「thin-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(168ページ目) - Weblio英語例文検索

The developing device equipped with the toner restricting roller 5 which is arranged in contact with the developing roller 2 and forms a thin layer by restricting a toner on the developing roller 2 uses the magnetic body for the developing roller 2 and the elastic body magnet roller as the toner restricting roller 5.例文帳に追加

現像ローラ２に接触配置し前記現像ローラ２上のトナーを規制し薄層を形成するトナー規制ローラ５を備えた現像装置１において、前記現像ローラ２を磁性体とし、前記トナー規制ロ−ラ５を弾性体マグネットロ−ラとする。 - 特許庁

When a thin layer forming part 20 is moved in the +X direction, an extrusion roller 21a and a powder feeding mechanism 22a are worked and a powder material is fed to the front side of movement of the extension roller 21a along the +X direction by a powder feeding mechanism 22a.例文帳に追加

薄層形成部２０が＋Ｘ方向に移動する際には、伸展ローラ２１ａと粉末供給機構２２ａとが機能し、伸展ローラ２１ａの移動前方側に粉末供給機構２２ａが粉末材料を＋Ｘ方向に沿って供給する。 - 特許庁

This surface acoustic wave filter is constituted by electrically connecting the surface acoustic wave chip 1 and a planar ceramic substrate 3 by Au bumps 2 and covering the surface acoustic wave chip 1 with a thin internal cap 6 of 20 μm in thickness, before coating the chip 1 with an adhesive resin layer 5.例文帳に追加

Ａｕバンプ２により弾性表面波チップ１と平板セラミック基板３を電気的に接続し、樹脂層５を弾性表面波チップ１に塗布する前の状態で、この弾性表面波チップ１に厚さ２０μｍの薄い内キャップ６を被せるようにする。 - 特許庁

To provide a high moisture resistance surface protection material for solar cell including a transparent moisture-proof film having an inorganic thin film layer on one surface of a substrate and steam permeability of less than 0.1[g/m^2/day], and in which the moisture resistance does not deteriorate for a long term.例文帳に追加

基材の一方の面に無機薄膜層を有し水蒸気透過率が０.１[ｇ／ｍ^2・日]未満である透明防湿フィルムを有する高防湿性太陽電池用表面保護材において、長期に防湿性が劣下しない優れた表面保護材を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel 1 includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 10, a CF (Color Filter) substrate 20 attached to the TFT substrate 10 via the seal material 26 and a liquid crystal layer 25 enclosed by the seal material 26 between the TFT substrate 10 and the CF substrate 20.例文帳に追加

液晶表示パネル１は、ＴＦＴ基板１０と、シール材２６を介して、ＴＦＴ基板１０に貼り合わされたＣＦ基板２０と、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間にシール材２６によって封止された液晶層２５を備えている。 - 特許庁

To provide a protective self-adhesive film holding high surface hardness even when forming a panel thin in thickness by overlaying on a glass plate or the like through an adhesive layer, and a screen panel having thinness, moderate elasticity, and high surface hardness combined all together.例文帳に追加

ガラス板等と粘着剤層を介して積層し、厚さの薄いパネルを形成した場合にも、高い表面硬度を保持できる保護粘着フィルムを提供すること、薄さと適度な弾性と高い表面硬度とを兼ね備えたスクリーンパネルを提供する。 - 特許庁

A translucent semi-reflective inorganic thin film layer having 3-50% transmittance and 50-97% reflectance is formed by a dry film forming method on a substrate comprising a plastic film provided with light scattering property to obtain the objective translucent semi-reflective diffusible film.例文帳に追加

光散乱加工されたプラスチックフイルムからなる基材の上に、乾式製膜法によって形成した透過率が３〜５０％で、反射率が５０〜９７％の範囲にある半透過性で半反射性の無機薄膜層を設けた半透過半反射拡散性フイルム。 - 特許庁

The movable contact 5 also plays a role of an electrode for detecting change of capacitance against the finger 30, and a distance between the movable contact 5 and the finger 30 can be short to make an air layer thin, thereby the change of capacitance can be detected at high sensitivity.例文帳に追加

可動接点５が、指３０との間の静電容量の変化を検出するための電極として兼用される、可動接点５と指３０との間の距離が短く、空気層を薄くできるため、高い感度で静電容量の変化を検出できる。 - 特許庁

