「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

Transfer gate electrodes 3, 13 are disposed on the principal surface of a semiconductor substrate SB spaced apart from each other, and a surface impurity region 7 is disposed in the surface of a p-type well region 1 located on the outer surface of the transfer gate electrode 3 in the direction of the gate length thereof, and further a PD region 6 is disposed deeper than the surface impurity region 7.例文帳に追加

半導体基板ＳＢの主面上には転送ゲート電極３および１３が間隔を開けて配設され、転送ゲート電極３のゲート長方向の側面外方のＰ型ウエル領域１の表面内には、表面不純物領域７が配設され、表面不純物領域７よりも深くＰＤ領域６が配設されている。 - 特許庁

In a laminated sheet comprising surface layer/intermediate layer/base material layer, the base material layer is constituted of an olefinic resin such as polypropylene and/or polyethylene and the intermediate layer is constituted of a mixture of a propylene type block copolymer and a styrenic block copolymer and the surface layer is constituted of a polypropylene type resin.例文帳に追加

表層／中間層／基材層からなる積層シートであって、該基材層がポリプロピレン系および／またはポリエチレン系のオレフィン系樹脂、中間層がプロピレン系ブロック共重合体とスチレン系ブロック共重合体の混合物、表層がポリプロピレン系樹脂で構成された積層シートとする。 - 特許庁

An insertion process inhibition area 23 is set for insertion type parts 20 corresponding to the insertion machine tool for processing of the lead wire 22, and surface mounting process inhibition areas 24 and 25 are set in accordance with the height of the surface mounting type parts in relation to the operation.例文帳に追加

（ｂ）に示すような挿入型部品２０に対しては、リード線２２の処理を行う挿入機工具に対応して挿入工程禁止領域２３を設定し、動作に関連して、表面実装工程禁止領域２４，２５を表面実装型部品の高さに応じて設定する。 - 特許庁

A translucent negative pole electrode pad 13a is stacked on the external periphery of the n-type semiconductor layer 121a and a translucent negative pole electrode pad 14a is stacked on the top surface of the p-type semiconductor layer 123a so as to cover the entire top surface, and each of the electrode pads is connected to transparent electrodes.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２１ａの外周部上には、透光性の負極電極パッド１３ａが、ｐ型半導体層１２３ａの上面には、全体を覆うように透光性の正極電極パッド１４ａが積層され、各電極パッドは更に透明電極に接続する。 - 特許庁

A semiconductor laminate portion 6 is formed on one surface of a substrate 1 by laminating a nitride semiconductor layer including an n-type layer 3 and a p-type layer 5 to form a light emitting layer, and a translucent conductive layer 7 is provided on the surface side of the semiconductor laminate portion 6.例文帳に追加

基板１の一面上に、ｎ形層３およびｐ形層５を含む窒化物半導体層が発光層を形成するように積層されることにより半導体積層部６が形成され、その半導体積層部６の表面側に透光性導電層７が設けられている。 - 特許庁

In the bearing integration type synthetic resin pulley fixing a synthetic resin pulley on an outer ring outer circumference surface of a rolling bearing by insert forming, problems are solved by the bearing integration type synthetic resin pulley of which outer circumference surface of the synthetic resin pulley is machined.例文帳に追加

ころがり軸受の外輪外周面に、インサート成型により合成樹脂プーリを固着してなる軸受一体型合成樹脂プーリにおいて、 前記合成樹脂プーリの外周面を機械加工面とした軸受一体型合成樹脂プーリによって課題の解決を図る。 - 特許庁

A spittoon 10 has a rotary plate 11 rotatable 180° forward and backward around horizontal shafts 11a and 11b, and has the cup type gargling water feed system (water fill) 12 on one surface of the rotary plate 11 and the fountain type gargling water feed system (nozzle) 13 on the other surface.例文帳に追加

