「thin-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(172ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an interior/exterior panel wherein a surface layer comprising a thin metal sheet is integrally applied and laminated to the surface of a base material layer formed of a lightweight and flexible material like a resin foam material and an engaging recessed groove having an almost U-shaped cross section is formed to the terminal part or the like of the panel, and to provide a terminal processing method therefor.例文帳に追加

樹脂発泡材のように軽量で柔らかな材料で形成された基材層の表面に薄い金属板からなる表面層が一体的に被覆積層された内・外装パネルにおいて、本パネルの端末部分等に断面略Ｕの字ないしコの字形状をした係合凹溝を形成することが可能な内・外装パネル及びその加工方法を提供すること。 - 特許庁

After a second insulating film 107 is formed on a first layer charge transfer electrode 105, a second insulating film 107 is removed to be thin only in a horizontal transfer part 100A wherein low voltage driving and rapid driving are required and is made a second insulating film 107A, and a second layer charge transfer electrode 108 is formed thereafter.例文帳に追加

第１層電荷転送電極１０５上に第２絶縁膜１０７を形成後、第２層電荷転送電極１０８形成前に、低電圧駆動および高速駆動が要求される水平転送部１００Ａのみ、第２絶縁膜１０７の膜厚が薄くなるように除去して第２絶縁膜１０７Ａとし、その後で第２層電荷転送電極１０８を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device, having an implanted structure, prevents impurity atoms from bouncing out of P-type diffused layers 4 and 5 as implanted layers with an N-type thin film layer 8 as an reverse conductivity type or prevents forming the inverted layer at the channel part, by canceling the bounced out P-type impurity atoms by the N-type atoms as the reverse conductivity type.例文帳に追加

埋め込み構造を有する半導体装置において、埋め込み層であるＰ型拡散層４及び５からの不純物原子の飛び出しを反対導電型であるＮ型の薄膜層８により防止し、あるいは飛び出したＰ型の不純物原子を反対導電型であるＮ型の原子で相殺することによって、チャンネル部の反転層の形成を防止する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

The reflection mirror provided with the reflection film consisting of the thin film of the silver on the resin substrate is obtained by forming an intermediate layer consisting of a silicon monoxide film and an aluminum oxide film between the substrate and the reflection film in such a manner that the aluminum oxide film exists on the reflection film side and by forming a protective layer consisting of an aluminum oxide film.例文帳に追加

樹脂製の基板上に銀の薄膜からなる反射膜を設けてなる反射鏡において、前記基板と前記反射膜との間に、一酸化珪素膜と酸化アルミニウム膜とからなる中間層を、前記酸化アルミニウム膜を前記反射膜側に位置させて形成するとともに、前記反射膜の上に、酸化アルミニウム膜からなる保護層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing method for a transfer mask, having openings formed into a thin film supported with a support frame, the openings are formed, using an etching mask layer as a mask, the etching mask layer is formed, using a resist pattern formed by the lithography using a photoresist as the mask, and the corner squareness of the opening pattern is set at 90°±0.3°.例文帳に追加

支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、前記開口は、エッチングマスク層をマスクとして形成されてなり、前記エッチングマスク層は、フォトレジストを用いたリソグラフィー法により形成されたレジストパターンをマスクとして形成され、開口パターンのコーナーの直角度が、９０°±０．３°であることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10 having a magnetic layer 2 consisting of a thin film of ferromagnetic metal or its alloy on a principal surface of a long-length non-magnetic substrate 1 and a lubricant containing a compound having a carboxyl group in its molecule and applied on the uppermost surface on the magnetic layer formed side, the surface coverage of the lubricant is specified to be 5 to 25%.例文帳に追加

長尺状の非磁性支持体１の一主面上に、強磁性金属、あるいはその合金の薄膜よりなる磁性層２を有し、磁性層形成面側の最表面に、分子中にカルボキシル基を有する化合物を含有する潤滑剤が塗布されてなる磁気記録媒体１０において、潤滑剤の表面吸着率が５〜２５％に特定する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a plurality of thin film transistors 224 and 225 each having a semiconductor layer 204 containing a channel forming region 220, a source region 214, a drain region 214, a gate insulating film 215 provided on the semiconductor layer 204, and gate electrodes 216/211 which are provided on the gate insulating film 215 to control the electrical conductivity of the channel forming region 220.例文帳に追加

