「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes a process for forming a Schottky electrode 5 and a surface opening dicing line region 7 on a surface of an SiC wafer (high concentration n-type substrate 1 and low concentration n-type epitaxial layer 2) and forming an ohmic electrode 4 and a rear opening dicing line region 8 on a rear face of the SiC wafer before a dicing process.例文帳に追加

ダイシング工程を行う前に、ＳｉＣウエハ（高濃度ｎ型基板１及び低濃度ｎ型エピタキシャル層２）の表面にショットキ電極５及び表面開口ダイシングライン領域７を形成し、ＳｉＣウエハの裏面にオーミック電極４及び裏面開口ダイシングライン領域８を形成する工程を実行する。 - 特許庁

The surface of the glass substrate 33 on the opposite side to the field emission type electron source 10 is formed with collector electrodes 31 in a stripe state, and a phosphor layer 32 emitting visible light by electrons emitted from surface electrodes 7 of the field emission type electron source 10 so that the phosphor layer 32 covers the collector electrodes 31.例文帳に追加

ガラス基板３３の電界放射型電子源１０と対向する側の面にはストライプ状にコレクタ電極３１が形成され、電界放射型電子源１０の表面電極７から放射される電子によって可視光を発光する蛍光体層３２がコレクタ電極３１を覆うように形成されている。 - 特許庁

In the microwave plasma treatment device, an antenna 11 is arranged on the upper surface of a cover member 10, and the antenna 11 is provided with a cross-sectionally U-shaped waveguide type antenna part 12 fixed to the upper surface of the cover member 10, and a plurality of slits 15 opened in a part of the cover member 10 facing the waveguide type antenna part 12.例文帳に追加

カバー部材１０の上面にはアンテナ１１が設けてあり、アンテナ１１は、カバー部材１０の上面に固定してあり、断面視がコ字状の導波管型アンテナ部１２と、カバー部材１０の導波管型アンテナ部１２に対向する部分に開設した複数のスリット１５，１５，…とを備えている。 - 特許庁

A hall element 4a is prepared on an upper side of a path 1c so as to face a surface of an IC contact point 21a of a contact type IC card 21 inserted from an insertion slot 1b, and an electromagnet 4b generating magnetic field is prepared on a bottomside of the path 1c so as to face a back surface of the contact type IC card 21.例文帳に追加

挿入口１ｂから挿入された接触式ＩＣカード２１のＩＣ接点２１ａの設けられた表面に対面するように、通路１ｃの上側にホール素子４ａを設け、接触式ＩＣカード２１の裏面に対面するように、通路１ｃの下側に磁界を発生する電磁石４ｂを設ける。 - 特許庁

To provide a gallium nitride LED element having a vertical structure for increasing light-emitting efficiency and maximizing the effect of improving external quantum efficiency, by forming surface unevenness which is a fine light scattering structure on a surface of an n-type gallium nitride layer on the light-emitting side and a p-type gallium nitride layer on the reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

The optical apparatus includes: an irradiation system configured so as to form a pulse radiation beam; an optical element equipped with a surface that the radiation beam enters during operation; and a gas source configured so as to supply a mixture of a first type gas and a second type gas to a space adjacent to the surface.例文帳に追加

光学装置は、パルス放射ビームを形成するように構成された照射システムと、動作中に放射ビームが入射する表面を備えた光学エレメントと、表面と隣接した空間に第１のタイプおよび第２のタイプの気体の混合物を供給するように構成されたガスソースと、を含む。 - 特許庁

In the self-inking rubber stamp structured of the porous type consisting of a printing part and an ink retaining part whose stamping surface is fitted into a casing in such a state that the stamping surface slightly sticks out of the lower end of the casing, the ink retaining part of the porous type is merely fitted into the casing and the printing part is not fitted into the casing.例文帳に追加

印字部とインキ保持部を有する多孔質印字体であって、その印面を函体の下端より若干突出させて函体内に嵌装した浸透印において、多孔質印字体のインキ保持部が函体に嵌装されるのみで、印字部は函体に嵌装されないことを特徴とする浸透印。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

