「waveguide structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.例文帳に追加

本分布帰還型半導体レーザ素子５０は、リッジ導波路型であって、ｎ−ＧａＡｓ基板５２と、ｎ−ＧａＡｓ基板５２上に、順次、成膜された、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造層５６、回折格子５７が形成されているＧａＩｎＮＡｓ吸収層５８、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層６０、及びＧａＡｓキャップ層６２の積層構造とを備えている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in such structure that when a cooling module is connected to a metal substrate equipped with a light emitting element or a driving circuit, it is easy to assemble a member constituting an optical waveguide, the metal substrate equipped with the light emitting element or driving circuit.例文帳に追加

光源素子が備えられる金属基板もしくは駆動回路に冷却モジュールが接続される形態とされる場合において、光導波路を構成する部材と光源素子が備えられる金属基板もしくは駆動回路との組み付けが容易に行える構造の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The variable characteristic high frequency transmission line obtained by using the liquid crystal display as the dielectric material includes a transmission line of a coplanar waveguide structure composed of: a conductor line formed along a transmission direction of a high frequency signal; and a ground metallic conductor formed apart from the conductor line at a prescribed gap.例文帳に追加

液晶を誘電体材料に用いた可変特性高周波伝送線路において、高周波信号の伝送方向に沿って形成される導体線路と、前記導体線路と所定のギャップ幅で離間して形成されるグランド金属導体とからなるコプレーナウェーブガイド構造の伝送線路を備える。 - 特許庁

A power supply mechanism such as a magnetron 7 generating microwave, the waveguide 8 for guiding the microwave, and a high-pressure transformer 9 for supplying high-pressure voltage to the magnetron 7 is disposed in a side space of a heating cooker body 2 at an outer side of the heating chamber 3 as a side power supply structure 51.例文帳に追加

マイクロ波を発生させるマグネトロン７、マイクロ波を導く導波管８及びマグネトロン７に高圧電圧を供給する高圧トランス９等の給電機構が加熱室３の外部側方の加熱調理器本体２の側面部空間に側面給電構造５１として配置してされている。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor laser element comprises: a nitride semiconductor layer that is formed above an n-type GaN substrate 10 and includes an active layer 14; a stripe-shaped waveguide structure formed in the nitride semiconductor layer; and a p-side electrode 22 that is formed above the nitride semiconductor layer and has wire-bond regions 22a.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。 - 特許庁

An optical wave conduction structure is formed, wherein a plurality of channel waveguides 7 and a channel waveguide 4 are connected between channel waveguides 1 and 2 for input/output on a substrate 9 to and from which light is inputted and outputted via multiplexing/demultiplexing devices 6a and 6b multiplexing/demultiplexing light and without via the multiplexing/ demultiplexing devices 6a and 6b, respectively.例文帳に追加

光が入出力される基板９上の入力／出力用のチャネル導波路１，２の間に、光の合分波を行う合分波器６ａ，６ｂを介して複数のチャネル導波路７を接続すると共に、合分波器６ａ，６ｂを介さずにチャネル導波路４を接続した光導波構造を形成する。 - 特許庁

In the extreme ultraviolet light generating device, a magnetic field generating device having a structure with which a bulk high-temperature superconductor and a coil for pulse magnetic field generation can be cooled down to very low temperature, and a center axis that magnetic lines of force of the magnetic field generating device pass through, are made to be hollow to serve as a waveguide of drive laser light and a microwave.例文帳に追加

極端紫外光発生装置において、バルク高温超伝導体とパルス磁場発生用のコイルを極低温に冷却できるようにした構造体による磁場発生装置とその磁場発生装置の磁力線の通る中心軸を中空とし、駆動用レーザ光とマイクロ波の導波管となるようにする。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexing/demultiplexing unit which is equipped with an input waveguide which has structure capable of realizing the expanding of a bandwidth and the preventing of the degradation of signal quality in the demultiplexing process of a multiplexed optical signal by reducing a side lobe which is generated by allowing an optical signal to be coupled from a fundamental mode to a higher mode.例文帳に追加

