「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(714ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent sensitivity failure and characteristic deterioration with time, due to deterioration of a surface protection film provided on an upper layer of the environmental sensor in a display device provided with the environmental sensor formed in the peripheral region of the active matrix substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサを備えた表示装置において、環境センサの上層に設けられた表面保護膜の変質に基づく、環境センサの感度不良および特性の経時劣化を防止する。 - 特許庁

The solar cell module is provided with a photovoltaic layer wherein a plurality of photovoltaic elements that are formed by stacking a transparent conductive film 11, photoelectric conversion layers 12 and 13 and a back electrode 14 in sequence on a transparent substrate 10 are connected in series.例文帳に追加

太陽電池モジュールは、透明基板１０上に、透明導電膜１１と光電変換層１２、１３と裏面電極１４とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層が配置される。 - 特許庁

Then as shown in Fig. 10, a solvent 25 (e.g. alcohol and acetone) is supplied to the exposed adhesive layer 5 through the opening 21 to exfoliate and remove the support 6 from the semiconductor substrate 1 by gradually decreasing an adhesion.例文帳に追加

次に、図１０に示すように、開口部２１を介して溶解剤２５（例えばアルコールやアセトン）を当該露出された接着層５に対して供給し、接着力を徐々に低下させることで半導体基板１から支持体６を剥離除去する。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

Voltage-controlled oscillators are constituted in each of layers of a ceramic multi-layered substrate and an unbalanced transmission line and a balanced transmission line are provided across a specific ceramic layer to constitute an unbalancedbalanced converting circuit through the mutual induction coupling between both transmission lines.例文帳に追加

セラミック多層基板の各層に電圧制御発振回路を構成すると共に、所定のセラミック層を挟むように不平衡伝送線路と平衡伝送線路を設けて、両者の相互誘導結合により不平衡−平衡変換回路を構成する。 - 特許庁

A movable part sheet 4 and a flexible sheet 3 are arranged below a fret operation element 1, which is operated to make fret-on/fret-off settings of a fixed contact 2a of a substrate 2 by a movable contact 4a11 , and an after sensor is obtained with a pressure-sensitive resistance layer 3b and a fixed contact 2b.例文帳に追加

フレット操作子１の下に可動部シート４とフレキシブルシート３を配設し、フレット操作子１の操作で基板２の固定接点２ａを可動接点４ａ１１でフレットオン／フレットオフし、感圧抵抗層３ｂと固定接点２ｂでアフタセンサを得る。 - 特許庁

When a natural oxide film 5 and the like, which are undesirably formed on the surface of a lower conductive layer 4 exposed through the bottom of a connection hole 7, are cleaned by a discharge plasma treatment using inert gas, the temperature of a substrate stage is controlled to a temperature of 100°C or higher.例文帳に追加

接続孔７底部に露出する下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理により清浄化するに際し、基板ステージ温度を１００℃以上に制御する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 6 composed of a photosensitive resin is provided from a terminal part on the side of a guard resistor 7 of each terminal in a terminal area to a substrate peripheral edge part including the guard resistor and a short ring as well as between the respective terminals for the width narrower than a terminal interval.例文帳に追加

感光性樹脂よりなる層間絶縁膜６を、端子領域の各端子のガード抵抗７側の端部からガード抵抗及びショートリングを含む基板周縁部と、各端子間にも端子間隔よりも狭い幅で設けた。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 10 with the touch panel integrated therewith, which has a touch panel 20 stuck to any of substrates 14, 16 disposed across a liquid crystal layer 12, distortion of the substrate 16 is suppressed by arranging columnar spacers 44 between the substrates 14, 16.例文帳に追加

液晶層１２を挟んで配置される基板１４，１６の一方にタッチパネル２０が貼着されたタッチパネル一体型液晶表示装置１０において、基板１４，１６の間に、柱状スペーサ４４を設け、基板１６のたわみを抑制する。 - 特許庁

The color filter 28 and the alignment layer 36 of the substrate 20 with a color filter have prescribed spectral characteristics, and desired spectral characteristics are obtained by at least either controlling the film thickness or selecting a kind of the transparent conductive film 32.例文帳に追加

