「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

A permeation type UV (ultraviolet light) curable resin is coated and impregnated on the plywood 1 cured by the impregnation of a permeation type hydrophobic resin from the surface side, and the cured layer A of the permeation type UV curable resin is formed on the upper part of the plywood 1, and a substrate 2 is disposed on the lower part of the plywood 1.例文帳に追加

浸透型疎水樹脂が含浸されて硬化した単板１に、表面側から浸透型ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂が塗布含浸されてその浸透型ＵＶ硬化型樹脂の硬化層Ａが単板１の上部に形成されており、この単板１の下部には基材２が配設されていることとする。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition suitable for use under a light source for exposure which emits light of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), to provide a positive type resist composition having improved surface roughness and superior storage stability and to further product a positive type resist composition which also diminishes development defects.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、表面ラフネスが改善され、保存安定性に優れたポジ型レジスト組成物、更には現像欠陥をも低減したポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

As viewed in a cross section of a trench gate electrode 12 extending along a surface 2a of a semiconductor substrate 2 in the semiconductor device 1, a trench gate electrode 12, an n^+-type source region 20, a p-type body contact region 30, a buried insulator layer 50 and an n^+-type drain region 60 are arranged in this order.例文帳に追加

半導体装置１を半導体基板２の表面２ａに沿って伸びているトレンチゲート電極１２を横断する断面で観測すると、トレンチゲート電極１２とn^+型ソース領域２０とp型ボディコンタクト領域３０と埋込絶縁体５０とn^+型ドレイン領域６０がその順序で配置されている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a reflection preventing film having a polylactic acid type resin as a supporting body and the polarizing plate having a polylactic acid type polymer film or a cycloolefin type polymer film as the protective film of at least one side surface of the polarizing plate are used by sticking them to each other directly or via another transparent layer.例文帳に追加

ポリ乳酸系樹脂を支持体とする反射防止フィルムと、ポリ乳酸系ポリマーフィルム又はシクロオレフィン系ポリマーフィルムを少なくとも片面の偏光板保護フィルムとする偏光板とを、直接又は他の透明層を介して貼り合わせて用いたことを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

The p-type region 8 is formed to generate a depletion layer DL covering at least a surface layer S23 of a joint J23 between a first p-type region 3 and an n-type semiconductor substrate 2 while no voltage is applied to a back electrode 7 (zero bias) or large voltage is applied by ESD.例文帳に追加

この第２のＰ型領域８は、裏面電極７への電圧非印加時（ゼロバイアス時）にもＥＳＤによる大電圧印加時にも、第１のＰ型領域３とＮ型半導体基板２の接合部Ｊ２３のうち、少なくとも表層部Ｓ２３を覆う空乏層ＤＬを発生させるように形成されている。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing the thin film has a means 18 preheating a plate type substrate, a means attracting the preheated plate type substrate on a hot plate 19, and a means 20 spraying a solution containing a raw material of the thin film on a surface of the plate type substrate attracted on the hot plate 19.例文帳に追加

板状の基板を予備加熱する手段１８と、予備加熱された板状の基板をホットプレート１９上に吸着する手段と、ホットプレート１９上に吸着された板状の基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧する手段２０とを含む薄膜の製造装置である。 - 特許庁

A buried layer 111 which contributes to the constriction of a current is provided on each side 131b of a mesa stripe 131a, at least, composed of a first conductivity-type first clad layer 103, an active layer 103, and a second conductivity- type second clad layer 107, and a second conductivity-type third clad layer 121 is provided on all the surface.例文帳に追加

少なくとも第１導電型の第１クラッド層１０３、活性層１０５および第２導電型の第２クラッド層１０７からなるメサストライプ部１３１ａの両側１３１ｂに電流狭窄に寄与する埋め込み層１１１が設けられ、その上に全面に第２導電型の第３クラッド層１２１が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for calibrating a multi-frequency vortex type thickness measuring instrument having non-contacting type to molten metal surface and good accuracy and further, avoiding the danger considerably in comparison with the case using salt water, when the molten thickness of mold powder layer in a mold in a continuous casting is measured with the multi-frequency vortex type thickness measuring instrument.例文帳に追加