To provide an integrated thin film solar cell which prevents an intermediate junction layer between a plurality of laminated photoelectric conversion layers from short-circuiting with a contact region and lowering F.F., and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

積層された複数の光電変換層の相互間に生じる中間接合層がコンタクト領域と短絡してＦ．Ｆ．を低下させることを防止し、光電変換効率を向上することが可能な集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This adherent cover film has a constitution of laminating a 0.5-5 μm bonding layer on a high-modulus very thin polyimide film which has a thickness of 10 μm or less, preferably 3-7.5 μm and contains no inorganic filler, and realizes a fine-processability that has never been experienced by making the total thickness 10 μm or less.例文帳に追加

１０μｍ以下、好ましくは３〜７．５μｍの厚みの無機フィラーを含有しない高弾性極薄ポリイミドフィルムに０．５〜５μｍの接着層を積層した構成を有し、総厚みを１０μｍ以下にすることで従来にない微細加工性を実現する。 - 特許庁

A distal end surface 35a of the projection part 35 comes into contact with a heat transmission thin film layer 17b on the anti-mounting plane 5b of the printed board 5, and the flat part 37 surrounding the projection part 35 comes into contact with the inside surface 13a of a cover 13 formed in a planar manner, similarly.例文帳に追加

突出部３５の先端面３５ａは、プリント基板５の反搭載面５ｂ上の熱伝導薄膜層１７ｂに接しており、突出部３５の周囲の平坦部３７は、同様に平面状に形成されたカバー１３の内側面１３ａに接している。 - 特許庁

Pressure air 10 generated in the compressor 7 is blown in the water from the air blow port 16 of the air blow block 12, fine bubbles 10a are injected in a thin thickness part of a boundary layer, and a void is formed in a submerged part surface of the ship body 1.例文帳に追加

コンプレッサー７で発生させた加圧空気１０を空気吹き出しブロック１２の空気吹き出し口１６から水中へ吹き出させて、微小気泡１０ａを境界層の厚さの薄い部分に注入し、船体１の没水部表面にボイドを形成させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film transistor substrate comprises the steps of forming a gate electrode 2a of a TFT in the region including a concave part 1a formed on an insulating substrate 1, forming an insulating film layer 5 on it, and arranging a source electrode 3b in the region over the concave part 1a.例文帳に追加

ＴＦＴ基板を、絶縁性基板１に形成した凹部１ａを含む領域にＴＦＴのゲート電極２ａを形成し、その上に絶縁膜層５を形成して、その凹部１ａの直上の領域にソース電極３ｂが配置されるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor circuit, together with a liquid-crystal display device using it, wherein an electrostatic breakdown in a process is prevented by connecting a gate electrode to a bus wiring after an inter-layer insulating film is formed on the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上に層間絶縁膜を形成した後に、ゲート電極とバス配線との接続を行うことにより、工程中の静電気破壊を防止できる薄膜トランジスタ回路の製造方法およびそれを用いた液晶表示装置提供する。 - 特許庁

When a vibration member 20 vibrates vertically on receiving the audio signal, the flux linkage number of magnetic flux ψ1 produced by a magnet M for the vibration member 20 varies, so an eddy current is generated in a thin-film metal piece 25a provided to a magnetism producing layer 25.例文帳に追加

振動部材２０がオーディオ信号を受けて上下方向に振動すると、マグネットＭから生じた磁束φ１の振動部材２０に対する鎖交磁束数が変化するため、磁気発生層２５に設けられた薄膜金属片２５ａにうず電流が発生する。 - 特許庁

To provide a process in which in the injection molding of plastic, the temperatures of a resin passage in a mold and the thin surface layer part of the inner wall of a cavity are increased instantly, the solidification of an injected resin is prevented, and the fluidity of the resin is improved.例文帳に追加

本発明は、プラスチック射出成形において、樹脂の射出直前に金型内の樹脂流動経路及びキャビティの内壁の薄表層部の温度を瞬時に上昇させ、射出された樹脂の固化を防ぎ、流動性を向上させるものである。 - 特許庁

The shape of a skin material 2' is made larger than a core material 1, a skin layer 2 extended from the outer end of the core material 1 to the outside is set to an edge 3, and the hard core material 1 is unloaded from the edge 3 to form a thin, flexible structure, so that the diaphragm body can be vibrated easily.例文帳に追加