スピットン１０は水平軸１１ａ，１１ｂのまわりに１８０゜正・逆回転可能な回転板１１を具備し、該回転板１１の一方の面にコップ式うがい水給水装置（給水口）１２を、他方の面に噴水式うがい水給水装置（ノズル）１３を有する。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

In the color filter substrate which has a capacitance type touch panel electrode formed on the front surface of a transparent substrate and a color filter formed on the rear surface of the same, a protection film of the capacitance type touch panel electrode is formed of a photosensitive transparent resin to which a blue-based color material is added.例文帳に追加

同一の透明基板の、表面に静電容量型のタッチパネル電極と、裏面にカラーフィルタと、が形成されたカラーフィルタ基板において、前記静電容量型のタッチパネル電極の保護膜が、青色系色材を添加した感光性透明樹脂で形成されている。 - 特許庁

To provide a large rolling bearing providing an extended rolling service life, by restraining internal starting point type breaking by controlling a core part cooling speed of a thick steel bearing constituting member, and also restraining surface starting point type separation by imparting large compressive residual stress to a surface layer.例文帳に追加

肉厚の鋼製軸受構成部材の芯部冷却速度を制御して内部起点型の破壊を抑制すると共に、表層に大きな圧縮残留応力を付与して表面起点型の剥離も抑制することで、大きな転動寿命を得ることが可能な大型転がり軸受を提供する。 - 特許庁

A back electrode 14 is formed on the second principal surface 20b such that it has contact with both the p-type collector area 9 and the n-type cathode region 10, and has a titanium layer 11, a nickel layer 12 and a gold layer 13 laminated in turn from the side of the second principal surface 20b.例文帳に追加

裏面電極１４は、ｐ型コレクタ領域９およびｎ型カソード領域１０との双方に接するように第２主面２０ｂ上に形成され、かつ第２主面２０ｂ側から順に積層されたチタン層１１、ニッケル層１２および金層１３を有している。 - 特許庁

After the induction heating corresponding type sheet material 9 is laid and spread on the surface of the lining material (sheathing plywood 2), the aluminum foil 8a is subjected to electromagnetic induction heating from the surface side of the sheet material 9 to melt the thermoplastic adhesive material 4 to bond the induction heating corresponding type sheet material 9 to the sheathing plywood 2.例文帳に追加

そして、下張材（野地合板２）の表面側に誘導加熱対応型シート材９を敷き広げた後、その表面側からアルミ箔８ａを電磁誘導加熱して熱可塑性接着材４を溶融することにより、誘導加熱対応型シート材９と野地合板２とを接着する。 - 特許庁

By oxidizing the surface layer of a polysilicon layer Sn to be an n-type layer formed on a polysilicon substrate Sp to be a p-type layer by using plasma and depositing a silicon nitride film by CVD treatment thereafter, passivation films A1 and A2 are formed on the surface layer of the polysilicon layer Sn.例文帳に追加

ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。 - 特許庁

Subsequent wet etching removes a damaged layer in an inner wall of the mesa groove 8 caused by the preceding etching and transforms the mesa groove 8 in a region close to a surface of the P-type semiconductor layer 3 so that a width of the mesa groove 8 increases toward the surface of the P-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

その後、前記エッチングにより生じたメサ溝８の内壁のダメージ層を、ウェットエッチングにより除去すると共に、Ｐ型半導体層３の表面に近い領域において、Ｐ型半導体層３の表面に近づくに従って幅が大きくなるようにメサ溝８を加工する。 - 特許庁

To improve productivity of a ridge type optical waveguide, to improve the stability of its optical characteristics and the stability of its shape, to prevent a process degenerating layer on the surface of the optical waveguide, and to control the angle of the flank of the ridge type optical waveguide to the main surface of a substrate.例文帳に追加

リッジ型光導波路の生産性を向上させ、その光学特性の安定性と形状の安定性とを向上させ、光導波路の表面の加工変質層を防止し、基板の主面に対するリッジ型光導波路の側面の角度を制御すること。 - 特許庁

