| 例文 |
write atの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1569件
The plasma display device includes a plasma display panel, and a panel driving circuit for driving the panel, wherein the panel driving circuit is adapted to drive the panel by inserting a sub-field (a first SF) which generates write discharge in all of discharge cells during a write period at predetermined time intervals.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルと、パネルを駆動するパネル駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、パネル駆動回路は、書込み期間において全ての放電セルで書込み放電を発生させるサブフィールド(第1SF)を所定の時間間隔で挿入してパネルを駆動するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁
As a result, when the read word line rdword 0 becomes to be at the high level, since only a minute coupling voltage is generated on the write word line wrword 0 and the voltage is equal to or smaller than the threshold voltage of a transfer gate 1 for writing memory cells, this transfer gate is never turned ON and the erroneous write is not generated.例文帳に追加
このため、読み出しワード線rdword0がハイレベルになった時、書き込みワード線wdword0には微小なカップリング電圧しか発生せず、メモリセルの書き込み用のトランスファーゲート1の閾値電圧以下なので、このトランスファーゲートがオンすることがなく、誤書き込みが生じない。 - 特許庁
In a storage device, a write-back processing part 45 secures a parity buffer region 52 on a cache memory 28 to generate new parity at the occurrence of a write-back request of writing back new data on the cache memory 28 in a disk device taking redundant configuration of the RAID 5, and then writes new data and new parity in a corresponding disk device.例文帳に追加
ライトバック処理部45は、キャッシュメモリ28上の新データをRAID5の冗長構成をとるディスク装置に書戻す書戻し要求発生時に、キャッシュメモリ28上にパリティバッファ領域52を確保して新パリティを生成した後に、新データ及び新パリティを対応するディスク装置に書き込む。 - 特許庁
When an event of data write to an IC memory 10b occurs due to operation input on an input part 5, a memory control part 4a copies recorded data in the IC memory 10b to a backup memory 6 at each time after recording data according with the write event in the IC memory 10b through a memory R/W 23a.例文帳に追加
入力部5における操作入力によりICメモリ10bに対するデータの書き込みイベントが発生すると、メモリ制御部4aはこの書き込みイベントに応じたデータを、メモリR/W23aを介してICメモリ10bに記録させた後、ICメモリ10bの記録データをバックアップ用メモリ6にその都度複写する。 - 特許庁
By a controller 1, the control for counting the number of times of the write to a target address area 7 for which it is considered that the number of times of the write is highest among the entire address areas of a volatile memory 3, storing the counted value in the counted value storage area 8 of the nonvolatile memory 4 and displaying the counted value at a display device 5, is performed.例文帳に追加
制御装置1により、揮発性メモリ3の全アドレス領域の内、書き込み回数が最も多いと考えられるターゲットアドレス領域7への書き込み回数をカウントし、カウントしたカウント値を不揮発性メモリ4のカウント値格納領域8に格納し、カウント値を表示装置5に表示する制御を行う。 - 特許庁
When pieces of write data are specified through an input means 11, a write data size calculating means 12 calculates the data size of at least one piece of data, a judging means 13 compares it with the remaining capacity of the recording medium 15 to judge whether the data can be written, and then displays the result on a display means 14.例文帳に追加
入力手段11により、複数の書き込みデータが指定されると、少なくとも1のデータのデータサイズを書き込みデータサイズ算出手段12により算出し、判定手段13が記録媒体15の残容量と比較して書き込み可能かどうかを判定し、結果を表示手段14に表示する。 - 特許庁
A nonmagnetic isolation layer 305 is located between the second pole piece 102 and the write shield layer 304 and at least one ferromagnetic stud 300 and/or 302 is magnetically connected between a first pole piece layer 100 and the write shield layer 304 and is located between the head surface ABS and the insulation stack 110.例文帳に追加
非磁性分離層305が第2磁極片102と書込みシールド層304の間に位置しており、少なくとも1個の強磁性スタッド300,302が第1磁極片層100と書込みシールド層304の間に磁気的に結合され、かつヘッド表面ABSと絶縁スタックの110間に位置している。 - 特許庁
For image display of fireworks or the universe, i.e. image display having a high grayscale partially in a background of a low grayscale, the ON voltage of a write transistor is lowered from a voltage Vdd1 to a voltage Vdd2 at a display part of the high grayscale to increase the On resistance of the write transistor.例文帳に追加