半導体装置は、各々、チャネル形成領域２２０、ソース領域２１４及びドレイン領域２１４を含む半導体層２０４と、半導体層２０４上に設けられたゲート絶縁膜２１５と、ゲート絶縁膜２１５上に設けられチャネル形成領域２２０の導電性を制御するゲート電極２１６／２１１と、を有する複数の薄膜トランジスタ２２４，２２５を備える。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element 1, in which an organic electroluminescence layer 5, which contains an organic luminescent material, is arranged between a pair of contact electrodes 3, 7, and the organic electroluminescence layer 5 emits light by impressing voltage among to these contact electrodes 3, 7, the contact electrode, which functions as a negative pole among the above pair of contact electrodes 3, 7 has a carbon thin film.例文帳に追加

一対の接触電極３，７間に有機発光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス層５が配され、これら接触電極３，７間に電圧を印加することにより有機エレクトロルミネッセンス層５が発光する有機エレクトロルミネッセンス素子１において、上記一対の接触電極３，７のうち、陰極として機能する接触電極が、カーボン薄膜を有する。 - 特許庁

The light quantity control emission panel part 3 generates the surface plasmon wave on the boundary between a second silver thin film 9 and a second dielectric layer 10 by the surface plasmon wave generated on the color selection absorption panel part 2 side, and emits the absorbed beam (selected color beam), and controls the light quantity of the emission beam according to the voltage value applied to the second dielectric layer 10.例文帳に追加

光量制御放出パネル部３は、前記選別吸収パネル部２側で生じた表面プラズモン波によって第２の銀薄膜９と第２の誘電体層１０との界面に表面プラズモン波を生じて前記の吸収光（選択色光）を放出するとともに前記第２の誘電体層１０に印加される電圧値に応じて前記放出光の光量を制御する。 - 特許庁

The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加

透明基板２０上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層２６と、前記透明半導体層２６に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極２８及び透明ドレイン電極３０と、透明ゲート電極２２と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁

This method is constituted to accurately decide a surface plasmon resonance angle based on the fitting equation of an asymmetric surface plasmon resonance curve derived from the three-layer Fresnel equation for P-polarization at the time of measuring the state of a material, by utilizing a surface plasmon resonance phenomenon by using a surface plasmon resonance sensor system composed of three layers of a prism, a thin metallic film, and a sensing layer.例文帳に追加

プリズム−金属薄膜−センシング層の三層から成る表面プラズモン共鳴センサーシステムを用い、表面プラズモン共鳴現象を利用して物質状態を測定する際にP偏光の三層フレネルの式から導いた式 で表される非対称表面プラズモン共鳴カーブのフィッティング方程式に基き表面プラズモン共鳴角を正確に決定するように構成される。 - 特許庁

For the electroluminescent element with a luminous layer composed of single or plural layers of organic compound thin films held between a positive electrode and a negative electrode, at least one layer of the above organic compound films contains at least one kind of the compound with the polymerizable cyclic structure shown by formula (1), or the polymer of the same.例文帳に追加

互いに対向する陽極と陰極間に、単層又は複数層の有機化合物薄膜により成る発光層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物薄膜の少なくとも１層が、一般式（１）で表される重合性環状構造を有する化合物、又はその重合体を少なくとも１種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In the transparent conductive film that has a hard coat layer on one face of a transparent film substrate, and a transparent conductive thin film on the other face of the transparent film substrate, the component material of the hard coat layer includes (meth)acryl polymer which has alkyl group that contains urethane acrylate, polyol (meth)acrylate, and (meth)acryl polymer having an alkyl group having two or more hydroxyl groups.例文帳に追加

透明なフィルム基材の一方の面にハードコート層を有し、透明なフィルム基材の他方の面には透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムにおいて、前記ハードコート層の形成材料がウレタンアクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート及び水酸基を２個以上含むアルキル基を有する（メタ）アクリルポリマーを含むことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

