「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, by carrying out enhanced oxidation after forming the n^++-type cathode layer 1b, and carrying out ion implantation of a p-type impurity for forming the p^++-type collector layer 1a by utilizing an oxide film 31 formed by the enhanced oxidation as a mask, these layers can be formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

さらに、ｎ^++型カソード層１ｂを形成したのち増速酸化し、増速酸化によって形成された酸化膜３１をマスクとしてｐ^++型コレクタ層１ａを形成するためのｐ型不純物のイオン注入を行うことで、これらを自己整合的に形成する。 - 特許庁

The silicon member used for manufacturing a semiconductor is characterized by that the silicon member consists of a silicon-formed body of resistivity 0.1 Ω.cm or less and a concentration of metal impurity within a region of a surface layer of 50 nm is 1×10^11 atom/cm^2 or less.例文帳に追加

半導体製造用シリコン部材の発明は、抵抗率０．１Ω・ｃｍ以下のシリコン成形体から成り、かつ表層５０ｎｍ領域内の金属不純物濃度が１×１０^１１原子／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To improve reliability of a transistor constituted on a semiconductor substrate by relaxing a stress due to an insulating film to the silicide layer, which formed in an impurity range of a logic circuit, when the logic circuit is covered with the insulating films and protected in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、ロジック回路を絶縁膜等で覆って保護する場合に、ロジック回路の不純物領域に形成したシリサイド層への絶縁膜による応力を緩和して、半導体基板上に構成されるトランジスタの信頼性を向上する。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

To provide copper-based metal powder by which, by specifying the kind and content of impurity elements adversely affecting the strength of sintered compacts when sintering copper-based metal powder, reduction in the strength of sintered compacts due to poor sintering can be prevented as far as possible and sintered products having stable quality can be produced.例文帳に追加

銅系金属粉を焼結したときの焼結体強度に悪影響を及ぼす不純物元素の種類及びその含有量を規定することで焼結不良による焼結体強度の低下を可及的に防止し、安定した品質の焼結製品を生産することができる銅系金属粉を提供する。 - 特許庁

A metallurgical junction form and an impurity concentration profile of the resistive breakdown region 8 are determined so that an electrically neutralized region (8i) may remain in the resistive breakdown region 8 at application of a drain bias when junction breakdown occurs in the drain region 6 or the resistive breakdown region 8.例文帳に追加

ドレイン領域６または抵抗性降伏領域８に接合降伏が発生するドレインバイアスの印加時に抵抗性降伏領域８に電気的中性領域(８ｉ)が残るように、抵抗性降伏領域８の冶金学的接合形状と濃度プロファイルが決められている。 - 特許庁

By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加

約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁

Since this translocation loop defective layer 19 suppresses the dose loss of impurity atoms which form the p-type extension high concentration diffused layer 16, the drop of the driving force of a transistor is suppressed, and a MIS-type transistor with a short gate can be achieved.例文帳に追加

この転位ループ欠陥層１９により、Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１６を形成する不純物原子のドーズロスが抑制されるため、トランジスタの駆動力の低下が抑制され且つ短ゲート長のＭＩＳ型トランジスタを実現できる。 - 特許庁

For this reason, in a MOSFET 1, the parasitic resistance of the source region 5 and the drain region 6 can be further reduced than the parasitic resistance of a conventional source region and a conventional drain region that are formed only by injecting an impurity into the group III-V compound semiconductor layer 4 using implantation.例文帳に追加

これにより、MOSFET１では、III−Ｖ族化合物半導体層４に対して単に不純物をインプラテーションで注入して形成された従来のソース領域及びドレイン領域の寄生抵抗に比べて、ソース領域５及びドレイン領域６の寄生抵抗を一段と低減させることができる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To provide a flame polishing method which is capable of eliminating the nonuniformity by the flaws and impurity foreign matter on an optical fiber preform surface, the residual strain in the optical fiber preform and the cloud by the glass particulates adhered to the preform surface and producing the smooth optical fiber preform.例文帳に追加

光ファイバプリフォーム表面の傷や不純異物による不均一性、光ファイバプリフォーム内部の残留歪み、およびプリフォーム表面に付着したガラス微粒子による曇りの除去ができ、平滑な光ファイバプリフォームとする火炎研磨方法を提供する。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁

To provide a process for producing a coating type interlaminar insulation film-forming composition which has sufficient mechanical strength, excels in the leak current and the breakdown voltage of an insulation film, by extreme reduction of the amount of a metallic impurity component, and simultaneously excels in stability with time.例文帳に追加