The contact applies a reference voltage to a semiconductor region of a second conductivity type disposed below the source and drain regions of the transistor for amplification below the gate electrode of the transistor for amplification through a semiconductor region of the second conductivity type disposed along a side surface and a bottom surface of an element isolation region.例文帳に追加

このコンタクトは、素子分離領域の側面及び底面に沿って配された第２導電型の半導体領域を介して、増幅用トランジスタのゲート電極の下部で、増幅用トランジスタのソース及びドレイン領域よりも下方に配された第２導電型の半導体領域に基準電圧を供給する。 - 特許庁

The peeling strength is improved by eliminating the antireflection film on the surface of the foundation of the collimator lens 1, using the acrylic ultraviolet setting type adhesive 3 as the adhesive, and roughening a joined surface 13 on the collimator lens side relative to the mount layer of the acrylic ultraviolet setting type adhesive 3 so that joining area can be increased.例文帳に追加

コリメータレンズ１の素地の表面の反射防止膜を省略し、接着剤にアクリル系紫外線硬化型接着剤３を用いると共に、そのアクリル系紫外線硬化型接着剤３のマウント層に対するコリメータレンズ側の接合面１３を粗面化して接合面積を増大させ、剥離強度を改善する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a transfer belt capable of easily obtaining an intended surface roughness including a smooth surface roughness, upon forming a surface layer while curing by irradiating resinous paint of an ultraviolet-curable type applied on the outer circumferential face of an endless substrate with ultraviolet rays, and a device for curing a surface layer of a transfer belt for use in the method.例文帳に追加

無端基材の外周面に塗布された紫外線硬化型樹脂塗料に紫外線を照射して硬化させ表面層を形成するに際し、平滑な表面粗度を含む、所望の表面粗度を容易に得ることのできる転写ベルトの製造方法、および、それに用いられる転写ベルト表面層硬化装置を提供する。 - 特許庁

The method includes mirror-polishing the surface of the substrate-placing plate having the projections by placing a slurry type abrasive mixed with magnetic grains and abrasive grains in a lubricant on the surface of the substrate-placing plate and moving the abrasive on the surface of the plate by placing a magnetic force generator on the back surface side of the plate and moving the magnetic force generator.例文帳に追加

この発明の基板戴置板の表面研磨方法は、該基板戴置板の表面に磁性粒、砥粒を潤滑材に混ぜたスラリー状研磨材を戴置し、基板戴置板の裏面側に磁力発生装置を置いて該磁力発生装置を移動させて上記基板戴置板表面の研磨材を移動させ、上記突起のある基板戴置板の表面を鏡面研磨する。 - 特許庁

An optical part D comprises a microscope illuminating optical system D1, which detects the surface of a semiconductor wafer 2 as first surface data with microscope illumination and a laser scattering type optical system D2, which detects the surface of a semiconductor wafer 2 as second surface data detecting scattered laser rays from a semiconductor wafer 2 by the use of laser rays.例文帳に追加

光学部Ｄは、顕微鏡照明によって半導体ウェハ２表面を第１表面情報として検出する顕微鏡照明光学系Ｄ１、レーザ光を用いて半導体ウェハからのレーザ散乱光を検出することによって半導体ウェハ２表面を第２表面情報として検出するレーザ散乱式光学系Ｄ２を含む。 - 特許庁

The wall surface decoration method is executed from the steps of suitably putting paper fibrillated in a cotton shape or paper pulverized in a piece type or a mixture of both in a container or a spraying gun 1 and further adding adhesive and mixing them to form a pulp-like wall surface decoration base material, and attaching the wall surface decoration base material to the wall surface 2.例文帳に追加

綿状に解繊した紙若しくは片状に粉砕した紙又はこれらの混合物を適宜の容器又は吹き付けガン１内に入れて、更に接着剤を加えて掻き混ぜてパルプ状の壁面装飾基材を作る工程と、前記壁面装飾基材を壁面２に付着させる工程により施工し得る壁面装飾方法を構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectric converting element includes a stage of forming the silicon nitride film on one principal surface of the silicon substrate, the manufacturing method of the photoelectric converting element being characterized in that the silicon substrate is a (p) type on the principal surface side and has the principal surface subjected to a surface treatment using plasma produced using raw material gas containing nitrogen gas before the silicon nitride film is formed.例文帳に追加

