「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(719ページ目) - Weblio英語例文検索

Disclosed are the electro-optical device which uses a glass substrate as a base material and the manufacturing method therefor, wherein the hard coat layer containing at least one silane compound selected from a group of an alkyl silane compound, an alkoxy silane compound, an aryl silane compound, and an aryloxy silane compound is formed on a surface of the glass substrate, after or before assembling of the electro-optical device.例文帳に追加

ガラス基板を基材とした電気光学装置及びその製造方法において、電気光学装置を組み立てた後、あるいは組み立て前の段階に、ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物を含むハードコート層を形成する。 - 特許庁

The method includes subjecting a surface region of a semiconductor substrate to first multiple high energy particles generated using a linear accelerator and provided at a first implant angle to form a region of multiple gettering sites within a cleave region, the cleave region being provided beneath the surface region to define a material layer to be detached, and the semiconductor substrate being maintained at a first temperature.例文帳に追加

劈開領域内に複数のゲッタリングサイト領域を形成するために線形加速器を用いて生成され第１の注入角度で提供される第１の複数の高エネルギー粒子に半導体基板の表面領域をさらすことを含み、劈開領域は分離される材料の層を画定するよう表面領域の下に設けられ、半導体基板は第１の温度に維持される。 - 特許庁

This polarized organic electroluminescent device is formed by providing, at least a lower electrode, a luminescent layer, and an upper electrode on a substrate, and is characterized in that the lower electrode is stuck and made of metal films between a plurality of muscle-shaped parts formed by rubbing a polymer material against the substrate and the metal film is disposed as a micro wire structure having one-directional conductivity.例文帳に追加

基板上に、少なくとも下部電極、発光層及び上部電極を設けてなり、該下部電極は、該基板上に高分子材料を擦り付けることにより形成された複数の筋状部の間に、金属膜が付着形成され、一方向に導電性を有する微細配線構造として配設されていることを特徴とする偏光有機電界発光素子。 - 特許庁

A fading soln. prepared by adding a fading agent to a solvent is applied to a part of the colored metal oxide film formed on the surface of a transparent substrate and the coating layer is baked to form a fading film part having visible light permeability larger than that of the colored metal oxide film but smaller than that of the substrate itself to a part of the colored metal oxide film.例文帳に追加

透明基板表面に着色金属酸化物被膜が形成された該被膜の一部に、退色剤を溶媒中に添加した退色液を塗布し焼成することにより、該着色被膜部の一部に該着色被膜部の可視光線透過率よりも大きく、且つ基板自体の可視光線透過率よりも小さな可視光線透過率を有する退色被膜部を形成する。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

The forming method for conductive patterns includes a lipophilic-pattern forming process of forming a lipophilic pattern on the substrate which has on a base material an insulating layer containing inorganic particles and having a hydrophilic property, and includes a conductive-pattern forming process of so feeding a fluidic electrode material to the substrate, whereon the lipophilic pattern has been formed in the lipophilic-pattern forming process as to form a conductive pattern.例文帳に追加

基材上に、無機粒子を含有しかつ親水性を有する絶縁性層を有する基板上に、親油性パターンを形成する親油性パターン形成工程と、前記親油性パターン形成工程で親油性パターンが形成された基板に流動性電極材料を供給して導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程とを含む。 - 特許庁

A p-well region 9 is formed at a substrate surface layer section around a device formation region on a semiconductor substrate 1, and at the same time rings GFP and FP5 at the innermost- and outermost-periphery sides of a group 11 of field plate rings are electrically connected to gate and collector terminals, respectively, on a LOCOS oxide film 10 around the device formation region.例文帳に追加