A thin film resistor TFR structure comprises a TFR; a first electrical interface portion coupled to a first end of the TFR; and a second electrical interface portion coupled to a second end of the TFR, the first electrical interface portion and the second electrical interface portion being formed of a layer of titanium Ti and a layer of titanium nitride TiN.例文帳に追加

薄膜抵抗体、 前記薄膜抵抗体の第一端部に結合した第一電気的界面部分、及び 前記薄膜抵抗体の第二端部に結合した第二電気的界面部分、を具え、然も、前記第一電気的界面部分及び第二電気的界面部分が、チタン（Ｔｉ）の層及び窒化チタン（ＴｉＮ）の層から形成されている、薄膜抵抗体（ＴＦＲ）構造体。 - 特許庁

The organic thin film of electroluminescent element is driven in such a way that a luminescent state is actualized by impressing the prescribed voltage so that the current switching layer transits from the insulator body to the conductor body, further, a non- luminescent state is actualized by reducing the voltage until the current switching layer moves from the conductor body to the insulator body.例文帳に追加

電極に所定電圧を印加して、電流スイッチング層を絶縁体から導体に転移させることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光状態を出現させ、さらに、電圧を電流スイッチング層が導体から絶縁体に転移するまで減ずることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の非発光状態を出現させるように駆動する。 - 特許庁

To provide a source drain electrode in which a barrier metal layer of a lower part can be eliminated, a production process can be simplified without increasing the number of processes, an Al based alloy film can be connected to a semiconductor layer of a thin film transistor directly and surely, and an electrical resistivity between transparent pixel electrodes can be lowered even in the case of applying a low thermal process temperature to an Al alloy film.例文帳に追加

下部バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ系合金膜を薄膜トランジスタの半導体層に対し直接かつ確実に接続することができ、しかも、Ａｌ合金膜に対して低い熱プロセス温度を適用した場合でも、透明画素電極間の低電気抵抗率化を達成し得るソース−ドレイン電極を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of cracks or micro-cracks in a thin dielectric layer formed on a dielectric layer by using an epoxy type material or a polyvinyl butyrate(PVB) type material as a seal, and treating the seal at specified temperature, after first and second substrates are positioned.例文帳に追加

構造的要素又はガラス基板上に形成される部品の層、特に例えばＡＣプラズマパネルの場合に厚い誘電体層上に形成されるマグネシアの薄い誘電体層の中のき裂又は微視き裂を形成する危険性を防止するような、シールによって相互に封止される第１及び第２のガラス基板を含むタイプの部品の製造のための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor element is provided with a GaN layer 3 formed on a prescribed region on a sapphire substrate 1 and provided with a prescribed thickness, the element-forming region 6 where an element is formed, and an element non-forming region 7, formed in a region other than the element-forming region 6 on the sapphire substrate 1 where the GaN layer 3 is not formed or is formed thin.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、サファイア基板１上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するＧａＮ層３を含むとともに、素子が形成される素子形成領域６と、サファイア基板１上の素子形成領域６以外の領域に形成され、ＧａＮ層３が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域７とを備えている。 - 特許庁

The organic EL element 10 is manufactured by forming organic thin films having dipole moment at either or both of the base plate 1 on which the first electrode 2 is formed and the base plate 7 on which the second electrode 6 is formed, and by arranging the both base plates so that the electrodes face to each other, and by forming the luminescent layer 4 by injecting the liquid crystalline organic material for the luminescent layer between the electrodes.例文帳に追加

この有機ＥＬ素子１０は、第１電極２が形成された基板１と第２電極６が形成された基板７の一方又は両方に双極子モーメントを有する有機薄膜を形成し、その両基板を電極が向き合うように対向させ、電極間に発光層用の液晶性有機材料を注入して発光層４を形成することにより製造する。 - 特許庁

By forming the first ohmic contact layers 116 and 117 lower in an impurity concentration than the second ohmic contact layers 118 and 119 between the semiconductor layer 114 and the drain electrode 120 and the source electrode 121, a depletion layer is favorably spread into the first ohmic contact layers 116 and 117, and the leakage current of the thin film transistor 100 is favorably suppressed.例文帳に追加