The double stitch sewn part includes at least either a first type sewn part 14-1 comprising a sewn part in a portion bent and expanded from an air bag outer surface or a second type sewn part 14-2 comprising a sewn part in a portion expanded in the same direction as the air bag outer surface.例文帳に追加

ダブルステッチ縫製部が、エアバッグ外表面から折れ曲がって延びる部位での縫製部からなる第１のタイプの縫製部１４−１と、エアバッグ外表面と同じ方向に延びる部位での縫製部からなる第２のタイプの縫製部１４−２との、少なくとも一方を含む。 - 特許庁

To provide a solar cell panel capable of receiving light on both surfaces, which uses two one-surface light reception type power generation cells to thereby have improved power generation efficiency, solves a problem associated with electric insulation between the one-surface light reception type power generation cells, and also allows the number of components to be reduced.例文帳に追加

本発明は、２枚の片面受光型発電セルを使用して発電効率を向上させるとともに、片面受光型発電セル同士の電気的絶縁の問題を解消でき、かつ部品点数を削減することができる両面受光可能な太陽電池パネルを提供する。 - 特許庁

First, an embedded light receiving element has a photoelectric conversion region with a first conductivity type for generating and accumulating signal charge in response to incident light, and a surface region with a second conductivity type provided on an upper layer of the photoelectric conversion region for preventing surface depletion.例文帳に追加

まず、埋め込み型の受光素子は、入射光に応じて信号電荷を生成して蓄積する第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の上層に設けられて表面空乏化を阻止する第２導電型の表面領域とを有する。 - 特許庁

In an HAD sensor, each light-receiving pixel PP located inside an imaging region 1A, a contact CC of a light-shielding conductive film 21 is made via the second conductivity-type region 30, which has conductive type identical to that of a light-receiving surface region 14 of the substrate surface side of a signal charge storage region 13 and has a higher density.例文帳に追加

撮像領域１Ａ内の各受光画素ＰＰのＨＡＤセンサにおいて信号電荷蓄積領域１３の基板表面側の受光表面領域１４と同じ導電型で、より高濃度な第２導電型領域３０を介して、遮光導電膜２１のコンタクトＣＣをとる。 - 特許庁

In a wavelength-variable laser device using the surface-emitting type laser having a movable mirror, a voltage feedback means is provided, which supplies a feedback voltage to the control voltage of the movable mirror so as to negate the output wavelength variation of laser emitted light of the surface-emitting type laser.例文帳に追加

可動ミラーを有する面発光型レーザを用いた波長可変レーザ装置において、 前記面発光型レーザのレーザ出力光の出力波長変動を打ち消すように、前記可動ミラーの制御電圧に帰還電圧を供給する電圧帰還手段を設けたことを特徴とするもの。 - 特許庁

The anatase-type titania crystal or the rutile-type titania crystal makes a surface of the surface layer hydrophilic which exhibits water wettability expressed by a contact angle with water of about 10° or below in response to photoexcitation by irradiating ultraviolet rays for a day at the rate of 0.5 mW/cm^2.例文帳に追加

このアナターゼ型チタニア結晶またはルチル型チタニア結晶は、表面層の表面を、０．５ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１日間照射することによる光励起に応じて、水との接触角に換算して約１０°以下の水濡れ性を呈するべく親水性になすものである。 - 特許庁

The surface part 3 of an n-type semiconductor substrate 2, including an overflow barrier layer 4, is removed at least by the thickness of an impurity contamination region 31 before formation of a high resistance semiconductor region 5, after the removal of an implanted oxide film 30 of the surface part 3 of the n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２の表面部３のインプラ酸化膜３０の除去後、高抵抗半導体領域５の形成前に、オーバーフローバリア層４を含むｎ型半導体基板２の表面部３を不純物汚染領域３１の厚さ以上の厚さ除去する。 - 特許庁

In a diode cell 20, a P-type resurf region 52 is formed as an anode having a depth deeper than a trench 38 of an IGBT cell 10 and a surface density lower than that of a channel layer 37, and a P+ type second contact region 55 is formed on a surface part of the resurf region 52.例文帳に追加