半導体基板１でのデバイス形成領域の周囲における基板表層部にｐウェル領域９が形成されるとともに、デバイス形成領域の周囲のＬＯＣＯＳ酸化膜１０の上において、フィールドプレートリング群１１の最も内周側のリングＧＦＰがゲート端子と、最も外周側のリングＦＰ５がコレクタ端子と電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the interposer substrate 10 where the surface of the wiring sections 11, 12 and 13 are coated partially with the solder resist 15, and the semiconductor chip 20 mounted on the surface of the interposer substrate 10 through the solder resist 15 wherein an intermediate layer 40 having a thermal expansion coefficient between those of the semiconductor chip 20 and the solder resist 15 is interposed between them.例文帳に追加

配線部１１、１２、１３の表面の一部がソルダーレジスト１５にて被覆されたインターポーザ基板１０と、インターポーザ基板１０の表面にソルダーレジスト１５を介して搭載された半導体チップ２０とを備え、半導体チップ２０とソルダーレジスト１５との間に、熱膨張係数が半導体チップ２０とソルダーレジスト１５との中間の大きさである中間層４０が介在している。 - 特許庁

A substrate with a seed layer comprising a compound containing zinc and oxygen on the surface thereof is immersed in advance in an aqueous solution containing zinc ions as a zinc source and metal ions different from zinc ions as a dopant source respectively and adjusted to pH of ≥6, whereby a dopant-containing zinc oxide functional film is self-organizingly deposited on the substrate.例文帳に追加

亜鉛源として亜鉛イオンと、ドーパント源として亜鉛イオンとは異なる種類の金属イオンとをそれぞれ含みかつｐＨが６以上に調整された水溶液に予め亜鉛と酸素を含有する化合物からなるシード層が表面に存在する基材を浸漬することによって、基材上にドーパントを含んだ酸化亜鉛機能膜を自己組織的に析出させる。 - 特許庁

In an LED package where an LED chip 110 is mounted on a substrate 140 and which is sealed by a resin material 160 containing phosphor 150, a layer containing at least one kind or more functional groups selected from a group of alkoxyl group, epoxy group, phenyl group, alkyl group, and (meth)acrylic group is provided previously on the surface of the substrate coming into contact with the resin material.例文帳に追加

基板１４０上にＬＥＤチップ１１０を実装し、更に蛍光体１５０を含有する樹脂材料１６０で封止するＬＥＤパッケージにおいて、前記基板の前記樹脂材料と接触する表面に、アルコキシル基、エポキシ基、フェニル基、アルキル基、および（メタ）アクリル基からなる群から選択される少なくとも一種類以上の官能基を含む層を予め設ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonlinear optical element is characterized in that the nonlinear optical element having a substrate and the nonlinear optical material between a discharge electrode and a counter electrode is disposed, wherein the substrate is positioned on the counter electrode side and a protective layer is disposed between the discharge electrode and the nonlinear optical material with a specified interval, and that the corona discharge is carried out between the electrodes.例文帳に追加

放電電極と対向電極との間に、基板と非線形光学材料とを有する非線形光学素子を配置し、前記基板は前記対向電極側に位置し、前記放電電極と前記非線形光学材料との間に、所定の間隔をおいて保護層が設けられて、電極間でコロナ放電を行うことを特徴とする非線形光学素子の製造方法。 - 特許庁

The inkjet printhead comprises a passage forming substrate 110 having a pressure chamber, a piezoelectric actuator 140 formed in the upper section of the passage forming substrate 110 to supply a driving force for discharging an ink to the pressure chamber 111, and a damping layer 160 formed at least in the upper section of the piezoelectric actuator 140 to attenuate the residual vibration of the piezoelectric actuator 140.例文帳に追加

圧力チャンバを有する流路形成基板１１０と、この流路形成基板１１０の上部に形成されて、圧力チャンバ１１１にインクを吐出するための駆動力を供給する圧電アクチュエータ１４０と、少なくとも圧電アクチュエータ１４０の上部に形成されて、圧電アクチュエータ１４０の残留振動を減衰させるダンピング層１６０と、を備える。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: carrying a semiconductor substrate having a resist film formed with an altered layer on a surface thereof into a processing chamber; heating the semiconductor substrate, and increasing pressure in the processing chamber by introducing inactive gas into the processing chamber; and then introducing oxygen gas into the processing chamber and ashing the resist film by plasma of the oxygen gas.例文帳に追加