このカラーフィルタ付基板２０は、カラーフィルタ２８および配向膜３６が所定の分光特性を持っており、透明導電膜３２の膜厚の調節および種類の選択の少なくともいずれか一方によって、所望の分光特性とされている。 - 特許庁

The electrode surface farther from the active layer on the semiconductor substrate 1 is entirely flat, and a structure for restricting the length of dielectric film 5 to be wrapped around to an electrode side at dielectric film 5 formation is formed on the surface of the electrode.例文帳に追加

半導体基板１の活性層から遠い方の電極面は全体に平坦であり、誘電体膜５を形成する際、誘電体膜５の電極面側への回り込み長を制限する構造が電極面上に形成されたものである。 - 特許庁

An emitter electrode 16 is formed on the surface of a semiconductor substrate 2 having a semiconductor circuit formed thereon, and is constituted of a circuit wiring electrode 13, a barrier metal layer 14, and an element surface protective film 15.例文帳に追加

半導体回路が形成された半導体基板２の表面に、エミッタ電極１６が形成されており、このエミッタ電極１６は、回路配線用電極１３と、バリアメタル層１４と、素子表面保護膜１５とを備えて構成されている。 - 特許庁

The method for restoring or regenerating the article comprises a step of utilizing the first cathode 104 to deposit a layer of the first deposition material onto the residual substrate and a subsequent step of utilizing the second cathode to apply the environmental coating.例文帳に追加

物品を修復又は再生する方法は、残存基板上に第一の堆積材料の層を堆積させるために第一の陰極１０４を利用する段階と、その後、環境皮膜を付与するために第二の陰極を利用する段階と含む。 - 特許庁

This manufacturing method of the plasma display panel has a process for obtaining substrates of the plasma display panel by cutting a substrate 1 provided with grooves 2 for cutting it according to the grooves 2, and covering the surfaces of the grooves 2 with a resin layer 4.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの製造方法として、割断するための溝２と、その溝２の表面を被覆する樹脂層４とを備える基板１を、前記溝２にしたがって割断することによりプラズマディスプレイパネルの基板を得る工程を有するものとする。 - 特許庁

An impurity introduction step is performed to introduce impurities into a semiconductor layer 1a on one surface 10s side of a substrate body 10w when a pixel transistor composed of an electric field effect transistor of LDD structure is formed on the one surface 10s.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスターを基板本体１０ｗの一方面１０ｓに形成するにあたって、一方面１０ｓ側の半導体層１ａに不純物を導入する不純物導入工程を行う。 - 特許庁

To provide a hard coat film which can improve the adhesion of a hard coat layer to a transparent substrate film while suppressing the occurrence of interference fringes, an antireflection film and antireflection near infrared ray shielding film each using the hard coat film.例文帳に追加

干渉縞の発生を抑制しつつ、透明基材フィルムに対するハードコート層の密着性を向上させることができるハードコートフィルム、それを用いた反射防止性フィルム及び反射防止性近赤外線遮蔽フィルムを提供する。 - 特許庁

The master plate for printed wiring has a photopolymerization layer containing a thermoplastic polymer binder, specified polymerizable compounds and photopolymerization initiator on a substrate which is prepared by forming a conductive thin film on an electric insulating plate.例文帳に追加

電気絶縁性板上に導電体薄膜を設けた基板上に、熱可塑性高分子結合剤、特定の重合性化合物、及び光重合開始剤を含有する光重合層を設けたことを特徴とするプリント配線用原板。 - 特許庁

This dielectric antenna 20 is constituted so that a rectangular inner electrode 14 electrically connected with a radiation electrode 4 and a rectangular inner layer ground electrode 22 electrically connected with a ground electrode 3 can be arranged inside a dielectric substrate 2.例文帳に追加

放射電極４に電気的に接続された矩形状の内層電極１４と、アース電極３に電気的に接続された矩形状の内層アース電極２２を、誘電体基板２の内部に具備するようにして誘電体アンテナ２０を構成する。 - 特許庁

