, the surface roughness of the substrate is made ≥5.0 nm, or the fixed resistance element is heated ≥350°C, thereby the expression of the magnetic resistance effect of the magnetic resistance film for forming the fixed resistance element is inhibited.例文帳に追加
感磁センサー素子と固定抵抗素子を同一の磁気抵抗効果膜で形成し、固定抵抗素子を形成する下地の面粗さを5.0nm以上とするか固定抵抗素子を350℃以上に加熱して、固定抵抗素子を形成する磁気抵抗効果膜の磁気抵抗効果発現を抑える。 - 特許庁
To provide a transmission line of a waveguide type configured on a dielectric substrate that has a productivity improvement effect and an integration effect by integration of a wiring board and improves the transmission characteristic and to provide an integrated circuit provided with the transmission line and a radar system.例文帳に追加
誘電体基板に導波管型の伝送線路を構成することによる、生産性の向上効果および配線基板との一体化による集積効果を備え、且つ伝送特性の向上を図った伝送線路、それを備えた集積回路およびレーダ装置を提供する。 - 特許庁
A beam member 11 is fitted in a cantilever state to a substrate 10 and the magneto-resistance effect element 12 is fitted to the base end side of the beam member 11; and a 1st magnetic shield 13 and a 2nd magnetic shield 14 are fitted to the 2nd magnetic shield 14 while surrounding the magneto- resistance effect element 12.例文帳に追加
基板10に梁部材11を片持ち状態で取り付け、梁部材11の基部側に磁気抵抗効果素子12を取り付け、磁気抵抗効果素子12を包囲する状態で第1の磁気シールド13および第2の磁気シールド14を基板10に取り付ける。 - 特許庁
A field-effect transistor is arranged on the photoelectric conversion layer by forming a p-type semiconductor layer 2 on a transparent substrate 1, forming an n-type well 3 on the p-type semiconductor layer 2, forming a p-type well 4 on the n-type well 3, and forming the field-effect transistor on the p-type well 4.例文帳に追加
透明基板1にP型半導体層2を形成し、P型半導体層2にN型ウェル3を形成し、N型ウェル3にP型ウェル4を形成し、P型ウェル4に電界効果型トランジスタを形成することにより、光電変換層上に電界効果型トランジスタを配置する。 - 特許庁
The thermo-optical effect type optical waveguide element (1) is equipped with an optical waveguide (20) and a thin film heater (40) that brings thermo-optical effect to this optical waveguide on a substrate (10), wherein a heat separation groove (30) is arranged substantially in parallel along the optical waveguide core (23) corresponding to the thin film heater (40).例文帳に追加
熱光学効果型光導波路素子(1)は、基材(10)上に光導波路(20)およびこの光導波路に熱光学効果をもたらす薄膜ヒータ(40)を備え、薄膜ヒータ(40)に対応する光導波路コア(23)に沿って実質的に平行に熱分離溝(30)を設けた。 - 特許庁
However, in the apparatus, a capacitor 22 having adequate capacitance is inserted between the grounding electrode 18 and the ground electric potential, a decrease of the stage impedance is compensated by the impedance insertion effect or the voltage division effect by the capacitor 22, and an increase of the voltage applied to the substrate W is suppressed thereby.例文帳に追加
しかし、接地電極18とグランド電位との間に適正なキャパシタンスを有するコンデンサ22が挿入されているため、コンデンサ22によるインピーダンス挿入効果ないし分圧効果によりステージ・インピーダンスの低下が補償され、被処理基板Wに掛かる電圧の増加が抑制される。 - 特許庁
The hot air blowing effect by the dry cleaner 3 can be recovered by the divided heaters 10 built in the adsorbing stage 12 and the uniformity of the shrinkage/expansion of the substrate 100 is achieved and the mixing of air bubbles between the dry film 62 and the substrate 100 can be prevented.例文帳に追加
ドライクリーナ3による熱風吹き付けの影響が吸着ステージ12に内蔵した分割ヒータ10によってリカバリでき、基板100の収縮・膨張の均一性の向上を図り、ドライフィルム62と基板100の間への気泡混入が防止できる。 - 特許庁
When the array substrate 15 and the counter substrate 16 are deformed by application of stress to cause a photoelastic effect, a phase difference due to liquid crystal molecules LC which are in a horizontal state when displaying in black is compensated by the optical compensation layer 43, whereby light leakage in displaying in black can be suppressed.例文帳に追加
応力が加わってアレイ基板15と対向基板16とが変形して光弾性効果が生じた際に、黒表示時に水平状態となった液晶分子LCによる位相差を光学補償層43によって補償し、黒表示時の光漏れを抑制できる。 - 特許庁
