「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(720ページ目) - Weblio英語例文検索

The original printing plate for the lithographic printing plate is characterized by comprising at least (A) an infrared absorbent, (B) a polymerization initiator, and (C) a polymerizable compound on a substrate having a hydrophilic surface, providing an image recording layer removable with a printing ink and/or a dampening water, and providing a protective layer comprising a water-soluble vinyl pyrrolidone copolymer with a vinyl pyrrolidone component thereon.例文帳に追加

親水性表面を有す支持体上に、少なくとも（Ａ）赤外線吸収剤、（Ｂ）重合開始剤、（Ｃ）重合性化合物を含有し、印刷インキ及び／又は湿し水により除去可能な画像記録層を設け、その上にビニルピロリドン成分を有する水溶性ビニルピロリドン系共重合体を含有する保護層を設けたものであることを特徴とする平版印刷版原版。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the gate electrodes of adjacent transistors which are formed on the silicon semiconductor substrate 1; an embedded metal layer 7 which is embedded between the transistors, with one end of each of the gate electrodes 9 and 10 so arranged as to overlap the end face of the metal layer via a gate insulation film 8; and LDD regions 16 and 17 formed on the other end side of each gate electrode.例文帳に追加

シリコン半導体基板１上に形成された隣り合うトランジスタのゲート電極と、トランジスタ間に金属層を埋め込んでなり、各ゲート電極９，１０の端部がゲート絶縁膜８を介して金属層の端面に重なるように配置された埋め込み金属層７と、各ゲート電極の他端部側に形成されたＬＤＤ領域１６，１７とを備える。 - 特許庁

A heat-sensitive recording material is provided with a colored layer containing at least a substantially colorless coloring component A and a substantially colorless coloring component B to be colored by the reaction with the coloring component A and formed on a substrate, and a polyvinyl alcohol of 55-90 molar % isotacticity based on the dyad convention and 85 molar % or more saponification degree is contained in the coloring layer.例文帳に追加

支持体上に少なくとも実質的に無色の発色成分Ａとこの発色成分Ａと反応して発色する実質的に無色の発色成分Ｂとを含有する発色層を有する感熱記録材料において、発色層にダイアツド表示によるアイソタクテイシテイが５５モル％〜９０モル％、鹸化度が８５モル％以上のポリビニルアルコールを含有させる。 - 特許庁

For the organic electronic device, having an organic LED element 4 and non-linear elements 1, 3 controlling the current flowing into the above on a substrate 100, the non-linear element has a structure of holding a metal layer 103 between organic layers 102, 104, and constructed so that a part of current flows between the organic layers 102, 104, through the metal layer 103.例文帳に追加

基板１００上に、有機ＬＥＤ素子４と、これに流れる電流を制御する非線型素子１及び３を有する有機電子デバイスにおいて、この非線型素子が、金属層１０３を有機層１０２，１０４で挟持した構造を有し、一部の電流がこの金属層１０３を通して有機層１０２，１０４の間を流れるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

A static charge which is injected in the substrate 100 via the pad 170 is chiefly discharged through a first discharge route 190, and a second discharge route 192 which goes via a silicide layer 130 little functions as a discharge route as the contact resistance value between the layer 130 and the region 114 is higher than the resistance value of the region 114.例文帳に追加

パッド１７０より注入される静電気の電荷は、第１の放電経路１９０を主に経由して放電され、シリサイド層１３０を経由する第２の放電回路１９２は、シリサイド層１３０と第１の拡散領域１１４との接触抵抗値が、第１の拡散領域１１４の抵抗値よりも大きいため、放電経路としてほとんど機能しない。 - 特許庁

The degradation in oxygen permeability after retort processing and the occurrence of delamination etc. are controlled by forming an inorganic oxide deposition layer 2 at least in one surface of a substrate film 1 and adding a water soluble or water dispersant curing agent having a reactive functional group to an existing gas barrier composition so that heat resistance and adhesion of a barrier coat layer 3 in a gas barrier laminated film A are enhanced.例文帳に追加

基材フィルム１の少なくとも一方の面に無機酸化物蒸着層２を設け、既存のガスバリア性組成物に反応性官能基を有する水溶性または水分散性硬化剤を添加することによって、ガスバリア性積層フィルムＡ中のバリアコート層３の耐熱性、密着性を向上させ、レトルト処理後の酸素透過度の劣化を抑え、デラミ等の発生を抑える。 - 特許庁

