「surface step」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A bending punch 25 comprises a projected line 28 extending in a direction orthogonal to a paper surface and a plane surface 30 extending from the projected line 28 through a step part 29.例文帳に追加

曲げパンチ２５は、紙面と直交する方向に延びる突条２８と、突条２８から段部２９を経て延びる平面３０を有する。 - 特許庁

A step 45 is formed on the center in the longitudinal direction, of the central portion 43a by the first split surface 41 and the second split surface 42.例文帳に追加

第１の分割面４１及び第２の分割面４２によって、中央部４３ａの長さ方向の中央には、段差４５が形成される。 - 特許庁

A ridge filter element 32 of the ridge filter 24 is equipped with each step-shaped structure on both a surface on the beam upstream side and on a surface on the beam downstream side.例文帳に追加

リッジフィルタ２４のリッジフィルタ要素３２は、ビームの上流側の面とビーム下流側の面において、共に階段状の構造を備える。 - 特許庁

Projection of ink is suppressed by a first surface energy region 12b as a liquid-repellent surface and the step, and an edge of a pattern can be accurately formed.例文帳に追加

撥液面である第１の表面エネルギー部１２ｂと、段差によってインクのはみ出しが押さえられ、パターンのエッジを正確に形成出来る。 - 特許庁

The surface and back of the P mold 1 are faced and a chop is coated on the facing surface for backing (step 4) while or after the back resin is cured.例文帳に追加

バック樹脂が硬化する最中か硬化後に、Ｐ型１の表裏を合わせてチョップを合せ際に塗り付けて裏打ちをする（工程４）。 - 特許庁

The method further comprises the step of forming a terminal disposing surface 5 in a cavity 4 of a mold 3, and providing a pressing part 6 opposed to the surface 5 in the cavity 4.例文帳に追加

金型３のキャビティ４に端子配置面５を形成すると共に端子配置面５に対向する押圧部６をキャビティ４に設ける。 - 特許庁

In a step S401, one surface of the document conveyed by the document conveyance device is read and the other surface is also read.例文帳に追加

ステップＳ４０１において、原稿搬送装置により搬送される原稿の一方の面を読み取ると共に原稿の他方の面を読み取る。 - 特許庁

A step part 22 is disposed on the boundary part between a side surface of a tapered part 20 formed on the tip part of the application needle 1 and a flat surface 21 of the tip thereof.例文帳に追加

塗布針１の先端部に形成されたテーパ部２０の側面と先端の平坦面２１との境界部に段差部２２を設ける。 - 特許庁

The resistance film 14B is parted from the resistance film 14A by the step 16 to be an independent electrode surface covering the standing surface of the partition 15.例文帳に追加

ステップ１６によって、抵抗膜１４Ｂは、抵抗膜１４Ａから分断され、隔壁１５の起立面を覆う独立した電極面となる。 - 特許庁

The inner peripheral surface of the small diameter step part of the annular adapter 34 is integrally joined in a butting state against a cylindrical surface 36 of the outer ring 11 by welding.例文帳に追加

環状アダプタ34の小径段部の内周面は溶接によって外輪11の円筒面36に衝合状態で接合一体化されている。 - 特許庁

Since the embossed sections 3j are protruded toward the center axis side of the cylindrical section 3b from the inner peripheral surface of the section 3b, step sections 3k are formed on the inner peripheral surface.例文帳に追加

打ち出し部３ｊは円筒部３ｂの内周面から中心軸線側に突出するようになり、段差部３ｋが形成される。 - 特許庁

Subsequently, an adhesion agent is applied to the surface of the wafer while subjecting the surface of the wafer to UV irradiation in the coating unit (step A3).例文帳に追加

続いて、同塗布ユニットにおいて、ウェハの表面に紫外線を照射しながら、当該ウェハの表面に密着剤を塗布する（工程Ａ３）。 - 特許庁

The method also comprises a step of thereafter forming a p-type side electrode over the entire surface only the flat surface of the upper part of the ridge by lifting off.例文帳に追加