表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 - 特許庁

This method for forming a metal wiring of a semiconductor element comprises the steps of forming a gate oxide film on a semiconductor substrate 41 to form a conductive line on the gate oxide film, nitriding a surface in which the conductive line is exposed, and oxidizing the semiconductor substrate 41 containing the conductive line formed with a tungsten nitride layer 47 on the exposed surface.例文帳に追加

半導体素子の金属配線の形成方法は、半導体基板４１上にゲート酸化膜４２を形成し、そのゲート酸化膜４２上に導電性ラインを形成する段階と、前記導電性ラインの露出された表面を窒化処理する段階と、露出された表面に窒化層４７が形成された導電性ラインを含む半導体基板４１を酸化処理する段階とを備える。 - 特許庁

In the battery with a positive electrode 4, a negative electrode 6 and a nonaqueous electrolyte, at least either of the positive electrode 4 and the negative electrode 6 includes a conductive substrate and an active material layer formed on at least one surface of the conductive substrate and of which a surface area per cm^2 is 0.01 m^2 to 0.2 m^2.例文帳に追加

正極４と、負極６と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、前記正極４及び前記負極６のうち少なくとも一方の電極は、導電性基板と、前記導電性基板の少なくとも一方の面に形成され、１ｃｍ^2あたりの表面積が０．０１ｍ^2〜０．２ｍ^2である活物質含有層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A photoreceptor with a curable surface layer constituting an outermost surface is used as an electrophotographic photoreceptor, and a control electrode for controlling the surface potential of the electrophotographic photoreceptor between a corona discharge electrode of a corona charging means and the photoreceptor is composed of a substrate and an electrically conductive film containing electrically conductive particles and a binder on a surface of the substrate.例文帳に追加

電子写真感光体を最外表面を構成する硬化性表面層を有する感光体とし、コロナ帯電手段のコロナ放電電極と前記電子写真感光体の間に感光体の表面電位を制御する制御電極を、基材と該基材表面に導電性粒子及び結着材を含有する導電性被膜とを有する構成とする。 - 特許庁

A manufacturing method for an oxide superconductive wire material in which organic metallic compound is used as raw material and an oxide superconducting layer is formed by a coating pyrolysis method on a substrate, includes stacking a plurality of oxide superconducting layers having different optimum formal baking temperatures on the substrate in order of the baking temperature from highest to lowest.例文帳に追加

基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成する酸化物超電導線材の製造方法であって、本焼成最適温度がそれぞれ異なる複数の酸化物超電導層を、本焼成最適温度の高い酸化物超電導層から、順次、基板上に積層する酸化物超電導線材の製造方法。 - 特許庁

In a transparent substrate 11, a first transparent conductive layer 110 formed on the transparent substrate 11 is treated with a laser so that a first groove 115 can be formed like a U shape, and divided into electrically insulated first touch block 110A and first peripheral block 110B, and formed with first counter electrodes 112 and 114 and first counter conductors 116 and 118.例文帳に追加

透明基板１１については、透明基板１１の上に形成された第１透明導電層１１０にレーザ処理を行って第１溝１１５をコ字状に形成して、互いに電気的に絶縁された第１タッチ区１１０Ａと第１周辺区１１０Ｂとに分けられており、且つ、第１の対電極１１２、１１４及び第１の対導線１１６，１１８が形成してある。 - 特許庁

Material gas containing In is supplied to a GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus obtaining the amount of deposit heaped up at the center of a susceptor 1 by the material gas when the compound semiconductor layer containing In is formed on the GaAs substrate 11, and changing the amount of supply of In contained in the material gas according to the obtained amount of deposit.例文帳に追加