Further, after the laminated film of the transfer film is formed by transferring so as to abut the inorganic pigment layer on a substrate and the resist layer is subjected to exposure processing, a resist pattern is manifested by carrying out development processing, an inorganic pigment pattern and a phosphor pattern corresponding to the resist pattern are formed, and firing processing is carried out, thereby simply and efficiently forming the inorganic pattern.例文帳に追加

また、前記転写フィルムの積層膜を、基板上に無機顔料層が当接するように転写して形成し、レジスト層を露光処理した後、現像処理してレジストパターンを顕在化させ、該レジストパターンに対応する無機顔料パターンおよび蛍光体パターンを形成し、焼成処理することにより、無機パターンを簡便かつ効率的に形成することができる。 - 特許庁

The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加

透明基板２０上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層２６と、前記透明半導体層２６に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極２８及び透明ドレイン電極３０と、透明ゲート電極２２と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁

The liquid crystal panel 400 has a liquid crystal layer 410 for forming a liquid crystal cell 402 for displaying a pixel forming each of the two images, liquid crystal substrates 420 and 430 for sandwiching the liquid crystal layer 410, polarizers 450 and 460 for sandwiching the liquid crystal substrate 410, and an image splitter 440 for displaying the two images by shielding a part of light from the light source.例文帳に追加

液晶パネル４００は、２つの画像のそれぞれを形成する画素を表示するための液晶セル４０２が形成された液晶層４１０と、液晶層４１０を挟み込む液晶基板４２０，４３０と、液晶基板４１０を挟み込む偏光板４５０，４６０と、光源からの光の一部を遮蔽して２つの画像を表示させるためのイメージスプリッタ４４０を有している。 - 特許庁

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30.例文帳に追加

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。 - 特許庁

To obtain sufficient reflectance (further satisfactory recording characteristics) when recording or reproduction of information is performed at a coloring matter containing recording layer positioned on the side far from the light incident side or recording or reproduction of information is performed at the coloring matter containing recording layer by making the light incident from the back side of a substrate, in an optical recording medium having a plurality of coloring matter containing recording layers.例文帳に追加

複数の色素含有記録層を有する光記録媒体において、光を入射させる側から遠い側に位置する色素含有記録層の情報の記録又は再生に際し、又は、基板の反対側から光を入射させて色素含有記録層の情報の記録又は再生を行なうに際し、十分な反射率（さらに良好な記録特性）が得られるようにする。 - 特許庁

In the light diffusible sheet formed with the light diffusing layer consisting of a resin film layer having a fine rugged shape at least on one side surface of a transparent substrate, the haze value of the light diffusible sheet is 40% or more, and the image definition measured with an optical comb having 0.5 mm width in JIS K7105 is 35 or more.例文帳に追加

透明基板の少なくとも片面に、表面に微細凹凸形状を有する樹脂皮膜層からなる光拡散層が形成されている光拡散性シートにおいて、当該光拡散性シートのヘイズ値が４０％以上であって、かつＪＩＳ Ｋ７１０５における０．５ｍｍ幅の光学くしで測定した像鮮明性が３５以上であることを特微とする光拡散性シート。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

In this electrophotographic photoreceptor provided, on a conductive substrate, with a photosensitive layer containing at least a titanyloxyphthalocyanine compound as a photoconductive material, the photosensitive layer contains an orthophthalodinitrile pentamer and the molar ratio of orthophthalodinitrile pentamer to titanyloxyphthalocyanie is 100-300 mmol to 1 mol.例文帳に追加

導電性基体上に感光層を有し、該感光層が少なくとも光導電材料としてのチタニルオキシフタロシアニンを含有する電子写真用感光体において、前記感光層がオルトフタロジニトリル５量体を含有し、前記チタニルオキシフタロシアニンを含有する層における該オルトフタロジニトリル５量体の含有量が、該チタニルオキシフタロシアニン１ｍｏｌに対して１００ｎｍｏｌ以上３００ｍｍｏｌ以下である。 - 特許庁

The gate electrode lamination structure is one on a substrate of a semiconductor device provided with a gate conductor having at least one layered polysilicon 3 and a layer 4 of at least one layered poly Si_1-xGe_x material, and the structure can be effectively etched because an end point can be detected by etching the polysilicon 3 and the layer 4 of the poly Si_1-xGe_x material.例文帳に追加