連続鋳造において鋳型内のモールドパウダー層の溶融厚みを多周波渦流式厚み計測器で計測するに当たり、溶鋼湯面に非接触式で且つ精度良く更に塩水を用いた場合などに比較して大幅に危険性を回避して多周波渦流式厚み計測器を校正する方法提供する。 - 特許庁

Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.例文帳に追加

そして、第１拡散領域３および第２拡散領域４の外周部にｎ^−形半導体層２の表面からｐ形半導体基板に達するｐ形のアイソレーション拡散領域５が形成され、第１拡散領域３とアイソレーション拡散領域５とが接続電極６により電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a vibration type liquid level detection device wherein the kinds of the vibration type liquid level detection device are reduced, and thereby reducing a cost, by enabling the vibration type liquid level detection device to detect the liquid surface position in a vessel continuously from the highest position to the lowest position and to be used in common among vessels having different shapes.例文帳に追加

振動式液面検出装置を、形状が異なる容器間において、容器内液面位置をその最大位置から最小位置まで連続して検出可能且つ共通使用可能として、振動式液面検出装置の種類を低減し、コストを低減できる振動式液面検出装置を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a semiconductor substrate 102, rewiring 110 provided on one surface of the semiconductor substrate 102, and a laminate type photosolder resist film 114 provided to cover at least a part of the rewiring 110 wherein the laminate type photosolder resist film 114 contains cardo type polymer.例文帳に追加

半導体基板１０２と、半導体基板１０２の一方の面に設けられている再配線１１０と、再配線１１０の少なくとも一部を覆うように設けられているラミネートタイプのフォトソルダーレジスト膜１１４と、を備え、ラミネートタイプのフォトソルダーレジスト膜１１４は、カルド型ポリマーを含有する半導体装置１００を提供する。 - 特許庁

The second clad layer 109 and the p-type ZnO contact layer 110 are formed to have mesa-shaped cross sections which are made wider on the second clad layer 109 side than the p-type ZnO contact layer 110 side in the direction parallel to the surface of the n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

上記ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０は、ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１の表面と平行な方向の断面が、ｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０側よりもｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９側で広いメサ形状になっている。 - 特許庁

This heat storage body is provided by forming a thermosetting type resin molded body (a'') having an aggregate structure having 5-100 m^2/g specific surface area with a thermosetting type resin cured material (a') having ≤0.20 W/(mxK) heat conductivity and filling a heat storage material (b) in the gaps of the thermosetting type resin molded body (a'').例文帳に追加

本発明の蓄熱体は、熱伝導率が０．２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下の熱硬化型樹脂硬化体（ａ´）が比表面積５〜１００ｍ^２／ｇであるアグリゲート構造を有する熱硬化型樹脂成形体（ａ´´）を形成し、この熱硬化型樹脂成形体（ａ´´）の間隙に蓄熱材（ｂ）が充填されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a socket connector for IC cards capable of being readily automatically assembled by an automatic machine, holding a circuit substrate on the centerline of a housing of a surface mounting type same as on a double- sided board mounting type (clipping type), and being reduced in thickness, and to provide IC cards.例文帳に追加

自動機による自動組立が容易であり、表面実装タイプにおいても両面実装タイプ（挟み込みタイプ）と同様に、ハウジング１の中心線上に回路基板５を取り付けることが可能であり、薄型化に対応できるＩＣカード用ソケットコネクタ１０ａおよびＩＣカード２０を提供すること。 - 特許庁

To provide an aqueous emulsion type adhesive to replace an organic solvent type adhesive, and to provide the aqueous emulsion type adhesive which is excellent in adhesion, has an excellent balance among tackiness, softening point, and curved surface retention, has an excellent retention of adhesion in a high temperature and a high moisture atmosphere, and has extremely low TVOC.例文帳に追加

有機溶剤型粘着剤の代替品を水性エマルジョン型粘着剤で提供し、接着性に優れるとともに、タック、軟化点、曲面保持力のバランスに優れ、かつ高温、高湿雰囲気下における接着保持力に優れるとともに、ＴＶＯＣの極めて低い水性エマルジョン型粘着剤を提供する。 - 特許庁

To provide a glass ceramic whose surface is excellent in durability and which has a crystal phase of one or more titanium oxides selected from the group consisting of an anatase type, a rutile type and a brookite type or an inorganic titanium phosphate compound, a method for producing the same and a photocatalytic functional member and a hydrophilic member, containing the glass ceramic.例文帳に追加