本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン基板の一主面上に窒化シリコン膜を形成する工程を備え、前記シリコン基板は、前記主面側がｐ型であり、前記窒化シリコン膜を形成する前に、窒素ガスを含む原料ガスを用いて形成されるプラズマによって前記主面の表面処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面１６から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板１と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上に形成された活性層４と、出射面１６と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層９ａとを備える。 - 特許庁

This device is equipped with a surface light source 10 for performing light irradiation flatly onto an inspection object painted surface, an avalanche multiplication type imaging camera 21 as the image sensor entered by the regularly reflected light from the inspection object painted surface, and an image processing device 20 for inspecting existence of a defect on the painted surface by image processing for detecting a level change of the image signal.例文帳に追加

検査対象塗面を面状に光照射する面光源１０と、検査対象塗面での正反射光を入射させるイメージセンサとしてのアバランシェ増倍型撮像カメラ２１と、その画像信号のレベル変化を検出する画像処理により、塗面の欠陥の有無を検査する画像処理装置２０とを備える。 - 特許庁

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁

On a boundary surface between an inner surface rubber layer 4 and a reinforcing layer 5 in a pressure proof hose body 2 which is a laminate of the inner surface rubber layer 4, the reinforcing layer 5 and an outer surface rubber layer 6, contact-free type radio IC sensors 7 (radio IC tags) for transmitting data containing IDs by an electric wave are spaced at predetermined intervals in a fluid transportation direction.例文帳に追加

内面ゴム層４、補強層５及び外面ゴム層６を積層してなる耐圧ホース本体２における内面ゴム層４と補強層５との境界面部分に、ＩＤを含むデータを電波により発信出力する非接触式の無線ＩＣセンサー（無線ＩＣタグ）７を、流体輸送方向に所定のピッチ間隔を隔てて配設している。 - 特許庁

In the optical system having a diffraction surface consisting of the diffraction grating of a blaze type having rotationally symmetrical form to an optical axis, the flare on the non-lens surface is suppressed by setting the ratio of the whole area of the non-lens surface and the average of the projection area to a plane vertical to the optical axis of the diffraction surface included in the optical system, to be in a prescribed range.例文帳に追加

光軸に対して回転対称形状のブレーズ型の回折格子からなる回折面を有する光学系において、非レンズ面の総面積と光学系に含まれる回折面の光軸に対して垂直な平面への射影面積の平均値との比を、所定の範囲とすることによって、非レンズ面のフレアを抑制する構成とする。 - 特許庁

A solar battery cell (the photoelectric conversion element) 1 includes a p-type silicon substrate 10 having a through hole 10a, a light receiving surface electrode 21 provided on a light receiving surface of the silicon substrate 10, a through hole electrode 22 formed in the through hole 10a, a rear surface electrode 23 formed on a rear surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

この太陽電池セル（光電変換素子）１は、貫通孔１０ａが形成されたｐ型のシリコン基板１０と、シリコン基板１０の受光面上に設けられた受光面電極２１と、貫通孔１０ａの内部に設けられた貫通孔電極２２と、シリコン基板１０の裏面上に設けられた裏面電極２３とを備える。 - 特許庁

The Lamb wave type high-frequency sensor device is provided with a piezoelectric substrate 11 having principle surfaces 14 and 15 in the front and back and an IDT electrode 12 formed in one principle surface 14 of the piezoelectric substrate 11 for exciting Lamb waves and constituted in such a way that the other principle surface 15 opposed to the one principle surface 14 of the piezoelectric substrate 11 may be a detection surface for detecting physical quantities.例文帳に追加

表裏に主面１４，１５を有する圧電基板１１と、圧電基板１１の一方の主面１４に形成されたラム波を励振するＩＤＴ電極１２と、を備え、圧電基板１１の一方の主面１４に対向する他方の主面１５が物理量を検出する検出面であるように構成した。 - 特許庁