This method includes a process for applying moisture-resistant resin (epoxy adhesive) by using a capillary effect in the space between substrates outside of a sealing agent, prior to the processes of enclosing a liquid crystal between the substrates after joining a device substrate 11 and a counter substrate 12 with a sealing agent 20.例文帳に追加
素子側基板(11)と対向基板(12)をシール剤(20)で接合した後液晶を封入する工程の前にシール剤よりも外側の基板間の隙間に、防湿樹脂(エポキシ系接着剤)を、毛細管現象を利用して塗布する工程を入れるようにした。 - 特許庁
As the forefront part 7b of the lead terminal 7 passes through a through hole 9 in a state not being fixed to the insulating substrate 6, fixing to the insulating substrate 6 does not impede the deflection of the lead terminal 7, and a relief effect of the electrostrictive strain vibration is secured.例文帳に追加
リード端子7の先端部7bは、絶縁性基板6に固定されない状態で貫通孔9を通っているので、リード端子7の撓みが絶縁性基板6への固定によって阻害されることもなく、電歪振動の緩和効果が担保される。 - 特許庁
To provide the substrate for a solar cell, which has a surface of moderate roughness for attaining light confinement effect and useful for manufacturing a solar cell exhibiting excellent photoelectric conversion efficiency, when it is used as the substrate of a flexible solar cell, especially a thin film solar cell.例文帳に追加
光閉じ込め効果を得るための適度な粗さの表面を備え、フレキシブルタイプの太陽電池、特に薄膜太陽電池の基材として用いた際、優れた光電変換効率を有する太陽電池を製造するのに有用な太陽電池の基材を提供する。 - 特許庁
The amount of particles in the air can be confirmed before a substrate is floated, since the amount of particles in the air is measured for a predetermined part having an effect directly or indirectly on the moving passage of a substrate by means of an instrument for measuring the amount of particles in the air.例文帳に追加
気中パーティクル量測定器によって基板が移動する経路に直接的又は間接的に影響を及ぼす所定部分の気中パーティクル量を測定することとしたので、基板を浮上させる前に気中パーティクル量を確認することができる。 - 特許庁
The solar cell 1 includes a semiconductor substrate 2, and a first electrode 4 and a second electrode 6 which have different work functions generated through insulation thin films 3, 5 capable of bringing current conduction by a tunnel effect into a semiconductor substrate 2 or through the insulation thin film 3.例文帳に追加
ソーラーセル1は、半導体基板2と、半導体基板2にトンネル効果による電流導通可能な絶縁薄膜3、5を介して、または絶縁膜3を介して形成された仕事関数が異なる第1の電極4及び第2の電極6とを有する。 - 特許庁
A conventional recess, which is not contributive to bonding but prevents poor bonding, is used as a decompression space, so that a first substrate 1 and a second substrate 2 are pressed by atmospheric pressure and an effect of substantially increasing the bonding force is attained, thereby stabilizing the bonding.例文帳に追加
従来接合に寄与していない接合不良を防止するための凹部を減圧空間することにより第一の基板1と第二の基板2が大気圧で押され、実質的に接合力が増える効果が得られ接合の安定化を実現させたものである。 - 特許庁
A sealing through-hole 11A formed in the chip-mounted substrate 10 is filled with a sealing resin 9, and its anchor effect enhances the jointing strength between the sealing resin 9 and chip-mounted substrate 10 for improving reliability such as moisture resistance.例文帳に追加
チップ搭載用基板10に形成された封止用貫通穴11A内に封止樹脂9が充填されており、そのアンカー効果によって封止樹脂9とチップ搭載用基板10との接合力を高め、耐湿性などの信頼性を向上させている。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus which can improve a decorative effect by imparting gloss or the like to the surface of a resin sheet such as a plastic sheet without heating and easily enable reclamation of the resin sheet which is a substrate by rendering the coating film to be coated on the surface of the substrate as a thin film.例文帳に追加
加熱せずにプラスチックシート等の樹脂シートの表面に光沢等を施して装飾性を向上させ、樹脂シート表面に塗布する塗布膜を薄膜にして基材である樹脂シートの再生を容易にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁
In this case, the imprint mold is manufactured by a method wherein a resist is formed on the substrate and a plurality of recessed and projected patterns with different depths are formed on the resist to effect dry etching treatment from the surface of the resist with a plurality of recessed and projected patterns formed thereon toward the substrate.例文帳に追加