スキン材２’の形状をコア材１より大きな形状とし、コア材１の外縁から外側に延出したスキン層２をエッジ３とし、エッジ３中から硬いコア材１を排しフレキシブルな薄肉構造とし、振動板本体が振幅しやすいようにした。 - 特許庁

Fig. 1 and Fig. 2 show one example of a composite rubber hose according to the present device, and the composite rubber hose 1 is formed by affixing thin ultrahigh molecular weight polyethylene covering layers 3, 3' to the inner and external surfaces of the rubber hose main layer 2 and integrating them. 例文帳に追加

第１図、第２図は本考案に係る複合ゴムホースの一実施例を示し、該複合ゴムホース１はゴム製のホース主体層２の内面および外面に超高分子量ポリエチレン製の薄肉の被覆層３，３'が接着一体化されて形成されている。 - 特許庁

A thin-film resin board made from a polyimide is used as material for a base material 15, in a high-frequency module having a high-frequency circuit component 33 mounted on the base material 15 fitted with a wiring layer containing distributing wires 36, 37 for a high-frequency circuit formed at least on the upper surface of the base material 15.例文帳に追加

少なくとも上面に高周波回路配線３６，３７を含む配線層が形成された基材１５に高周波回路部品３３が搭載された高周波モジュールにおいて、基材１５の材質としてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いる。 - 特許庁

Such a thin-film water-catching material layer 5 can not be formed by filling a powder-like water-catching material, by applying water-catching material paste prepared by mixing a water-catching material in inactive oil, or by attaching an adhesive sheet containing a water-catching material, like a conventional water-catching material formation method.例文帳に追加

このような薄膜の捕水材層５は、従来の捕水材形成方法のように、パウダー状の捕水材を封入したり、捕水材を不活性オイルに混合した捕水材ぺ一ストを塗布したり、捕水材を含む粘着シートの貼着などでは形成できない。 - 特許庁

When thin sheet 4a is continuously cast by pouring the molten metal, the transition of cold-temperature from the cooling rolls 1 is prevented by securing the high heat-insulating property to the barrel weirs 2a and the side weirs 3a with the air layer existing among the fireproof fibers 8 in the fireproof cloth 6.例文帳に追加

注湯を行ない薄板４ａを連続鋳造するときに、耐火布６の耐火繊維８間に存在する空気層によりバレル堰２ａとサイド堰３ａに高い断熱性能を確保させて、冷却ロール１からの冷熱の移行を防止させる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the thin-film organic transistor 1, since a photosensitive resin layer 8 is formed by a photolithographic method, and the source electrode 3 and the drain electrode 4 are formed by a non-electrolytic plating method; the source electrode 3 and the drain electrode 4 are easily formed with high positional accuracy.例文帳に追加

薄膜有機トランジスタ１の製造方法では、フォトリソグラフィ法で感光性樹脂層８を形成し、無電解メッキ法でソース電極３及びドレイン電極４を形成するので、ソース電極３及びドレイン電極４を簡便かつ位置精度良く形成できる。 - 特許庁

The body of lead frame 10 is formed with a resin of epoxy, etc., and a conductive metal thin layer 13 is deposited and formed by a metal surface treatment such as plating or vapor deposition on the surface of at least leads, i.e., terminals 12 from among the lead frames 10.例文帳に追加

リードフレーム１０の本体はエポキシ等の樹脂より成形され、リードフレーム１０のうち少なくともリード部であるターミナル１２の表面には、導電性の金属薄層１３がめっきや蒸着等の金属表面処理によって固着形成されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A welded layer 4 composed of an objective member in which VC of ≥5 wt.% is contained in a Co base allay is formed on at least one part of the surface of a base material 2 by a plasma powder welding method, thereafter, the base material is removed, and the same is formed into a thin tube 6.例文帳に追加

基材２の表面の少なくとも一部にプラズマ粉末溶接法でＣｏ基合金にＶＣを５重量％以上含む目的部材の材料から成る溶着層４を形成したのち、前記基材を除去して薄肉管６とする。 - 特許庁

