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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface typeに関連した英語例文

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surface typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14065



例文

An engaging part 14A is provided in the insertion part 12, the engaging part expanding in a radius direction from the insertion part 12 and pressing the internal peripheral surface of the center tube 21 of a spiral-type membrane element 2 to connect the body part 11 with the spiral-type membrane element 2.例文帳に追加

挿入部12には、当該挿入部12から径方向に広がってスパイラル型膜エレメント12の中心管21の内周面を押圧することにより、本体部11をスパイラル型膜エレメント2に連結する係止部14Aが設けられている。 - 特許庁

At first, the surface of the base material layer 12 is coated with the base coat layer 13 consisting of a two-pack type urethane coating material whose chief ingredient has a backbone chain of 70% acryl-polyol and branched chains of 30% alkyd-polyol, and whose curing agent is a buret type HMDI.例文帳に追加

まず、基材層12の表面に、主剤を主鎖がアクリル−ポリオール70%、分枝鎖がアルキッド−ポリオール30%で、硬化剤をビューレット型のHMDIとする2液硬化型ウレタン塗料からなるベースコート層13で被覆する。 - 特許庁

To provide a method of machining for forming a sliding surface on a cylinder wall of a cylinder liner of a piston type combustion engine, in particular low-speed large diesel engine of the two stroke type, where a piston is arranged in a cylinder liner and reciprocates in the cylinder axis direction.例文帳に追加

ピストンがシリンダライナー内に配置されシリンダ軸線の方向に往復作動するピストン式燃焼機関、特に緩速2ストローク式大型ディーゼル機関のシリンダライナーのシリンダ壁に滑走面を形成する機械加工方法を提供する。 - 特許庁

The p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor layer is formed by adding beryllium (Be) to the boron phosphide (BP)-based semiconductor layer provided on the surface of a single-crystal substrate and containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements as the p-type impurity.例文帳に追加

単結晶からなる基板の表面上に設けられた、硼素(B)とリン(P)とを構成元素として含むリン化硼素(BP)系半導体層に、p形不純物としてベリリウム(Be)を添加し、p形リン化硼素(BP)系半導体層を形成する。 - 特許庁

例文

To obtain an arranging structure of an MIM type capacitive element in high reliability by furthermore specifying a front surface profile having a high relative accuracy by specifying the arrangement of two MIM type capacitive elements having the identical capacity value.例文帳に追加

同一の容量値を有する2つのMIM型容量素子の配置を規定化することにより高い相対精度を有し、さらには表面形状を規定化することにより高い信頼性を有するMIM型容量素子の配置構造を得る。 - 特許庁


例文

In the second organic optical response element, the surface of the electrode base material is covered with a first layer made of a p-type organic semiconductor and a second layer made of an n-type organic semiconductor, and further a transition metal catalyst is carried on the second layer.例文帳に追加

該第2の有機光応答素子は、電極基材の表面に、p型有機半導体からなる第1層及びn型有機半導体からなる第2層が被覆されてなり、該第2層の上にさらに遷移金属触媒が担持されていてもよい。 - 特許庁

Subsequently, an n-type layer 102, an emission layer 103, and a p-type layer 104 are laminated in order along the uneven shape by low pressure MOCVD on the surface of the substrate 101 where the uneven saw-tooth stripe shape is formed.例文帳に追加

次に、基板101のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧MOCVD法によって、その凹凸形状に沿って、n型層102、発光層103、p型層104を順に積層させる。 - 特許庁

To obtain a discharge type photocatalytic membrane which stabilizes drastically a humidity-dependence property defining a specific surface area and a porosity of a photocatalyst including a substrate, and at the same time, a method of manufacturing a discharge type photocatalyst, which aims cost reduction and enables commercial production.例文帳に追加

基材を含めた光触媒の気孔率と比表面積を規定して、湿度依存性を大幅に安定化させた放電型光触媒膜を得るとともに、コスト低減を図り量産可能な放電型光触媒の製造方法を得る。 - 特許庁

And, by applying the ion implantation method using the ring-shaped gate electrode 35 as a mask, arsenic is injected with high concentration into the surface n^+ layer 90 and the p^+ type region 89 through the LDD side spacer 91 to form an n^+ type source region 36.例文帳に追加

そして、リング状ゲート電極35をマスクとしたイオン注入法を適用して、LDDサイドスペーサ91を通して表面n^+層90及びp^+型領域89内にひ素を高濃度で注入し、n^+型のソース領域36を形成する。 - 特許庁

