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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 39497



例文

Each pixel part 7 has a pixel electrode 15, and a projection part which is provided on the second substrate, overlaps with the reflection area R3, is disposed beyond a peripheral edge of the pixel electrode in the second direction d2, and projects on the first substrate side to make the thickness of the liquid crystal layer opposite the reflection area thinner than that opposite the transmission area R2.例文帳に追加

各画素部7は、画素電極15と、第2基板に設けられ、かつ、反射領域R3に重なっているとともに第2方向d2に画素電極の周縁を超えて位置し、かつ、第1基板側に突出して反射領域と対向した液晶層の層厚を透過領域R2と対向した液晶層の層厚より薄くする突出部と、を有している。 - 特許庁

A first electrode 20a and a second electrode 21 having a three-dimensional structure and being formed in a projecting shape are formed on a substrate 1 as lower layers, an inter-layer insulating film 18 is deposited on the substrate 1, the insulating film 18 is etched and a trench 26 exposing the top face of the second electrode 21 and a side face in at least one direction is formed.例文帳に追加

基板1上に3次元構造で凸形状をなす第1電極20aと第2電極21とを第1電極20aを下層として形成した後、基板1上に層間絶縁膜18を堆積し、この層間絶縁膜18をエッチングして、第2電極21の上面および少なくとも一方向の側面を露出させる溝26を形成する。 - 特許庁

A first gas passage for supplying a first reaction gas is formed, by discharge devices 20a and 20b, on a first substrate carried by a belt conveyor BC1 driven by a driving device 58 based on a signal from a control device 56; and a first current collection layer is formed, by a discharge device 20d, on the first substrate carried by the belt conveyor BC1.例文帳に追加

制御装置56からの信号に基づいて駆動装置58により駆動されるベルトコンベアBC1により搬送された第1の基板に、吐出装置20a、20bにおいて第1の反応ガスを供給するための第1のガス流路を形成し、ベルトコンベアBC1により搬送された第1の基板に、吐出装置20dにおいて第1の集電層を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a conductive pattern-formed substrate of the present invention includes: a conductive pattern formation step of irradiating a transparent conductive layer provided on an insulation substrate with a pulse-form laser beam in a predetermined pattern to form an insulation portion and forming at least a conductive pattern; and a re-irradiation step of re-irradiating a part of the insulation portion with the pulse-form laser beam.例文帳に追加

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。 - 特許庁

例文

A heat-processing tool 9 includes: a heat-processing tool in which a cristobalitized oxide film is formed in an area where a semiconductor silicon substrate is in contact held, or the heat-processing tool 9a; and a masking shield 9b that has a larger diameter than the heat-processing tool and is used to control the adhesion of particles generated by the cristobalitized oxide layer to the semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

半導体シリコン基板を接触保持する領域にクリストバライト化させた酸化膜が形成されている熱処理治具、または、この熱処理治具9aと、前記クリストバライト化させた酸化膜に起因して発生するパーティクルの半導体シリコン基板への付着を抑制するための、前記熱処理治具よりも径が大きい遮蔽板9bとで構成される熱処理治具9。 - 特許庁


例文

The diamond substrate 10 has a substrate 3 with a main face 3a including first regions r1 and a second region r2 surrounding the first regions r1, a plate-like single crystal diamond parts 5 provided on the first regions r1 of the main face 3a, and a layer-like polycrystalline diamond part 7 provided on the second region r2 of the main face 3a.例文帳に追加

ダイヤモンド基板10は、第1の領域r1と第1の領域r1を取り囲む第2の領域r2とを含む主面3aを有する基板3と、主面3aの第1の領域r1上に設けられた板状の単結晶ダイヤモンド部5と、主面3aの第2の領域r2上に設けられた層状の多結晶ダイヤモンド部7とを備える。 - 特許庁

A light-emitting device 1 of the present invention comprises: a substrate 2 having an insulating layer; a plurality of electrically non-connected mounting pads 3 and an electrically connected wiring pattern 4 which are formed on a surface of the substrate 2 and have electrical conductivity; and a plurality of light-emitting elements 5 mounted on the mounting pads 3 and electrically connected to the wiring pattern 4.例文帳に追加

