「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

A vibration-type sensor element 31 is arranged on one from among the surface and the rear of a substrate 30, and a signal processing circuit 32 is arranged on the other.例文帳に追加

基板３０の表面と裏面の一方に振動型センサ素子３１を配置し、他方に信号処理回路３２を配置する。 - 特許庁

In this scooter type vehicle, the cover 4 has the upper top surface TF extending in a longitudinal direction of a vehicle to face upwardly of the vehicle.例文帳に追加

このスクータ型車両は、カバー４が車両前後方向に延在して車両上方に面した上頂面ＴＦを有している。 - 特許庁

To obtain the film thickness of a SiO_2 film whereby an electrode film is prevented from being peeled off and a vibration loss of an SH type surface acoustic wave device is reduced.例文帳に追加

電極膜の剥離を防ぎ、ＳＨ型弾性表面波デバイスの振動損失を低減するＳｉＯ_２膜の膜厚を得る。 - 特許庁

To prevent electrical connection failure due to solder crack, etc., when fixing and holding a surface mounted type shake detection means.例文帳に追加

表面実装タイプの振れ検知手段を固定保持する場合に、半田クラックなどによりの電気的な接続不良を起こさないようにする。 - 特許庁

To form an applicable surface on a moving blade integral type rotor unit provided with a hub and at least one moving blade ring.例文帳に追加

ハブと少なくとも１つの動翼リングとを備えた動翼一体形ロータ・ユニットに適合表面を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an axial plunger type hydraulic apparatus capable of improving durability by protecting a sliding surface between a cylinder barrel and a valve plate.例文帳に追加

本発明は、シリンダバレルとバルブプレートとの摺動面を保護して耐久性を向上できるアキシャルプランジャ型油圧機器を得ることにある。 - 特許庁

In addition, the writer is equipped with an endorsing cassette 15, which automatically type or seal endorsing items necessary for an endorsing column on the rear surface of the bill paper.例文帳に追加

手形用紙の裏面の裏書欄に必要な裏書事項を自動的に印字又は押印する裏書きカセット１５を具備している。 - 特許庁

The optical fiber 4 is a side leakage type fiber which has a function of leaking light transmitted in the core 2 from the surface of the cladding 3.例文帳に追加

光ファイバ４は、コア２を伝送する光をクラッド３の表面から漏光させる機能を有する側面漏光式ファイバである。 - 特許庁

Only the part headed for the front surface is operated and a movable type safety cover is mounted at the rear part for safety.例文帳に追加

前面に向けられた部分だけが作動する仕組みになっており、後方には、安全を図るために移動式安全カバーを取り付けた。 - 特許庁

To provide a new opening or closing type injection head in which a high sealing performance is realized against an injection port formed at a nozzle side surface.例文帳に追加

ノズルの側面に形成された注出口に対して高い密閉性能が発揮される、新規な開閉式噴出ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a dry type powder removing device for grain in which damaging the grain in removing bran from the surface of the grain can be restricted.例文帳に追加

穀類の表面から糠を除去する際に穀類を損傷を抑制できる乾式の穀類用粉取り器を得ることにある。 - 特許庁

To obtain a grain type resin molded article on whose surface a natural stone pattern is developed and which has a color tone and touch equal to those of natural marble.例文帳に追加

表面に天然石模様を顕出させて、天然の大理石などに比肩する色調、風合の石目調樹脂成形品を得る。 - 特許庁

The chip rear is set as an upper surface and exposed, and application to a BGA(ball grid array) type chip, which is mounted on a circuit board, is suitably enabled.例文帳に追加

さらに、チップ裏面を上面にして露出させ、回路基板に搭載されるＢＧＡ(Ball Grid Array) タイプのチップなどに用いて最適である。 - 特許庁

A cover housing 7 is slid in parallel with the surface 8a of the board 8 so as to be incorporated in the unit U, whereby a plug type connector 1 is assembled.例文帳に追加

カバーハウジング７を回路基板８の表面８ａに平行にスライドさせて、ユニットＵに組み付け、プラグ型コネクタ１を組み立てる。 - 特許庁

To provide a heat pump type water heater capable of improving hot water supplying performance by making heat hard to escape from a surface of a compressor.例文帳に追加