例文

An output circuit comprises the same conductivity type output transistor as a semiconductor substrate to form an opposite conductivity type first well to the substrate near the surface of the substrate in the first well.例文帳に追加

本発明の半導体装置の出力回路では、半導体基板と同一の導電型の出力トランジスタは、半導体基板の表面近傍に、半導体基板と反対の導電型の第1のウェルを形成して、この第1のウェルの中に形成されている。 - 特許庁

例文

This floor installation type apparatus 100 is equipped with a pendulum lever 11 moving by the gravity, and when the floor installation type apparatus 100 is separated from the installation surface B, a moving result of the pendulum lever 11 is held mechanically by using a ratchet mechanism.例文帳に追加

床設置型機器100に、重力により移動する振子レバー11を備え、当該床設置型機器100が設置面Bから離間した場合に、振子レバー11の移動結果をラチェット機構13を用いて機械的に保持する。 - 特許庁

The member for a speaker of this invention is made of a resin composition containing a syndiotactic type olefin group polymer or a syndiotactic type styrene group polymer having an Mw/Mn of 4 or below as a major material and paint is coated on the surface.例文帳に追加

本発明のスピーカー用部材は、4以下のMw/Mnを有するシンジオタクティック型オレフィン系ポリマーまたはシンジオタクティック型スチレン系ポリマーを主剤として含有する樹脂組成物から形成され、かつ、表面に塗料が塗布されている。 - 特許庁

An anode electrode 14, connecting with the P-type semiconductor layer 12, is formed further on the layer 12, and a mesa groove 16 is formed to be deeper than the N^--type semiconductor layer 11 from the surface of the layer 12 to surround the electrode 14.例文帳に追加

P型半導体層12上にはさらに、P型半導体層12と接続するアノード電極14を形成し、これを取り囲んで、P型半導体層12の表面から、N−型半導体層11より深くメサ溝16を形成する。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

p型不純物層113内に形成されるフローティング拡散領域131、及びフローティング拡散領域131を囲むように形成されるトランスファーゲート電極123は、n型不純物層111上の第1面1側に形成される。 - 特許庁

On the crosslinking type resin surface layer of the electrophotographic photoreceptor contains the crosslinked body of trimethylol propane triacrylate, radical polymerizable functional group-containing isocyanate and a heat-curable or photocurable type charge transport substance.例文帳に追加

電子写真感光体の架橋型樹脂表面層にトリメチロールプロパントリアクリレートとラジカル重合性官能基含有イソシアネートと熱または光硬化型の電荷輸送物質との架橋体を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

This coating composition contains as main ingredients a reaction product obtained by reacting an organosol of a colloidal silica having a silanol group on the surface with a nonblock-type polyisocyanate; and a block-type polyisocyanate in which isocyanate groups are blocked with a blocking agent.例文帳に追加

シラノール基を表面に有するコロイダルシリカのオルガノゾルに、非ブロック型のポリイソシアネートを加えて反応させて得られた反応生成物と、イソシアネート基をブロック剤でブロックしたブロック型のポリイソシアネートとを主剤として含むことを特徴とする。 - 特許庁

Various kinds of semiconductor layers forming an APD on the surface of a light transmissive n-type semiconductor substrate 20 are laminated upto a light absorbing layer (S1), and n-type semiconductor substrate 20 is polished on the back, and is then provided with reflection reducing coating (S2).例文帳に追加

光透過性のn形半導体基板20の表面にAPD10を構成する各種の半導体層を積層して光吸収層まで形成し(S1)、n形半導体基板20の裏面を研磨してから減反射コートを施す(S2)。 - 特許庁

The nitride-group semiconductor laser element 50 (nitride-group semiconductor laser element) comprises an n-type GaN substrate 1 and a semiconductor laser element layer 3 formed on a principal surface (m plane (1-100) plane) of the n-type GaN substrate 1 and having a light emitting layer 6.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子50(窒化物系半導体レーザ素子)は、n型GaN基板1と、n型GaN基板1の主表面(m面((1−100)面))上に形成され、発光層6を有する半導体レーザ素子層3とを備える。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device having a substrate structure in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

第1導電型の半導体基板上に第2導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, an n-type single-crystal silicon wafer 21 is placed on a first placing surface 50A of a first substrate tray 50 covered by an i-type amorphous silicon layer 28, in a step of forming an HIT-structure.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、HIT構造の形成工程において、n型単結晶シリコンウェハ21は、i型非晶質シリコン層28によって覆われた第1基板トレー50の第1載置面50A上に載置される。 - 特許庁