有機金属気相成長装置を用いて、Ｉｎを含む材料ガスをＧａＡｓ基板１１に供給することにより、Ｉｎを含む化合物半導体層をＧａＡｓ基板１１上に形成する際に、材料ガスによってサセプタ１の中央部に堆積した堆積物の量を求め、求められた堆積物の量に応じて、材料ガスが含むＩｎの供給量を変更する。 - 特許庁

The manufacturing method of the dried ceramic molded object includes a process for holding a ceramic molded object, which is composed of an unbaked or backed ceramic substrate formed of a ceramic raw material and the coating layer, which comprises a coating material containing a ceramic powder, formed on the outer periphery of the ceramic substrate, to 80°C in its surface temperature to dry the same to obtain the dried ceramic molded object.例文帳に追加

セラミック原料によって形成された未焼成又は焼成済のセラミック基体と、セラミック基体の外周上に形成された、セラミック粉末を含有するコート材からなるコート層とを備えたセラミック成形体を、その表面温度を８０℃以上に保持して乾燥させ、乾燥セラミック成形体を得ることを含む乾燥セラミック成形体の製造方法である。 - 特許庁

In particular, such substrate is impregnated or coated with a mixture of a peroxo-containing ceramic precursor and a colloidal conductive ultramicroparticle solution, and the ceramic precursor is crystallized to obtain an insulation structure in which the substrate has a volume resistivity of 10^8 to 10^12 Ωcm and the formed surface resistance layer has a surface resistivity of 10^7 to 10^11 Ω/square.例文帳に追加

即ち、基板にペルオキソ基を持つセラミックス前駆体とコロイド状の導電性超微粒子溶液の混合物を含浸または塗布し、前記セラミックス前駆体を結晶化させて、前記基板の体積比抵抗が１０^８〜１０^１２Ω・ｃｍであると共に表面比抵抗が１０^７〜１０^１１Ω／□である表面抵抗層を形成したことを特徴とする絶縁構造体である。 - 特許庁

A resistance electrode 94 constituting the sensor 90 is formed with a resistance material laminated on a substrate 92 in a linear portion 94a corresponding to the linear area and with a resistance material laminated on a conductive layer 95 composed of the conductive material formed on the substrate 92 in a stepped portion 94b corresponding to the stepped area.例文帳に追加

センサ９０を構成する抵抗電極９４は、リニア領域に対応するリニア部９４ａにおいては、基板９２上に抵抗物質が積層されて形成されており、段付領域に対応する段付部９４ｂにおいては、前記基板９２上に形成された導電性物質からなる導電層９５の上に前記抵抗物質が積層されて形成されている。 - 特許庁

In the transparent conductive laminate in which a transparent conductive layer is formed on at least one side of a transparent polymer substrate, the transparent polymer substrate contains an aliphatic polyester resin (A component) and a compound (C component) including at least a cyclic structure which has one carbodiimide group in which the first nitrogen and the second nitrogen are bonded by a bonding group.例文帳に追加

透明高分子基板の少なくとも一方の面に透明導電層が形成されてなる透明導電性積層体において、前記透明高分子基板が脂肪族ポリエステル系樹脂（Ａ成分）とカルボジイミド基を１個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造を少なくとも含む化合物（Ｃ成分）を含む。 - 特許庁

A cavity 24 is formed only in a region located between the gate electrode 14 and the contact plug 22 within the side of the gate electrode 14, and the stress insulation layer 23 is formed on a semiconductor substrate 10 to cover the gate electrode 14, and generates stress to a channel region located immediately below the gate electrode 14 in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ゲート電極１４の側方のうちゲート電極１４とコンタクトプラグ２２との間に位置する領域のみに空洞２４が形成されており、応力絶縁膜２３は半導体基板１０上にゲート電極１４を覆うように形成されており、半導体基板１０におけるゲート電極１４の直下に位置するチャネル領域に対して応力を生じさせる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting element and a substrate having a wiring pattern, and is characterized in that a surface of the substrate and/or wiring pattern right below the semiconductor light emitting element is covered with a light diffuse reflecting material-containing layer, the light diffuse reflecting material having a concentration of 30 to 70 wt.%.例文帳に追加