Each of a plurality of solar cells 10 provided to a solar cell module 100 includes: a substrate 11 having a first conductive type region 11A and a second conductive type region 11B formed on the rear surface 11N; a first electrode 12 provided to the first conductive type region 11A; and a second electrode 13 provided to the second conductive type region 11B.例文帳に追加

太陽電池モジュール１００に設けられた複数の太陽電池１０のそれぞれは、裏面１１Ｎに形成された第１導電型領域１１Ａ及び第２導電型領域１１Ｂを有する基板１１と、第１導電型領域１１Ａに設けられた第１電極１２と、第２導電型領域１１Ｂに設けられた第２電極１３とを有する。 - 特許庁

The solar cell includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, and a first conductivity type impurity diffusion region and a plurality of second conductivity type impurity diffusion regions, formed on one surface side of the semiconductor substrate, wherein adjacent second conductivity type impurity diffusion regions are at an interval of ≤400 μm.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。 - 特許庁

The photoelectric conversion part includes: a semiconductor region 61 of a first conductivity type, provided on a surface of a semiconductor substrate 43; a charge storage region 63 of a second conductivity type, provided inside the semiconductor substrate 43; and an intrinsic semiconductor region 62 held between the semiconductor region 61 and the charge storage region 63, or a p-type semiconductor region doped more lightly than the charge storage region 63 of a second conductivity type.例文帳に追加

光電変換部は、半導体基板４３の表面側の第１導電型半導体領域６１と、半導体基板４３の内部側の第２導電型電荷蓄積領域６３と、両領域６１及び６３との間に挟まれた真性半導体領域６２、又は第２導電型電荷蓄積領域６３より低不純物濃度のｐ型半導体領域とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar cell element comprises stages of: forming, on one main surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, an opposite conductivity type layer 3 of the opposite conductivity type; forming a conductive layer 7 on the opposite conductivity type layer 3; and melting the conductive layer 7 with heat to electrically connect the conductive layer 7 to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板１の一主面に、逆導電型を呈する逆導電型層３を形成する工程と、逆導電型層３上に導電層７を形成する工程と、導電層７を加熱溶融させ、該導電層７を半導体基板１に導通接続させる工程と、を有する太陽電池素子の製造方法とする。 - 特許庁

A plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3 are formed by providing a plurality of (first to third) p-type regions 31 to 33 at different depths from the surface of an n-type semiconductor layer 2 at different positions of the n-type semiconductor layer 2 which is provided on a p-type semiconductor substrate 1 with substantially uniform thickness.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１上にほぼ均一な厚さのｎ型半導体層２が設けられ、そのｎ型半導体層２の異なる場所に、ｎ型半導体層２の表面から複数個（第１〜第３）のｐ型領域３１〜３３が異なる深さで設けられることにより、複数個（第１〜第３）の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３が形成されている。 - 特許庁

This photodetector 100 comprises a photoelectron emission surface having a p-type Si substrate 11, a porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate, an Au electrode 13 formed on the porous silicon area 12, and an ohmic electrode 14 formed on the p-type Si substrate opposite to the porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate; and an anode 15.例文帳に追加

光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域１２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを備える。 - 特許庁

When the positive charge type MICR toner containing fine dry silica powder and fine wet silica powder as additives is provided, fine dry silica powder having a positive charge type polar group and a hydrophobic group and fine wet silica powder surface-treated with a silicone oil and having a positive charge type polar group and a fluorine-containing negative charge type polar group are used.例文帳に追加

外添剤として、乾式シリカ微粉末および湿式シリカ微粉末を含有してなる正帯電ＭＩＣＲトナーを提供するにあたり、正帯電極性基および疎水性基を有する乾式シリカ微粉末と、正帯電極性基およびフッ素含有負帯電極性基を有するとともに、シリコーンオイルにより表面処理してある湿式シリカ微粉末とをそれぞれ使用する。 - 特許庁

When the positive charge type toner containing fine dry silica powder and fine wet silica powder as external additives is provided, fine dry silica powder having a positive charge type polar group and a hydrophobic group and fine wet silica powder surface-treated with a silicone oil and having a positive charge type polar group and a fluorine-containing negative charge type polar group are used.例文帳に追加