A flat plate type protector 23 is attached to a round type steel pipe 22 to form a reinforcing member 21 for a gas duct while the reinforcing member 21 is arranged in the gas duct so that the colliding angle α of exhaust gas G against the front surface 24 of the protector becomes a right angle (α≈90°) substantially.例文帳に追加

丸型鋼管(22)に平板状のプロテクター(23)をとりつけてガスダクトの補強材(21)を形成し、プロテクターの前面(24)への排気ガスGの衝突角度αがほぼ直角(α=約90°)になるようにガスダクト内に配設する。 - 特許庁

To properly make tangential tilt adjustments of the optical pickup of an optical disk drive, which records and reproduces a high-density and high- capacity type disk type recording medium, such as a DVD, by moving up and down a guide rail in parallel to and away from the surface of the disk.例文帳に追加

DVD等の高密度・高容量型のディスク状記録媒体の記録または再生を行う光ディスク装置において、ディスクの面に対してガイドレールを平行に上下させ、光ピックアップのタンジェンシャルチルト調整を適切に行う。 - 特許庁

To provide a unit type floor material, a manufacturing method for a floor material and a laying structure for the unit type floor material, enabling the floor materials to be easily coupled together and reliably laid on a floor surface, and permitting the size of the floor material to be easily changed.例文帳に追加

床材どうしを容易に連結するとともに容易に大きさを変更することができ、また、床面上に確実に敷設することのできるユニット式床材、床材の製造方法およびユニット式床材の敷設構造を提供すること。 - 特許庁

In an NMOS region on the semiconductor substrate 10, an n-type gate electrode 21 is formed via a second gate insulating film 20, with a second sidewall 26 of a relatively thin film formed on the side surface of the n-type gate electrode 21.例文帳に追加

半導体基板10上のNMOS領域には第2のゲート絶縁膜20を介してn型ゲート電極21が形成され、該n型ゲート電極21の側面には相対的に小さい膜厚を有する第2のサイドウォール26が形成されている。 - 特許庁

To provide a projection type display device capable of properly cooling a discharge lamp by considering reliability on the discharge lamp in cool-down after extinguishing the discharge lamp, in regard to the projection type display device using a cooling control method of cooling the outer surface and the inside of a light source unit.例文帳に追加

光源ユニットの外面およびその内部を冷却する冷却制御方法を用いている投射型表示装置において、放電ランプ消灯後のクールダウンで、放電ランプの信頼性を考慮した、放電ランプを適切に冷却する。 - 特許庁

This upper layer has on its top surface a plurality of well areas 103 of a 2nd conduction type a plurality of heavily doped source areas 104 of a 1st conductivity type, and a wavy part 202 which is formed by selective etching and parallel to the source areas.例文帳に追加

この上側層表面201に、第2導電型の複数のウエル領域103、第1導電型で高濃度ドープの複数のソース領域104、および選択エッチングで形成したソース領域に平行な波形部分202とを有する。 - 特許庁

To provide a bearing material capable of suppressing the shortening of a rolling fatigue life caused by the internal starting point type peeling and surface starting point type peeling of a rolling bearing, and to provide a rolling bearing capable of reducing bearing torque and a dust generation phenomenon.例文帳に追加

転がり軸受の内部起点型剥離及び表面起点型剥離に起因する転がり疲労寿命の短縮を抑制できる軸受材料を提供し、且つ軸受のトルクと発塵現象を低減できる転がり軸受を提供する。 - 特許庁

Then p-type InAsP current blocking layers 2 are formed to fill up the recessed sections of the diffraction grating surface by introducing the substrate 1 into an atmosphere containing a gas containing an element that becomes a p-type impurity, and raising the temperature of the substrate 1 up to 600°C.例文帳に追加

次に、基板を、p型の不純物となる元素を含む気体を含む雰囲気中に導入して600℃まで昇温することにより、p型InAsPからなる,回折格子面を埋めるp型電流阻止層2を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an n-type impurity layer 65 is formed on the surface insulating film, and a p-type impurity layer 95 is formed on the rear insulating film respectively by printing, the impurity is diffused by heat-processing, and an n++ semiconductor layer and a p++ semiconductor layer are formed.例文帳に追加

次に,表面絶縁膜上にn型不純物層65,裏面絶縁膜上にp型不純物層95を,印刷法にて各々形成し,熱処理により不純物を拡散し,n++半導体層及びp++半導体層を形成する。 - 特許庁