金属不純物成分が極めて低減されることにより、充分な機械強度とともに、絶縁膜のリーク電流やブレークダウン電圧に優れており、なおかつその経時安定性に優れた塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first layers 11 and the second layers 12 that have aluminum contents and p-type impurity concentrations different from each other are formed in separate processes to enable fabricating a satisfactory p-type group III nitride compound semiconductor that has a property of p-type AlGaN mixed crystal as a whole.例文帳に追加

アルミニウムの含有量とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の層１１と第２の層１２とをそれぞれ別工程で形成し、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を製造することができる。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to control the respective threshold voltages of (n) channel thin film transistors and (p) channel thin film transistors to be appropriate values by one time impurity doping.例文帳に追加

これにより、ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとのしきい値電圧の差が増大し、１回の低濃度不純物注入により、ｎチャネル型薄膜トランジスタ及びｐチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧を適度な値に制御することができる。 - 特許庁

By this method, the clearance between the extrusion material S and the shoe block 4 is not generated, then the extrusion material S apt to oxidize in heating is prevented from being brought in contact with the atmosphere, the impurity inclusion into a continuous wire like body 9 due to oxidation is consequently prevented.例文帳に追加

これによって、押出材料Ｓとシューブロック４との間に隙間が発生しなくなるため、酸化が起きやすい加熱時に押出材料Ｓが大気と接触することがなくなり、酸化による連続線状体９への不純物の混入を防止することができる。 - 特許庁

Thus, the sheet resistance of the layer 17 of the element is decided, according to a thickness of the layer 17 and a concentration of the added P-type impurity, and an arbitrary sheet resistance can be designed independently.例文帳に追加

このため、抵抗素子の抵抗層１７のシート抵抗値は、ＨＥＭＴのチャネル層１３とは無関係に、抵抗層１７の層厚と添加するＰ型不純物の濃度によって決定され、任意のシート抵抗が得られるように独立に設計することが可能になる。 - 特許庁

A contact section for connecting a semiconductor substrate 24 and a wiring layer 44, comprising a high-concentration impurity layer formed on the surface of the semiconductor substrate 24 via an insulating layer 42, comprises a silicon-based conductive film 48 that penetrates the wiring layer 44 and the insulating layer 42 and makes contact with the semiconductor substrate 24.例文帳に追加

半導体基板２４と、半導体基板２４表面に絶縁層４２を介して形成された高濃度不純物層からなる配線層４４と、を接続するコンタクト部を、配線層４４および絶縁層４２を貫通して半導体基板２４に接するシリコン系導電性膜４８で構成した。 - 特許庁

The inside surface of a reaction vessel and a pipe line of a super critical water reaction apparatus for treating sewage sludge under a super critical water environment is lined with a material comprising a ceramic prepared by incorporating 0.1-2 wt.% MgO in inexpensive Al_2O_3 containing SiO_2 as an impurity.例文帳に追加

超臨界水環境下で下水汚泥を処理する超臨界水反応装置の反応容器及び配管の内面を、不純物としてＳｉＯ_2を含有する安価なＡｌ_2Ｏ_3にＭｇＯを０．１〜２重量％含有させたセラミックスからなる材料で覆うようにした。 - 特許庁

To provide a fuel reformer and components for the fuel reformer capable of improving the fuel reforming performance, shortening a fuel reforming time, and providing the reformed fuel with low impurity and high dissolved oxygen.例文帳に追加

燃料改質能力を改善し、また、燃料改質時間を短くすることが可能で、不純物の少ないしかも溶存酸素の多い改質燃料を得ることができる燃料改質装置および燃料改質装置用部品を提供する - 特許庁

In the impurity conversion step 103, an aldehyde compound represented by general formula: Ar-R-CHO (Ar is a substituted or unsubstituted aryl group; and R is a ≥2C organic group) is added, and donor impurities and acceptor impurities contained in a chlorosilane distillate is converted into high boilers.例文帳に追加

不純物転化工程103では、一般式Ａｒ−Ｒ−ＣＨＯ（Ａｒは置換または未置換のアリール基、Ｒは炭素数２以上の有機基）で表記されるアルデヒド化合物が添加され、クロロシラン類留出物に含有されているドナー不純物およびアクセプタ不純物が高沸点物に転化される。 - 特許庁

A liquefied impurity source 3, composed of a mixture of aluminum, boron, and an organic solvent, is coated on the silicon oxide film 2, and this is heated at temperatures lower than the diffusion temperatures of aluminum, and the organic solvent is evaporated to form a layer containing aluminum and boron.例文帳に追加

シリコン酸化膜２の上にアルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源３を塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To control generation of impurity gas during heat treatment, which is a problem of a polyphenylene sulfide having excellent capacitor properties such as heat resistance, dielectric characteristics, etc., to improve dielectric strength of a capacitor using the film and to improve the yield of capacitor production.例文帳に追加