The barrier layer for the silicon-containing substrate to prevent formation of gaseous species of silicon when exposed to a high temperature aqueous environment comprises aluminosilicate of group IIA and/or group IIIB such as barium - strontium aluminosilicate and an oxide of group VB.例文帳に追加

高温の水性環境に曝されたときにガス状珪素類の形成を防止する、珪素含有基材のためのバリヤ層は、アルミノ珪酸バリウムストロンチウムなどのＩＩＡ族および／またはＩＩＩＢ族のアルミノ珪酸塩と、ＶＢ族の酸化物とからなる。 - 特許庁

The lattice constants of the In GaAsP semiconductor layers 16, 20 are larger than the lattice constant of the InP substrate 4, and smaller than that of the group III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６、２０の格子定数はＩｎＰ基板４の格子定数より大きく、また、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６、２０の格子定数はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８の格子定数より小さい。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride based III-V compound semiconductor layer which can produce a nitride based III-V compound semiconductor substrate having good crystallinity and no surface roughness nor crack with high productivity.例文帳に追加

表面荒れやクラックがなく結晶性も良好な良質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を高い生産性で製造することができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process for forming the coating film of the silane having the reactive group with the halogenated polyimide, on the substrate, and a process for forming the at least one layer of the halogenated polyimide film, on the coating film.例文帳に追加

本発明の製造方法は、基板上にハロゲン化ポリイミドとの反応性基を有するシラン化合物の被膜を形成する工程と、該被膜上に少なくとも１層のハロゲン化ポリイミドフィルムを形成する工程とを包含することを特徴とする。 - 特許庁

The sheet for draw forming is obtained by forming, on a substrate consisting of a resin containing a polyvalent metal compound (a), an in situ polymer layer of a polymerizable monomer composition containing an α,β-unsaturated carboxylic acid monomer (b) and a plasticizer (c).例文帳に追加

多価金属化合物（ａ）を含有する樹脂からなる基材上に、α，β−不飽和カルボン酸単量体（ｂ）と可塑剤（ｃ）を含む重合性単量体組成物のその場重合体層を形成してなる延伸成形用シート。 - 特許庁

An electrically conductive material such as copper is alloyed with a dopant such as phosphorus, boron, indium, tin, beryllium or their combination to improve the uniformity of the deposition of the doped layer onto the surface of the substrate and also to reduce the oxidation of the electrically conductive material.例文帳に追加

銅のような導電性材料を、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムまたはそれらの組合せのようなドーパントと合金にし、基板表面上へのドープ済みの層の堆積均一性を改善し、且つ導電性材料の酸化を減少させる。 - 特許庁

In the method of depositing the gas barrier film, when a silicon nitride film is formed on a substrate as a gas barrier layer using capacitively coupled chemical vapor deposition, silane gas and ammonia gas are used as a gas material, and nitrogen gas is used as a discharge gas.例文帳に追加

本発明のガスバリア膜の成膜方法は、容量結合型ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を基板にガスバリア膜として成膜するに際し、原料ガスとして、シランガスおよびアンモニアガスを用い、放電ガスとして、窒素ガスを用いる。 - 特許庁

By arranging the pattern film 6b, the surface level differs on the side of the TFT array substrate 200 in contact with the liquid crystal layer 50, and this prevents alignment failures in the liquid crystal molecules due to a lateral electric field occurring between adjacent pixel electrodes.例文帳に追加

パターン膜６ｂが配置されることにより、ＴＦＴアレイ基板２００の液晶層５０に接する側の表面に段差が設けられ、隣り合う画素電極間で生じる横電界による液晶分子の配向不良の発生が防止される。 - 特許庁

An entrance window 6 made of synthetic quartz is in close contact with the mask 4 and disposed on it, and water 5 used as a compound containing hydrogen is formed like a layer in an opening part 4a held between the substrate 1 and the entrance window 6 made of synthetic quartz.例文帳に追加

合成石英製入射窓６はマスク４上に密着して配置され、基板１と合成石英製入射窓６とで挟まれた開口部４ａ内には水素を含む化合物としての水５が層状に形成されている。 - 特許庁