圧縮機表面から熱が逃げづらくすることで、給湯性能を向上できるヒートポンプ給湯装置を提供すること。 - 特許庁

The parallel beams 26 are transmitted through a transmission type X-ray detector 28 and enter the surface of the sample 30 under total reflection conditions.例文帳に追加

この平行ビーム２６は透過型Ｘ線検出器２８を透過してから，試料３０の表面に全反射条件で入射する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave filter apparatus of a transversal type capable of promoting downsizing without incurring deterioration in the filter characteristic.例文帳に追加

フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を進めることが可能なトランスバーサル型の弾性表面波フィルタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a small-sized surface type light receiving and emitting element module which is free of the high-density wiring of an electric signal line and the complexity of device constitution.例文帳に追加

電気信号線の配線の高密度化や装置構成の複雑化のない小型の面型受発光素子モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a non-contact type data carrier capable of making a conductor pattern on the rear side face of the antenna coil forming surface of insulation base material.例文帳に追加

絶縁基材のアンテナコイル形成面の裏面の導体パターンを不要とすることが可能な非接触式データキャリアを提供する。 - 特許庁

To provide a sliding vane type fluid device reduced in volumetric efficiency by preventing the tips of vanes from being separated from the inner surface of a cylinder.例文帳に追加

ベーン先端がシリンダ内面から離れないようにして、体積効率の低下を小さくしたスライディングベーン型流体装置を得る。 - 特許庁

This Schottky barrier diode has an anode electrode, having unevenness on one surface, a p-type semiconductor layer which is jointed with a 1st region on the other surface of the anode electrode, an n-type semiconductor layer which is jointed with a 2nd region on the other surface of the anode electrode, and a cathode electrode and a projection part of the anode electrode is positioned above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第１の領域に接合されたｐ型半導体層と、アノード電極の他方の面の第２の領域に接合されたｎ型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、ｐ型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。 - 特許庁

A pad insulating film 3 of approximately 2 to 5 nm in thickness is formed on the upper surface of the FIN type semiconductor portion 10, and cluster ions are implanted in one side surface of the FIN type semiconductor portion 10 obliquely at a first implantation angle θ1 and then in the other side surface of the FIN type semiconductor portion 10 thereafter obliquely at a second implantation angle θ2 symmetrically with the first implantation angle θ1.例文帳に追加

ＦＩＮ状の半導体部１０の上面に２〜５ｎｍ程度の厚さのパッド絶縁膜３を形成し、ＦＩＮ状の半導体部１０の一方の側面に、第１注入角度θ１を有する斜め方向からクラスタイオンを注入した後、ＦＩＮ状の半導体部１０の他方の側面に、第１注入角度θ１と対称の第２注入角度θ２を有する斜め方向からクラスタイオンを注入する。 - 特許庁

In the decorative panel having the base material for the decoration panel and surface protecting layer in the front surface thereof and laminating a decoration sheet having coating layer constituted by impregnating the ionization radiation curable type resin to the paper layer to the back surface via an adhesive layer comprising the ionization radiation curable type resin, the ionization radiation curable type resin forming the adhesive layer contains a fine particles.例文帳に追加

化粧板用基材と表面に表面保護層を備え、裏面に紙層に電離放射線硬化型樹脂を浸透させた塗布層を備えた化粧紙とを電離放射線硬化型樹脂からなる接着剤層を介して積層した化粧板において、前記接着剤層を形成する前記電離放射線硬化型樹脂が微粒子を含有したものであることを特徴とする化粧板。 - 特許庁

To provide an oxidation apparatus for manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser for maintaining the temperature in the plane of a workpiece uniformly and enhancing the in-plane uniformity of the oxidation rate of a semiconductor layer including aluminum and arsenic, and provide a method of manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser for forming a high-quality current constriction layer by using the oxidation apparatus for manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser.例文帳に追加

被処理体の面内における温度を均一に保ち、アルミニウムと砒素を含む半導体層の酸化速度の面内均一性を高めることができる面発光型半導体レーザ製造用酸化装置、およびその面発光型半導体レーザ製造用酸化装置を用いることにより、品質の高い電流狭窄層を形成することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an optical circuit where a surface type optical element 109 is mounted directly or through a second substrate 108 on a first substrate 101, the surface type optical element 109 is coupled optically with the flexible optical wave-guide 202 by physically and directly sticking the surface type optical element 109 with the end part of the flexible optical wave-guide 202 whose core 105 is terminated and processed.例文帳に追加