表面が耐久性に優れ且つアナターゼ型、ルチル型及びブルッカイト型からなる群の１種以上の酸化チタン又は無機チタンリン酸化合物の結晶相を有しているガラスセラミックス、その製造方法、及び前記ガラスセラミックスを含む光触媒機能性部材及び親水性部材を提供する。 - 特許庁

The DDR type zeolite membrane composite 1 is constituted of a porous substrate 2 and a DDR type zeolite layer 5, deposited in a substrate, of the thickness of of 5-50 times the average pore diameter of the porous substrate made of a DDR type zeolite arranged in the pore 3 of one side surface of the porous substrate 2.例文帳に追加

多孔質基体２と、多孔質基体２の一方の表面の細孔３内に配設された、ＤＤＲ型ゼオライトからなる、多孔質基体の平均細孔径の５〜５０倍の厚さの基体内析出ＤＤＲ型ゼオライト層５とを備えてなることを特徴とするＤＤＲ型ゼオライト膜複合体１。 - 特許庁

The closed deck type cylinder block 1 is manufactured by press-fitting a bridge material 5 with the surface of a bridge base material 7 covered with a soft covering material 8, into the upper end part of a water jacket 4 of an open deck type cylinder block 2, and welding a joint part between the open deck type cylinder block 2 and the bridge material 5 by electronic beams 9.例文帳に追加

オープンデッキ型シリンダブロック２のウォータジャケット４の上端部に、ブリッジ母材７の表面を軟質な被覆材８で被覆したブリッジ材５を圧入した後、オープンデッキ型シリンダブロック２とブリッジ材５との接合部を電子ビーム９により溶接してクローズドデッキ型シリンダブロック１を製造する。 - 特許庁

An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes.例文帳に追加

素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

A first impurity region 2 of a reverse conductivity type configuring a photoelectric conversion region and a buried channel region 3 of a reverse conductivity type configuring an element for transferring signal charge are formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, and a first insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

一導電型の半導体基板１の主面部に、光電変換領域を構成する逆導電型の第一不純物領域２、および信号電荷を転送する素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域３を形成し、半導体基板上に第一絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

The concentration profile of Si ion in the N-type GaAs layer is made to decrease in the depth direction from the bonding surface with a Schottky metal layer 14, by controlling the maximum concentration position of the injected Si ions to be in the Schottky metal layer 14 or near the bonding surface of both layers, when Si ions as N type impurity ions are injected into N-type GaAs layer 13 through a Schottky metal layer 14.例文帳に追加

Ｎ型不純物イオンとしてのＳｉイオンをショットキー金属層１４を介してＮ^- 型ＧａＡｓ層１３に注入する際、注入Ｓｉイオンの最大濃度位置がショットキー金属層１４内または両者の接合面近傍になるように制御して、Ｎ^-型ＧａＡｓ層１３内のＳｉイオンがショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かって減少する濃度プロファイルとなるようにする。 - 特許庁

The wheel bearing device of a double-row outward angular ball bearing type has a counter bore portion 9 located adjacent to a raceway surface 4 of the outer ring 1 and having an inner diameter face protruded to the inner diameter side of the outer ring raceway surface 4 beyond the groove bottom diameter.例文帳に追加

この車輪用軸受装置は、複列外向きアンギュラ玉軸受型とされ、外輪１の軌道面４に隣接して、内径面が外輪軌道面４の溝底径よりも内径側に突出したカウンタボア部９を有する。 - 特許庁

Also, a first opening window 21a that exposes the function surface of the wide-type distributing apparatus D1 and a second opening window 21b that exposes the function surface of the ordinary distributing apparatus C1 are formed at a body 20 of the face plate B1.例文帳に追加

また、化粧プレートＢ１の化粧プレート本体２０にはワイド型の配線器具Ｄ１の機能面を露出する第１の開口窓２１ａと普通型の配線器具Ｃ１の機能面を露出する第２の開口窓２１ｂが設けてある。 - 特許庁

A ring type mounting tool 30 is placed on a surface of an article 10 having a specified radius of curvature, melted low melting point alloy 40 is flown in and hardened and a surface shape of the article 10 is transferred to the low melting point alloy 40.例文帳に追加