少なくとも１層のポリシリコン３と少なくとも１層のポリＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ材料の層４とを有するゲートコンダクタを備える半導体デバイスの基板上のゲート電極積層構造であり、ポリシリコン３とポリＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ材料の層４のエッチングにより、終点検出が可能であるため、上記構造を効果的にエッチングすることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

On the organic electroluminescent display device of the color filter conversion device, mainly a color conversion layer, a first photoresist, and a second photoresist are arranged on a substrate, and a first organic light emitting unit is formed on a vertical extension position of the second photoresist, further, a second organic light emitting unit is formed on the vertical extension position of the first photoresist, the second photoresist, and the color conversion layer.例文帳に追加

前記カラーフィルタ変換装置の有機電界発光表示装置は、主として、カラー変換層と、第１フォトレジスト及び第２フォトレジストとを基板上に配置しかつ第２フォトレジストの垂直延長位置の上に第１有機発光ユニットを設けた後、さらに、第１フォトレジストと、第２フォトレジストと、カラー変換層の垂直延長位置の上に第２有機発光ユニットを設ける。 - 特許庁

The light-emitting substrate 1003 comprises a picture element region 110 that has a bank region 220 and a light-emitting region 230 divided by the bank region 220, a landing accuracy testing region 210 provided other than the picture element region 110, a function layer provided in the light-emitting region 230, and a landing accuracy testing layer 226 provided in the landing accuracy testing region 210.例文帳に追加

本発明の発光用基板１００３は、バンク領域２２０およびバンク領域２２０によって区画された発光領域２３０を有する画素領域１１０と、画素領域１１０以外に設けられた着弾精度試験用領域２１０と、発光領域２３０に設けられた機能層と、着弾精度試験用領域２１０に設けられた着弾精度試験用層２２６と、を備える。 - 特許庁

A plastic film substrate 1 in this invention comprises a coloring layer 3 formed on the surface of a film 2 transparent to a light in a visible range, wherein a plurality of an aperture part 4 is formed as a matrix by selectively removed by a laser light on the coloring layer 3 and a part of the surface of the plastic film 2 is made an exposed surface 5 by these of the aperture part 4.例文帳に追加

本発明のプラスチックフィルム基板１は、可視光域の光に対して透明なプラスチックフィルム２の表面に着色層３が形成され、この着色層３には、レーザ光により選択除去してなる開口部４が複数、マトリックス状に形成され、これらの開口部４によりプラスチックフィルム２の表面の一部が露出面５とされていることを特徴とする。 - 特許庁

A TFT 9 which is connected to a gate electrode 2 and a data electrode 3 formed in a grid shape and which is arranged at each grid, an inter-layer insulating film 10 which is formed on the TFT 9 and penetrated by a contact hole 12 and a detection electrode 11 which is disposed on the inter-layer insulating film 10 and penetrates the contact hole 12 are formed on an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁性基板１上には、格子状に形成されたゲート電極２およびデータ電極３に接続され、格子毎に設けられたＴＦＴ９と、ＴＦＴ９上に形成され、コンタクトホール１２が貫通した層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０上に配され、コンタクトホール１２を貫通する検出電極１１とが形成されている。 - 特許庁

To provide a nonwoven fabric solving the alignment deviation caused by the formation of skin layer and core layer in a conventional liquid crystal resin fiber, suppressing partial fibrillation, and suitable e.g. as a substrate of a printed circuit board made of a liquid crystal resin fiber resistant to the lowering of strength in fibrillation, and having excellent strength and high-temperature dimensional stability and extremely small compressive deformation.例文帳に追加

従来の液晶性樹脂繊維のスキン層コア層形成による配向偏在を解決し、部分的なフィブリル化を抑制し、かつフィブリル化させた場合に、強度低下などが起こりにくい液晶性樹脂繊維から形成した強度や高温での寸法安定性に優れ、圧縮変形量の極めて少ない回路基板基材などに好適な不織布を提供するものである。 - 特許庁

In an IC mount region 60 of an element substrate 10, wide light shield patterns 63 which form parallel stripes and an insulating layer 64 for short-circuit prevention which covers the surface sides of those light shield patterns 63 are formed in an area overlapping with an IC 4 in a plane, and a narrow inspection pattern 69 is formed on the surface of the insulating layer 64 for short-circuit prevention.例文帳に追加