耐熱性、誘電特性等のコンデンサ特性に優れるポリフェニレンサルファイドフィルムの問題点であった加熱処理時の不純物ガスの発生を抑え、該フィルムを用いたコンデンサの耐電圧性を向上させ、コンデンサ製造の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a window structure which is effective in COD prevention without diffusing an impurity or irradiating a resonator end surface with laser light so as to expand a band gap nearby the resonator end surface in a process of manufacturing a semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

The concentration of fuel gas in the fuel supply part is increased without exhausting fuel gas to the outside by moving impurity gas in the fuel supply part 6 to the gas moving chamber 7 with fuel gas supplied to the fuel supply part 6.例文帳に追加

燃料供給部６に供給された燃料ガスにより、燃料供給部６内に存在する不純ガスを気体移動室７に移動させることにより、燃料ガスを外部に排出することなく燃料供給部内の燃料ガス濃度を高める。 - 特許庁

The method for purifying a water-soluble colorant solution comprises circulating an aqueous solution of the water-soluble colorant containing as an impurity a bivalent or higher metal ion in a magnetic field of at least 5,000 gauss and subsequently removing the bivalent or higher metal ion co-existing in the aqueous solution by a chelate exchange resin.例文帳に追加

不純物として２価以上の金属イオンを含む水溶性着色剤の水溶液を５０００ガウス以上の磁場内を流通させた後、キレート交換樹脂により水溶液に共存する２価以上の金属イオンを除去することを特徴とする水溶性着色剤液の精製方法。 - 特許庁

To provide a 6000 series aluminum alloy sheet whose press formability and bending workability are improved even if the sheet thickness is improved or impurity elements are increased, and further, even in the case annealing is not performed after hot rolling and also before cold rolling, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

板厚の増加や不純物元素の増加に伴っても、更に、熱延後で冷間圧延前の焼鈍を施こさない場合でも、プレス成形性や曲げ加工性を向上させた6000系アルミニウム合金板と、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This cooling device comprises a cooling circuit 20 using pure water as cooling water to be circulated by a pump 22 for cooling a cooling object 24 and various treatment circuits 30 using the impurity treatment device such as the ion exchanger 32 for giving treatment to the parted pure water delivered by the pump 22.例文帳に追加

ポンプ（22）により循環される冷却水である純水によって被冷却物（24）を冷却する冷却回路（20）と、ポンプ（22）によって送り出された純水の一部が分流してイオン交換装置（32）などの不純物処理装置で処理される各種処理回路（30）とを備えている。 - 特許庁

While a material containing at least one metal element from among nickel, iron, cobalt, and platinum is brought into contact with the top surface of an amorphous silicon film 12, a heat treatment is carried out for crystallization and then the crystallized silicon film has an impurity region, doped with phosphorus, selectively formed and thermally treated.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の表面にニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つの金属元素を含有する材料が接した状態で熱処理して結晶化し、しかる後結晶化されたシリコン膜にリンを添加した不純物領域を選択的に形成し、熱処理する。 - 特許庁

To eliminate the chipping of terminal electrodes, impurity adhesion and chip packaging trouble by electronic corrosion which occur in the inspection by preventing the abutment of an inspection probe on the electrode pads to be packaged with the chip without using highly advanced technology necessary for the narrower pitch of the terminal electrodes.例文帳に追加

端子電極の狭ピッチ化で必要となる高度な技術を使わずに、チップ実装する電極パッドに検査プローブが当たらないようにして、検査時に発生する端子電極削れ、不純物付着、電極腐食によるチップ実装不具合をなくする。 - 特許庁

The MISFET comprises first and second impurity-diffused regions of a second conductivity type, interposing a channel region, arranged in the surface layer of the semiconductor substrate; and a gate electrode formed on the channel region via a gate insulating film.例文帳に追加

このＭＩＳＦＥＴは、半導体基板の表層部に、チャネル領域を挟んで配置された第２導電型の第１及び第２の不純物拡散領域と、チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する。 - 特許庁

To provide an electric connector 1 wherein a solder paste and its oxidation impurity are hard to be adhered to a surface treatment layer of an electric contactor 30 and a poor contact is hard to be generated even if a contact (insertion and release) between an electric contact 12 of the first connector 10 and the electric contactor 30 of the second connector is repeated several thousand times.例文帳に追加

第１コネクタ１０の電気接点１２と第２コネクタの電気接触子３０とが数千回の接触（挿抜）を繰り返しても、電気接触子３０の表面処理層に半田及びその酸化不純物が付着し難く、かつ、接触不良が起こり難い電気コネクタ１を提供する。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