Furthermore, since the multiple reflection of a ultrasonic wave in a thin-layer liquid medium (or the bio-sample) can not separated, the measurement in the UHF band is enabled using this measuring instrument by establishing a technique for performing measurement while containing multiple reflection.例文帳に追加

また、この装置を用いてUHF帯で計測するには、薄層液体媒体（または生体試料）での超音波の多重反射を分離することができないため、多重反射を含んだまま計測する手法を確立することで、UHF帯での計測を可能にする。 - 特許庁

The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated.例文帳に追加

薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極１１と、この下部電極１１の上にトンネル絶縁層１２を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極２３を積層した構造とする。 - 特許庁

In the floppy disk obtained by forming at least a magnetic layer comprising a ferromagnetic metallic thin film on one face of a flexible substrate, the flexible substrate is formed by sticking flexible substrates such as aromatic polyimide films or aromatic polyamide films together by means of adhesive sheet.例文帳に追加

可撓性性支持体の一方の面に少なくとも強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成したフロッピーディスクにおいて、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフィルム等の可撓性支持体を粘着シートで貼り合わせた構造であるフロッピーディスク。 - 特許庁

To enhance productivity of an optical wave guide circuit device by forming an electrode pattern by making the wet etching from an electrode layer laminated by sputters on the thin film heater pattern of a heating device of the optical wave guide circuit device which can tune an optical path length finely.例文帳に追加

光路長を微調整可能な光導波回路装置の加熱装置の薄膜ヒータパターンの上にスパッタ法により積層した電極層からウエットエッチングして電極パターンを成形することによりその光導波回路装置の生産性を高める。 - 特許庁

The thin film layer of transition metal is formed by applying a solvent formed by dissolving transition metal compound, containing organic anion and cation of transition metal in organic solvent on the ITO film and on the surface of the glass substrate of a base substrate, and applying heat treatment thereto.例文帳に追加

ＩＴＯ膜、ならびに下地基板のガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに遷移金属のカチオン種を含む、遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を塗布し、加熱処理を施して、該遷移金属の薄膜層を生成する。 - 特許庁

When the transparent conductive layer 14 is formed of n-type zinc oxide, it is harder to transmit ultraviolet rays than when formed of ITO, thereby making the semiconductor thin film 5 hard to absorb the ultraviolet rays which may cause deterioration.例文帳に追加

そして、透明導電層１４をｎ型酸化亜鉛によって形成した場合には、ＩＴＯによって形成した場合と比較して、紫外線を透過させにくく、ひいては半導体薄膜５が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにすることができる。 - 特許庁

To provide a technology of forming a ceramic layer having a long term stability on a tape-like oriented metal substrate by controlling a change in plasma state inside a chamber, and manufacturing a longer wire rod of a superconductive oxide thin film.例文帳に追加

チャンバ内のプラズマ状態が変化することを抑制して、テープ状の配向金属基板上に、長時間、安定した特性のセラミックス層を形成することができ、より長尺の酸化物超電導薄膜線材を製造することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide of the optical waveguide layer 3 having the reflecting surface of high optical coupling efficiency by metallic reflection in place of total reflection can easily be formed by forming the reflecting mirror of a metallic thin film 7 for an end face 5 of the optical waveguide 3.例文帳に追加

光導波路層３の端面５の反射ミラーを金属薄膜７により形成することにより、全反射によらずに金属反射による高い光結合効率の反射面を有する光導波路層３の光導波路を容易に形成することができる。 - 特許庁

A raw material solution containing TiO_2 particles is applied onto the surface of a substrate 2 to form a TiO_2 particle layer on the surface of the substrate 2, and the substrate 2 is burned under a hydrogen atmosphere to form a titanium oxide thin film 3 on the surface of the substrate 2.例文帳に追加

ＴｉＯ_２粒子を混入させた原料溶液を基板２の表面に塗布して、ＴｉＯ_２粒子層を当該基板２の表面に形成し、水素雰囲気下において焼成処理することにより、基板２の表面に酸化チタン薄膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a superconductive thin film wire-manufacturing method, increasing the productivity without generating serious damage in a superconducting layer film, not requiring strict condition management in the cutting step and without reducing the yield of products.例文帳に追加