本発明は、絶縁層を有する基板2と、この基板2の表面上に形成された導電性を有し、電気的に導通されない複数の実装パッド3及び電気的に導通される配線パターン4と、前記実装パッド3上に実装されるとともに、前記配線パターン4に電気的に接続される複数の発光素子5とを備える発光装置1である。 - 特許庁

The metal partition 16 with a lateral wall 16A extended in a line direction zoning between discharge cells C adjacent in a column direction between a front glass substrate and a rear glass substrate of the plasma display panel and with an outside surface coated with an insulating layer 16a has a groove 16Aa formed at least either on a front side face or a rear side face of the lateral wall 16A.例文帳に追加

行方向に延びてプラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の列方向に隣接する放電セルCの間を区画する横壁16Aを有し外表面が絶縁層16aによって被覆された金属製の隔壁16であって、横壁16Aの表側の面または背面の少なくとも一方の面に、溝16Aaが形成されている。 - 特許庁

To provide a process for producing a surface electroconductive material which has good adhesion to a flat and smooth insulating substrate and is suitably used in producing a printed circuit board having a fine circuit pattern and a process for producing a surface electroconductive material which has good adhesion to a flat and smooth insulating substrate and can obtain an electroconductivity-exhibiting layer having uniform surface electroconductivity with good producibility.例文帳に追加

平滑な絶縁基板との密着性が良好であり、微細な回路パターンを有するプリント配線板の製造に好適な表面導電性材料の製造方法、及び、平滑な絶縁基板との密着性に優れ、均一な表面導電性を有する導電性発現層を、製造性よく得られる表面導電性材料の製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

In a manufacturing method of a capacitance type touch panel 7 with a transparent conductive layer 2 on at least one face of a transparent substrate 1, comprising a heating step in the manufacturing process, a laminate partially including a configuration that has a coat 12 containing polyamide-imide resin and with a thickness of 30-120 nm on the surface of a transparent plastic film 11 is used as the transparent substrate 1.例文帳に追加

製造工程に加熱工程を含んでなる、透明基板1の少なくとも片面に透明導電層2を有してなる静電容量式タッチパネル7の製造方法において、前記透明基板1として、透明プラスチックフィルム11の表面に、ポリアミドイミド樹脂を含有する厚みが30〜120nmの被膜12を有する構成を一部に含む積層体、を用いる。 - 特許庁

例文

In the drying device 30 for drying the material layer formed on a substrate P, a gas injection part 40 in which a plurality of nozzles for injecting gas G are formed and control valves 46 which control injection of the gas G so that the flow rate or flow velocity injected from the injection part 40 may be reduced from the center part toward the peripheral part of the substrate P are provided.例文帳に追加

基板Pに形成された材料層を乾燥させる乾燥装置30において、ガスGを噴射させるノズル42が複数個形成されたガス噴射部40と、噴射部40から噴射されたガスGの流量或いは流速が基板Pの中心部から外周部にかけて減少するようにガスGの噴射を制御する調整弁46とを備えるようにした。 - 特許庁

The tooth whitening substances comprise a single sheet or a laminate formed of a polymer, natural or synthetic fabric, nonwoven fabric, foil, paper, rubber or combination thereof used as a substrate material 26, and two substrates 22A, 22B including a thin layer 24 of peroxide active substances (hydrogen peroxide, calcium peroxide, carbamide peroxide and mixtures thereof) as tooth whitening composition located on the supporting substrate 26.例文帳に追加

支持材料26としてポリマー、天然及び合成の織物、不織布、ホイル、紙、ゴム及びそれらの組み合わせから形成されたものの単独、または積層体を使用し、該支持材料26上に配置され、歯を白くする組成物としてペルオキシド活性物質(過酸化水素、カルシウムペルオキシド、カルバミドペルオキシド、及びこれらの混合物)の薄層24を有する2つの基材22A,22Bとを備える。 - 特許庁

Burnt silver containing a glass component and adhering rigidly to a ceramic insulating substrate 11 is applied as a first back electrode 14 directly to the backside of the insulating substrate 11, and a second back electrode 15 composed of resin silver having a lower Young's modulus as compared with burnt silver and exhibiting thermal stress relaxation effect is stacked on the first back electrode 14 thus forming a two layer structure.例文帳に追加

ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板11に強固に密着する焼成銀を第1裏面電極14として絶縁基板11の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第2裏面電極15を第1裏面電極14に積層して裏面電極を2層構造にする。 - 特許庁

In the ceramic substrate for the power module for forming the power module by bonding the metal plate 3 acting as the circuit layer onto the surface of the ceramic substrate 2 comprising an aluminum nitride sintered body, the aluminum nitride sintered body is formed by the blackened aluminum nitride sintered body blackened by irradiating a high energy beam for a prescribed period of time so that lightness stipulated in JISZ8721 becomes not more than N4.例文帳に追加

窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックス基板2の表面に回路層となる金属板3を接合してパワーモジュールを構成するためのパワーモジュール用セラミックス基板において、該窒化アルミニウム焼結体を、高エネルギー線を所定時間照射することによって、JISZ8721に規定される明度がN4以下となるように黒色化した黒色化窒化アルミニウム焼結体で構成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is equipped with a liquid crystal layer 8 containing liquid crystal molecules with negative dielectric constant anisotropy between an upper substrate 1 and a lower substrate 2 which have display electrodes 3a and 3b and alignment films 5a and 5b respectively and are arranged opposite each other and is equipped with a 1st protrusion 4a and a 2nd protrusion 4b on the display electrodes 3a and 3b.例文帳に追加

それぞれ表示電極3a・3bと配向膜5a・5bとを備え、対向して配置された上基板1と下基板2との間に、誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層8を備えた液晶表示装置は、上記表示電極3a・3b上に液晶分子の配向方向を制御する第1突条部4a及び第2突条部4bを備えている。 - 特許庁

In the method for forming a porous carbon layer by depositing a carbon material having an aspect ratio of 2 or higher or a carbon material in a hollow plate-like shape on a substrate, the carbon material is introduced into a dispersion medium, sedimented in the dispersion medium, and horizontally deposited on the substrate placed in the dispersion medium; then the dispersion medium is removed; and the carbon material horizontally deposited is dried.例文帳に追加

基板上にアスペクト比2以上の炭素材もしくは中空板状の炭素材を堆積させて多孔質炭素層を形成させる方法において、該炭素材を分散媒体に導入し、該分散媒体中に沈降させて、該分散媒体中に配置された該基板上に該炭素材を水平に堆積させ、ついで該分散媒体を除去し、水平に堆積した該炭素材を乾燥させる。 - 特許庁

The spacer body structure is provided with a support substrate 24 arranged in opposition to the first and the second substrates, equipped with a plurality of electron beam passing holes 26 set in opposition to the respective electron emission sources and coated with an insulating layer 25, as well as a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least either surface of the support substrate 24 among the plurality of electron beam passing holes.例文帳に追加

スペーサ構体は、第1および第2基板に対向して配設され、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔26を有しているとともに絶縁層25で被覆された支持基板24と、複数の電子ビーム通過孔間で、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ30a、30bと、を備えている。 - 特許庁

When the nitride compound semiconductor is epitaxially formed on a dissimilar substrate without using a low temperature buffer layer, the growth velocity of the nitride compound semiconductor is made 2.5 nm/sec or more, preferably, 3.0 nm/sec or more in a range at least within 100 nm from the surface of the substrate 1, and the growth velocity in the remaining part exceeding the range is made lower.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を異種基板上に低温バッファ層を用いずにエピタキシャル成長する際、基板1表面から少なくとも100nm以内の範囲において、窒化物系化合物半導体の成長速度を2.5nm/sec以上、好ましくは3.0nm/sec以上とし、この範囲を過ぎた以降の残り部分における成長速度をより低速にする。 - 特許庁

In a full dot matrix display type liquid crystal display element which is constituted by disposing a first transparent electrode substrate having a plurality of lines of row electrodes and a second transparent electrode substrate having a plurality of lines of column electrodes opposite to each other across a liquid crystal layer and by using each intersection of the row electrodes and the column electrodes as a display element, each display element D is made to be a hexagonal dot pattern.例文帳に追加