半導体発光素子と、配線パターンを有する基板とを含む半導体発光装置において、該半導体発光素子直下の該基板及び／または該配線パターンの表面が、光拡散反射材の濃度が３０重量％以上、７０重量％以下である光拡散反射材含有層で被覆されていることを特徴とする、半導体発光装置。 - 特許庁

A transmissive liquid crystal display device has, in each of a plurality of display pixels 1, a first transparent substrate 10 in which a first transparent electrode 13 is formed ; a second transparent substrate 20 in which a projected part 24 for the domain division and a second transparent electrode 23 are formed; and a liquid crystal layer 30 held between the first and second transparent substrates 10 and 20.例文帳に追加

本発明は、複数の表示画素１の各々に、第１の透明電極１３が形成された第１の透明基板１０と、配向分割用の突起部２４及び第２の透明電極２３が形成された第２の透明基板２０と、前記第１及び第２の透明基板１０，２０に挟まれた液晶層３０と、を備えた透過型の液晶表示装置である。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

According to the semiconductor device and a method of manufacturing the same, one of source/drain regions and a part of a channel region are provided on the top of an embedded oxide film formed on the top of a semiconductor substrate, and the other of the source/drain regions and the other part of the channel region are provided on the top of an Si epitaxial layer formed on the top of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子及びその製造方法は、ソース／ドレーン領域のうちいずれか一つとチャンネル領域の一部は半導体基板の上部に形成された埋込酸化膜の上部に備えられ、ソース／ドレーン領域のうち他の一つとチャンネル領域の残りは半導体基板の上部に形成されたＳｉエピタキシャル層の上部に備えられる。 - 特許庁

The liquid ejection head comprises a flexible substrate 100 on which a wiring pattern 102 for transmitting a drive signal to actuators 58 arranged two-dimensionally is formed wherein the end face 110 of the flexible substrate 100 is formed to make an oblique angle α against a wiring layer 104, and each wiring pattern 102 is taken out directly from the end face 110 and bonded to each individual electrode 57 of the actuator 58.例文帳に追加

２次元的に配列されるアクチュエータ５８に与える駆動信号を伝送する配線パターン１０２が形成されるフレキシブル基板１００は、その端面１１０が配線層１０４と斜め方向の角度αをなすように形成され、この端面１１０から各配線パターン１０２が直接取り出されてアクチュエータ５８の個別電極５７と接合される。 - 特許庁

A compound which has an average molecular weight of 350-5,000,000 and a residue capable of forming a hydrogen bond (hereinbelow referred to as a compound S) is added to a substrate to which the physiologically active substance has been immobilized through a hydrophilic high-molecular layer formed of a hydrophilic polymer to provide a substrate enhanced in the stability of the physiologically active substance.例文帳に追加

生理活性物質を、親水性高分子から形成される親水性高分子層を介して固定した基板に、平均分子量が３５０より大きく５００万より小さく、且つ、水素結合を形成しうる残基を有する化合物（以下、化合物Ｓとする）を上記基板に含有させることより生理活性物質の安定性を向上させた基板を提供できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical recording medium by which thickness distribution in the most peripheral part of a disk can be made good when a resin layer is formed on a disk type substrate for optical recording medium, while the medium can be formed good by improving applying characteristic and adhesive characteristic between resin layers when a plurality of ultraviolet curing resin is applied to the disk type substrate and resin layers are formed.例文帳に追加