The waveguide polarizing element characterized in that an oxide semiconductor layer 2 having a flat crystal domain 6 is formed adjacently to at least one surface of a substrate 1 constituting an optical waveguide propagating guided light and the method for manufacturing the same are provided.例文帳に追加

導波光を伝播する光導波路を構成する基板１の少なくとも一方の面に扁平状の結晶ドメイン６を持つ酸化物半導体層２を隣接して成ることを特徴とする導波路偏光素子及びその製造方法。 - 特許庁

As the result, a bimetal laminate structure 10 provides with the decorating metallic layer 12 formed from the first metallic material and the metallic substrate 14 formed by the second metallic material being different from the first metallic material.例文帳に追加

その結果作成されるバイメタル・ラミネート構造１０は、第１の金属素材から形成されている装飾金属層１２と、前記第１の金属素材とは異なる第２の金属素材から形成されている金属基板１４とを備えている。 - 特許庁

To provide an antireflection film not requiring a hard coat layer disposed on a conventional antireflection film, excellent in surface hardness and heat resistance and using a substrate different from a conventional polymer film having flexibility.例文帳に追加

本発明は、従来の反射防止フィルムに設けていたハードコート層を必要としない、表面硬度と耐熱性に優れた、可撓性を有する従来の高分子フィルムとは異なる基材を使用した反射防止フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The aqueous dispersion gives a laminated film which has good oxygen barrier property and high adhesivity to polyolefin-based materials by coating on the vapor deposition layer surface of a plastic film on a substrate.例文帳に追加

この水性分散液は、基材上にセラミックの蒸着層を有するプラスチックフィルムの蒸着層面にコーティングされることによって、酸素バリア性に優れると共に、ポリオレフィン系の材料に対して優れた接着性を有する積層フィルムとなる。 - 特許庁

The method of manufacturing a photoelectric conversion device having a light absorption layer containing a metal element includes a step for forming a lower electrode 2 on a substrate, and a step for forming a membrane 3a containing the metal element on the lower electrode 2.例文帳に追加

金属元素を含む光吸収層を有する光電変換装置の製造方法であって、基板上に下部電極２を形成する工程と、下部電極２上に前記金属元素を含む皮膜３ａを形成する工程とを有する。 - 特許庁

To obtain a bismuth catalyst CED coating agent which has a resistance or at least increased resistance against undesirable kinds of ions which are formed in a per-treatment material used to form a conversion layer on a metal substrate.例文帳に追加

金属基板上に変換層を生産するのに用いられる前処理材料において生じる、好ましくない種類のイオンに対して、抵抗性または少なくとも増加された抵抗性を有するビスマス触媒ＣＥＤコーティング剤の提供。 - 特許庁

This stencil mask for the ion implantation is used in the ion implantation process in the manufacture of the semiconductor device, and comprises at least a substrate portion and a stencil portion, and the stencil portion has a diamond layer.例文帳に追加

半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクであって、少なくとも、基材部、ステンシル部を具備し、前記ステンシル部がダイヤモンド層を有するものであることを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

Since the insulating film 32 covering the recessed section 30 exists between an electrode layer 37 and the substrate 12, short circuit that occurs in the conventional semiconductor element does not occur in the element 38.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ピット状凹部３０が、絶縁膜３２で被覆され、電極層３７とＧａＡs 基板１２との間に絶縁膜３２が介在するので、従来の半導体レーザ素子のように、短絡現象が発生するようなことはない。 - 特許庁

The light diffusion film consists of: the film substrate formed of a polyester resin consisting of diol units 1-80 mol% of which are diol units having a cyclic acetal skeleton and dicarboxylic acid units; and the light diffusion layer consisting of diffusion beads and a binder resin.例文帳に追加

ジオール単位中の１〜８０モル％が環状アセタール骨格を有するジオール単位とジカルボン酸単位で構成されたポリエステル樹脂からなるフィルム基材ならびに拡散ビーズおよびバインダー樹脂からなる光拡散層で構成する。 - 特許庁