複数本の行電極を有する第1透明電極基板と、複数本の列電極を有する第2透明電極基板とを液晶層を挟んで対向的に配置し、行電極と列電極の交点部の各々を表示画素としてなるフルドットマトリクス表示型の液晶表示素子において、各表示画素Dを六角形のドットパターンとする。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a structure in which embedded insulating layers 12 and 13 consisting of oxide films are made on both sides of a silicon substrate 11, and that silicon layers 14 and 15 to serve as element forming regions for the formation of circuit elements are made severally thereon, and it becomes possible to form twice as many circuit elements as before by forming circuit elements in each silicon layer 14 and 15.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板11の両面に酸化膜からなる埋め込み絶縁層12,13を形成し、さらにそれぞれ上層に回路素子を形成するための素子形成領域となるシリコン層14,15を形成した構造を有し、各シリコン層14,15に回路素子を形成することにより、2倍の回路素子数を形成することが可能となる半導体基板である。 - 特許庁

A plurality of organic EL elements 3 interposing an organic luminous layer 6 between a pair of electrodes 4, 5 are formed on a single substrate 2, and the organic EL element 3 is sealed by a sealing member 7, and the pair of electrodes 4, 5 are respectively drawn out on the substrate 2 outside of the sealing member 7, and are formed as external terminal parts 2t, 3t for wiring connection.例文帳に追加

単一の基板2上に、一対の電極4,5間に有機発光層6を介在させてなる有機EL素子3の複数個が形成され、かつ、有機EL素子3は、封止部材7によって封止されると共に、一対の電極4,5がそれぞれ封止部材7の外部の基板2上に引き出されて配線接続用の外部端子部2t,3tとして形成されている。 - 特許庁

The hydrophilic member has at least a substrate and a hydrophilic film to be formed on the substrate as the utmost outer layer, and the above hydrophilic film comprises at least photocatalytic hydrophilic metal oxide particles and a hydrophilic inorganic amorphous substance and has protruded portions and non-protruded portions in its surface.例文帳に追加

基材と、該基材上に最外層として形成される親水性被膜とを少なくとも有してなる親水性部材であって、前記親水性皮膜が、光触媒性の親水性金属酸化物粒子と、親水性無機非晶質物質とを少なくとも含んでなり、前記親水性被膜の表面に隆起している部分とそうでない部分を有している親水性部材。 - 特許庁

In the production method for a nitride semiconductor 1 for producing a nitride compound semiconductor layer 3 by using organometallic chemical vapor phase growth, a group III source gas containing the organometals of a group III source is intermittently supplied onto a substrate 2, and a gas containing nitrogen is supplied to the substrate 2.例文帳に追加

本発明に係る窒化物系半導体の製造方法は、窒化物系化合物半導体層3を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体1の製造方法において、III族源の有機金属を含むIII族原料ガスを間欠的に基板2上に供給すると共に、窒素を含むガスを基板2上に供給することを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing method of the compound semiconductor multilayer epitaxial substrate, at least one portion of the film thickness, impurity concentration, and composition of each epitaxial layer for composing the multilayer epitaxial substrate is determined by a theoretical calculation so that specific electrical characteristics can be met, and epitaxial growth is executed according to the determined values.例文帳に追加

化合物半導体多層エピタキシャル基板の製造方法において、所定の電気特性を満たすことができるように該多層エピタキシャル基板を構成する各エピタキシャル層の膜厚、不純物濃度及び組成の少なくとも一部を理論計算により決定し、その決定値に従ってエピタキシャル成長を実施する化合物半導体多層エピタキシャル基板の製造方法。 - 特許庁

The element includes: the polarization diffraction element including a translucent substrate having a diffraction grating constructed by alternately formed concave parts and convex parts and a birefringent liquid crystal filled in the translucent substrate; and at least one phase delay layer formed by a material having birefringence and successively laminated on the liquid crystal of the polarization diffraction element.例文帳に追加

交互に形成された凹部と凸部とで構成される回折格子を有する透光性基板と、上記透光性基板上に充填された複屈折性液晶とを含む偏光性回折素子、及び上記偏光性回折素子の液晶上に連続して積層され、複屈折性を有する物質で形成された少なくとも一つの位相遅延層、を含む。 - 特許庁