素子基板１０のＩＣ実装領域６０において、ＩＣ４と平面的に重なる領域には、ストライプ状に並列する幅広の遮光パターン６３と、これらの遮光パターン６３の表面側を覆う短絡防止用絶縁層６４とが形成され、短絡防止用絶縁層６４の表面には、幅の狭い検査パターン６９が形成されている。 - 特許庁

In the color filter composed of a substrate and a plurality of pixels consisting of a black matrix and a colored layer, and used for the transreflective liquid crystal display device, the pixel includes a light transmission region and a reflective region in one pixel, where the colored layer includes the cutout part in the reflective region, and a part of the cutout part is on the black matrix.例文帳に追加

本発明における半透過・半反射型の液晶表示装置用カラーフィルタは、基板と、ブラックマトリクスと着色層からなる複数の画素から構成されるカラーフィルタにおいて、前記画素が一画素内に光透過領域と光反射領域を有し、該光反射領域において着色層が欠落部を有し、該欠落部の一部がブラックマトリクスにかかることを特徴とする。 - 特許庁

The exposed photoresistor is developed, and the vacuum-deposited two layers of gold (platinum) and titanium (chromium) around the patterned photoresistor are etched in order, and then the desired pattern surface is made smooth by etching the glass surface, and after removing titanium (chromium) and gold (platinum), a nickel plating layer is laminated on a glass substrate, and the nickel plating layer is released from a mold to produce a master.例文帳に追加

露光された前記フォトレジスタを現像し、２層に真空蒸着されたゴールド（白金）、チタニウム（クロム）をパターニングされたフォトレジスタを中心に順次にエッチングした後、ガラス表面をエッチングして所望のパターン表面を滑らかにし、チタニウム（クロム）、ゴールド（白金）を除去してからガラス基板にニッケル鍍金層を積層し、ニッケル鍍金層を離型させてマスターを製作する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which can improve the leading-out efficiency of a light to the outside, and the external differential quantum efficiency of a green system semiconductor light emitting element using GaP semiconductor, by a method wherein, after a light emitting layer forming part is grown without using a GaP substrate of low light transmissivity, a GaP layer is subjected to liquid growth in another process.例文帳に追加

光の透過率の低いＧａＰ基板を利用しないで、発光層形成部を成長した後、さらに別の工程でＧａＰ層を液相成長することにより、外部への光の取出し効率を向上させ、ＧａＰ半導体を用いた緑色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁

At least a part of the resistance 220 includes a film-like conductive layer 17 formed of a conductive material, which is formed directly or indirectly on one main surface of the substrate area 21 of the semiconductor snubber 200, and when current is carried to the resistance 220, at least a part of the route of current to the conductive layer 17 flows in a direction other than the film thickness direction.例文帳に追加

抵抗２２０の少なくとも一部が、半導体スナバ２００の基板領域２１の一主面上に直接的にもしくは間接的に形成された、導電性材料からなる膜状の導電層１７を含み、かつ、抵抗２２０に電流が流れる際に、導電層１７に流れる電流の経路の少なくとも一部が、膜厚方向以外の方向へ流れる。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

This medium is provided with: a plurality of ferromagnetic dots 6 arranged separately on a soft magnetic layer 4 formed on a non-magnetic substrate 2; and a carbon layer 8 which is formed on respective ferromagnetic dots and has a smooth cross sectional film surface shape through the center of the ferromagnetic dot, and the film thickness of which decreases gradually toward an outer circumference from the center of the ferromagnetic dot.例文帳に追加

非磁性基板２上に形成された軟磁性層４上に分離して配列された複数の強磁性体ドット６と、それぞれの強磁性体ドット上に形成され強磁性体ドットの中心を通る断面における膜面形状が滑らかで強磁性体ドットの中心から外縁に向かって徐々に減少する膜厚を有するカーボン層８と、を備えている。 - 特許庁

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium.例文帳に追加

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。 - 特許庁

The method and apparatus reduce the metal oxides and form a solder joint within a substrate comprising a layer having a plurality of solder bumps by providing one or more energizing electrodes and exposing at least a portion of the layer and solder bumps to the energizing electrodes.例文帳に追加

複数の半田バンプを有する層を含む基材において金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置であって、１つ又は複数の通電電極を用意し、前記層及び半田バンプの少なくとも一部を前記通電電極にさらすことによって金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置が提供される。 - 特許庁