その後、リフトオフすることにより、リッジ上部の平坦面のみに、かつ、その全面に渡ってｐ側電極を形成することができる。 - 特許庁

To flatten the surface of a polysilicon (conductive film) in a trench groove of a semiconductor device having the trench groove with a step on its surface.例文帳に追加

表面に段差があるトレンチ溝を形成した半導体装置において、トレンチ溝内のポリシリコン（導電膜）の表面の平坦化を図る。 - 特許庁

In a method of manufacturing the layered capacitor, recessed sections produced by an electrical insulating section are flattened by etching a dielectric layer by performing a step of forming a dielectric, a step of treating the surface of the dielectric, a step of forming a pattern on a metallic electrode, a step of forming the metallic electrode, and a step of treating the surface of the metallic electrode in the same vacuum tank.例文帳に追加

同一真空槽内で、誘電体を形成する工程と、誘電体の表面を処理する工程と、金属電極にパターンを形成する工程と、金属電極を形成する工程と、金属電極表面を処理する工程を有し、誘電体層を蝕刻して電気絶縁部により生ずる凹部を平坦化することを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 特許庁

The adjustment recess forms a first step part which extends crossing the airflow direction and lowers from the upper surface of the trailing step to the bottom of the adjustment recess, and a second step part which extends crossing the airflow direction, is positioned away in the airflow direction from the first step part and rises from the bottom of the adjustment recess to the upper surface of the trailing step.例文帳に追加

調整凹所は、空気流方向と交差して延びているとともにトレーリングステップの上面から調整凹所の底に向かって立ち下がった第１段部と、空気流方向と交差して延びているとともに第１段部に対して空気流方向に離間して位置し、調整凹所の底からトレーリングステップの上面に向かって立ち上がった第２段部と、を形成している - 特許庁

The tubular body 10 prepared by winding prepreg sheets comprising synthetic fibers f impregnated with a synthetic resin p and forming step portions with fastening tapes for tightening the prepreg sheets on the outer peripheral surface is characterized by having the first spirally extended step portion 20 and the second spirally extended step portion 22 on the outer peripheral surface and forming one of the first step portion 20 and the second step portion 22 at a smaller pitch than that of the other.例文帳に追加

強化繊維ｆに合成樹脂ｐを含浸したプリプレグシート巻回し、これらのプリプレグシートを締付ける緊締テープにより段部を外周面に形成した管状体１０であって、外周面に、それぞれ螺旋状に延びる第１及び第２段部２０，２２を有し、第１段部２０と第２段部２２との一方は他方よりも小さなピッチで形成される管状体。 - 特許庁

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁

Production process of an electrode for electrochemical capacitor comprises a first step for forming a polarizable electrode layer on a current collector (steps S1-S3), a second step for embossing the surface of the polarizable electrode layer formed on the current collector (step S4), and a third step for flattening the surface of the embossed polarizable electrode layer (step S5).例文帳に追加

本発明による電気化学キャパシタ用電極の製造方法は、集電体上に分極性電極層を形成する第１の工程（ステップＳ１〜Ｓ３）と、集電体上に形成された分極性電極層の表面をエンボス加工する第２の工程（ステップＳ４）と、エンボス加工された分極性電極層の表面を平坦化する第３の工程（ステップＳ５）とを備えている。 - 特許庁

The adjustment recess forms a first step portion which extends across a first direction and falls toward a bottom of the adjustment recess from the upper surface of the trailing step, and a second step portion which extends across the first direction and is positioned distant from the first step portion in the first direction, and rises toward the upper surface of the trailing step from the bottom of the adjustment recess.例文帳に追加

調整凹所は、第１方向と交差して延びているとともにトレーリングステップの上面から調整凹所の底に向かって立ち下がった第１段部と、第１方向と交差して延びているとともに第１段部に対して第１方向に離間して位置し、調整凹所の底からトレーリングステップの上面に向かって立ち上がった第２段部と、を形成している。 - 特許庁

