「surface step」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, a step of removing the metal film 3 remaining on the surface of the base 1 excepting the trench 5 is carried out, as required.例文帳に追加

その後、必要に応じて、溝５を除く基材１の表面上に残存している金属膜３を除去する工程が実施される。 - 特許庁

In the step of arranging coloring material on the transparent substrate 21, wind velocity of surface of the coloring material is lower than 0.5 m/s.例文帳に追加

透明基板２１上に着色材を配置する工程において、着色材の表面の風速は、０．５ｍ／ｓよりも小さい。 - 特許庁

To improve a crack resistance without lowering a step coating performance and a surface flatness of a vacuum-uultraviolet light CVD film.例文帳に追加

真空紫外光ＣＶＤ膜において、段差被覆性及び表面平坦性を低下させることなく、耐クラック性を向上する。 - 特許庁

A method for decorating the ecological resin material includes a step in which the ecological resin material is molded to form a resin substrate with a minute uneven surface formed in the surface, a step in which a resin sheet is contacted with the surface of the resin substrate, and a step in which the resin substrate and the resin sheet are stuck together by vacuum forming to form a resin product.例文帳に追加

環境配慮樹脂材の加飾方法であって、環境配慮樹脂材を成形して表面に微細な凹凸面が形成される樹脂基材を形成する段階と、前記樹脂基材の表面に対して樹脂シートを当接させる段階と、前記樹脂基材及び前記樹脂シートを真空圧空成形によって張り合わせ樹脂製品を形成する段階と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This method has a step 12 for measuring at least a surface residual stress between the surface residual stress and an internal residual stress of an apparatus constituting the plant at the plant manufacturing time, a step 13 for preserving residual stress data acquired by measurement as a database, and a step 16 for evaluating crack progression by using the residual stress data preserved as the database when the crack is discovered on the apparatus surface.例文帳に追加

プラントを構成する機器の表面の残留応力及び内部の残留応力のうち少なくとも表面の残留応力を、前記プラントの製造時に測定するステップ１２と、測定して得られた残留応力データをデータベースとして保存するステップ１３と、機器の表面にき裂が発見されたとき、データベースとして保存された残留応力データを使用して、き裂の進展を評価するステップ１６と、を備える。 - 特許庁

In the step of forming the chemical conversion film, the phosphated chemical-conversion film 11 is formed on the surface of the material 1 to be forged by electrolysis treatment.例文帳に追加

化成皮膜形成工程においては、被鍛造材１の表面に、電解処理によりリン酸塩化成皮膜１１を形成する。 - 特許庁

In a second step, a reformed region 75 is produced at a distance d5 internally from the surface of the convex region r1 along the planned cut line 5.例文帳に追加

第２の工程では、凸領域面ｒ１から距離ｄ５内側に、切断予定ライン５に沿って改質領域７５を形成する。 - 特許庁

In the ball swevel forming step, a ball swevel is formed by subjecting the inner surface of the tube 3 at vicinity of the distal end of it to pressure deformation toward inside.例文帳に追加

ボール受け座形成工程は、細管３の先端近傍内面に内方への押圧変形によってボール受け座を形成する。 - 特許庁

A film forming method of forming the antireflective film of a silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface of the solar cell includes a preprocessing step of cleaning the semiconductor surface by ion irradiation through plasma processing using N_2 gas and inert gas, and a film forming step of forming the silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface through plasma processing after the preprocessing step.例文帳に追加

太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をＮ_２ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を成膜する成膜工程とを備える。 - 特許庁

In a first step, a reformed region 73 is produced at a distance d3 internally from the surface of the concave region r2 along the planned cut line 5.例文帳に追加

第１の工程では、凹領域面ｒ２から距離ｄ３内側に、切断予定ライン５に沿って改質領域７３を形成する。 - 特許庁

In this case, the second oxide film pattern is diffused by annealing to have a step on the surface of the deep well region.例文帳に追加

このような場合、アニーリングによって第２酸化膜パターンが拡散して高電圧ディープウェル領域の表面に段差が発生する。 - 特許庁

A suck back step is executed to suck the chemical R discharged onto the surface of the priming roller 23 temporarily to the nozzle side.例文帳に追加

この後に、前記プライミングローラ２３上に吐出された薬液Ｒを一時的にノズル側に吸引するサックバックステップが実行される。 - 特許庁

When the working surface has not changed during the teaching steps in this judgement, the welding posture is controlled using the datum plane in the last step.例文帳に追加

この判定の結果、教示ステップ間でワーク面が変化しない場合は前回の基準面を使用して溶接姿勢を制御する。 - 特許庁

When it turns to a position at which the two parts do not correspond, the seal member 24 moves one step (25a) on the surface of the shaft 25 per knock operation.例文帳に追加