The peripheral face of the concrete pole-like body is thinly coated with a nonsolvent-type primer, or a coated solvent-type primer is heated and repaired as required, and the synthetic resin film is extended to cover the sheet stuck portion of a surface section.例文帳に追加

コンクリート柱状体の周面には、無溶剤型のプライマーを薄く塗布するか或いは塗布した溶剤型のプライマーを必要に応じて加温して補修し、合成樹脂フィルムを延長して地上部のシートの貼着部分も覆うようにする。 - 特許庁

To provide an eccentric thrust ball bearing capable of realizing long life while preventing both of surface-starting type flaking and inside-starting type flaking from growing under a thin lubricating condition and high load condition and realizing improved productivity, low costs, and high quality.例文帳に追加

希薄潤滑下、高荷重下で使用されても、表面起点型剥離、内部起点型剥離がいずれも生じ難くて長寿命化が実現でき、かつ生産性の向上、低コスト化、高品質化が実現できる偏心スラスト玉軸受を提供する。 - 特許庁

In this child auxiliary seat for vehicle, a pair of band type or string type carrying straps 13 and 13, and a strap 14 for gripping are attached to a lower surface side of a main body 11, and the seat can be easily carried by carrying it by one's back or holding it in one's hand.例文帳に追加

本体部11には、下面側に1対の帯状またはひも状の背負い用ストラップ13・13と、掴み用ストラップ14とが取り付けられ、背中に背負ったり手で掴んだりして、容易に持ち運びできるようになっている。 - 特許庁

To provide an optical scanning system capable of preventing an undesired luminous flux made incident on a reflection type deflector after passing near a normal laser beam in nearly parallel to the normal laser beam from being made incident on a surface to be scanned, as for a double reflection type optical scanning system.例文帳に追加

2回反射タイプの走査光学系であって、正規のレーザービームの近傍を通ってこれとほぼ平行に反射型偏向器に入射してくる不要光束が走査対象面に入射することを防止できる走査光学系を、提供する。 - 特許庁

To provide an in-line type electron gun in which an electric field overlapping type main lens method is adopted, and with which superior focus characteristics can be obtained by making small an electron beam spot over the entire surface of a phosphor screen without mechanically forming it in a large size.例文帳に追加

機械的に大きく形成することなく、蛍光体スクリーンの全面で電子ビームスポットを小さくして良好なフォーカス特性を得ることのできる、電界重畳型主レンズ方式を採用したインライン型電子銃を提供する。 - 特許庁

The seesaw-type switch 10 or the slide-type switch is disposed on the front side of a driver on the upper surface 3 so that the direction of the forward/reverse driving switching operation may meet the front/rear direction of a vehicle, ahead of which the shift-up push button switch 11 and the shift-down push button switch 12 are disposed.例文帳に追加

シーソー式スイッチ10又はスライド式スイッチ13は上面3の手前側に、前後進切換操作方向を車両の前後方向に合わせて配置され、その前方にシフトアップ押ボタンスイッチ11とシフトダウン押ボタンスイッチ12が配置される。 - 特許庁

A door trim 2 is made partially thinner by forming a recessed part 2d on an outdoor side surface of the door trim 2, the sheet type heater 5 is arranged in this recessed part 2d and a flat plate type insulator 6 which is an elastic member is placed on the outdoor side of the heater 5.例文帳に追加

ドアトリム2の車室外側面上に凹部2dを形成して、ドアトリム2を部分的に薄肉とし、この凹部2d内にシート状のヒータ5が配置され、ヒータ5の車室外側に、弾性部材である平板状のインシュレータ6が置かれる。 - 特許庁

Alignment marks 25a, 25b are provided in an inner region inside the outer periphery of an electrode pattern constituted of a plurality of electrodes 24 of a first conductivity type and a plurality of electrodes 25 of a second conductivity type formed on one surface side of a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

半導体基板21の一方の面側に形成された複数の第1導電型用電極24および第2導電型用電極25からなる電極パターンの外周より内側の内部領域にアライメントマーク25a,25bを有する。 - 特許庁

To provide an end cap used for a connector of a decoration type material capable of being used as both the end cap and the connector and reducing the number of components by half regarding the connector for connecting the decoration type materials mainly used for the wall surface or the like of a building interior.例文帳に追加

建築内装の壁面などに主として用いられる装飾型材を接続するためのコネクターに関し、エンドキャップとコネクターを兼用でき、部材点数を半減させることのできる装飾型材のエンドキャップ兼用コネクターを提案する。 - 特許庁