The method comprises a step of preparing a base substrate of the donor substrate; a step of forming the conversion layer on the base substrate; a step of forming the buffer layer on the conversion layer; a step of increasing roughness by processing a surface of the buffer layer; and a step of forming the transfer layer on the buffer layer of which the surface has been processed.例文帳に追加

ドナー基板のベース基板を準備する段階と、該ベース基板上に光熱変換層を形成する段階と、該光熱変換層上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層の表面を処理して粗さを増加させる段階と、前記表面処理されたバッファ層上に転写層を形成する段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an epitaxial wafer includes a first step (step S3) for performing hydrogen baking of a silicon wafer in a reactor, and a second step (step S4) for forming an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer subjected to hydrogen baking by introducing a silicon material gas and a dopant gas into the reactor.例文帳に追加

シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。 - 特許庁

The receiver tank 3 includes an inlet protruded step section 35 provided on a lower end entrance and exit member 32 and an outlet protruded step section 36 provided on a lower surface of the inlet protruded step section 35, and receiver tank entrance and exits 3a, 3b are provided at the entrance and exit protruded step sections 35, 36.例文帳に追加

レシーバタンク３は、その下端出入口部材３２に設けられた入口用凸段部３５と、入口用凸段部３５の下面に設けられた出口用凸段部３６とを有し、出入口用凸段部３５、３６にレシーバタンク出入口３ａ、３ｂが設けられる。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The method of producing for the surface shaped thin film comprises a step for forming the thin film by using the resin composition, a step for curing the formed thin film with an ultraviolet light, a step for shaping the thin film cured in the former step by using dies and a step for thermally curing the shaped thin film.例文帳に追加

上記樹脂組成物を用いて薄膜を形成する工程、形成された薄膜を紫外線により硬化する工程、紫外線硬化された薄膜に押し型を使用して賦形する工程および賦形された薄膜を熱により硬化する工程からなる表面賦形薄膜成形物の製造方法。 - 特許庁

This escalator device includes a number of steps 4 travelling between the getting-on platform 2 and getting-off platform of an escalator, an elevating device arranged in each step 4, and elevating a step board 11 forming a step surface for each step 4, and a sensor detecting the foot position of the passenger on the step 4 horizontally running from the getting-on platform 2.例文帳に追加

エスカレーターの乗り口２及び降り口間を走行する多数のステップ４と、各ステップ４に設けられ、踏面を形成する踏板１１をステップ４毎に昇降させる昇降装置と、乗り口２から水平走行するステップ４に乗っている乗客の足位置を検出するセンサとを備える。 - 特許庁

This breakage detecting method and the breakage detecting program comprises a step linearly scanning each part of the device and obtaining the surface information of each part by moving in a generally orthogonal direction to linearly scanning by a fine amount, and a step detecting a difference by comparing the surface information under the normal condition obtained and memorized by the step with surface information accordingly obtained by the step and indicating the breakage part.例文帳に追加

装置の各部位をリニアスキャンすると共に、当該リニアスキャンとほぼ直角方向に微小量移動させることを繰り返して当該各部位の面情報を取得するステップと、ステップによって予め取得して記憶しておいた正常時の面情報と、ステップによって逐次取得した面情報とを比較して差異を検出して破損個所を指摘するステップとを有する。 - 特許庁

The bearing housing 10 is contiguous concentrically on the upper side of a second circumferential step surface B fitted in the fixing hole 21, and has a first circumferential step surface A fitted in the insertion hole 31 wherein the plate thickness t_1 in a free state of the paper printed wiring board 30 is thicker than the step height h_1 of the first circumferential step surface A in the axial direction.例文帳に追加

軸受ハウジング１０は、取付孔２１が嵌る第２の周回段差面Ｂの上側で同心的に隣接して当該第２の周回段差面Ｂよりも大径であり、挿入孔３１が嵌る第１の周回段差面Ａを有し、紙製印刷配線基板３０のうち自由状態の板厚ｔ_１は第１の周回段差面Ａの軸方向の段差高さｈ_１より厚い。 - 特許庁