低次モードから高次モードに光信号がカップリングされることにより発生するサイドローブを減少させ、多重化光信号の逆多重化過程で、帯域幅の拡張と信号品質の低下防止を実現可能な構造の入力導波路を設けた波長分割多重化／逆多重化器を提供する。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of an optical waveguide comprises a first step for forming a layer 910 containing a polymer 915; and a second step for forming a refractive index distribution in the layer 910 by irradiating the layer 910 with an active radiation beam 930, isomerizing or dimerizing a part of a chemical structure in the polymer 915.例文帳に追加

ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に対して活性放射線のビーム９３０を相対的に移動させつつ照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

An in-branch light leak prevention part 3 is formed of photonic crystal having a refractive index periodic structure where waveguide modes of lights of wavelengths propagating in the output-side cores 1a and 1b are not present between the output-side cores 1a and 1b of the clad layer 2 and in a specified region close to the input-side core 1i.例文帳に追加

クラッド層２における出力側コア１ａ，１ｂ間の部位であって且つ入力側コア１ｉ近傍の所定領域に、各出力側コア１ａ，１ｂを伝搬する波長の光の導波モードの存在しない屈折率周期構造を有するフォトニック結晶からなる分岐内光漏れ防止部３を形成してある。 - 特許庁

To accurately lock an oscillated wavelength of semiconductor laser to a wavelength matched in phase with the cycle of a domain inversion part, and to obtain a wavelength converted output in a device which converts a wavelength of a laser beam emitted from semiconductor laser by an optical waveguide type wavelength conversion element having a cycle domain inverted structure.例文帳に追加

半導体レーザから発せられたレーザビームを、周期ドメイン反転構造を有する光導波路型の光波長変換素子により波長変換する装置において、半導体レーザの発振波長をドメイン反転部の周期と位相整合する波長に正確にロックし、また、高い波長変換波出力を得る。 - 特許庁

The light emitting element 12 has a structure of a lower clad layer 18, an active layer 20 acting as a waveguide and an upper clad layer 22 laminated on a substrate 16 and has an emitting plane 12a, formed by cleaving and a reflective plane 12b formed parallel to the emitting plane 12a by cleaving.例文帳に追加

発光素子１２は、基板１６上に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じく劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面１２ｂとを有している。 - 特許庁

To provide a wavelength conversion element adhering a substrate for wavelength conversion which consists of a Z plate composed of a ferroelectric single crystal and on which a periodically polarization-reversed structure is formed and a support substrate, allowing prevention of optical waveguide microcrack caused by pyroelectricity in polishing an end face of the element and prevention of increase in propagation loss due to this.例文帳に追加

強誘電性単結晶からなるＺ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換用基板と支持基板とを接着する波長変換素子において、素子の端面を研磨するときの焦電に起因する光導波路のマイクロクラックを防止し、これによる伝搬損失の増大を防止する。 - 特許庁

A line connecting lattice points in a two-dimensional photonic crystal is distorted along a free curve, and an entire crystal structure is deformed in accordance with this distortion, and a refractive index on the free curve is removed, and an optical waveguide and an optical device system which have the free curve as the center line are constituted.例文帳に追加

２次元フォトニック結晶において格子点を結ぶ直線を自由曲線に沿って歪曲させ、それに合わせて結晶構造全体を変形させるとともに、自由曲線上の屈折率構造を除去し、上記自由曲線を導波路中心線とした光導波路及び光デバイス装置。 - 特許庁

In the method of manufacturing a quartz glass-based optical waveguide by forming a quartz glass-based core and clad on a quartz glass- based substrate and then heat treating it, the heat treatment is carried out on a jig having a layered structure consisting of a heat-resistant plate, first spacer plate and second spacer plate.例文帳に追加

石英ガラス基板上に石英ガラス系コア及びクラッドを形成した後、熱処理を施すことにより石英ガラス系光導波路を製造する石英ガラス系光導波路の製造方法において、前記熱処理を耐熱性板と第一スペーサ板と第二スペーサ板とから成る積層構造型治具の上で施したことにある。 - 特許庁