The adhesive tape or sheet or film is prepared by laminating an adhesive composition containing an acrylic block copolymer comprising a methacrylic polymer block and an acrylic polymer block as a main component to an olefinic substrate through a specific modified olefinic polymer as an intermediate layer or with an olefinic substrate containing a specific modified olefinic polymer.例文帳に追加

メタアクリル系重合体ブロックおよびアクリル系重合体ブロックからなるアクリル系ブロック共重合体を主成分とする粘着剤組成物を、中間層として特定の変性オレフィン系重合体を介して、オレフィン系基材に積層するか、特定の変性オレフィン系重合体を含有するオレフィン系基材を用いて積層した粘着テープまたはシートまたはフィルムとする。 - 特許庁

The problem is solved by forming a gradual zigzag shaped inclined alignment control region to align directors of liquid crystal molecules in a direction inclined against the substrate normal direction in individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device.例文帳に追加

マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうちで画素に対応する個々の領域内に、液晶分子のダイレクタを基板法線方向に対して傾斜して配向させる緩やかなジグザグ状の傾斜配向規制領域を形成することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

A porous silica thin film 20 with a thickness within the range of several μm to several 100 μm with a plurality of openings 20 formed so as to orient almost vertical to the main face of a substrate 1 is formed on the substrate 1, and a solid electrolyte layer 22 containing at least cesium hydrogensulfate or cesium dihydrogenphosphate is buried in each opening 20a.例文帳に追加

基板1に、膜厚が数μm〜数100μmの範囲内であり、基板1の主面に対して略垂直に配向した複数の開口部20aが形成された多孔質シリカ薄膜20が形成されており、開口部20a内に、少なくとも硫酸水素セシウムまたはリン酸二水素セシウムを含有する固体電解質層22が埋め込まれて形成されている構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element formed on a semiconductor substrate 10, first wiring 41A formed above the substrate 10 electrically connected to the semiconductor element, and second wiring 42A formed above the first wiring 41A through a third layer insulation film 23 made of an insulator having a dielectric constant lower than a silicon oxide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板10に形成された半導体素子と、半導体基板10の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第1の配線41Aと、該第1の配線41Aの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第3の層間絶縁膜23を介在させて形成された第2の配線42Aとを有している。 - 特許庁

This is an electromagnetic wave absorption sheet wherein an electromagnetic wave absorption coating material composition 2, which contains a carbon nano material, resin, and solvent, is applied at least across a surface of its sheet-shaped substrate 1, or a reflective layer is further provided on a surface of its sheet-shaped substrate to which the electromagnetic wave absorption coating material composition 2 is not applied.例文帳に追加

シート状基材1の少なくとも一面に、カーボンナノ材料、樹脂及び溶剤を含有する電磁波吸収塗料組成物2を塗布してなることを特徴とする電磁波吸収シート、或いはシート状基材1の電磁波吸収塗料組成物2を塗布していない面に、さらに、反射層3を設けてなることを特徴とする電磁波吸収シート。 - 特許庁

To obtain a primer composition for a plastic lens for providing a plastic spectacle lens excellent in various qualities such as appearance, wear, heat, moisture, shock and weather resistances, adhesion between the lens substrate and a surface treating layer and durability and to impart superior appearance and enhanced shock resistance, adhesion and weather resistance particularly to a plastic lens substrate having a high refractive index.例文帳に追加

本発明は各種品質(外観、耐摩耗性、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性、耐候性、レンズ基材と表面処理層との密着性、耐久性等)の優れたプラスチック製眼鏡レンズを提供することを目的としたプラスチックレンズ用プライマー組成物に関するもので、特に高屈折率のプラスチックレンズ基材に対して、優れた外観と耐衝撃性、密着性、耐候性の向上を目的とする。 - 特許庁

The light emitting element comprises: a substrate (10) made of sapphire or SiC and including a region (10a) not containing a fluorescent substance on a rear surface side and a region (10c) containing a fluorescent substance on a surface side; and a nitride semiconductor layer (30) provided on the surface of the substrate (10) for emitting light for exciting the fluorescent substance.例文帳に追加

本発明は、サファイアまたはSiCからなり、裏面側に蛍光物質を含有しない領域(10a)と表面側に蛍光物質を含有する領域(10c)とを有する基板(10)と、基板(10)の表面上に設けられ、蛍光物質を励起するための光を発光する窒化物半導体層(30)と、を具備する発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