第１の基板１０１に、面型光素子１０９が直接或はこれを搭載する第２の基板１０８を介して実装されている光回路において、面型光素子１０９と、コア１０５が終端して加工されているフレキシブル光導波路２０２の端部とを物理的に直接接着することで、面型光素子１０９とフレキシブル光導波路２０２を光学的に結合している。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

By this method, the dry type powdery material 1 can be uniformly applied onto a larger area even with the same quantity of the dry type powdery material 1 ejected from the spray gun 3 when compared with a case when the dry type powdery material 1 is ejected toward the surface of the inorganic plate 2.例文帳に追加

無機質板２の表面に向かって乾式粉体材料１を吐出させる場合と比べて、スプレーガン３から吐出させる乾式粉体材料１の量が同量であっても、より広い面積に均一に乾式粉体材料１を塗布することができる。 - 特許庁

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。 - 特許庁

In the coin type (button type) organic electrolyte battery having a positive electrode can, a negative electrode can, a positive electrode, a negative electrode, a separator, and a gasket, a projecting part is installed on the inner surface of the recessed type can to increase the compression ratio of the gasket in sealing and to enhance electrolyte leakage resistance in reflow soldering.例文帳に追加

正極缶、負極缶、正極、負極、セパレータ、ガスケットを備えたコイン型（ボタン型）有機電解質電池において、凹型缶内面に突起部を設けることによって、封口時のガスケットの圧縮率を高め、リフローハンダ時の耐漏液性を向上する。 - 特許庁

A vibration type gyro sensor includes a vibration type gyro sensor element in which a piezoelectric film, a driving electrode, a pair of detection electrodes, and a wiring connection terminal are formed on one surface thereof; and a support substrate on which a land is formed for mounting the vibration type gyro sensor element.例文帳に追加

本発明に係る振動型ジャイロセンサは、一方の面に圧電膜、駆動電極、一対の検出電極、及び配線接続端子が形成された振動型ジャイロセンサ素子と、この振動型ジャイロセンサ素子が実装されるランドが形成された支持基板とを備える。 - 特許庁

After the contact electrode 15 is formed, an n-type GaN layer 4 is formed in a region from the p-type GaN layer 3 to the contact electrode 15, and a contact hole 14 from the surface of the n-type GaN layer 4 to the contact electrode 15 is formed.例文帳に追加

コンタクト電極１５が形成された後には、ｐ型ＧａＮ層３からコンタクト電極１５上に至る領域にｎ型ＧａＮ層４が形成され、このｎ型ＧａＮ層４の表面からコンタクト電極１５に至るコンタクトホール１４が形成される。 - 特許庁

To develop a light transmission plate which allows the formation of a surface light source device having excellent light utilization efficiency and excellent luminance and its uniformity and a bright and easily visible liquid crystal display device of a reflection type or transmission type and allows the formation of the devices of front light system of a luminous color conversion type.例文帳に追加

光の利用効率に優れて輝度とその均一性に優れる面光源装置及び明るくて見やすい反射型や透過型の液晶表示装置を形成でき、発光色変換型のフロントライト式のものも形成できる導光板の開発。 - 特許庁

An N-type region 5 which forms a photoelectric converting region 2, and a P-type region 6 which forms a channel stopping region 3 are arranged on the surface of a P-type silicon substrate 4, and a transparent electrode 1, consisting of polycrystalline silicon, is provided on the substrate 4 via an insulating film 7.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板４表面に光電変換領域２をなすＮ型領域５とチャネルストップ領域３をなすＰ+型領域６とが配置され、基板４上に絶縁膜７を介して多結晶シリコンからなる透明電極１が設けられている。 - 特許庁

To provide a bottom surface anchor structure for a placement type steel plate cell method capable of easily improving stability at a low cost at the initial stage of intermediate filling execution after installation of a cell shell in the placement type steel plate cell method, and also to provide the replacement type steel plate cell method.例文帳に追加

置き式鋼板セル工法においてセル殻設置後の中詰施工の初期段階における安定性を容易にかつ低コストで向上可能な置き式鋼板セル工法用底面アンカー構造体および置き式鋼板セル工法を提供する。 - 特許庁