外添剤として、乾式シリカ微粉末および湿式シリカ微粉末を含有してなる正帯電トナーを提供するにあたり、正帯電極性基および疎水性基を有する乾式シリカ微粉末と、正帯電極性基およびフッ素含有負帯電極性基を有するとともに、シリコーンオイルにより表面処理してある湿式シリカ微粉末とをそれぞれ使用する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

In an effective pixel region 102 and the optical black pixel region 103 formed on a semiconductor substrate 114, a pn joint of an n-type semiconductor region 109 and p-type semiconductor regions 108 and 112 is formed, and a p-type semiconductor region 111 is formed at its place shallower than the p-type semiconductor region 112 with respect to the surface of the semiconductor substrate 114.例文帳に追加

半導体基板１１４上に形成される有効画素領域１０２およびＯＢ画素領域１０３において、Ｎ型半導体領域１０９とＰ型半導体領域１０８および１１２とのＰＮ接合部を形成し、Ｐ型半導体領域１１２に比べ、半導体基板１１４の表面を基準として、その浅い位置にＰ型半導体領域１１１を形成する。 - 特許庁

The output circuit further comprises an opposite conductivity type output transistor to the substrate to form an opposite conductivity type second well to the substrate near the surface of the substrate, and an opposite conductivity type third well to the second well formed in the second well formed in the third well.例文帳に追加

また、半導体基板と反対の導電型の出力トランジスタは、第１のウェルとは独立して、半導体基板の表面近傍に、半導体基板と反対の導電型の第２のウェルを形成し、この第２のウェルの中に、第２のウェルと反対の導電型の第３のウェルを形成して、この第３のウェルの中に形成されている。 - 特許庁

This circuit is provided with a disk type filter 200 having a multi-layer filter 221 on its surface and changing its passing wavelength depending on a rotation angle, an input means 204 inputting an optical signal to the disk type filter 200 and a receiving means 203 receiving the optical signal transmitting through the disk type filter 200.例文帳に追加

表面に多層膜フィルタ２２１を有し、その通過波長が回転角度に依存して変化するディスク型フィルタ２００と、前記ディスク型フィルタ２００に光信号を入力する入力手段２０４と、前記ディスク型フィルタ２００を透過した光信号を受信する受信手段２０３とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In a trench gate type MISFET, first injection for forming a first highly concentrated p-type source region 6 is carried out to deeply implant impurities, and then, second injection for forming a second highly concentrated p-type source region 8 is carried out to increase impurity concentration in the neighborhood of the top surface of a semiconductor region 14.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴにおいて、第１の高濃度Ｐ型ソース領域６を形成するための第１の注入により不純物を深くまで注入し、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８を形成するための第２の注入により半導体領域１４の上面付近の不純物濃度を高くする。 - 特許庁

In the flat plate type heat pipe, in which only a condensable fluid is sealed substantially into a flat plate type sealed vessel 1, a thick part 3, having a predetermined configuration projected inward, is provided in the sealed vessel 1 at the central part of inner surface of an upper lid body 2 for the flat plate type sealed vessel 1.例文帳に追加

平板状の密閉容器１の内部に実質的に凝縮性流体のみを封入した平板型ヒートパイプにおいて、前記平板状密閉容器１の上蓋体２の内面中央部に、前記密閉容器１の内側に向けて凸となる所定の形状の厚肉部３が設けられている。 - 特許庁

The method for activating the solid acid salt-type electrolyte that improves proton conductivity in the solid acid salt electrolyte by forcibly keeping the surface of the solid acid salt-type electrolyte at 10 to 80°C and the humidity in a range of 10% to 100% in the solid acid salt-type electrolyte consisting of cation and anion.例文帳に追加

陽イオンと陰イオンからなる固体酸塩型電解質おいて、１０℃から８０℃で、固体酸塩型電解質の表面を、湿度を１０％から１００％の範囲に強制的に保つことにより、固体酸塩電解質中のプロトン伝導性を向上させる固体酸塩型電解質の活性化方法。 - 特許庁