花火や宇宙のような画表示、即ち低階調の背景中の一部に高階調が表示されているような画表示のときに、高階調の表示部分で書込みトランジスタのオン電圧を電圧Vdd1から電圧Vdd2に下げることで書込みトランジスタのオン抵抗を大きくする。 - 特許庁
Two contactless IC memories 1 as write-unrestricted media are stuck at two point-symmetrical positions about the center of a CD-R 2 as a write-restricted medium and the contactless IC memories 1 are recorded with information concerned with image data and sound data recorded on the CD-R 2.例文帳に追加
書き込み制限のあるメディアであるCD−R2の円心に関して点対称な2つの位置に、書き込み制限のないメディアである非接触型ICメモリ1が2つ貼り付けられており、非接触型ICメモリ1には、CD−R2に記録された画像データや音声データに関連する情報が記録されている。 - 特許庁
In the recording/reproducing device utilizing the pulse write system, the positions of the FCM and the address segment synchronized with data based on the information from a data modulator 114 are specified by a pulse laser controller 150 at the write time, and the irradiation on a recording medium by the pulse laser is stopped only in the area of the FCM and/or the address segment.例文帳に追加
パルスライト方式の記録再生装置において、パルスレーザコントローラ150はライト時に、データ変調器114からの情報に基づきデータに同期したFCMおよびアドレスセグメントの位置を特定し、FCMおよび/またはアドレスセグメントの領域においてのみパルスレーザの記録媒体への照射を停止する。 - 特許庁
When a sampling transistor Tr1 is turned on to write a video signal in the holding capacitor Cs, the switching transistor Tr2 is also turned on at the same time to connect all auxiliary capacitors Csub connected to the common wiring CL to the holding capacitor Cs, thereby increasing the write gain of the video signal to the holding capacitor Cs.例文帳に追加
サンプリングトランジスタTr1がオンして映像信号を保持容量Csに書き込む時、スイッチングトランジスタTr2も同時にオンして共通配線CLに接続した全ての補助容量Csubを保持容量Csに接続し、以って保持容量Csに対する映像信号の書き込みゲインを高める。 - 特許庁
The semiconductor memory apparatus includes a storage unit that stores write data or read data output from a memory cell block and outputs read data according to an output control signal, and a control unit that generates the output control signal at different timings according to whether a write training signal is activated.例文帳に追加
本発明は、ライトデータ又はメモリセルブロックから出力されるリードデータを保存した後、出力制御信号によって出力する保存手段と、ライトトレーニング信号が活性化したか否かにより、前記出力制御信号を互いに異なるタイミングで発生させる制御手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
At the time of reading the data, in the case that the write of the data for the (n+1)-th frame is not completed yet at the point of time of completing the read of the data for the (n)-th frame, the data for the (n)-th frame are read again.例文帳に追加
データの読み出し時においてn番目のフレームについてのデータの読み出しが完了した時点でn+1番目のフレームについてのデータの書き込みがまだ完了していない場合には、n番目のフレームについてのデータが再度読み出される。 - 特許庁
Since data can be sent in advance to the upstream section of a data path for writing at the time of performing late writing operation, the random cycle time at writing time can be shortened by making the writing speed of data in a memory cell faster in the next write cycle.例文帳に追加
レイトライト動作において、書き込みのデータパスにおける上流部側に予めデータを送り込むことができるので、次のライトサイクルにおいて、メモリセルにデータを書き込む動作を高速化して書き込み時のランダムサイクルタイムを短縮できる。 - 特許庁
Thus, the load current from the power source to a MRAM device is supplied at the time of charge of a digit line capacitor 60 and a bit line capacitor 65, and is not consumed at the time of making the data write-in current Ip, Iw(0), IW(1) to flow.例文帳に追加
したがって、電源からMRAMデバイスへの負荷電流は、ディジット線容量60およびビット線容量65の充電時に供給され、データ書込電流IpおよびIw(0),Iw(1)を流す際には消費されない。 - 特許庁
The game chip writer for writing at least identification information to the game chip to be used in a game has a ciphering part for ciphering at least a part of information for recording by a secret key and a write part for writing the ciphered information.例文帳に追加
少なくとも識別情報を、ゲームに用いられるゲームチップに書き込むゲームチップ書込装置は、記録用情報の少なくとも一部を秘密鍵で暗号化する暗号化部分と、暗号化された情報を書き込む書込部分とを有する。 - 特許庁