In this way, the impurity concentration can be easily made higher in a portion to be formed for insertion into the lower part of an n^+-source region 8 in the p^+-type contact region 9 than in a portion to be formed on the substrate surface side of a p-type base region 7.例文帳に追加

これにより、容易にp^+型コンタクト領域9のうちのn^+型ソース領域8の下方に入り込むように形成される部分をp型ベース領域7の基板表面側に形成される部分よりも不純物濃度が濃くできる。 - 特許庁

The passage 12 for both dry and wet air and a wet-type air passage 13 are arranged adjacently in the width direction of a fresh air-taking opening at the lower portion of the upper water bath 11 for a DC/AC-type cooling tower having a number of water-scattering holes at the bottom surface.例文帳に追加

底面に多数の散水孔が明けてある直交流式冷却塔用上部水槽11の下方に、乾湿空気兼用通路12と湿式空気通路13が外気取り入れ口の幅方向に隣接して配置してある。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of transmission type liquid crystal display by using a backlight while maintaining the reflectance of reflection type liquid crystal display by using external light and having satisfactory visibility in a liquid crystal display surface regardless of the outside environment.例文帳に追加

外部光による反射型液晶表示の反射率を維持しつつ、バックライトによる透過型液晶表示が可能であり、外部環境によらず液晶表示面における視認性の良好な液晶表示装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

10K以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはpn接合型のInSb単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

A high-concentration impurity layer, which is at least an ohmic contact surface for a gate electrode M1b of a base layer (a P-type base region and a P-type semiconductor region P1) that is a path of a gate trigger current I_GT, is formed by a high-melting-point metal silicide layer LM.例文帳に追加

少なくとも、ゲートトリガ電流I_GTの経路となるベース層(P型ベース領域、P型半導体領域P1)のゲート電極M1bとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層LMで形成する。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には,接続界面の化合物半導体およびSiの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でn型またはp型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

Further, on this occasion, the beam having a Gaussian type beam profile passes through an aspherical lens specially manufactured as a condensing lens 14 by an optical design and changes to a substantially conical type beam profile so that irradiation is performed to the polyimide film surface.例文帳に追加

またこのとき、ガウシアン型のビームプロファイルをもつビームを、集光レンズ14として専用に光学設計して製作した非球面レンズを通過させることにより、略円錐形状のビームプロファイルに変更してポリイミドフィルム表面に照射する。 - 特許庁

To form with a relatively low energy a titanium oxide film of anatase type or partly containing rutile-type titanium oxide on the surface of a substrate by coating the substrate with a titanium oxide precursor followed by irradiating the precursor with rays emitted from a halogen lamp.例文帳に追加

基材表面の酸化チタン前駆体層をハロゲンランプ加熱という大型の加熱炉のような大規模の設備を必要とせず、比較的低エネルギーで、アナターゼや一部ルチルを含む酸化チタン層を基材表面に作成する方法を提供する。 - 特許庁

The optical retarded curing type adhesive for the oil surface is characterized as further comprising an oxetane resin and a thermoplastic elastomer in an optical retarded curing type adhesive comprising at least an epoxy resin, the photo-cationic polymerization initiator and a retarder.例文帳に追加

エポキシ樹脂、光カチオン重合開始剤及び遅延剤を少なくとも含有する光遅延硬化型接着剤において、オキセタン樹脂及び熱可塑性エラストマーを更に含有することを特徴とする、油面用光遅延硬化型接着剤。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置1は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたn型の第1半導体層15とp型の第2半導体層17を含む単結晶半導体部19を備える。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a flat portion having a flat surface perpendicular to a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer and a plurality of protrusions protruding toward the electrode from the flat portion.例文帳に追加

前記p側コンタクト層は、前記n形半導体層から前記p形半導体層に向かう第1方向に対して垂直な平面を有する平坦部と、前記平坦部から前記電極に向かって突出した複数の突起部と、を含む。 - 特許庁

例文

The electronic device is provided with a p-type or n-type SiC semiconductor part and a carbon electrode which is installed on the SiC semiconductor part and which contains a carbon nanotube extended from the surface of the SiC semiconductor part.例文帳に追加

本発明の電子装置は、p型或いはn型のSiC半導体部と、前記SiC半導体部上に設けられ且つ前記SiC半導体部の表面から延在したカーボンナノチューブを含む炭素電極とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁




  
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