The minute polarizing light source 1 is provided with a substrate 11 having a tip portion 111 whose diameter is shorter than the wavelength of fluorescent light emitted therefrom and being covered by a metal 113 at a peripheral portion excepting the tip portion 111, and a phosphor layer 12 which is made up at the tip portion 111 of the substrate 11 and in which phosphor molecules having optical anisotropy are aligned along one axis.例文帳に追加

本発明に係る微小偏光光源1は、放射する蛍光の波長よりも短い直径の先端部111を有し、先端部111を除く周辺部が金属113で被覆された基材11と、基材11の先端部111に形成され、光学異方性を有する蛍光体分子が一軸配向された蛍光体層12とを備えている。 - 特許庁

The peeling apparatus 10 peeling the separator 11 from the adhesive layer 12 in a state of the adhesive sheet S being stuck to a substrate 13 includes a table 15 supporting the substrate 13: a needle 16 piercing the separator 11 from the upper face; a support means 18 displacing the needle 16 to form the peeling start part 11A; and a suction pad 35 sucking the separator 11.例文帳に追加

接着性シートSを基板13に貼付した状態で、セパレータ11を接着剤層12から剥離する剥離装置10であり、同装置は、基板13を支持するテーブル15と、セパレータ11を上面から突き刺すニードル16と、当該ニードル16を変位させて剥離きっかけ部11Aを形成させる支持手段18と、セパレータ11を吸着する吸着パッド35とを備えている。 - 特許庁

The insulating-layer-attached metal substrate 10 has a structure in which an Al anodized film 14 having a porous structure is formed on the surface of an Al material 13 which is integrated via a Ti material 12 on at least one surface of a steel base material 11 having a lower thermal expansion coefficient, a higher rigidity and a higher heat resistance than Al to form a metal substrate 15.例文帳に追加

絶縁層付金属基板10を、Alよりも、熱膨張係数が小さく、かつ剛性が高く、かつ耐熱性が高い鋼基材11の少なくとも一方の面に、Ti材12を介してAl材13が一体化されたものを金属基板15とし、そのAl材13の表面にポーラス構造を有するAlの陽極酸化膜14が形成されてなる構成とする。 - 特許庁

In the silicon substrate 1, an first conductivity type accumulation layer 10 having an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 1 is formed on the second principal plane 1b side, and irregular recesses and projections 11 are formed at least in a first region 1b_1 in the second principal plane 1b, wherein the first region faces a region between the plurality of second conductivity type semiconductor regions 3.例文帳に追加

シリコン基板1には、第2主面1b側にシリコン基板1よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層10が形成されていると共に、第2主面1bにおける少なくとも第2導電型の複数の半導体領域3の間の領域に対向する第1の領域1b_1に不規則な凹凸11が形成されている。 - 特許庁

The surface light-emitting device includes a polygonal transparent substrate 1 and a light-emitting element 7 disposed on one surface of the transparent substrate 1 and constituting a laminate, including a transparent electrode 2 as an anode; a negative electrode 6 as a cathode opposite to the transparent electrode 2; and a light-emitting layer 4 sandwiched between the transparent electrode 2 and the negative electrode 6.例文帳に追加

本発明の面発光装置は、多角形の透明基板1と、透明基板1の一方の面上に配置されている発光素子7であって、陽極となる透明電極2、透明電極2と対向する陰極になる陰電極6、および透明電極2と陰電極6とに挟まれている発光層4を含む積層体である発光素子7とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display, including a lamination process of pressing a curved light-transmissive substrate 2 to a display body 1, and bonding the same to each other, whereby even in manufacturing a large-sized display, lowering of manufacturing efficiency, the occurrence of uneven thickness of an adhesive layer, increase in extrusion of an adhesive from between the adhesive surfaces and misalignment of the light-transmissive substrate 2 can be prevented.例文帳に追加