半導体層１１４と、ドレイン電極１２０及びソース電極１２１との間に、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９の不純物濃度より低い第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７を形成することにより、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７内に空乏層が良好に広がり、薄膜トランジスタ１００のリーク電流を良好に抑制することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

By using the fact that it is unnecessary to provide a transmission area in a pixel 100a in a reflective liquid crystal device 100, lower electrode layers 11a and a dielectric layer 12 for holding capacity which extend over a plurality of pixels 100a and upper electrode layers 13a for holding capacity per pixel 100a are formed on the lower layer side of a thin film transistor 30 to constitute a holding capacity 60.例文帳に追加

反射型液晶装置１００では、画素１００ａに透過領域を設ける必要がないことを利用して、薄膜トランジスタ３０の下層側に、複数の画素１００ａの各々に跨る保持容量用下電極層１１ａ、誘電体層１２、および画素１００ａ毎の保持容量用上電極層１３ａを形成して保持容量６０を構成する。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes ≥10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes ≤10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.例文帳に追加

弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å／min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG，或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å／min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁

A heating resistance wire body 12 is etched on an insulating material 11 of polyimide film, a wiring pattern is disposed under the heating resistance wire body 12 insulated with a polyimide coat, and a heating layer and a wiring layer of a thin film heater 10 are separated so that the current from an electric energy control part 14 is outputted to the heating resistance wire body 12 through this wiring pattern.例文帳に追加

ポリイミドフィルム等の絶縁体１１上に発熱抵抗線状体１２をエッチングし、これらの発熱抵抗線状体１２をポリイミドコートにより絶縁した下部に配線パターンを配設し、通電制御部１４からの通電をこの配線パターンを介して発熱抵抗体１２に出力するよう薄膜ヒータ１０の発熱層と配線層とを分離する。 - 特許庁

This electron emitting element 1 includes an electron accelerating layer 4 between an electrode substrate 2 and a thin film electrode 3, and the electron accelerating layer 4 contains an insulator particulate 5 and at least either one of a conductive particulate 6 having an average particle diameter smaller than that of the insulator particulate 5 or a basic dispersant 60.例文帳に追加

電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を備え、電子加速層４は、絶縁体微粒子５と、絶縁体微粒子５より平均粒径の小さい導電微粒子６および塩基性分散剤６０の少なくとも一方と、を含んでおり、電子加速層４の表面粗さは、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍ以下となっている。 - 特許庁

This invention provides the magnetic recording medium 10 wherein a magnetic layer 2 made of a ferromagnetic metallic thin film, and a carbon protective film 3 are sequentially formed on a nonmagnetic substrate 1, processing by aromatic amine, aromatic carboxylic acid, aromatic alcohol or ultraviolet ray radiation is applied to the surface of the carbon protective film 3 and the protection layer 3 holds a prescribed lubricant.例文帳に追加

非磁性支持体１上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、カーボン保護膜３が順次形成されて成る磁気記録媒体１０において、カーボン保護層３表面を芳香族アミン、芳香族カルボン酸、芳香族アルコール、あるいは紫外線照射のいずれかによる処理を施し、保護層３上に所定の潤滑剤が保持されて成る磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the gas barrier thin film-stacked body comprising a polymer film and an inorganic film at least by one layer, respectively, at least one layer of the polymer film is a polymerized film formed by spraying a polymerizable monomer-containing gas on the surface of a base material under the atmospheric pressure or under the pressure in the vicinity thereof, and performing polymerization on the surface of the base material.例文帳に追加

ポリマー膜と無機膜をそれぞれ少なくとも１層有するガスバリア性薄膜積層体において、該ポリマー膜の少なくとも１層が、大気圧またはその近傍の圧力下で重合性モノマーを含むガスを基材の表面に吹き付け、基材表面上で重合させて形成された重合膜であることを特徴とするガスバリア性薄膜積層体。 - 特許庁

After forming a metal thin film 110 on the rear surface 1b where the amorphous layer 12 is formed, the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light under the condition that the product of photon energy and laser output is 1000-8000 eV mJ/cm^2, thereby forming a drain electrode 11 containing a silicide layer 111.例文帳に追加

そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

The laminated body is provided with a plurality of thin films having an average film thickness of each layer that is equal to or less than 0.2μm, are formed on a constituting layer that is formed on the surface of a base material and has projecting and recessing parts.例文帳に追加

基材表面に形成された凹凸を有する構成層上に、各層の平均膜厚が０．２μｍ以下である複数の薄膜を設けた積層体において、該基材表面の凹凸を有する構成層の中心線平均粗さをＲａ１、該形成された薄膜の最表面の中心線平均粗さをＲａ２としたとき、Ｒａ１とＲａ２とが下記式（１）の関係にあることを特徴とする積層体。 - 特許庁

A base film 602 and an amorphous silicon film 603 are formed on a substrate 601, a silicon oxide film of thickness 10 to 100 Å is formed on the amorphous silicon film 603, then a very thin nickel acetate layer 604 is formed thereon through a spin coating method, and the amorphous silicon film 603 is crystallized to serve as an active layer of a semiconductor device.例文帳に追加

基板６０１上に、下地膜６０２、非晶質珪素膜６０３を形成し、この非晶質珪素膜６０３の表面に厚さ１０〜１００Åの酸化珪素膜を形成した状態で、スピンコーティング法によって極めて薄い酢酸ニッケル層６０４を形成し、非晶質珪素膜６０３を結晶化し、これを活性層とする半導体装置を作製する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction structure having a double magnetic anisotropy free layer capable of independently optimizing the effect of increasing a reproduced signal value and reducing a critical current value required for switching by constituting a free magnetic layer constituting the magnetic tunnel junction structure with at least two magnetic thin films having different magnetic anisotropic directions and sizes.例文帳に追加

磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。 - 特許庁

In this spin-valve thin film magnetic element, the free magnetic layer has, in the surface on the opposite side as to the direction toward a disposed fixed magnetic layer, the groove provided with a track groove, whose width is equal to the track width, and flat parts on both sides thereof.例文帳に追加

本発明は、スピンバルブ型薄膜磁気素子であり、フリー磁性層は、記固定磁性層の配置されている方向と反対側の面にトラック幅に相当する幅のトラック溝が設けられた溝部と、その両側の平坦部とを有し、バイアス層は、フリー磁性層の両平坦部上に配置されるとともに、反強磁性層およびバイアス層は、以下の組成式の相互に異なる合金からなる。 - 特許庁

The laminated paper for the data recording medium has a structure wherein the surface and back of thick paper, which is formed by laminating n (n=2 or above) layers thin papers, each of which has a resin layer constituted of a thermoplastic resin not melted at a room temperature but melted at 80°C under constant pressure, on its surface are held between plastic films by an adhesive layer.例文帳に追加

本発明では、室温下で溶融せず８０℃一定圧力下において溶融する熱可塑性樹脂で構成されている熱可塑性の樹脂層を表面にもつ薄紙がｎ層に（ｎ＝２以上）積層された厚紙を、接着層にて表裏をプラスチックフィルムで挟み込んだ構造をもつ事を特徴とする情報記録媒体用積層紙を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To prevent decrease in the sample transmission capacity of electron beams in a STEM observation with decreased acceleration voltage and the bad influence of a damaged layer generated by the application of ion beams, to remove the damaged layer effectively by minimizing the damage to a desired region in a sample, and to prevent processing failure by detecting an optimum processing completion point in time even if the thickness of a thin-film sample is reduced.例文帳に追加

加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。 - 特許庁

To form at least two layers of coating films on the surface of a support simultaneously by using two coatings in which the viscosity of the coating of the lower layer is lower than that of the coating of the upper layer, to make the coating films of the upper and lower layers thin and uniform, and to enable shorter wave recording to be realized.例文帳に追加

下層塗料の粘度が上層塗料の粘度よりも低い塗料を用いて支持体表面に少なくとも二層の塗布膜を同時に形成し、形成される少なくとも二層の塗布膜の膜厚の均一化および薄膜化を可能とするダイヘッドを有する塗布装置を提供し、さらなる短波長記録化を可能とする磁気記録媒体を提供することである。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor thin film comprises a step of forming an amorphous Si semiconductor layer 12 on an insulating board 11, a step of forming and patterning the insulating film 13 on the layer 12, and a laser emitting step of intermittently emitting plural times a laser of a energy of a critical energy or more of crystallization of the Si semiconductor 12 to the layer 12.例文帳に追加