ダイオードセル２０において、ＩＧＢＴセル１０のトレンチ３８よりも深く、チャネル層３７よりも面密度が小さいアノードとしてのＰ型のリサーフ領域５２が形成され、このリサーフ領域５２の表層部にＰ＋型の第２コンタクト領域５５が形成されている。 - 特許庁

To provide an earth retaining wall which balances a rotating force in an overturning direction by earth pressure against a back surface or the like with an almost L type retaining wall body having a curved surface and allows the almost L type retaining wall body (ashika wall) to be integrated with a basic pile and transmits only a horizontal force to the basic pile.例文帳に追加

背面土圧等による転倒方向の回転力を湾曲面を有した略Ｌ型擁壁体にてバランスさせ、前期略Ｌ型擁壁体（アシカウォール）と基礎杭を一体化し水平力のみを基礎杭に伝達させる構造とした土留め壁を提供する。 - 特許庁

Later, the substrate 10 is heated to more deeply diffuse the impurities in the n type regions 15 than damaged regions 16, and then the surface protective film 17 as well as the surface part of the HgCdTe substrate 12 is removed so as to form the n type regions 15 not containing the damaged regions 16 at all.例文帳に追加

この後、基板１０を加熱してｎ型領域１５の不純物をダメージ領域１６より深く拡散し、表面保護膜１７を除去すると共に、ＨｇＣｄＴｅ基板１２の表面部分を除去することにより、ダメージ領域１６を含まないｎ型領域１５を形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor film 7 is arranged so as to cover all the surface of a read-out board 3 where radiation and the like are incident, and a sensitive semiconductor film 6 and a common electrode 5 are successively laminated in this sequence on the surface of the n-type semiconductor film 7 for the formation of the two-dimensional semiconductor detector.例文帳に追加

放射線などの入射側を表面とする読み出し側基板３のその表面全体を覆うようにｎ型半導体膜７を配置し、さらにｎ型半導体膜７の表面から感応半導体膜６、共通電極５の順に積層配置する。 - 特許庁

To provide a plate type grinding stone which can polish a work in a narrow clearance, is tough and can polish the upper surface or a lower surface in addition to the head end of the work, a working method of a die using this plate type grinding stone, and a working method of the work.例文帳に追加

狭い隙間内でも研磨を行うことができるとともに、腰が強く、かつ、先端部に加えて上面あるいは下面でも研磨を行うことのできる板状砥石、この板状砥石を用いた金型の加工方法、およびワークの加工方法を提供すること。 - 特許庁

In the light emitting device 30 including a semiconductor light emitting element 1 and a wavelength converting member such as a phosphorus material or the like, reflecting layers 10c, 20c are provided on the outermost surface layers of a type p pad electrode 10a and a type n pad electrode 20a provided on the same surface side of the semiconductor light emitting element 1.例文帳に追加

半導体発光素子１と蛍光体等の波長変換部材を有する発光装置３０において、半導体発光素子１の同一面側に設けられるｐ型パッド電極１０ａ及びｎ型パッド電極２０ａの最表面層に、反射層１０ｃ、２０ｃを設ける。 - 特許庁

The oxidizing catalyst 100 of the exhaust gas purification system for diesel engines is characterized in that a Pt/Pd type catalyst component 10 is supported on the whole surface of a porous substrate and a Pt/Pd type catalyst component 20 is supported only on the surface of the exhaust gas inflow side of the porous substrate.例文帳に追加

ディーゼルエンジン用排ガス浄化システムの酸化触媒１００であって、多孔質基材の全表面に、Ｐｔ／Ｐｄ系の触媒成分１０が担持され、且つ当該多孔質基材の排ガス流入側の表面にのみ、Ｐｔ／Ｐｄ系の触媒成分２０が担持されている。 - 特許庁