In a second conductivity-type region 30, a buried second-conductivity-type region 53 is formed, which projects inside of a channel layer 40, contacts a contact second-conductivity-type region 52, has a higher impurity concentration than the channel layer 40, and has a peak concentration in the second conductivity-type region 30.例文帳に追加

第２導電型領域３０に、チャネル層４０に突出すると共にコンタクト第２導電型領域５２に接し、チャネル層４０よりも不純物濃度が高いと共に第２導電型領域３０内にピーク濃度を有する埋込第２導電型領域５３を形成する。 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、ｎピラー層３、ｐピラー層４、ｎピラー層２１、ｐピラー層２２のうち、連続して配列された３層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

The writing transistor WTr is used to write the data into the memory transistor and is a bipolar transistor where an impurity diffusion area 41 is an emitter area, a drain area 35 is a base area, and the channel body 39 is a collector area.例文帳に追加

書込トランジスタＷＴｒは、記憶トランジスタにデータを書込むために利用され、不純物拡散領域４１をエミッタ領域、ドレイン領域３５をベース領域、チャネルボディ３９をコレクタ領域とするバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

The process for producing succinic acid comprises reacting a microorganism capable of producing succinic acid on sucrose, wherein the sucrose contains a predetermined amount of a substance (an impurity X) that can be detected by means of high performance liquid chromatography under predetermined conditions.例文帳に追加

コハク酸産生能がある微生物をショ糖に作用させるコハク酸の製造方法において、前記ショ糖が所定の条件による高速液体クロマトグラフィーを用いて検出される所定量の物質（不純物Ｘ）を含有することを特徴とするコハク酸の製造方法からなる。 - 特許庁

To provide a water treatment apparatus for removing only other impurity ions of water to be treated without removing a chemical agent-injecting substance (ammonia being a pH control agent) of water to be treated by a desalting device to reduce the load of the chemical agent injection substance and cooling load.例文帳に追加

脱塩装置で被処理水の薬剤注入物質（ｐＨ調整剤のアンモニア）を除去することなく、被処理水の他の不純物イオンのみを除去し、薬剤注入物質の負荷と冷却負荷を軽減させた水処理装置を提供する。 - 特許庁

A P channel thin-film transistor of an inverter circuit has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of impurity regions of a P type, a gate insulating film provided on the semiconductor layer, and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加

またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which autodoping to a device active layer or misfit dislocation is less susceptible to occur, and pollution of the device active layer due to impurity metal is reduced effectively even if the wafer is made thin or thick after device formation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crucible for polycrystalline silicon production, which exerts sufficient strength, both at room temperature and at a temperature around melting point of silicon, so that it can be manufactured in large size and is highly effective in preventing impurity contamination of polycrystalline silicon ingot produced using the crucible.例文帳に追加

室温およびシリコン溶融温度付近のいずれにおいても、十分な強度を有し、大型化にも対応することができ、かつ、該ルツボを用いて製造する多結晶シリコンインゴットに対する不純物汚染の防止効果にも優れた多結晶シリコン製造用ルツボの製造方法を提供する。 - 特許庁

To expand the utilization range of a silicon carbide single crystal as a material for producing a semiconductor device by suppressing the impurity content to ppb order while keeping high quality comparable or superior to that of a device having an SiO2 layer as an intermediate layer and keeping high production efficiency.例文帳に追加

中間層にＳｉＯ_2 を介在させた場合と同等以上の高い品質及び高い製造効率を確保しつつ、不純物をｐｐｂ単位の含有量に抑えて半導体デバイス製作用材料としての利用範囲の拡大が図れるようにする。 - 特許庁

A first impurity region 2 of a reverse conductivity type configuring a photoelectric conversion region and a buried channel region 3 of a reverse conductivity type configuring an element for transferring signal charge are formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, and a first insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

一導電型の半導体基板１の主面部に、光電変換領域を構成する逆導電型の第一不純物領域２、および信号電荷を転送する素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域３を形成し、半導体基板上に第一絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that when an alumina sintered material used in an ink pressurizing chamber is exposed to ink for a long time, silica contained in the alumina sintered material as an impurity is eluted to the ink so that the viscosity of ink is increased and flow of the ink is hindered.例文帳に追加

インク加圧室にアルミナ質焼結体を用いたものでは、アルカリ性を示すインクに長時間曝されると、アルミナ質焼結体中に不純物として含まれているシリカが溶出し、インク粘度の増大やインクの流れが阻害する等の課題を解決する。 - 特許庁