また、基板上にレジストを形成し、レジストに深さを異ならせた複数の凹凸パターンを形成し、複数の凹凸パターンを形成した前記レジストの表面から基板に向かってドライエッチング処理を行うことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 特許庁
The field effect transistor comprises a substrate 12, a GaN electron running layer 16 at the main surface 12a of the substrate, and an AlGaN electron supply layer 18 formed on the 0.2-0.9 μm thick electron running layer.例文帳に追加
基板12と、基板の主面12a側に形成されたGaNからなる電子走行層16と、電子走行層上に形成されたAlGaNからなる電子供給層18とを備え、電子走行層の厚みが、0.2〜0.9μmであることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a transparent conductive substrate for a solar cell, capable of exhibiting a sufficiently superior light confinement effect, and capable of sufficiently enhancing the efficiency of photoelectric conversion of the solar cell when used as the transparent conductive substrate for the solar cell.例文帳に追加
太陽電池の透明導電性基板として利用することにより、十分に優れた光閉じ込め効果を発揮でき、太陽電池の光電変換効率を十分に高度なものとすることが可能な太陽電池用透明導電性基板を提供すること。 - 特許庁
To restrain the vibration of a control substrate by a method wherein the heat dissipating effect of a requested place is improved and the using amount of expensive heat conductive resin is restrained while heat is efficiently dissipated from the electronic parts of the control substrate to realize the elongation of the life of solder.例文帳に追加
必要な箇所の放熱効果を向上させるとともに、高価な熱伝導性樹脂の使用量を抑え、制御基板の電子部品からの放熱を効率的に行ってはんだの長寿命化を実現し、制御基板の振動を抑制する。 - 特許庁
To provide an aligner that a holder vacuum-sucking a photosensitive substrate is highly accurately positioned without giving adverse effect on the rotating performance of a rotating table with respect to the aligner executing projection alignment by intermittently or continuously rotating the photosensitive substrate.例文帳に追加
感光性基板を断続的あるいは連続的に回転させながら投影露光する露光装置において、回転テーブルの回転性能に悪影響を与えずに、感光性基板を真空吸着したホルダを高精度に位置決めできる露光装置を得る。 - 特許庁
A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加
電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるN^+型SiC基板2及びN^-型ドレイン領域1と、N^+型SiC基板2の第一主面側に、P型ウエル領域3とN^+型ソース領域5とゲート電極7とを有する。 - 特許庁
The dimensions of the frame is lessened from an end of the display area 101 to an end of an organic EL display panel while retaining the sealing effect against moisture by making the seal material 30 exist on the ends of the element substrate 10 and the sealing substrate 40.例文帳に追加
シール材30を素子基板10および封止基板40の端部にまで存在させることによって、水分に対するシール効果を維持しつつ、表示領域101の端部から有機EL表示パネルの端部までの額縁の寸法を小さくする。 - 特許庁
This apparatus has a pedestal base 106, a substrate support tool 105 disposed on the pedestal base to define external surrounding, a cooling plate disposed inside the outer surrounding and a Peltier effect thermoelectric device, which is disposed on the cooling plate and is brought into contact with the substrate support tool.例文帳に追加
本装置は、ペデスタルベース106と、ペデスタルベースの上に配置され外囲を画定する基板支持具105と、外囲内に配置された冷却プレートと、前記冷却プレート上に配置され前記基板支持具と接触するペルティエ効果熱電気デバイスとを備える。 - 特許庁
There is disclosed a substrate for the heterojunction field-effect transistor which includes growth inhibiting layers 15, with each being provided on a surface of a portion of the substrate.例文帳に追加
基板の一部の表面上に成長抑制層15を備えたヘテロ接合電界効果型トランジスタ用基板、そのヘテロ接合電界効果型トランジスタ用基板上にIII族窒化物半導体層14を、厚みT1がリセスエッチング深さと同じになるように設定する。 - 特許庁
A field effect transistor comprises: a complex oxide single crystal substrate having a perovskite structure constituting a channel layer; and a gate insulating film including a laminated structure in which a polymer film of paraxylene and tantalum oxide are laminated in this order on the complex oxide single crystal substrate.例文帳に追加
チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁
A diode made in a polycrystal silicon and a diode made in a semiconductor substrate are used to form a two-way diode, which is connected between the gate electrode of the depletion type field effect MOS transistor and the semiconductor substrate by metallic wiring.例文帳に追加
多結晶シリコン中に作製したダイオード及び半導体基板中に作製したダイオードで双方向ダイオードを形成し、この双方向ダイオードを金属配線でデプレッション型電界効果型MOSトランジスタのゲート電極と半導体基板間に接続する。 - 特許庁
The object 12 to be cooled is installed on a cooling side substrate becoming the cooling surface of the thermomodule 11 using the Peltier effect, and is heat dissipated to the object 16 to be heat dissipated via a heat transfer member 14 having a movable means or a deforming means on the heat dissipating side substrate.例文帳に追加
ペルチェ効果を用いたサーモモジュール11の冷却面となる冷却側基板に冷却対象12を設置し、放熱側基板に可動手段あるいは変形手段を有する熱伝達部材14を介して、放熱対象16へと放熱させる。 - 特許庁
LIVING BODY SURFACE STATE MODEL SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, SIMPLIFIED EVALUATION METHOD OF LIVING BODY SURFACE STATE USING SUBSTRATE, DAMAGED HAIR REFORMING EFFECT SCREENING METHOD, CATIONIC AGGREGATE ACQUIRED BY SCREENING METHOD, AND HAIR COSMETIC INCLUDING CATIONIC AGGREGATE例文帳に追加
生体表面状態モデル基板、その製造方法、該基板を用いた生体表面状態の簡易評価方法、損傷毛髪改質効果スクリーニング方法、該スクリーニング方法により得られたカチオン性会合体、および該カチオン性会合体を含有する毛髪化粧料 - 特許庁
This detection device has a field effect transistor having a substrate, a source electrode and a drain electrode arranged on the substrate, a channel including an ultrafine fiber body (for example, a carbon nanotube) for connecting electrically the source electrode to the drain electrode, and a gate electrode for controlling a current flowing in the channel; and an anti-insulin antibody bonded to the field effect transistor.例文帳に追加
検出装置は、基板、前記基板上に配置されたソース電極およびドレイン電極、前記ソース電極とドレイン電極とを電気的に接続する超微細繊維体(例えばカーボンナノチューブ)を含むチャネル、ならびに前記チャネルを流れる電流を制御するゲート電極を有する電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタに結合された抗インスリン抗体と、を有する。 - 特許庁
Since a substrate 1 for fluorometric analysis comprises a silicon substrate 2 and a silicon oxide film 3 of 10 nm-2.5 μm thick formed on the side of the silicon substrate 2 to be bonded with a sample, quenching action of fluorescence due to the silicon substrate 2 is suppressed and the effect of noise light being emitted from the silicon oxide film 3 is reduced thus conducting fluorometric analysis efficiently.例文帳に追加
蛍光分析用基板1を、シリコン基板2と、シリコン基板2の試料が付着される面側に形成された厚さ10nm以上2.5μm以下のシリコン酸化膜3とから構成することによって、シリコン基板2による蛍光の消光作用を抑制し、かつシリコン酸化膜3から生じるノイズ光の影響を低減して、効率的に蛍光分析を行うことができる蛍光分析用基板を実現することができる。 - 特許庁
Each of the plurality of field effect transistors 50 includes a source region 130 and a drain region 140 formed with an interval on a substrate 100, a gate 160 formed on the substrate 100 and on the interval, a source contact 172 formed on the substrate 100 and connected to the source region, and a drain contact 182 formed on the substrate 100 and connected to the drain region 140.例文帳に追加
複数の電界効果型トランジスタ50は、それぞれ、基板100に間隔を置いて形成されたソース領域130およびドレイン領域140と、当該間隔上であって基板100上に形成されたゲート160と、基板100上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト172と、基板100上に形成されドレイン領域140に接続されるドレインコンタクト182とを含む。 - 特許庁
This electrophoretic device 10 is constituted by inclosing the dispersion media 13 colored by dyestuffs and the electrophoretic particles 14 dispersed therein into a spacing between a transparent substrate 11 and a counter substrate 12 arranged to face the same and executes display action by the electrophoretic effect of the electrophoretic particles 14 by the presence or absence of the voltage impression between the transparent substrate 11 and the counter substrate 12.例文帳に追加