The method of preparing silica particles includes: (A) a step of hydrolyzing and condensing a specific alkoxysilane compound and thereby creating polyorganosiloxane particles; (B) a step of surface-treating the created polyorganosiloxane particles by a surface adsorbent; and (C) a step of forming protrusions on the whole surfaces of the polyorganosiloxane particles surface-treated in the step (B) using, the alkoxysilane compound.例文帳に追加

（Ａ）特定のアルコキシシラン化合物を加水分解、縮合させてポリオルガノシロキサン粒子を生成させる工程、（Ｂ）該ポリオルガノシロキサン粒子を、表面吸着剤により表面処理する工程、および（Ｃ）上記（Ｂ）工程で表面処理されたポリオルガノシロキサン粒子全面に、該アルコキシシラン化合物を用いて突起を形成させる工程、を含むシリカ系微粒子の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a semiconductor chip having an electrode 15 on a surface on a main surface of a wafer 11; a step of forming a lower layer ground metal film 20B on the surface; a step of forming a resist pattern 50 having an aperture on the electrode 15; and a step of removing the resist pattern 50 after forming a conductive post 22 in the aperture part.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、表面に電極１５を有する半導体チップをウェハ１１の主面に形成する工程と、表面に下層下地金属膜２０Ｂを形成する工程と、電極１５上に開口部を有するレジストパターン５０を形成する工程と、開口部に導電性ポスト２２を形成した後にレジストパターン５０を除去する工程とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate cleaning method is provided with a first cleaning step in which the surface of the semiconductor substrate is cleaned by using a first brush; and a second cleaning step for cleaning the surface of the semiconductor substrate by using a second brush, after the first cleaning step under a condition that recontamination on the surface of the semiconductor substrate is suppressed compared with the first cleaning step.例文帳に追加

半導体基板の洗浄方法は、第１のブラシを用いて、半導体基板の表面を洗浄する第１の洗浄工程と、第１の洗浄工程の後に、第１の洗浄工程と比較して半導体基板の表面の再汚染を抑制した条件下において、第２のブラシを用いて半導体基板の表面を洗浄する第２の洗浄工程とを備える。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing method has twice or more polishing steps of polishing the same conductor film on the same surface plate using polishing liquid, and, between a first polishing step and a last polishing step, has a cooling step of cooling the surface plate so that the temperature of the surface plate becomes -5 to -80°C just after the end of the polishing step most recently performed.例文帳に追加

同一の導体膜を同一の定盤上で研磨液を用いて研磨する研磨工程を２回以上有し、且つ、最初の研磨工程と最後の研磨工程との間に、直前に実施した研磨工程の終了直後の定盤の温度に対して−５℃〜−８０℃となるように定盤を冷却する冷却工程を有する、化学的機械的研磨方法。 - 特許庁

This charcoal dried seaweed is produced by a step 1 of harvesting raw algal seaweed, a step 2 of smearing the surface of the raw algal seaweed with dust charcoal before drying the raw algal seaweed and a step 3 of drying the seaweed smeared with the dust charcoal.例文帳に追加

原藻ワカメを収穫する工程１と、該収穫された原藻ワカメが乾燥しないうちに、その表面に粉炭を塗す工程２と、粉炭を塗したワカメを乾燥する工程３により炭干しワカメを製造する。 - 特許庁

The step of inserting the nozzle lock further comprises a step of inserting a lock pin 132 through the first hole 120, and a step of holding a nozzle lock base part 134 to the radial outside of the outer surface 30.例文帳に追加

さらに、ノズルロックを挿入する段階が、第１の孔（１２０）を通してロックピン（１３２）を挿入する段階と、外表面（３０）の半径方向外側にノズルロック基部（１３４）を保持する段階とを更に含む。 - 特許庁

In the through hole (21) of the surface material (2), a first step part (24) is formed, while a second step part (44) is formed in the intermediate seat (4), wherein the first and second step parts (24) and (44) are in contact with each other.例文帳に追加

前記表面材（２）の前記貫通孔（２１）には第１段部（２４）が形成され、前記中座（４）には第２段部（４４）が形成されており、前記第１段部（２４）と第２段部（２５）が接触している。 - 特許庁