The outer periphery 8a and inner periphery 8b of the female type coupling portion 8 are constructed by curved surfaces which are continuous with one another in curvature in cross-section, and the outer periphery 9e of the male type coupling portion 9 is constructed by a curved surface which comes into sliding contact with the inner periphery 8b of the female type coupling portion 8.例文帳に追加

雌型連結部８の外周８ａ及び内周８ｂをそれぞれ断面の曲率が連続する曲面で構成すると共に、雄型連結部９の外周９ｅを雌型連結部８の内周８ｂに摺接する曲面で構成する。 - 特許庁

The pulley 2 for the belt type CVT has a sliding surface 21 which slides with a belt 3, in a belt type continuously-variable transmission (belt type CVT) 1, and is manufactured by using a chromium steel or a chromium molybdenum steel specified in JIS G 4053, as a steel of a base material.例文帳に追加

ベルト式無段変速機（ベルト式ＣＶＴ）１におけるベルト３と摺動する摺動面２１を有し、素材の鋼としてＪＩＳ Ｇ ４０５３に規定されているクロム鋼又はクロムモリブデン鋼を用いて製造されたベルト式ＣＶＴ用プーリー２である。 - 特許庁

A trench 16 having a V-shaped section is formed at the nitride compound semiconductor lamination structure section 2, and the sidewall of the trench 16 forms a wall surface 17 spread over the superlattice n-type layer 5, the p-type GaN layer 6, and the superlattice n-type layer 7.例文帳に追加

窒化物化合物半導体積層構造部２には、断面Ｖ字形のトレンチ１６が形成されており、このトレンチ１６の側壁は、超格子Ｎ型層５、Ｐ型ＧａＮ層６および超格子Ｎ型層７に跨る壁面１７を形成している。 - 特許庁

The patch type radiation electrode 3 is formed in the center area of the upper surface 2a of a dielectric substrate 2, and the first microstrip type radiation electrode 11 and the second microstrip type radiation electrode 12 for holding both of the right and left sides of the electrode 3 between them are formed.例文帳に追加

誘電体基体２の上面２ａの中央領域にパッチ型放射電極３を形成し、そのパッチ型放射電極３の左右両側を挟み込む第１のマイクロストリップ型放射電極１１と第２のマイクロストリップ型放射電極１２を形成する。 - 特許庁

To provide a production method for a visible light response type photocatalyst body reforming a UV ray response type titanium oxide photocatalyst film formed on a surface of a substrate to the visible light response type photocatalyst film without raising the temperature of the substrate to 250°C or higher.例文帳に追加

基材表面に形成されている紫外線応答型酸化チタン光触媒膜を、基材の温度を２５０℃以上に上げることなく、可視光応答型光触媒膜に改質する可視光応答型光触媒体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

On one surface side of a substrate 10, the light receiving element has a P-region 20 composed of a p-type semiconductor, an N-region 30 composed of an n-type semiconductor, and an I-region 40 composed of an i-type semiconductor that is prepared between the P-region 20 and the N-region 30.例文帳に追加

基板１０の一面側にｐ型半導体よりなるＰ領域２０と、ｎ型半導体よりなるＮ領域３０と、そのＰ領域２０およびＮ領域３０の間に設けられたｉ型半導体よりなるＩ領域４０とを有している。 - 特許庁

Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first-conductive-type base layer; a second-conductive-type base layer provided on the first-conductive-type base layer; gate insulating films; first-conductive-type source layers selectively provided on a surface of the second-conductive-type base layer, adjacent to the gate insulating films; gate electrodes provided inside the gate insulating films in trenches; and main electrodes.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１導電形ベース層と、第１導電形ベース層の上に設けられた第２導電形ベース層と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に隣接して第２導電形ベース層の表面に選択的に設けられた第１導電形ソース層と、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、主電極とを備えた。 - 特許庁

A first conductivity-type first semiconductor region is provided inside a semiconductor, and a second conductivity-type second semiconductor region is provided between the first semiconductor region and the surface of the semiconductor so as to make first conductivity-type impurities contained in the semiconductor 1/4 or below as low in concentration as the first conductivity-type impurities contained in the first conductivity-type first semiconductor region.例文帳に追加

半導体内部に第１導電型の第１の半導体領域を設け、含有される第１導電型の不純物の濃度が第１の半導体領域の前記第１導電型の不純物濃度の４分の１より小さくなる様に第２導電型の第２の半導体領域を第１の半導体領域と半導体の表面との間に設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