A first impurity region 61a of a first conductivity type is formed on a first semiconductor region 61 having an upper surface and a side surface, and a second impurity region 61b of the first conductivity type is formed at a side part of the first semiconductor region 61.例文帳に追加

上面及び側面を有する第１の半導体領域６１の上部に第１導電型の第１の不純物領域６１ａが形成されていると共に、第１の半導体領域６１の側部に第１導電型の第２の不純物領域６１ｂが形成されている。 - 特許庁

Around a laser light emission plane 34 of the surface-emitting semiconductor laser, electrodes 26 connected to an n-type semiconductor layer of the surface-emitting semiconductor laser, and electrodes 35 connected to a p-type semiconductor layer of the light detecting element, are alternately formed.例文帳に追加

面発光型半導体レーザから射出されるレーザ光の射出面３４の周囲には、面発光型半導体レーザが備えるｎ型の半導体層に接続される電極２６と、光検出素子が備えるｐ型の半導体層に接続される電極３５とが交互に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for uniformly fixing anatase type titanium oxide having high photocatalyst activity on the surface of a basis material without causing great changes in its crystal structure, in fixing anatase type titanium oxide on the surface of a basis material using a thermal spraying process.例文帳に追加

溶射法を用いてアナターゼ型酸化チタンを基材表面に固定化するにおいて、光触媒活性の高いアナターゼ型酸化チタンをその結晶構造を大きく変化させることなく、しかも基材表面に均一に固定化させることができる方法を提供すること。 - 特許庁

The portable information terminal of a reflection type display system having no light emitting means for itself has the display part whose surface layer transmitting incident light and reflection light of the upper part of a reflection surface is formed of a polarization independent type transparent member.例文帳に追加

本発明の携帯情報端末は、自身が発光手段を有さない反射型の表示方式であり、反射面上部の入射光及び反射光を透過させる表面層が偏光無依存型透明部材で形成されている表示部を有することを特徴とする。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a magnetic layer containing magnetic particles of CuAu type or Cu_3Au type ferromagnetic regular phase on at least one surface side of a nonmagnetic support and has a conductive layer on at least one surface side of the nonmagnetic support.例文帳に追加

非磁性支持体の少なくとも一方の面側にＣｕＡｕ型あるいはＣｕ_３Ａｕ型強磁性規則相の磁性粒子を含有する磁性層を有する磁気記録媒体であって、前記非磁性支持体の少なくとも一方の面側に、導電層を有する磁気記録媒体である。 - 特許庁

A D-type nut 21 is inserted into a D-shape hole 15 formed in one of the surface plates for fixation, and a tip of each fastening bolt inserted from the other surface plate is screwed to each D-type nut so as to fasten the front plate and the back plate to each other through the spacer.例文帳に追加

一方の面板に形成したＤ形穴１５にＤ形ナット２１を回転不能に挿入し、他方の面板から挿入した各締付けボルトの先端を各Ｄ形ナットにねじ込むことにより正面板と背面板をスペーサを通して締結するのがよい。 - 特許庁

After forming a resist 13b in the region of an n-type silicon substrate 1 wherein no wiring is formed, a conductive layer 15 is so formed on the whole surface of the n-type silicon substrate 1, inclusive of the resist 13b as to expose the surface of the resist 13b by mechanically polishing the conductive layer 15.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上の配線が形成されない領域に、レジスト１３ｂを形成し、レジスト１３ｂを含むＮ型シリコン基板１の全面に導電体層１５を形成し、機械的研磨により導電体層１５を研磨し、レジスト１３ｂの表面を露出させる。 - 特許庁

P-type high resistance burying layers 26 are arranged on the surface layer of the first high resistance drift layer 22 and the base layer of the second high resistance drift layer 23, which are positioned just below a plurality of P type base area 24 arranged on the surface layer of the second high resistance drift layer 23.例文帳に追加

第２高抵抗ドリフト層２３の表面層に配置された複数のＰ型ベース領域２４の各直下位置の第１高抵抗ドリフト層２２の表面層および第２高抵抗ドリフト層２３の底面層にＰ−型高抵抗埋め込み層２６が配置されている。 - 特許庁