A data storage block 2 is secured in the blocks of a flash memory 12, data to be held even at the time of power source off are stored, erasing processing is separated and only write processing of data is performed by a system of rotation using the plural data storage blocks 2 at the time of reloading the data.例文帳に追加
フラッシュメモリ12のブロックにデータ格納ブロック2を確保し、電源断時も保持するデータを格納し、消去処理を別にして、データの書き換え時は複数のデータ格納ブロック2をローテーションで使用しデータの書込処理のみを行う。 - 特許庁
Thus, the power supply set-up can be executed at high speed for the address decoder/write current driver 31 of low-speed power supply set-up and to the data I/O system circuit 33, then the set-up can be executed at high speed as the whole circuit block.例文帳に追加
これにより、電源セットアップ速度の遅いアドレスデコーダ・書込電流ドライバ31およびデータI/O系回路33に対して電源セットアップを高速に実行することができ、回路ブロック全体としてセットアップを高速に実行することができる。 - 特許庁
For image display of fireworks or the universe, i.e. image display having a high grayscale partially in a background of a low grayscale, a time of signal writing by a write transistor is made shorter at a display part of the high grayscale than at other display parts.例文帳に追加
花火や宇宙のような画表示、即ち低階調の背景中の一部に高階調が表示されているような画表示のときに、高階調の表示部分で書込みトランジスタによる信号書込み時間を他の表示部分よりも短くする。 - 特許庁
In writing the stream data received from the DV camera into the DVD, if a time code included in the stream data is equal to a time code at a start position instructed by using a remote controller (YES at S6), write into the DVD is stopped.例文帳に追加
DVカメラから受信したストリームデータをDVDに書き込む際に、このストリームデータに含まれるタイムコードが、リモコンを用いて指示された開始位置のタイムコードと等しくなったときに(S6でYES)、DVDへの書き込みが停止される。 - 特許庁
To enable rewriting simultaneously many memory cells of plural banks and suppress power consumption at the time of read-out small, in a non-volatile memory cell in which boosted voltage generated in an internal power source circuit is used at the time of write-in, erasure, and read-out.例文帳に追加
内部の電源回路で発生した昇圧電圧を、書き込み消去時にも、読み出し時にも用いる不揮発性メモリ装置において、同時に複数バンクの多数のメモリセルの書き換えを可能とし、かつ、読出し時の消費電力を小さく抑える。 - 特許庁
To accelerate a processing speed at the time of read and write by improving the use efficiency of a cache memory by setting a cache area to a segment of optimum segment size reflected with logical features at the time of actual reading/writing from a host computer to a disk.例文帳に追加
実際にホストコンピュータがディスクに読み書きを行う際の論理的な特徴を反映させた最適なセグメントサイズのセグメントにキャッシュ領域を設定してキャッシュメモリの使用効率を上げ、リード時及びライト時の処理速度を向上させる。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a control unit for disabling operation of a delay circuit at the time of read-out in the semiconductor memory element including the delay circuit for delaying respectively a bank address signal and a column address signal at the time of write-in.例文帳に追加
半導体メモリ装置は、書込みの際にバンクアドレス信号とコラムアドレス信号をそれぞれ遅延させるための遅延回路を含む半導体メモリ素子において、読出しの際に前記遅延回路の動作をディスエーブルさせるための制御部を備えてなる。 - 特許庁
To achieve the synchronous pull-in of a clock and continuity in a cycle by allowing the write clock of information to be recorded newly to coincide with the reproduction data of information that has already been recorded when storing information in each minimum unit for recording/reproduction at an information storage medium at different time continuously without providing any gap.例文帳に追加
記録可能な情報記録媒体に、記録再生の各最小単位の情報を、ギャップを設けることなく連続して、異なった時間に記録する際に、クロックの同期引き込みを可能として、同期の連続性をとること。 - 特許庁
At the time of writing data, write-in voltage Vpgm is given to a selection word line of a selection block, pass voltage Vpass 2 is given to a non-selection word line, and electrons are injected to a floating gate in a selection memory cell.例文帳に追加
データ書込み時、選択ブロックの選択ワード線には書込み電圧Vpgmを与え、非選択ワード線にはパス電圧Vpass2を与えて選択メモリセルで浮遊ゲートに電子注入させる。 - 特許庁
To obtain a navigation system capable of updating map data while using the function of the navigation by starting to write the updated data to a storage means from free space at the time of updating the map data.例文帳に追加