A manufacturing method of an optical waveguide comprises a first step for forming a layer 910 containing a polymer 915; and a second step for forming a refractive index distribution in the layer 910 by irradiating the layer 910 with an active radiation beam 930, isomerizing or dimerizing a part of a chemical structure in the polymer 915 to change a refractive index.例文帳に追加

ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に活性放射線のビーム９３０を照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、屈折率を変化させることにより、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

A manufacturing method of an optical waveguide comprises a first step for forming a layer 910 containing a polymer 915; and a second step for forming a refractive index distribution in the layer 910 by irradiating the layer 910 with an active radiation beam 930, isomerizing or dimerizing a part of a chemical structure in the polymer 915 to change a refractive index.例文帳に追加

ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に活性放射線９３０を照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、屈折率を変化させることにより、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

An optical coupling structure includes a substrate, a pedestal and an optical waveguide provided on the substrate, a light-emitting element mounted on the pedestal, and a holding member connected to a face of the light-emitting element which is on the opposite side to a face facing the substrate, and the holding member is joined to the substrate.例文帳に追加

本発明における光結合構造は、基板と、基板上に設けられた台座と光導波路と、台座上に搭載された発光素子と、発光素子の前記基板と対向する面とは反対側の面と接続する保持部材とを備え、保持部材は基板と接合していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a drawer-type heating cooker capable of increasing a ceiling height of a heating chamber as high as possible without increasing the total height of the heating cooker by eliminating a top face power supply structure by a waveguide of a top face, and an uniform heating mechanism disposed on a ceiling section such as a rotating antenna mechanism.例文帳に追加

天面の導波管による天面給電構造と、回転アンテナ機構等の天井部に設けられる均一加熱機構とを廃止して、加熱調理器の全体高さを高くすることなく、可能な限り加熱室の天井高を高めることができる引出し型加熱調理器を提供する。 - 特許庁

A plane plate 17 formed by laminating a plurality of layers with different refractive indexes in a process of manufacturing a polymer waveguide is inserted and fixed between opposite end surfaces of optical fibers 1 to obtain the same structure having refractive index variation along the axes of the optical fibers 1 with a conventional fiber grating.例文帳に追加

対向する光ファイバ１の端面間に、複数の異なる屈折率の層をポリマー導波路の作製プロセスにより積層した平板１７を挿入し、固定することで、光ファイバ１の軸方向に沿って屈折率変化を持たせた構造とし、従来のファイバグレーティングの屈折率変化の構造と同じにする。 - 特許庁

Furthermore, this structure can easily be formed by the dielectric waveguide which consists of a group of a couple of conductor layers with a dielectric material in between at a prescribed interval and of via-hole conductors that electrically interconnect the conductor layers and are formed at a pitch less than half the wavelength of a signal.例文帳に追加

また、この構造は、導波管が、誘電体を挟んで所定間隔で形成された一対の導体層と、導体層間を電気的に接続し、且つ信号波長の１／２長さ未満のピッチで形成されたビアホール導体とから構成されてなる誘電体導波管によって容易に形成することができる。 - 特許庁

The material, structure and size of the waveguide grating filter are so set that the effective refractive index of the TE mode and effective refractive index of the TM mode in the low- refractive index regions are the same and that the effective refractive index of the TE mode and the effective refractive index of the TM mode in the high-refractive index regions are the same.例文帳に追加

低屈折率領域でのＴＥモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率が同一となり、高屈折率領域でのＴＭモードの実効屈折率とＴＭモードの実効屈折率が同一となる様に、導波路型グレーティングフィルタの材料、構造、寸法を設定する。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser which has an enlarged waveguide diameter, even with the diameter, a fundamental transverse mode light propagation can be obtained by making small a refractive index difference between an oxidation region and a non-oxidation region constituting a current constriction structure, and thereby light output of the surface emitting laser is increased, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電流狭窄構造を構成する酸化領域と非酸化領域との屈折率差を小さくすることにより、基本横モード光伝搬が得られる導波路径を大きくすることができ、光出力を増大させることが可能となる面発光レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The waveguide further has at least one metallicity element, arranged inside the dielectric structure between the first and the second main front surfaces, this at least one metallicity element is constituted and arranged so that the second electromagnetic field distribution is generated, and the amount of the second electromagnetic field distribution, incident on a region selected in the second main front surface.例文帳に追加