対応しない位置に回動すると、ノック操作ごとにシール部材２４はシャフト２５表面の段部（２５ａ）１つ分移動する。 - 特許庁

A shell element being a two-dimensional plane element is generated on the surface of the analytic model generated in the step S11.例文帳に追加

ステップＳ１２では、ステップＳ１１で生成した解析モデルの表面に２次元平面要素であるところのシェル要素を生成する。 - 特許庁

To provide a method of reproducing a silicon wafer in which no Cu is deposited on a surface in a step of manufacturing a semiconductor device etc.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程等において、表面にＣｕが析出することがないシリコンウエーハの再生方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the step 3 is set to be ≤5 mm in absolute value from the aspect of further suppressing the strain of the optical surface 2.例文帳に追加

ここで光学面２の歪みを一層抑える観点からは、前記段差３を絶対値で５ｍｍ以下にするのが好ましい。 - 特許庁

To enable connection of a panel and wiring arrangement to be easily and accurately performed at a construction site and prevent a step from being generated in the surface of the connection part of the panel.例文帳に追加

施工現場で簡単、正確にパネルの連結、配線施工が行え、パネルの連結部表面に段差を生じないようにする。 - 特許庁

After starting a vibration step, the manufacturing method forms protection films 16a and 16b on at least a part of the surface of the element body 15.例文帳に追加

振動工程を開始した後に、素子本体１５の表面の少なくとも一部の上に、保護膜１６ａ、１６ｂを形成する。 - 特許庁

The cut chipped mowed grass and pruned trees are scattered on surface soil of paddy field after harvesting in about 10 cm thickness (step S40).例文帳に追加

裁断されたチップ状の刈り草や剪定木は、収穫後の水田の表土上に略１０ｃｍの厚さに撒く（ステップＳ４０）。 - 特許庁

The step-like protrusion 13 is provided to approach the light emitting element 6 from the circumferential surface 12a of containing hole 12 along the substrate 2.例文帳に追加

段状の突出部１３を、収容孔１２の周面１２ａから基板２に沿って発光素子６に近づくように設ける。 - 特許庁

This method includes a first gold plating formation step of forming a first gold plating layer on the surface of the electrode 8 by plating using a plating liquid of pH6 to 8; a nickel plating layer formation step of forming a nickel plating layer by plating on a surface of the first gold plating layer; and a second gold plating layer formation step of forming a second gold plating layer on a surface of the nickel plating layer.例文帳に追加

この方法は、電極８の表面に、ｐＨ６〜８のめっき液を用いて第一金めっき層をめっきにより形成する第一金めっき層形成工程と、第一金めっき層の表面に、ニッケルめっき層をめっきにより形成するニッケルめっき層形成工程と、ニッケルめっき層の表面に、第二金めっき層をめっきにより形成する第二金めっき層形成工程とを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of an epitaxial structure includes: a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface; a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of gaps so as to be suspended on the epitaxial growth surface of the substrate; and a third step of causing a growth of an epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate so as to include the carbon nanotube layer.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The method also comprises the step of cutting a protuberance on the part adjacent to the other plate 81 thereof so that the surface of the plate becomes smooth.例文帳に追加

次いで、分割版８１の他の分割版８１と隣接する部分にある盛り上がりを、版の表面が平滑になるように削る。 - 特許庁

A frame body 40 has a step 42 in a part in the thickness direction from a surface 40A facing a substrate 11, in the periphery of an opening 41.例文帳に追加

枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。 - 特許庁

To provide a floor substrate which is high in practical utility, good in workability, can be correctly mounted at a predetermined location, and rarely produces a step at a joint surface thereof.例文帳に追加

施工性が良く、所定の位置に正確に施工でき、段差が生じにくい実用性の高い床下地材を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing electronic components includes a first applying step S12 of applying a sealing resin to the surface of a substrate on which posts are formed, a rear surface polishing step S18 of polishing the rear surface of the substrate, and a separating step S26 of dividing the substrate into individual electronic components by cutting the substrate into pieces together with the sealing resin.例文帳に追加

ポストが形成された基板の、当該ポストが形成された面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程（工程Ｓ１２）と、上記基板の裏面を研磨する裏面研磨工程（工程Ｓ１８）と、研磨後の上記基板の裏面に封止樹脂を塗布する第２塗布工程（工程Ｓ２０）と、上記基板を上記封止樹脂とともに切断して個々の電子部品に分離する分離工程（工程Ｓ２６）とを有する。 - 特許庁

Subsequently, the second etching step is conducted with a lower etching pressure to etch the amorphous TiO_2 in a direction perpendicular to its surface.例文帳に追加

次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Si substrate is thermally oxidized by RTO method as oxidation of a base to form a silicon oxide film (step S2).例文帳に追加