所定の曲率半径を有する物１０の表面にリング状の取付具３０を載せ、溶融した低融点合金４０を流し込み硬化させ、物１０の表面形状を低融点合金４０に転写する。 - 特許庁

At least a hydrophobic emulsion type resin is used as a surface sizing agent of the substrate for diazo photosensitive paper comprising the acid-free paper whose surface has ≥ pH 6 to obtain the objective substrate for diazo photosensitive paper.例文帳に追加

支持体の紙面ｐＨが６以上の中性紙からなるジアゾ感光紙用支持体ににおいて、該支持体の表面サイズ剤として少なくとも疎水性のエマルジョン型樹脂を用いることを特徴とするジアゾ感光紙用支持体。 - 特許庁

In place of a ring-pull of the type to be pulled upward of a lid surface of a known easy-open can lid, an opening tool corresponding to the ring pull is horizontally moved along an outer circumferential edge of the can lid surface to push-open an opening piece.例文帳に追加

従来のイージーオープン缶蓋の蓋面に対して引上げる方式のリングプルの替わりに、リングプルに相当する開口具を、缶蓋面の外周の縁にそって水平方向に移動させることで開口片を押し開ける。 - 特許庁

WINDING TYPE TAPE COLORED ON ONE OR BOTH SIDE OF ROLL SIDE SURFACE OF MASKING TAPE OR THE LIKE AND HAVING SIMPLE AND OPTIONAL POINT MARKS WITH ABOUT 5 CM INTERVAL ON TAPE SURFACE例文帳に追加

マスキングテ−プ等のロ−ル側面の片側、又は両側に着色加工を施し、又テ−プ表面に５ｃｍ程の間隔で簡略任意なるポイントマ−クをつけ簡単にテ−プの長さ等がわかる様にした、巻き型テ−プ。 - 特許庁

To provide a coating application type magnetic recording medium provided with a lower layer coating film B and an upper layer coating film A on one surface on a nonmagnetic support C and provided with a back layer D on the other surface in such a manner that excellent preservation characteristics can be obtained.例文帳に追加

非磁性支持体Ｃ上の一方の面に下層塗膜Ｂ、上層塗膜Ａが設けられ、且つ他方の面にバック層Ｄが設けられた塗布型磁気記録媒体において、優れた保存特性が得られるようにする。 - 特許庁

Thereafter, an upper surface of the control valve type lead-acid battery 1 positioned at the top part of the storage metallic frame 3 is pressurized by welding the presser plate 2 with pressure by fastening a bolt 4 set on an upper surface of the storage metallic frame 3.例文帳に追加

そして、前記収納金枠3の上面に設置されたボルト4を締付けることにより前記押え板2を圧接することによって、前記収納金枠3の最上部に位置する制御弁式鉛蓄電池1の上面を加圧する。 - 特許庁

To provide a polishing method capable of efficiently smoothing a surface part and a cutout part inner surface to a high grade, by deburring and rounding a relatively small work having a cutout part, by using a fluid type barrel polishing device.例文帳に追加

流動型バレル研磨装置を用いて、切欠き部を有する比較的小物のワークのバリ取りとＲ付け、および表面部と切欠き部内面の平滑化を、効率的、高品位に行うことができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

The information input/detection/display unit 102 is provided as a type embedded in the wall 121b of the room 121, and the coordinate-input detection and display surface 102a are arranged to fall in the inside wall surface of the room 121.例文帳に追加

情報入力／検出／表示ユニット１０２は、部屋１２１の壁１２１ｂ内に埋め込む形式で設けられており、座標入力検出面および表示面１０２ａが部屋１２１の内側面になるように配置されている。 - 特許庁

The auxiliary member 5 is approximately as high as the surface of the engine hood 1, a clip 6 is provided on an upper surface on its short side 5b, and a long side 5a is provided parallel to a step 4 to cover an opening part on the seat installation type recessed part 2 side.例文帳に追加

補助部材５は、エンジンフード１の表面とほぼ同一の高さを有し、その短辺側５ｂ上面にクリップ６を設け、長辺側５ａは座席設置用凹部２側の開口部を覆うよう段差４に平行に設けた。 - 特許庁