The process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser comprises a step for forming a plurality of semiconductor layers composed of a group III nitride based compound semiconductor on a substrate, a step for forming an electrode narrower than the semiconductor layer on the surface thereof, and a step for forming a ridge by etching the semiconductor layer using the electrode as a mask.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法において、基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、前記半導体層よりも狭い幅を有する電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体層をエッチングし、リッジ部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The electrode 1 is produced by forming a conductive layer 3 containing platinum particles containing nano-platinum particle as the main component and a conductive binder containing a conductive polymer such as poly(3,4-ethylenedioxithiophene) binding the platinum particles on a substrate 2, and forming gaps communicating with the surface 3a of the conductive layer 3 between the platinum particles.例文帳に追加

主成分としてナノ粒子状の白金粒子を含む白金粒子とこの白金粒子を結着するポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等の導電性高分子を含有する導電性バインダとを含んでなる導電層３が基板２上に形成されてなり、白金粒子間には導電層３の表面３ａに連通する空隙が形成されている電極１を提供する。 - 特許庁

In the thermal recording material having a thermal recording layer on a substrate, the thermal recording layer contains composite particulates obtained by dispersing by emulsification a solution of precursors of electron donating dye and an electron accepting coloring agent as solutes with a polyvalent isocyanate compound alone as a solvent in a water solution and by making then the polyvalent isocyanate compound react.例文帳に追加

支持体上に感熱記録層を有する感熱記録材料において、感熱記録層中に、多価イソシアネート化合物のみを溶媒とし電子供与性染料の前駆体と電子受容性呈色剤の前駆体とを溶質とする溶液を水溶液中に乳化分散後、多価イソシアネート化合物を反応させることにより得られた複合微粒子を含有せしめた感熱記録材料。 - 特許庁

The manufacturing method for the contact pin for the electrical test, which is characterized by being made of porus metal, is desired to have metal coating process for providing a metal coating on a substrate, resist layer forming process, patterning process, porus metal filling process, resist layer removing process and porus metal removing process.例文帳に追加

多孔質金属からなることを特徴とする電気テスト用コンタクトピンであり、その製造方法としては、基板上に金属被覆膜を設ける金属被覆工程、レジスト層形成工程、パターニング工程、多孔質金属充填工程、レジスト層除去工程、多孔質金属部分離工程を有することを特徴とする電気テスト用コンタクトピンの製造方法が好ましい。 - 特許庁

To provide a method for producing a kraft paper adhesive tape which does not affect the polyethylene based resin layer provided on the opposite side of a substrate in heating the adhesive tape to form fine cells in the adhesive layer and has the surface agreeable to the touch and also excels in the handling without curing of the adhesive tape in rewinding the roll-wound adhesive tape in use.例文帳に追加

粘着テープを加熱し、粘着剤層に微細な気泡を形成する際に、基材の反対面に設けられているポリエチレン系樹脂層に実質的に影響を与えることがなく、表面の触感がよく、且つ、巻重された粘着テープを巻戻して使用する際に、粘着テープのカールがない取扱性に優れたクラフト紙粘着テープの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting element excellent in both productivity and light emitting property by a method of forming a uniform crystal film on a substrate in a short time period to grow a group III nitride semiconductor excellent in crystallinity with a high crystal density on an intermediate layer as a buffer layer or the like.例文帳に追加

基板上に、均一性の良い結晶膜を短時間で成膜することが可能な方法で、バッファ層のような中間層上に結晶性及び結晶の稠密性がともに良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for controlling the surface topography of an adhesion plane comprises a step in which a microreplicated topography is formed from contacting a microembossed pattern to a layer of an adhesive so that the topography of the adhesive surface controls the performance of the adhesion interface when the adhesion interface is established between the layer of an adhesive and a supporting substrate.例文帳に追加

接着面の表面形態を制御する方法であって、接着剤層と支持基材との問に接着界面が確立されると、接着面の表面形態がその接着剤と前記支持基材との間の接着界面の性能を制御するように、微細エンボスパターンを接着剤層に接触させて、微細複製接着面を形成するステップを含む方法を開示する。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

In this inkjet recording material wherein at least one ink accepting layer mainly containing inorganic particulates is provided on a substrate, the ink accepting layer contains a cationic polymer (A) wherein an acid adduct of a primary to tertiary amine is provided as a cationic group, and a cationic polymer (B) wherein a quaternary ammonium group is provided as a cationic group.例文帳に追加