地図データを更新する際に、更新地図データを地図データ格納手段の空き領域から書き始めることで、ナビゲーションの機能を使用しつつ地図データの更新を可能とするナビゲーションシステムを得る。 - 特許庁
For example, when writing final data at a desired threshold voltage level in a nonvolatile memory cell, first, a preliminary data write operation of writing preliminary data of a temporary level lower than the desired threshold voltage level, is performed.例文帳に追加
たとえば、不揮発性メモリセルに所望のしきい値電圧レベルの最終データを書き込む場合、まず、所望のしきい値電圧レベルよりも低い暫定レベルの予備データを書き込む予備データ書き込みを行う。 - 特許庁
At the time of recording the material signal of video sound and the like on a magnetic tape 30, camera-incorporated VTR 75 and VTR 71 generate meta-data in the EOS position of the material signal and write it in a memory tag 37.例文帳に追加
カメラ一体型VTR75やVTR71等は、磁気テープ30への映像音声等の素材信号の記録に際し、素材信号のEOS位置のメタデータを発生して、メモリタグ37に書き込む。 - 特許庁
To realize a semiconductor memory in which disturbance of the potential on a pair of bit lines and noise of sense operation are suppressed and current consumption at the time of data write-operation can be reduced with simple constitution.例文帳に追加
ビット線対上の電位のディスターブやセンス動作のノイズを抑制し、かつデータのライト動作時における消費電流を低減できる半導体記憶装置を簡単な構成により実現できるようにする。 - 特許庁
To provide an electronic camera recording image data on a removable recording medium that can aid in countermeasures made by an operator for avoiding occurrence of defects at write or read of the image data.例文帳に追加
着脱可能な記録媒体に画像データを記録する電子カメラに関し、画像データの書き込みや読み出し時の不具合の発生を回避するために操作者が講じる対策を支援することを目的とする。 - 特許庁
To read and write only the tag of the desired (especially, the most upper layer) sheet at laminated sheet product having a plurality of sheets provided with non-contact recognition devices (RFID/tags) in a laminated state.例文帳に追加
非接触認識装置(RFID/タグ)を備える複数シートを重ねた状態で有する積層シート状製品で所望の(特に最上層の)シートのタグのみに対して読み書きを行う。 - 特許庁
To provide a method for operating a flash memory so that high speed property of deletion processing and that of write processing may be improved and promoted and sufficient durability and data-retention capability may be secured at the same time.例文帳に追加
消去処理と書き込み処理との高速性を改善・促進するようフラッシュメモリを動作させる方法であって、同時に、十分な耐久性とデータ保持能力と確保する方法を提供する。 - 特許庁
Also, when the data to be written are the data without requiring the writing at a prescribed speed or higher, it may write the data in the low-speed area 34 on the basis of the area information stored in the memory 22.例文帳に追加
また、書き込むべきデータが所定速度以上で書き込む必要のないデータのとき、当該データをメモリ22に記憶されたエリア情報に基づいて低速エリア34に書き込むようにしてもよい。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of sufficiently maintaining a write-in state by improving electric charge maintenance characteristics even left at the time of high temperature, and to provide a manufacturing method of the semiconductor memory device.例文帳に追加
電荷保持特性を向上することで高温放置時などでも書き込み状態を十分に維持できる半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Thus, especially, at the time of writing data, by a word line WL and a write column selection line WCSL connected to the gate electrode of the transistor N1, only one memory cell is selected.例文帳に追加
このため、特に、データの書き込み時にトランジスタN1のゲート電極に接続された書き込みカラム選択線WCSLとワード線WLとにより、1つのメモリセルのみを選択することができる。 - 特許庁
In addition, the stabilization materials 55 and 56 provides isolation at peripheries of the layers 50-54 to prevent electrical coupling to a conductor to be used for providing a read and write access to the magnetic memory cell 40.例文帳に追加
また、安定化材料55および56は、層50〜54の縁の絶縁を提供し、磁気メモリ・セル40に対する読み書きアクセスを提供するために使用される導体への電気的結合を防ぐ。 - 特許庁
Also at this time, reset signals independent from a general command group processed by the HDD 63 in the order of acceptance, e.g. a read signal, a write signal, etc., are used by the CPU 21 as the command for unload.例文帳に追加
また、この時、CPU21は、例えばリード信号やライト信号など、HDD63が受け付け順に処理する一般的なコマンド群からは独立したリセット信号をアンロード用のコマンドとして使用する。 - 特許庁