本発明は絶縁性基板１１上にアモルファスのＳｉ系半導体層１２を形成する工程と、アモルファスのＳｉ系半導体層１２の上に絶縁性層１３を形成してパターニングする工程と、Ｓｉ系半導体１２の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをＳｉ系半導体層１２に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするＳｉ系半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electron emitting elements comprises at least one or more anode electrodes formed on the second substrate, at least one or more fluorescent layers formed on the anode electrodes, the surface treatment layer formed on the surface of fluorescent layers containing the functional substance that remains even after the baking process for forming the fluorescent layer, and the light-emitting containing one or more metallic thin films formed so as to cover the surface treatment layer.例文帳に追加

本発明の他の実施例による電子放出素子は、第２基板に形成される少なくとも一つ以上のアノード電極；前記アノード電極に形成される少なくとも一つ以上の蛍光層；前記蛍光層の表面に形成され、蛍光層を形成するための焼成工程後にも残存する機能性物質を含む表面処理層；及び前記表面処理層を覆うように形成される一つ以上の金属薄膜を含む発光部；からなる。 - 特許庁

To provide a method for simultaneously realizing a patterning technique capable of forming a large area pattern at a low cost and a fine patterning technique capable of forming a small feature pattern as a method for forming a patterned thin film layer for IC that can be utilized in manufacture of a large area electronic device.例文帳に追加

大面積の電子装置の製造に利用できるパターニングされたIC用薄膜層の形成方法として、安価に大面積のパターンを形成できるパターニング技術と、小さな特徴パターンを形成できる微細パターニング技術と、を同時に実現する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a marking film whose coating film layer has excellent adhesion with the passage of time, which can ensure a good appearance, even when the coating film is thin, can be treated with a simple incineration facility, after used, and is excellent in followability to a curved surface, when a specific soft olefin resin is disposed as a substrate.例文帳に追加

経時での塗膜層の密着性に優れ、薄い塗膜であっても外観が良好に確保でき、使用後は簡単な焼却設備で処理可能であるとともに、特定の軟質オレフィン樹脂を基材に配合する場合には曲面追従性にも優れるマーキングフィルムを提供する。 - 特許庁

A switching power supply module SMJ includes: a wiring substrate PCB having an interference prevention layer AIL that prevents interference between one face side and the other face side; a switching device IC packaged on one face side of the wiring substrate; and a thin inductor L packaged on the other face side of the wiring substrate to face the switching device.例文帳に追加

スイッチング電源モジュールSMJは、一面側と他面側との間の干渉を防止する干渉防止層AILを備えた配線基板PCBと、配線基板の一面側に実装されたスイッチングデバイスICと、配線基板の他面側にスイッチングデバイスに対向して実装された薄型インダクタLとを具備している。 - 特許庁

After forming a pattern of a lower electrode made of metal on the surface of a substrate, an etching stop layer made of material different from that of the lower electrode is formed on the surface of the pattern of the lower electrode, which is an area including an area that is not covered by a piezoelectric thin film.例文帳に追加

前記基板の表面に金属からなる下部電極のパターンを形成した後、この下部電極のパターンの表面であって、前記圧電体薄膜により被覆されない領域を含む領域に前記下部電極とは異なる材質のエッチングストップ層を形成する。 - 特許庁

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) containing a (meta)acryloyl group in the molecule and two or more first functional groups, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

分子内に、（メタ）アクリロイル基及び、２個以上の第１の官能基を含み、該第１の官能基が電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基である高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

In the substrate for flexible print circuit having a crystalline thin film layer of copper on a sheet-like substrate, composed of aromatic polyamide, X-ray diffraction intensity ratio of the (200) face, and the (111) face of copper crystal is in the range of 0.3≤I(200)/I(111)≤1.0.例文帳に追加

芳香族ポリアミドからなるシート状基材上に結晶性の銅の薄膜層を有するフレキシブルプリント回路用基板であって、銅結晶の（２００）面と（１１１）面のX線回折強度比が０．３≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦１．0の範囲であることを特徴とするフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