A plurality of chips 1 are mounted on a board 2 (step S1), the joint of the board 2 and the chip 1 is sealed (step S2) and then the rear surface of the chips 1 is polished collectively (step S3) before the chips 1 are segmented.例文帳に追加

基板２上に複数個のチップ１を搭載し（ステップＳ１）、基板２とチップ１の接合部を封止（ステップＳ２）後にチップ１の裏面を一括して研磨し（ステップＳ３）、各半導体装置を個片化する。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of forming a pixel electrode (13) on a substrate, a step of cleaning a surface of the pixel electrode, and a step of forming a first hole injection layer (181a) to cover the pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、基板上に画素電極（１３）を形成する工程と、この画素電極の表面を洗浄する工程と、この画素電極を覆うように第１正孔注入層（１８１ａ）を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory comprises a step of forming a film composed of a sol solution containing a metal alkoxide and alcohol on the surface of the lower electrodes 14, a step of gelling the sol solution, and a step of oxidating the gel.例文帳に追加

そして、下部電極１４の表面に、金属アルコキシド及びアルコールを含むゾル溶液からなる膜を形成する膜形成工程と、ゾル溶液をゲル化させるゲル化工程と、ゲルを酸化させる工程と、を備えている。 - 特許庁

The transparent electrode layer forming step includes a step for depositing a transparent electrode layer on the main surface, and a transparent electrode layer etching step for performing laser etching so that the deposited transparent electrode layer can be divided.例文帳に追加

前記透明電極層形成工程は、前記主面上への透明電極層製膜工程と、製膜された前記透明電極層が分割されるように、レーザーエッチングする透明電極層エッチング工程とを備える。 - 特許庁

The film-forming method includes a process for film-forming the Ti film on a substrate to be treated (STEP 2), a process for oxidizing the surface of the Ti film (STEP 3), and a process for film-forming the TiN film on it by the CVD (STEP 5).例文帳に追加

被処理基板にＴｉ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ２）と、Ｔｉ膜の表面を酸化させる工程（ＳＴＥＰ３）と、その上にＣＶＤによりＴｉＮ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ５）とを具備する。 - 特許庁

To apply a drain filtering device operable in a state similar to a maintenance-free over a long period without performing a washing step out of a filter step and a washing step to a road surface drain treatment facility.例文帳に追加

排水濾過装置において、濾過工程部と洗浄工程部のうち、洗浄工程をおこなわなくても長期にわたりメンテナンスフリーに近い状態で運用できる排水濾過装置を路面排水処理設備に適用する。 - 特許庁

This invention comprises step of being attached with an O-ring 16 in a hole saw 15 and step of pulling out the hole saw 15 within a trunk 12 of the joint 14 after perforating the gas pipe 1 and step of sealing by bringing the O-ring 16 into contact with inner peripheral surface of the trunk.例文帳に追加

ホールソー１５にはｏリング１６が装着され、ガス管１への穿孔後、継手１４のトランク１２内でホールソー１５を引出し、ｏリング１６をトランク内周面に接触させてシールする。 - 特許庁

To provide a decorative sheet with cushioning layer which has a cushioning property required on the perpendicular surface, at the same time, has a design flexibility on the surface, does not cause problems on durability of the surface and the manufacturing step and has a cushioning layer on the back surface.例文帳に追加

垂直面に要求される緩衝性を有しつつ、表面に意匠性を有し、かつ表面の耐性や製造工程上の問題点もない、裏面に緩衝層を有する化粧シートを提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method is designed for manufacturing the plastic member with a three-dimensional pattern surface and a flat surface, and comprises a step to form a thin film layer which generates the visual effect on the three-dimensional pattern surface or the flat surface of the plastic member.例文帳に追加

製作方法は、立体模様面と平坦面を有するプラスチック部材を製作し、プラスチック部材の立体模様面または平坦面に視覚効果を生じさせる薄膜層を形成するステップからなる。 - 特許庁