An undoped GaN layer 102, the semiconductor reflecting mirror 103 composed of a semiconductor, an n-type GaN layer 104, an InGaN active layer 105, a p-type GaN layer 106, and a dielectric reflecting mirror 107 composed of a dielectric film, are formed on a sapphire substrate 101 using a surface (c) as a main surface successively.例文帳に追加

ｃ面を主面とするサファイア基板１０１上に、アンドープＧａＮ層１０２、半導体からなる半導体反射ミラー１０３、ｎ型ＧａＮ層１０４、ＩｎＧａＮ活性層１０５、ｐ型ＧａＮ層１０６、誘電体膜からなる誘電体反射ミラー１０７を順次形成する。 - 特許庁

Magnetic flux 59 advancing from the inner peripheral surface side of the race track type coil to the outer peripheral surface side thereof passes through the magnetic flux line induction member 50, and leakage magnetic flux 58 leaking from the magnetic flux line induction member 50 advances in a direction intersecting the thickness direction of a superconductive wire constituting the race track type coil.例文帳に追加

レーストラック型コイルの内周面側から外周面側に進行する磁束５９は磁束線誘導部材５０を通り、磁束線誘導部材５０から漏洩した漏洩磁束５８は、レーストラック型コイルを構成する超電導線材の厚み方向に交差する方向に進行する。 - 特許庁

A plurality of linear scanning type distance meters are arranged in one line so as to cover the end surface of a coil from the inner diameter side to the outer diameter side, individually, and also the distance distribution to the desired end surface of the coil is simultaneously measured with the linear scanning type distance meters, so that the coil form is measured.例文帳に追加

複数の線状走査型距離計が、コイル端面の内径側から外径側までを分担してカバーするように１列に配置されてなり、前記線状走査型距離計で当該コイル端面までの距離分布を同時に測定することで、その巻姿を測定する。 - 特許庁

The elastic body 55 provided and held between the rear surface of the baffle board and the wall of the vertical type cylindrical body elastically supports the lower side of the baffle board 45, and the baffle board 45 supported by the elastic body 55 inclines at the lower end side thereof set apart from the inner surface of the vertical type cylindrical body 34.例文帳に追加

邪魔板裏面と縦型筒体壁とにわたり介在かつ保持された弾性体が５５邪魔板４５の下部側を弾力的に支持していて、弾性体５５で支持された邪魔板４５がその下端側を縦型筒体３４内面から遊離させて傾斜している。 - 特許庁

The surface-mounted diode 100d having the above structure can be designed such that it has large ESD resistance by suitably setting the diffusion depth and the surface impurity concentration of the n conduction type impurity diffusion region 12 and the p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

上記の構造を有する表面型ダイオード１００ｄは、ｎ導電型不純物拡散領域１２およびｐ導電型不純物拡散領域１３の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなＥＳＤ耐量を持つように設計することができる。 - 特許庁

This inkjet recording paper comprises a void-type ink absorbing layer including fine inorganic particles having at least an average particle diameter of not more than 100 nm and a hydrophilic polymer on a support, wherein the ink absorbing layer includes a Pluronic type nonionic surface active agent and a cationic surface active agent.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも平均粒子径が１００ｎｍ以下の無機微粒子と親水性ポリマーとを含有する空隙型のインク吸収層を有し、該インク吸収層がプルロニック型ノニオン界面活性剤とカチオン界面活性剤とを含有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

Therminals of the surface mounting type quartz oscillator fabricated by resin-molding a tube-like quartz oscillator have such a shape that at least one projecting part is formed in a side face part of an external terminal of the surface mounting type quartz oscillator.例文帳に追加

管型の水晶振動子を樹脂モールドして成る表面実装型水晶振動子の端子形状において、該表面実装型水晶振動子の外部端子の側面部に少なくとも一つの凸部を設けた表面実装型水晶振動子の端子形状とする。 - 特許庁