The first transistors (Q21, Q41) connect the gates to a first bit line (BL) and apply a predetermined voltage (H level) to the second node (N2) in response to the voltage of the first bit line at the write-in of data.例文帳に追加
第1トランジスタ(Q21、Q41)は、第1ビット線(BL)にゲートを接続し、データ書き込み時の第1ビット線の電圧に応答して所定の電圧(Hレベル)を第2ノード(N2)に印加する。 - 特許庁
A request for a file access (write) to a memory card is generated at the time of protect and format processing to a photographed image in a reproduction mode and recording processing of the photographed image in a photographing mode.例文帳に追加
再生モードでの撮影画像に対するプロテクトやフォーマット処理、および撮影モードでの撮影画像の記録処理時などにおいて、メモリカードに対するファイルアクセス(書き込み)の要求が発生する。 - 特許庁
Specifically, upon detecting the Resync mark, the recording apparatus compares timing of the predicted position of the Resync with timing at which the Resync mark is detected to correct a write clock.例文帳に追加
具体的には、記録装置は、Resyncマークを検出すると、計算されたResync予測位置のタイミングとResyncマークを検出したタイミングとを比較して、ライトクロックを補正する。 - 特許庁
An FIR filter interpolates input data S101, and an interpolation signal is stored in a RAM 107 at an address denoted by a counter 108 that counts number of input clocks S103 and generates a write address.例文帳に追加
入力データS101をFIRフィルタで補間し、補間信号を、入力クロックS103をカウントして書き込みアドレスを発生するカウンタ108の示すアドレス位置のRAM107上に格納する。 - 特許庁
Also, an internal write-in signal WEi of a L level is inputted to the voltage supply circuit 72 at the time of read-out of data, and voltage VCC is supplied to a memory cell by a P channel MOS transistor 720.例文帳に追加
また、電圧供給回路72は、データの読出し時、Lレベルの内部書込信号WEiが入力され、PチャネルMOSトランジスタ720によって電圧VCCがメモリセルへ供給される。 - 特許庁
By this arrangement, the speed of sensing operation can be increased as compared with a conventional practice, since a rise of the lower write potential VSSA at the start of sensing operation is suppressed.例文帳に追加
これにより、センス動作の開始時における低位側書き込み電位VSSAの浮き上がりを抑制することができることから、従来に比べてセンス動作を高速化することが可能となる。 - 特許庁
To provide an optical recording and reproducing method and device which can acquire successful recording waveform in performing high linear velocity recording at ≥42 m/s to a dye based write once type DVD medium.例文帳に追加
色素系追記型DVD媒体に対して42m/s以上の高線速記録を行う際にも、良好な記録波形を得ることができる光記録再生方法及び装置の提供。 - 特許庁
To provide a magnetic recording medium and a magnetic recording device which have a sufficient write performance and reproduction/recording characteristics at low cost, and obtaining a high data signal quality with high recording density.例文帳に追加
十分な被ライト性能と再生/記録特性を有し、且つ低コストであり、高記録密度で高いデータ信号品質を得ることができる磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁
A portable information terminal of the user acquires a URL for specifying iEPG data of the program from a reservation site to write the iEPG data URL of the program in a homepage of the user of an SNS site at an outside location.例文帳に追加
外出先でユーザの携帯情報端末が、予約サイトから番組のiEPGデータを特定するURLを取得し、SNSサイトのユーザのホームページに番組のiEPGデータURLを書き込む。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device, which can perform high-speed transfer and high-speed read/write processing at a reduced manufacturing cost by reducing the size of each buffer RAM to a one-sector size.例文帳に追加
各バッファRAMのサイズを1セクタサイズ相当に低減し、製造コストが安価で、高速転送が可能であるとともに、書き込み・読出しの高速処理が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The read-write machine for the RFID tag used for the communication method simultaneously processes signals at a plurality of frequency bands, and superposes the signals for transmission and reception.例文帳に追加
該通信方法に使用する、本発明にかかるRFIDタグ用読書き機は、複数の周波数帯の信号を同時に処理するものであり、該信号を重ねあわせて送受信するものであってもよい。 - 特許庁
A cache memory is operated by a write-through mode, and operation at the time of occurrence of a cache mistake is performed when no data corresponding to the cache memory exists or when error is occurring even if the data exists.例文帳に追加
キャッシュメモリをライトスルー方式で動作させると共に、キャッシュミス発生時の動作を、キャッシュメモリに対応するデータが無い場合か、データがあってもエラーが発生している場合に行なうようにする。 - 特許庁
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