In this state, the dispersion medium vaporizes from the particulate dispersion liquid 110 and a wetting layer of the particulate dispersion liquid 110 on the surface of the substrate 200 retreats, and consequently a three-dimensional particulate structure 100 in a thin film state grows.例文帳に追加

この状態で、微粒子分散液１１０から分散媒が蒸発していき、基板２００表面の微粒子分散液１１０の濡れ膜が後退していくことにより、薄膜状の三次元微粒子構造体１００が成長する。 - 特許庁

In the forming method of the ink jet image (2), the image is formed on the ink jet recording sheet having on the substrate the ink receiving layer containing at least the polyurethane resin having the water-swelling properties, by using ink containing the urea and/or the 2-pyrrolidone.例文帳に追加

（２）支持体上に、少なくとも水膨潤性ポリウレタン系樹脂を含むインク受容層を有するインクジェット用記録シートに、尿素および／または２−ピロリドンを含むインクを用いて画像を形成することを特徴とするインクジェット画像形成方法。 - 特許庁

In the internal circuit of a semiconductor integrated circuit including a multilayered metallic wiring, a gate electrode film of a MOS type semiconductor element formed on a semiconductor substrate is connected with an intentionally formed diode by means of a metallic wiring on the lowermost layer.例文帳に追加

多層金属配線の半導体集積回路の内部回路において、半導体基板上に形成されたＭＯＳ型半導体素子のゲート電極膜に最下層の金属配線を介して、意図的に形成したダイオードを接続した構造とする。 - 特許庁

To provide a compound sheet and its manufacturing method in which a shrinkage rate of a ceramic multilayer substrate in an X-Y direction is reduced during firing, and at the same time, a ceramic layer is made thin and a conductor film is made thick.例文帳に追加

本発明は、焼成時のＸ−Ｙ方向におけるセラミック多層基板の収縮率を低減すると同時に、セラミック層厚みの薄層化と導体の厚みの厚膜化を同時に満たすことのできる複合シートと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

After a low permittivity insulating film 101 composed of an organic material is formed on a substrate 100, a first molecular layer 105 composed of trimethylsilyl group is formed on the surface of the low permittivity insulating film 101 in a first chamber 101.例文帳に追加

基板１００上に有機材料よりなる低誘電率絶縁膜１０１を形成した後、第１のチャンバー１０１内において、低誘電率絶縁膜１０１の表面にトリメチルシリル基よりなる第１の分子層１０５を形成する。 - 特許庁

When the metal layer is provided by electroless metal plating, the resin composition being patterned preferably contains a component adsorbing a catalytic metal for electroless metal plating or a catalytic metal becoming the substrate of electroless meta plating.例文帳に追加

このように無電解金属メッキで金属層を設ける場合は、パターン化される樹脂組成物は、無電解金属メッキのための触媒金属を吸着する成分、又は無電解金属メッキの下地となる触媒金属を含有していることが望ましい。 - 特許庁

A resistor layer 4, composed of one kind of a metal compound from among ruthenium oxide, ruthenium nitride, tantalum oxide and tantalum nitride is collectively formed on a ceramic substrate 2 via a thin film 3, whose main component is titanium.例文帳に追加

セラミック基板２上にチタンを主成分とした薄膜３を介してルテニウム酸化物，ルテニウム窒化物，タンタル酸化物およびタンタル窒化物のいずれか１種の金属化合物からなる抵抗体層４を一体に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

Since a dielectric substrate in which a plurality of such choke coils are formed in an inner layer and a power amplifier module comprising the dielectric substrates can ensure sufficient isolation among the choke coils, the miniaturization thereof can be realized.例文帳に追加

このようなチョークコイルを内層に複数形成した誘電体基板、さらには、係る誘電体基板によって構成されるパワーアンプモジュールは、チョークコイル間でのアイソレーションを十分確保することができるため、その小型化を実現することができる。 - 特許庁

The resin composition to form an adhesive layer used for bonding a semiconductor component and a substrate comprises a resin having a radically polymerizable double bond, a thermosetting resin and a resin having an alkali-soluble group and a double bond.例文帳に追加

半導体部品と、基板とを接合するために用いる接着層を形成する樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂と、を含んでいる。 - 特許庁