超電導層膜に大きなダメージを発生させることがなく、切断工程において厳しい条件管理を必要としない、また、製品の歩留まりを低下させず、生産性の向上を図ることができる超電導薄膜線材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell has a structure in which the surface of a layer with a bulk hetero junction by a donor and an acceptor formed thereon is formed into a number of island-like structures surrounded by fine grooves of a nano-scale width, and electrodes are formed in the fine grooves.例文帳に追加

有機薄膜太陽電池がドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状構造に形成され、該微細な溝に電極が形成された構造を有するようにする。 - 特許庁

To provide a high performance thin film transistor that is not only applicable to a structure where a high mobility and low molecule organic semiconductor material is used but also small in connection resistance between source-drain electrodes and an organic semiconductor layer while maintaining the good transistor characteristics.例文帳に追加

移動度の高い低分子系の有機半導体材料を用いた構成にも適用可能で、かつトランジスタ特性が良好でありながらもソース／ドレイン電極と有機半導体層との間の接続抵抗が小さく高性能な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The thin film transistor 1 is a bottom-gate-type TFT and has on a base 11 a gate electrode 12, a gate insulating film 13, an oxide semiconductor layer 14 forming a channel, a channel protection film 16, and source and drain electrodes 15A, 15B in that order.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えるものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device at a low cost with high reliability, wherein the semiconductor device is manufactured by peeling an element forming layer formed on a substrate and having a thin film transistor or the like from the substrate.例文帳に追加

本発明では、基板上に設けられた薄膜トランジスタ等を有する素子形成層を当該基板から剥離することにより半導体装置を作製する方法であって、低コストで信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Upon finishing process 4 (S14), an orifice plate of polyimide film having one side coated with extremely thin thermoplastic polyimide as adhesive is stuck to the uppermost layer of a multilayer structure on a substrate and then the orifice plate is bonded by pressing it while heating (S15).例文帳に追加

工程４（Ｓ１４）が終了した後、片面に接着剤としての熱可塑性ポリイミドを極薄にコーティングしたポリイミドフィルムからなるオリフィス板を、基板上の積層構造の最上層に張り付けて、加熱しながら加圧してオリフィス板を固着させる（Ｓ１５）。 - 特許庁

The ink coating film parts 13i constituting the patterns P and metallic thin film parts 13h having the holographic metallic gloss exist adjacently within the pattern layer 13, by which the contract of the characteristics in the appearance of both parts 13i and 13h is amplified.例文帳に追加

図柄Ｐを構成するインキ塗膜部分１３ｉとホログラフィックな金属光沢を呈する金属薄膜部分１３ｈとが図柄層１３中に相隣接して存在することにより両部分１３ｉ，１３ｈの外観上の特徴の対比が増幅する。 - 特許庁

In a thin film transistor formed using a microcrystalline semiconductor film, in order to improve quality of the microcrystalline semiconductor film formed in the initial stage of deposition, a yttria-stabilized zirconia film having a fluorite structure is formed in the uppermost layer of a gate insulating film.例文帳に追加

微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor laser in which a distribution Bragg reflection region is integrated, an active layer of a waveguide of the semiconductor laser has a thin line structure, and the output of the semiconductor laser is monitored by an absorption current in the distribution Bragg reflection region.例文帳に追加

分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 - 特許庁

This dental porcelain composition is obtained by comprising a porcelain material containing glass containing silicon oxide, aluminum oxide, boron oxide and sodium oxide as main components and having a ≤680°C softening point, and a pearl pigment obtained by coating hard mica with a thin layer of a metal or a metal oxide.例文帳に追加

酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素および酸化ナトリウムを主成分として含有するガラスを含み、軟化点が６８０℃以下の温度である陶材と、硬質マイカを金属または金属酸化物の薄層で被覆したパール顔料とを含むこととしている。 - 特許庁

Crack (missing) of a ground thin semiconductor wafer 8 is prevented by adhering the semiconductor wafer 4 via a UV thermosetting resin 3 and a peeling layer 2 so that it is not protruded from a quartz glass substrate 1 and then grinding the adhered semiconductor wafer 4.例文帳に追加

半導体ウェハ４を石英ガラス基板１からはみ出さないように、ＵＶ硬化型樹脂３と剥離層２を介して貼りつけて、貼りつけられた半導体ウェハ４を研削することで、研削された薄膜半導体ウェハ８が割れ（欠け）ることを防止する。 - 特許庁