光記録媒体用のディスク状基板に樹脂層を形成する際に、特にディスク最外周での厚み分布を良好にすることができると共に、複数の紫外線硬化性樹脂をディスク状基板に塗布して樹脂層を形成する際に、樹脂層同士の塗れ性や接着性を増して特に良好に形成することができる光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The capacitor type storage includes: a first conductive passage 21 and a second conductive passage 22 which are in parallel to each other; and a mixed layer 30 which is provided on the upper surface of the first conductive passage 21 and the upper surface of the second conductive passage 22 while having an insulating first substrate, a first conductive powder or first semiconductor powder dispersed in the first substrate.例文帳に追加

本発明にかかるキャパシタ型蓄電池は、互いに平行である第１導電路２１及び第２導電路２２と、第１導電路２１の上面及び第２導電路２２の上面それぞれに設けられ、絶縁性の第１基材と、第１基材中に分散された第１導電粉体または第１半導体粉体とを有する混合層３０とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The electrophotographic imaging member comprises a substrate, a charge generating layer containing photogenerating particles selected from a group of hydroxygallium phthalocyanine, alkoxygallium phthalocyanine and a mixture of these dispersed in a polymer binder, and a charge transfer layer containing a charge transfer material, a film forming binder and an additive selected from among a group of triethanolamine, morpholine, imidazole and mixtures of these.例文帳に追加

電子写真イメージング部材は、基板と、ポリマーバインダ中に分散されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、アルコキシガリウムフタロシアニン及びそれらの混合物からなる群から選択される光産生粒子を含む電荷発生層と、電荷輸送材料と、膜形成バインダと、トリエタノールアミン、モルホリン、イミダゾール及びそれらの混合物からなる群から選択される添加剤と、を含む電荷輸送層と、を備える。 - 特許庁

In a thermal recording body, having a recording layer containing leuco dye and a developer on a substrate, the polycondensation of phenolic compound, having 4-hydroxy benzoic acid benzyl ester, p-tert-buthyl phenol and 4,4'-isopropylidendiphenol, and aldehyde compound is contained in the recording layer as the developer as one of means to realize the purpose.例文帳に追加

支持体上に、ロイコ染料と呈色剤を含有する記録層を有する感熱記録体において、上記の課題を解決するための一つの手段として、本発明は、記録層中に呈色剤として４−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステルと、ｐ−tert−ブチルフェノールおよび４，４’−イソプロピリデンジフェノールを有するフェノール性化合物とアルデヒド化合物との重縮合物とを含有させるものである。 - 特許庁

The abrasive fixing double-sided pressure-sensitive adhesive sheet includes a pressure-sensitive adhesive layer (a) and a pressure-sensitive adhesive layer (b) provided on one face of a plastic substrate and on another face thereof, respectively.例文帳に追加

プラスチック基材の一方の面に感圧接着剤層（ａ）が、もう一方の面に感圧接着剤層（ｂ）がそれぞれ設けられてなる研磨材固定用両面感圧接着シートであって、感圧接着剤層（ａ）の、４０℃における緩和弾性率の時間依存性を表す近似直線である下記式（１）において、Ａが−０．５０〜−０．２０であることを特徴とする研磨材固定用両面感圧接着シート。 - 特許庁

Further, the porous oxide semiconductor layer is installed in a position excluding a metal wiring 14 formed on a first substrate 11 constituting the first electrode, and the first electrode has a region α arranged with the metal wiring protruded to the outer face side of the first electrode compared with a region β arranged mainly with the porous oxide semiconductor layer.例文帳に追加

さらに、前記多孔質酸化物半導体層は主に、前記第一電極を構成する第一基材１１上に形成された金属配線１４を除く位置に設けられており、前記第一電極は、前記金属配線の配された領域αが、前記多孔質酸化物半導体層が主に配された領域βに比べて、当該第一電極の外面側に突出している。 - 特許庁

In the apparatus for removing a photoresist, the photoresist pattern layer of each photoresist laminate unnecessitated after the etching of the photoresist laminate with the photoresist pattern layer formed on a substrate is removed with ozonized water produced by separating raw water and gaseous ozone using a gaseous ozone permeation membrane being gas- permeable but liquid-impermeable and dissolving gaseous ozone in the raw water.例文帳に追加