湾曲させた透光性基板2をディスプレイ本体1へ押し付けて接着する貼り合わせ工程を有するディスプレイの製造方法において、大型のディスプレイの製造に際しても、製造効率の低下、接着剤層の厚みムラの発生、接着面間からの接着剤のはみ出し量の増大及び前記透光性基板2の位置ずれを防止できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor element 10 includes: a semiconductor mounting component including a substrate 1, a wiring part 2 provided on one principal surface of the substrate 1 and at least one semiconductor chip 4 mounted on the wiring part 2 via a joint part 3; and a coating layer 5 provided on a surface where at least the wiring part 2 and the joint part 3 are exposed, out of the surface of the semiconductor mounting component.例文帳に追加

半導体素子10は基板1、基板1の一主面上に設けられた配線部2及び該配線部2上に接合部3を介して実装された少なくとも1つの半導体チップ4を含む半導体実装部品と該半導体実装部品表面のうち少なくとも該配線部2及び該接合部3が露出した表面上に設けられた被覆層5とを具備する。 - 特許庁

Further, a high concentration impurity region is partially formed in a silicon substrate, and a plurality of times of processing for forming a silicon layer on that substrate and partially forming a high concentration impurity region therein are carried out, and then porous regions are formed in the high concentration impurity regions respectively to manufacture the three dimensional porous structure having a plurality of porous regions having different three dimensional structures respectively.例文帳に追加

また、シリコン基板中に部分的に高濃度不純物領域を形成し、その基板上にシリコン層を形成して部分的に高濃度不純物領域を形成する処理を複数回行い、その後、高濃度不純物領域に多孔質領域を形成することによって三次元構造の異なる複数の多孔質領域を有する三次元多孔質構造体を作製する。 - 特許庁

The substrate 10 with the optical waveguide is equipped with an under clad 12 formed on a waveguide substrate 11, a core 13 formed on the under clad, a terrace 17 for height adjustment formed including a height adjustment layer 14 and a height adjusting clad 15 formed on the under clad to the same thickness with the core, and an over clad 16 which is formed on the core 13.例文帳に追加

光導波路付き基板10は導波路基板11上に形成されたアンダークラッド12と、アンダークラッド上に形成されたコア13と、アンダークラッド上にコアと同じ厚さで形成された高さ調整層14と高さ調整用クラッド15とを含んで構成される高さ調整用テラス17と、コア13上に形成されたオーバークラッド16とを具備している。 - 特許庁

The color filter substrate having at least a reflection display area part in a pixel and the color layer pinhole in at least one color of the pixel of the reflection display area part has a single color film area part formed by using the same material as that of the reflection display area part of the pixel in the area other than a display area on the color filter substrate.例文帳に追加

画素中に少なくとも反射表示領域部を有し、かつ該反射表示領域部の画素の少なくとも1色に色層ピンホールを有するカラーフィルター基板において、該カラーフィルター基板上の表示領域外に画素中の反射表示領域部と同一の材料で形成された単色膜領域部を有することを特徴とするカラーフィルター基板。 - 特許庁

The decorative panel for building in which the decorative panel with decorative veneer 6 bonded on the wooden substrate 5 is cut out so that it is extended to an upper layer of the substrate 5 from the decorative veneer 6 along its upper edge, and also the perpendicular cross-section forms a curved shape R protruding toward outside, and furthermore the curved shape forms approximately an ellipse shape.例文帳に追加

木質基板5上に化粧単板6が貼着された化粧板が、その上縁に沿って前記化粧単板6から前記木質基板5の上層に及ぶように、かつ、その垂直断面形状が外方に突出する曲面形状Rとなるように切除されているとともに、前記曲面形状が横長の楕円形状に近い建築用化粧板。 - 特許庁

The panel 10 is formed by filling an adhesive 14 between a substrate 11 and a top face protecting plate 13 so as to seal a photovoltaic cell module 12 in a state of arranging the transparent top face protecting plate 13, via the photovoltaic cell module 12 made of crystalline silicon, on the steel plate made substrate 11 provided with a resin bottom face adhesive layer 15 in a bottom face side.例文帳に追加

パネル10は、下面側に樹脂製の下面接着層15が設けられた鋼板製基板11上に、結晶系シリコン製の光電池モジュール12を介して透明な上面保護板13が配置された状態で、基板11及び上面保護板13間に接着剤14が光電池モジュール12を密封する態様に充填されることによって形成されている。 - 特許庁