The folding box 1 includes a foldable box 2, a surface-type display 3 which is provided on any one surface constituting the box 2 with its light-emission area being patterned, and a power supply 4 for supplying power to the display 3.例文帳に追加

折り畳みボックス１は、折り畳み可能なボックス部２と、ボックス部２を構成するいずれかの面に設けられ、発光領域がパターニングされた面状の表示部３と、表示部３に電力を供給する電源部４とを備えている。 - 特許庁

To perform the contamination detection of a sensor surface and the contamination detection of the surface of a front grill by use of the same light receiving element in a distance detector of a type to be arranged in rear of the front grill.例文帳に追加

距離検出装置がフロントグリルの後方に配置される形態とされるものである場合において、センサ表面の汚れ検出とフロントグリルの表面の汚れ検出とを同じ受光素子によって行えるようにする。 - 特許庁

The glass plate member 120 is fitted in a space 111, from the underside of the frame member 106 and is welded to the lower surface 108a of the top plate portion 108 and the inner surface 109a of the peripheral side plate portion 109 by matched type welding.例文帳に追加

ガラス板部材１２０は、フレーム部材１０６の下側から空間１１１内に嵌合してあり、天板部１０８の下面１０８ａ及び周囲側板部１０９の内面１０９ａにマッチドタイプ溶着してある。 - 特許庁

The power semiconductor element such as a transistor is installed on an upper surface of the heat sink 31 in a square shape via an insulating layer 44, and connection pieces 22a and 21a of a flat plate type conductor are superposed on and fixed to an upper surface of the power semiconductor element.例文帳に追加

正方形状のヒートシンク３１の上面に絶縁層４４を介してトランジスタ等のパワー半導体素子を設置し、パワー半導体素子の上面に平板状の導体の接続片２２ａ，２１ａを重合固定する。 - 特許庁

This cata-dioptric type projection optical system is equipped with at least one concave reflection mirror (CM) and plural lens components (Li), and projects the image of a slit-shaped pattern extended in a specified direction on a first surface (M) to a second surface (P).例文帳に追加

少なくとも１つの凹面反射鏡（ＣＭ）と複数のレンズ成分（Ｌｉ）とを備え、第１面（Ｍ）上において所定方向に沿って延びたスリット状のパターンの像を第２面（Ｐ）に投影する反射屈折型の投影光学系。 - 特許庁

To prevent the fluctuation of a projected video by exhausting the hot air of a device body passing through the optical path of a free curved surface mirror from the front of a final projection mirror in a projection type picture display device using the free curved surface mirror.例文帳に追加

自由曲面ミラーを用いた投写型画像表示装置において、自由曲面ミラーの光路内を通った装置本体の熱風が最終投射ミラーの前面より排気されることにより、投影映像の揺らぎを防止する。 - 特許庁

To provide a synchronizing device for an engaging type clutch of a transmission wherein the sliding friction between a tapered peripheral surface of a first rotor and the tapered inside surface of a synchronizer ring rotating together with a second rotor is maintained in an appropriate range.例文帳に追加

第１回転体のテーパ状外周面と第２回転体とともに回転するシンクロナイザリングのテーパ状内周面との間の摺動摩擦が適切な範囲に維持される変速機用噛合型クラッチの同期装置を提供する。 - 特許庁

In a cleaning tank 14, at first, a water jet formed by an overflow type spray apparatus 18 is poured on the surface of an aluminum web 12 where an etching solution is stuck, and, the surface of the aluminum web 12 is subjected to cleaning (initial cleaning).例文帳に追加

洗浄槽１４内では、先ず、オーバーフロー型のスプレー装置１８により形成された水流をエッチング溶液が付着したアルミウエブ１２の表面に浴びせ、この水流によりアルミウエブ１２の表面を洗浄（初期洗浄）する。 - 特許庁

At least either the inner or outer surface of the end edge 16 of a girth opening 11 in the disposable panty type wearing article 1 is formed with a portion having a higher coefficient of friction than the inner surface of a portion other than the end edge 16.例文帳に追加

使い捨てのパンツ型着用物品１における胴周り開口１１の端縁部１６の内外面の少なくとも一方に、端縁部１６以外の部位の内面よりも高い摩擦係数を有する部位が形成される。 - 特許庁