基盤上にフォトレジストパターン層が形成された、フォトレジスト積層体を、エッチング処理した後、不要となった前記積層体のフォトレジストパターン層を、オゾン水を用いて除去するフォトレジスト除去装置であって、上記オゾン水は、原料水とオゾンガスとを気体のみを通し液体の透過を阻止するオゾンガスを溶け込ますようにして生成することを特徴とするフォトレジスト除去装置。 - 特許庁

Then, an annealing process is performed, where the cathode and anode electrodes 6, 7 are annealed by applying laser beams LB of monochromatic light as light having energy smaller than the band gap energy of the multilayer semiconductor layer 10 from the other surface side of the transparent crystal substrate 1 to the cathode and anode electrodes 6, 7 through the multilayer semiconductor layer 10 as shown in Fig.1(d).例文帳に追加

その後、図１（ｄ）に示すように、透明結晶基板１の他表面側から多層半導体層１０のバンドギャップエネルギよりも小さなエネルギの光として単色光のレーザ光ＬＢを多層半導体層１０を通してカソード電極６およびアノード電極７それぞれに照射することでカソード電極６およびアノード電極７をアニールするアニール工程を行う。 - 特許庁

In this method for manufacturing the wire grid polarizer 60 including on a substrate, many approximately-parallel and linear metal projections 9a, and a protection layer 29a for covering the metal projections 9a, a hollow part 9b is formed between each metal projection 9a, while depositing obliquely the protection layer 29a on the metal projections 9a.例文帳に追加

ワイヤーグリッド偏光子６０の製造方法において、基板上に多数の略平行な直線状の金属突起体９ａと、金属突起体９ａを覆う保護層２９ａと、を有するワイヤーグリッド偏光子６０の製造方法において、金属突起体９ａ上に保護層２９ａを斜方成膜しつつ、金属突起体９ａ同士の間に空洞部９ｂを形成する。 - 特許庁

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.例文帳に追加

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁

In the cathode for hydrogen generation, in which a catalytic layer is formed on a cathode substrate, the catalytic layer contains at least three components of platinum, cerium and lanthanum as indispensable components, in the amounts of 50 to 98 mol%, 1 to 49 mol% and 1 to 49 mol%, respectively, in the form of metal, metal oxide or metal hydroxide.例文帳に追加

陰極基体上に、触媒層を形成した水素発生用陰極において、前記触媒層が、白金、セリウム、ランタンの少なくとも3成分を必須成分とし、これらを金属、金属酸化物又は水酸化物を、順に５０モル％〜９８モル％、１モル％〜４９モル％及び１モル％〜４９モル％で有することを特徴とする水素発生用陰極。 - 特許庁

The tape for semiconductor processing has an adhesive layer on at least one side of a substrate, provided that the adhesive layer contains 5-20 pts.wt. fumed silica having an average particle size of from 7 nm to 2 μm based on 100 pts.wt. photocurable adhesive.例文帳に追加

真空加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤１００重量部に対して平均粒子径が７ｎｍ〜２μｍであるフュームドシリカを５〜２０重量部含有する粘着剤層を有するものである半導体加工用テープである。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

The planar electrode for an organic electronic device comprising, on a substrate, a conductive thin metal line pattern containing metal nanoparticles, and a conductive-polymer-containing layer on the thin metal line pattern is characterized in that the conductive-polymer-containing layer contains at least a conductive polymer and a corrosion inhibitor and is laminated on the thin metal line pattern.例文帳に追加

基材上に、金属ナノ粒子を含む導電性の金属細線パターンと該金属細線パターン上に導電性ポリマー含有層とを有する有機電子デバイス用面状電極において、該導電性ポリマー含有層は少なくとも導電性ポリマーと腐食防止剤とを含有し、かつ該金属細線パターン上に積層されていることを特徴とする有機電子デバイス用面状電極。 - 特許庁