導波路は、第１主表面と第２主表面との間の誘電体構造内に配置された少なくとも１つの金属性要素を更に有し、この少なくとも１つの金属性要素は、第２電磁場分布を生成するよう構成及び配置され、第２主表面の選択された領域に入射する第２電磁場分布の量を増大させる。 - 特許庁

An asymmetric optical waveguide nitride laser diode structure 400 has an active layer 120 having first and second surfaces, a transition layer 429 which is brought into contact with the first surface of the active layer 120, a p-type clad layer 130 adhered adjacently to the transition layer 429, and an n-type layer 116 which is brought into contact with the second surface of the active layer 120.例文帳に追加

本発明の非対称導波路窒化物レーザダイオード構造４００は、第１及び第２の表面を有する活性層１２０と、活性層の第１の表面と接触する遷移層４２９と、遷移層に隣接して付着されたｐ型クラッド層１３０と、活性層の第２の表面と接触するｎ型層１１６とを有する。 - 特許庁

The main part of the waveguide 20 is laminated structure consisting of an InP layer 22, an AlInAs layer 23 having 100 nm thickness, a GaInAsP layer 24, an AlInAs layer having 50 nm thickness, a GaInAsP layer 26, an AlInAs layer 27 having 100 nm thickness, and an InP layer 28 and formed on the InP substrate as a ridge 30.例文帳に追加

本半導体光導波路２０の要部は、ＩｎＰ基板２１上に形成され、ＩｎＰ層２２、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２３、ＧａＩｎＡｓＰ層２４、厚さ５０ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２５、ＧａＩｎＡｓＰ層２６、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２７、及び、ＩｎＰ層２８の積層構造であって、リッジ３０として形成されている。 - 特許庁

In the nonvolatile optical memory element having a structure in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor that is connected to an optical waveguide, electrons are injected into the semiconductor via the ferromagnetic body so that the electrons that are spin-polarized according to a magnetization direction of the ferromagnetic body are injected, thereby enlarging a region in which a photomagnetic effect occurs effectively.例文帳に追加

光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。 - 特許庁

In the wavelength conversion element and the wavelength conversion light source, signal light and excitation light are made incident on a nonlinear optical medium in which polarization of a nonlinear optical material is periodically inverted and which has an optical waveguide structure, to output converted light, i.e., difference-frequency light between the signal light and the excitation light, from the nonlinear optical medium.例文帳に追加

非線形光学材料の分極が周期的に反転され光導波路構造を有する非線形光学媒質に、信号光と励起光とを入射し、前記非線形光学媒質から前記信号光と前記励起光との差周波光である変換光を出力する波長変換素子および波長変換光源が開示される。 - 特許庁

The multiplexing/demultiplexing optical waveguide structure 150 has a first core part A1 on the multiplexing side formed along a first axis LA1 curved to one side S1, a second core part B1 on the demultiplexing side formed along a second axis LB1 curved to the one side S1, and a third core part C1 on the demultiplexing side formed along a third axis LC1 curved to the other side S2.例文帳に追加

合波分岐光導波路構造150は、一方の側S1に湾曲する第１の軸線LA1に沿って形成された合波側の第１のコア部A1と、一方の側S1に湾曲する第２の軸線LB1に沿って形成された分岐側の第２のコア部B1と、他方の側S2に湾曲する第３の軸線LC1に沿って形成された分岐側の第３のコア部C1とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor laser element includes the steps of: laminating an n-type epitaxial layer, an active layer 14, and a p-type epitaxial layer; forming a waveguide structure by a striped ridge part 19 on the p-type epitaxial layer; and forming a photoresist film 70 to be shaped to cover only the ridge part 19.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型のエピタキシャル層と、活性層１４と、ｐ型のエピタキシャル層とを積層する工程と、ｐ型のエピタキシャル層にストライプ状のリッジ部１９による導波路構造を形成する工程と、リッジ部１９のみを被覆する形状となるようにフォトレジスト膜７０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板５裏面の少なくともリッジ形状のストライプ２０１の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜２０２が形成されてなる。 - 特許庁