In a structure where an n^+-type cathode region 6 is arranged in the center portion and p^+-type anode regions 7 are arranged on both sides of the n^+-type cathode region; an electrode pattern 11 is formed on a semiconductor element portion 8; and the electrode pattern 11 is connected to an electric-potential control portion 9, located on a side surface of the semiconductor element portion 8.例文帳に追加

ｎ^+型カソード領域６を中央に配置してその両側にｐ^+型アノード領域７を配置した構造において、半導体素子部８の上に電極パターン１１を形成すると共に、電極パターン１１が半導体素子部８の側面に位置する電位制御部９に接続された構造とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass ceramic where the glass ceramic whose surface is excellent in durability has one or more titanium oxide crystal phases selected from the group consisting of an anatase type, a rutile type and a brookite type and to provide a photocatalytic functional formed body and a hydrophilic formed body containing the glass ceramic produced by the method.例文帳に追加

表面が耐久性に優れ且つアナターゼ型、ルチル型及びブルッカイト型からなる群の１種以上の酸化チタン結晶相を有しているガラスセラミックスの製造方法、及びこの製造方法で製造されるガラスセラミックスを含む光触媒機能性成形体及び親水性成形体を提供する。 - 特許庁

A wiper device 22, in which the liquid substance 56 sticking to the surface of a metal band steel plate 41 moving on a line are wiped out, is constituted of a tube type wiper means 20 capable of adjusting gaps and a roll type wiper means 21 arranged in the proximity of the outlet of the tube type wiper means 20.例文帳に追加

ライン上を移動する帯板鋼板４１の表面に付着した液状物５６を払拭するワイパー装置２２であって、前記ワイパー装置２２が、ギャップ調整可能なチューブ式ワイパー手段２０と、このチューブ式ワイパー手段２０の出側に近接配置されたロール式ワイパー手段２１とで構成された。 - 特許庁

A projection type video display apparatus 100 includes a reflection type liquid crystal panel 70 which modulates light radiated from a light source 10, a projection optical system 310 which projects the light radiated from the reflection type liquid crystal panel 70 onto a projection surface, and an acoustic device 330 which outputs sounds in a vertical direction.例文帳に追加

投写型映像表示装置１００は、光源１０から出射される光を変調する反射型液晶パネル７０と、反射型液晶パネル７０から出射される光を投写面上に投写する投写光学系３１０と、鉛直方向に音を出力する音響装置３３０とを備える。 - 特許庁

A one conductivity-type of semiconductor layer 2, an opposite conductivity-type semiconductor layer 3, and individual electrodes 4 are formed on a high-resistance silicon substrate 1, and a common electrode is connected to the top of the extension of the one conductivity-type of semiconductor layer 2, and the surface roughness of the extension is made Ra100 Å or smaller.例文帳に追加

高抵抗シリコン基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを形成し、一導電型半導体層２を引き延ばした延在部の上に共通電極５を接続し、その延在部の表面粗さをＲａ１００Å以下にする。 - 特許庁

In the back irradiation type solid-state imaging element, the sensitivity is enhanced by making large an opening for introducing light by a back irradiation type by providing a light guide region on a back surface of a photodiode 8 of the back irradiation type solid-state imaging element, and the color mixing is reduced by adopting a light guide region structure.例文帳に追加

裏面照射型固体撮像素子のフォトダイオード８裏面に光導波領域を設けることにより、固体撮像素子において裏面照射型で光を導入する開口を大きく取ることで感度向上を図り、光導波領域構造を取ることにより混色を低減することができる。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 8 is formed by thermally diffusing a P-type impurity over the surface of the layer 4, and a fourth N-type semiconductor layer 20 which is doped more heavily than the layer 4 is formed from the layer 18 having a large diffusion coefficient toward the layer 4.例文帳に追加

第２Ｎ型半導体層の表面にＰ型不純物を熱拡散してＰ型半導体層８を形成させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８から第２Ｎ型半導体層に第２Ｎ型半導体層の濃度より高い濃度の第４Ｎ型半導体層２０を形成する。 - 特許庁