To solve a problem of a conventional piezoelectric device manufacturing method in which characteristics of individual piezoelectric devices can not be measured until a multiple package substrate is slit and formed into the individual piezoelectric devices because it is required to interconnect external connection terminal electrodes by lead wires for forming a plated layer to the external connection terminal electrodes formed on the other principal side of each package region of the multiple package substrate.例文帳に追加

従来の圧電デバイスの製造方法において、集合容器体基板の各容器体領域の他方の主面に形成した外部接続用端子電極にメッキ層を形成するには、外部接続用端子電極間を導配線で接続させておく必要がある為、個々の圧電デバイスに切断形成するまで、個々の圧電デバイス毎の特性を測定することができない。 - 特許庁

The sintered nickel electrode 10 comprises a nickel metal porous body 11 having a three-dimensional mesh structure and an electrode substrate in which a nickel sinter layer 12 is formed on both sides of this metal porous body 11, and a nickel active material 13 made of mainly nickel hydroxide is impregnated and held in the pores of this electrode substrate by chemical impregnation method.例文帳に追加

本発明の焼結式ニッケル電極10は、三次元網目状構造を有するニッケル金属多孔体11と、このニッケル金属多孔体11の両面にニッケル結体層12が形成された電極基板を備えており、この電極基板の細孔内に水酸化ニッケルを主体とするニッケル活物質13が化学含浸法により含浸、保持されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter array having simplified manufacturing steps, particularly a method for manufacturing the color filter array substrate provided with an overcoat layer having a flat surface, and to provide a thin film patterning apparatus capable of performing the patterning step without using a photolithography step and capable of simplifying the manufacturing step and a method for manufacturing the color filter array substrate utilizing the same.例文帳に追加

本発明は、製造工程を単純化したカラーフィルタアレイ基板の製造方法、特に、平坦面を有したオーバーコート層を備えたカラーフィルタアレイ基板の製造方法、フォトリソグラフィ工程を使用せずにパターニング工程を行えると共に、製造工程の単純化を可能にした薄膜パターニング装置及びそれを利用したカラーフィルタアレイ基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

When this semiconductor device is mounted on an external substrate, the stress wave propagated to the junctions of conductor bumps immediately below the chip 2 from the periphery of the chip 2 due to the difference between the coefficients of linear expansion of the chip 2 and external substrate is relieved by the adhesive layer 8 extended outward beyond the outer periphery of the chip 2, and the shearing forces at the junctions are reduced.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置を外部基板に実装した場合、半導体チップ2と外部基板との線膨張係数差に起因して半導体チップの外縁からその直下に位置する導体バンプの接合部に伝播する応力波は、上記半導体チップ2よりも外側に延びた接着層8によって緩和され、該接合部におけるせん断力が低減される。 - 特許庁

In the shutter spectacles having shutter parts 101 and 102 and a driving part 103, the shutter part 101 includes a first substrate part 110a having a first transparent electrode 112a, a second substrate part 120a having a second transparent electrode 122a opposed to the first transparent electrode, and a first liquid crystal layer 130a provided between the first transparent electrode and the second transparent electrode.例文帳に追加

シャッタ部101,102と、駆動部103と、を備えたシャッタメガネにおいて、シャッタ部101は、第1透明電極112aを有する第1基板部110aと、第1透明電極に対向する第2透明電極122aを有する第2基板部120aと、第1透明電極と第2透明電極との間に設けられた第1液晶層130aと、を含む。 - 特許庁

例文

The halftone phase shift mask 100 having a transparent region 23 and a semitransparent region 24 comprising a phase shift pattern 21a is obtained by pattering a halftone phase shift mask blank 10 prepared by forming a semitransparent layer 21 comprising a metal silicide compound thin film containing zirconium, metal except for zirconium, and silicon, on a transparent substrate 11 consisting of a quartz glass substrate or the like.例文帳に追加

石英ガラス基板等からなる透明基板11上にジルコニウムと、ジルコニウム以外の金属と、シリコンとを含んだ金属シリサイド化合物薄膜からなる半透明膜層21を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス10をパターニング処理して、透明領域23と位相シフトパターン21aとからなる半透明領域24とを有するハーフトーン型位相シフトマスク100を得る。 - 特許庁




  
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