To prevent micro-crack of an optical waveguide due to current collection in polishing the end face of a wavelength conversion element and to prevent increase in propagation loss due to the micro-crack in a wavelength conversion element where a wavelength conversion substrate including a Z plate formed of ferroelectric single crystal and provided with a periodic polarization reversal structure and a support substrate are adhesively bonded to each other.例文帳に追加

強誘電性単結晶からなるＺ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換用基板と支持基板とを接着する波長変換素子において、素子の端面を研磨するときの焦電に起因する光導波路のマイクロクラックを防止し、これによる伝搬損失の増大を防止する。 - 特許庁

The solid-stage imaging device comprises a semiconductor substrate, multiple photoconverters formed on the substrate, and a waveguide structure formed on the substrate constituting a window on each photoconverter and constituting a photonic crystal which does not allow the light of a predetermined wavelength range to infiltrate to a region surrounding the window.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された多数個の光電変換素子と、前記半導体基板上に形成された導波構造であって、前記各光電変換素子の上に窓を構成し、窓を囲む領域に所定波長領域の光の侵入を許さないフォトニック結晶を構成する導波構造とを有する。 - 特許庁

To provide an oxide glass material having low absorption and producing a heterogeneous phase having sufficiently high absorption by condensed irradiation of short pulse laser light, for manufacturing an optical device such as a waveguide by forming an inner structure in the glass material, and to provide a method for manufacturing the material.例文帳に追加

ガラス材料に内部構造を形成することにより導波路等の光学素子作製を行うために用いられる、吸収等が小さくかつ短パルスレーザー光を集光照射することにより吸収等が十分に大きな異質相を形成することができる酸化物系ガラス材料及びその製造方法等を提供する。 - 特許庁

P^--type semiconductor layers 23 consisting of InP doped in low concentration with Zn, P^+-type semiconductor layers 25 consisting of InP doped in high concentration with Zn, and semiconductor layers 27 consisting of InP doped with Si are stacked sequentially and embedded on both sides of this waveguide structure so as to form a current throttling region.例文帳に追加

この光導波路構造の両側に、Ｚｎを低濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^−型半導体層２３、Ｚｎを高濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^＋型半導体層２５、およびＳｉをドープしたＩｎＰからなるｎ型半導体層２７が順次積層され、埋め込まれ電流狭窄領域を形成している。 - 特許庁

In the interfiber fusion splicing structure wherein a double-clad fiber is melted and connected with a fiber having an exciting waveguide of a diameter different from that of the double-clad fiber, a fiber cover removal of each optical fiber in the vicinity of the melted interconnection between the optical fibers has an irregular surface having raised and recessed portions nearly equal in size to or larger than the wavelength of exciting light.例文帳に追加

ダブルクラッドファイバと、そのダブルクラッドファイバと励起光導波路径が異なるファイバとのファイバ間融着接続構造であって、それぞれのファイバ同士の融着接続部近傍の光ファイバ被覆除去部に、励起光波長と同程度又はそれ以上の大きさの凹凸が設けられたことを特徴とするファイバ間融着接続構造。 - 特許庁

Since the light propagating parts 5 of the high refraction factor are continuously formed inside the transparent glass pane 1 by relatively moving this transparent glass pane 1 and the focal point of the femto-see laser pulse 2, even when thermal distortion caused by laser radiation is remained in the transparent glass pane 1, since the waveguide has an almost symmetric structure, polarization dependency hardly occurs.例文帳に追加

この透明ガラス板１とフェムト秒レーザパルス２の焦点とを相対移動させることにより、高屈折率の光伝搬層５が透明ガラス板１中に連続的に形成されるので、透明ガラス板１中にレーザ照射による熱的歪みが残っていたとしても導波路が略対称構造を有しているため、偏波依存性が生じにくい。 - 特許庁