その後、下地酸化として、Ｓｉ基板の表面をＲＴＯ法により熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成する（ステップＳ２）。 - 特許庁

A method of packaging a semiconductor light-emitting device comprises a step of providing a substrate having the semiconductor light-emitting device on the front surface thereof.例文帳に追加

半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップを含む。 - 特許庁

A ring-shaped waveform washer 13 is inserted from above into a shaft hole 10a of a housing 10 to be arranged on a step difference surface 10b.例文帳に追加

ハウジング１０の軸孔１０ａには上方からリング状の波形ワッシャ１３が挿入され、段差面１０ｂ上に配置される。 - 特許庁

The single crystal having a low double refraction value can be produced by forming the surface of the single crystal after the step S103.例文帳に追加

ステップＳ１０３の後に単結晶の表面を形成することで、複屈折の値が低い単結晶を製造することができる。 - 特許庁

To provide an escalator step cleaning apparatus which can easily remove the dust stuck on a surface of a demarcation cleat.例文帳に追加

本発明は、デマケーションクリート面にこびり付いた塵埃を簡単に取り除くことのできるエスカレーターの踏段清掃装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a pneumatic tire 1 includes a connecting step of connecting unvulcanized bead apex rubber 8R to an outer surface 5n of a bead core.例文帳に追加

ビードコアの外面５ｎに、未加硫のビードエーペックスゴム８Ｒを接続する接続工程を含む空気入りタイヤ１の製造方法である。 - 特許庁

In the GaAs layer formation step, a GaAs layer containing GaAs is formed on the surface of a precursor 11 of the semiconductor laser device.例文帳に追加

ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。 - 特許庁

The porous plate 32 is subjected to removal of molding burr 34 and surface roughness increasing processing at the same step after molded.例文帳に追加

又、多孔体プレート３２には、型成形後に、成形バリ３４の除去と表面粗さの増大化加工とが同一工程で施される。 - 特許庁

To provide a metal ball for rolling motion object excellent in formability which has smooth surface in a final fine polishing step and high sphericity.例文帳に追加

最終の精研磨工程における平滑な表面と、高い真球度の成形性に優れた転動体用金属球を提供する。 - 特許庁

The method for cooling the nozzle (12) includes a step of flowing the cooling medium (32) through the plenum across a surface of the nozzle (12).例文帳に追加

ノズル（１２）を冷却する本方法は、プレナムを通してノズル（１２）の表面を横切って冷却媒体（３２）を流すステップを含む。 - 特許庁

To form a capacitor cell having a surface area expanded with high precision in the step for forming the capacitor cell constituting a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリを構成するキャパシタセルの形成工程において、高精度に拡大された表面積を有するキャパシタセルを形成する。 - 特許庁

The photocatalyst is formed by using the tumbling device without subjecting the photocatalyst to the firing step in the case of fixing the photocatalyst on the base material surface.例文帳に追加

基材表面上に光触媒を固定するのに焼成工程を経ずに、転動装置を用いて光触媒を形成する。 - 特許庁

To uniformly form a thin film on the thin film deposition surface of a prismatic device that is a preliminary step of an optical waveguide element.例文帳に追加

光導波路素子の前段階である角柱状デバイスの薄膜被着面に均一に薄膜を形成することを目的とする。 - 特許庁

Two joining members 1 and 2 having different high-temperature deforming resistances are butted in such a manner that a step is formed in the surface side in the thickness direction.例文帳に追加

高温変形抵抗が相異する２個の接合部材1,2を、厚さ方向に段差を表面側にて生じる態様で突き合わせる。 - 特許庁

The node present on the surface of the set chamfer section is moved to shape the set land (step S105).例文帳に追加

そして、設定された面取り部分の表面に存在する節点を、設定された陸部の形状になるように移動させる（ステップＳ１０５）。 - 特許庁

A method for manufacturing the wafer for the solar battery by making at least one surface of the semiconductor wafer porus, comprises: a first step (S1) for contacting at least the one surface of the semiconductor wafer with a lower alcohol solution; and a second step (S2) for contacting at least the one surface of the semiconductor wafer with a hydrofluoric acid including metal ions after the first step.例文帳に追加

本発明は、半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化して太陽電池用ウェーハを製造する方法であって、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に低級アルコール液を接触させる第１工程（Ｓ１）と、該第１工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含むフッ化水素酸を接触させる第２工程（Ｓ２）と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The insulator receiving surface 400 of the housing 4, and the step-like contacting section 300 of the element-side insulating insulator 3 are engaged via a packing 5.例文帳に追加

ハウジング４の碍子受け面４００と素子側絶縁碍子３の段状当接部３００とは、パッキン５を介して係合されている。 - 特許庁