支持体上に、無機微粒子を主体に含有するインク受容層を少なくとも１層有するインクジェット記録材料において、前記インク受容層が、カチオン性基として１〜３級アミンの酸付加物を有するカチオン性ポリマー（Ａ）と、カチオン性基として４級アンモニウム基を有するカチオン性ポリマー（Ｂ）とを含有することを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

When the optical recording medium is manufactured in which medium information can be recorded, erased, and reproduced by irradiating a recording layer formed on a substrate with a light beam and is recorded and erased by phase change between an amorphous phase and a crystal phase, the recording layer is manufactured by sputtering and sputtering gas contains at least hydrogen.例文帳に追加

基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体を製造する際において、記録層をスパッタリング法で製造し、かつそのスパッタリングガスが少なくとも水素を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A membrane electrode composite including: an anode; and a cathode on both sides of an electrolyte membrane, the cathode being made of an electrode substrate and a catalyst layer, the catalyst layer including at least metallic and metal bearing particles and polymer binder, wherein the content of the metallic and metal bearing particles is 80 to 95% by weight.例文帳に追加

電解質膜の両側にアノード電極とカソード電極を具備する膜電極複合体であって、前記カソード電極は電極基材と触媒層からなり、前記触媒層が少なくとも金属粒子および金属担持粒子とポリマーバインダーからなり、前記金属粒子および金属担持粒子含量が８０〜９５重量％であることを特徴とする膜電極複合体である。 - 特許庁

In the optical recording medium having a recording layer formed on a substrate, at least one kind of organic dyestuff having 500 to 650 nm maximum absorption wavelength of a film absorption spectrum and at least one kind of organic dyestuff having 660 to 720 nm maximum absorption wavelength of a film absorption spectrum are mixed into the recording layer.例文帳に追加

基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、該記録層中少なくとも１種、膜の吸収スペクトル最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍである有機色素と更に少なくとも１種、膜の吸収スペクトル最大吸収波長が６６０〜７２０ｎｍである有機色素を混合してなる記録層であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

(1) The WORM type optical recording medium has a structure wherein at least a photocatalyst layer consisting of a material showing photocatalytic activity and an organic material layer whose main absorption band when no recording is performed exists on a long wavelength side of the recording and reproducing wavelength and which has no absorption function to light having recording and reproducing wavelength are adjacently laminated on a substrate in this order or in the reverse order.例文帳に追加

（１）基板上に、少なくとも、光触媒活性を示す材料からなる光触媒層と、未記録時の主吸収帯が記録再生波長に対して長波長側に存在し、かつ記録再生波長の光に対して吸収機能を有しない有機材料層とが、この順又は逆順に隣接して積層された構造を有する追記型光記録媒体。 - 特許庁

In the method for manufacturing the wire grid polarizer 60 having many, almost parallel, straight-line and metallic projected bodies 9a on a substrate and a protection layer 29a for covering the metallic projected bodies 9a, a cavity part 9b is formed between the adjacent metallic projected parts 9a while obliquely forming the protection layer 29a on the metallic projected bodies 9a.例文帳に追加

ワイヤーグリッド偏光子６０の製造方法において、基板上に多数の略平行な直線状の金属突起体９ａと、金属突起体９ａを覆う保護層２９ａと、を有するワイヤーグリッド偏光子６０の製造方法において、金属突起体９ａ上に保護層２９ａを斜方成膜しつつ、金属突起体９ａ同士の間に空洞部９ｂを形成する。 - 特許庁

On the respective polarity inversion regions 12A and 12B of the semiconductor substrate 11, a first HFET 10A including a first active layer 14A and a second HFET 10B including a second active layer 14B, each of which includes a III-V nitride semiconductor, are formed separately from each other, wherein the HFETs 10A and 10B are electrically connected by wiring 22.例文帳に追加

半導体基板１１における各極性反転領域１２Ａ、１２Ｂの上には、それぞれがIII-Ｖ族窒化物半導体からなる、第１の活性層１４Ａを含む第１のＨＦＥＴ１０Ａと、第２の活性層１４Ｂを含む第２のＨＦＥＴ１０Ｂとが互いに独立して形成されており、各ＨＦＥＴ１０Ａ、１０Ｂ同士は配線２２により電気的に接続されている。 - 特許庁