A transmission line 1 is provided with low and high dielectric constant parts 11 and 12 as first and second dielectrics for forming a three- dimensional cyclic structure with a prescribed cutoff frequency band and, as main components a waveguide area 12 which does not have the prescribed cutoff frequency band.例文帳に追加

伝送線路１は、所定の遮断周波数帯の働きを担う三次元周期構造を形成する第１の誘電体としての低誘電率材料部１１と第２の誘電体としての高誘電率材料部１２、および所定の遮断周波数帯を保有しない導波路領域１３を主要構成要素として備えている。 - 特許庁

The respective core part shapes (core widths W1 and W2) of the two array parts 14a and 14b and the dividing area of each array part are properly set, whereby the polarization dependency by structure in the array waveguide part 14 can be set, particularly so as to compensate or reduce the polarization dependency by stress.例文帳に追加

これら２つのアレイ部１４ａ及び１４ｂでのそれぞれのコア部形状（コア幅Ｗ１及びＷ２）と、各アレイ部の区分領域との設定によって、このアレイ導波路部１４での構造による偏波依存性を設定することができ、特に、応力による偏波依存性を補償または低減する設定とすることが可能である。 - 特許庁

To provide an orientation growth method for organic semiconductor crystals and an organic laser device utilizing the same, which self-organizes a molecular configuration-controlled organic semiconductor oriented crystal on a substrate, using π-conjugated system oligomer molecules having stable emission characteristics, and constitutes a low-loss waveguide or a resonator structure with the crystal itself, to enable laser oscillation.例文帳に追加

安定な発光特性を有する、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイスを提供する。 - 特許庁

In the optical waveguide having structure wherein a core 3 consisting of resin is held between a pair of clads 21, 22 consisting of resin having a refractive index lower than that of the core 3, prisms 51, 52 are integrally formed on the surface of the clad 22, and optical signals incident through the prisms 51, 52 from the external part transmit the clad 22, are guided into the core 3 to propagate.例文帳に追加

樹脂からなるコア３を、コア３よりも屈折率の低い樹脂からなる一対のクラッド２１、２２で挟んだ構造の光導波路であって、クラッド２２の表面にプリズム５１、５２が一体的に形成されており、外部から前記プリズム５１、５２を通って入射した光信号が、前記クラッド２２を透過して前記コア３内に導入され、伝搬する光導波路。 - 特許庁

In a self light-emitting device having a structure in which an EL layer 102 is sandwiched between a transparent electrode 103 and a cathode 101, each of the EL layer 102 and the transparent electrode 103 has a film thickness in which there is no occurrence of waveguide light, and an inert gas is filled between the transparent electrode 103 and a cover material 105 .例文帳に追加

透明電極１０３と陰極１０１との間にＥＬ層１０２を挟んだ構造を含む自発光装置において、前記ＥＬ層１０２の膜厚及び前記透明電極１０３の膜厚は導波光が生じない膜厚であり、かつ前記透明電極１０３とカバー材１０５との間に不活性ガスを有することを特徴とする自発光装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, using a nitride-based III-V group compound semiconductor, which can have an end surface window structure formed extremely easily, can suppress optical waveguide loss, can suppress light absorption and local heat generation in laser operation due to presence of a surface level, and is high in a manufacturing yield and excellent in a shape of a far-field image; and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser.例文帳に追加

端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、表面準位の存在によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an active layer area I of layer structure including an active layer and a waveguide layer area II butt- joined therewith are formed on a semiconductor substrate, and the butted joint surface J is a vertical surface inclined at 45 degrees to the crystal azimuth (011) of a conductor material comprising at least the active layer in the active layer area I.例文帳に追加

活性層を含む層構造の活性層領域Ｉとそれにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面Ｊは、活性層領域Ｉにおける少なくとも活性層を構成する半導体材料の結晶方位［０１１］に対して４５°の角度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。 - 特許庁