透明基板11とこれに対向して配置された対向基板12との間の間隙に、色素によって着色された分散媒13とこれに分散する電気泳動粒子14とが封入されてなり、透明基板11と対向基板12との間の電圧印加の有無による電気泳動粒子14の電気泳動作用により、表示動作をなす電気泳動表示装置10である。 - 特許庁
To provide an ion milling device, which facilitates detaching operation for respective substrates after ion milling processing, without lowering heat radiation effect from a substrate holder, when the ion milling processing is carried out, while the substrates are arrayed on the substrate holder, shortens the operation time for the detachment of the substrates from the substrate holder, and reduces the breakage rate of the substrates.例文帳に追加
基板ホルダーに複数枚の基板を配列してイオンミリング処理を行う際、該基板ホルダーからの放熱効果を低下させることなく、イオンミリング処理後における各々の基板の取り外し作業を容易にし、基板ホルダーからの基板の取り外し作業時間をの短縮し、また、基板の破損率の低減を可能としたイオンミリング装置を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のnウエル領域に形成され、それぞれP^−のオフセット領域を有する2つのP^+のソース/ドレイン拡散領域とを有する、Pチャネル型MOS電界効果トランジスタである。 - 特許庁
A semiconductor device with dummy patterns 20 for alleviating the micro-loading effect includes a semiconductor substrate 1 having thereon a middle annular region 300 between an inner region 200 and an outer region 400; the SiGe device 100 provided on the substrate within the inner region; and a plurality of dummy patterns provided on the substrate within the middle annular region.例文帳に追加
マイクロローディング効果を軽減するためのダミーパターン20を備えた半導体装置は、内部領域200と外部領域400の間に中間環状領域300が設けられた半導体基板1と、基板上、内部領域に設けられたSiGe装置100と、基板上、中間環状領域に設けられた複数のダミーパターンとを含む。 - 特許庁
When information on effect that the component mounting is not completed is obtained from an electronic component mounting device on an upstream process or the external storage region in accordance with the substrate identification number, the CPU does not perform the component adsorption processing and the component mounting processing even if the substrate of the substrate identification number is carried in.例文帳に追加
一方、上流工程の電子部品装着装置から、あるいは、外部の記憶領域から、基板識別番号と対応付けて、部品装着が完了しなかった旨の情報を取得したときには、その基板識別番号の基板が搬入されても、CPUは、部品吸着処理と部品装着処理をおこなわないようにする。 - 特許庁
When depositing the insulating layer 12 as an underlayer on the substrate 11 during the manufacturing process of the magnetoresistive effect type head 10, oxygen atoms contained in the insulating layer 12 are prevented from entering the substrate 11 by arranging the reaction preventive layer 13 made of an insulating material between the substrate 11 and the insulating layer 12.例文帳に追加
基板11と絶縁層12との間に、絶縁性材料からなる反応防止層13を設けることにより、磁気抵抗効果型ヘッド10の製造工程において基板11上に下地層としての絶縁層12を形成する際に、絶縁層12に含まれている酸素原子が基板11内に侵入するのを防ぐことができる。 - 特許庁
In one embodiment, a three-axis magnetic sensor formed on a single substrate 120 comprises: an in-plane two-axis magnetic sensor comprising at least one of a magnetic-resistance sensor 115 and a magnetic-inductive sensor formed on the single substrate; and an out-of-plane magnetic sensor comprising a Hall effect sensor 116 formed on the single substrate.例文帳に追加
ある実施形態では、単一の基板上120に形成された3軸磁気センサであって、センサが、単一の基板上に形成された磁気抵抗センサ115または磁気誘導センサのうちの少なくとも1つからなる面内の2軸磁気センサと、単一の基板上に形成されたホール効果センサ116からなる面外の磁気センサとを有する。 - 特許庁
When the semiconductor multilayer reflection film is grown by alternately laminating a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a substrate by an organic metal vapor growth method using an apparatus in which a substrate tray mounting a substrate on a self-rotating mechanism is self-rotated in a reactor, the inclination of the growth effect distribution of the semiconductor multilayer film is set to 3 to 10 (10^-3/mol).例文帳に追加
自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第1の半導体層と第2の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を3〜10(10^−3/mol)とする。 - 特許庁
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