好ましい結晶性の金属酸化物薄膜としては、理論密度と比較した相対密度が９０％以上であるものが挙げられる。例文帳に追加

A desirable crystalline metal oxide thin film includes 90% or more of relative density compared to theoretical density. - 特許庁

さらに、無線パラメータの変更前及び変更後の帯域内受信電力密度比の算出値の差から相対値を算出し、帯域内受信電力密度比の測定データに相対値を加算して無線パラメータの変更後の帯域内受信電力密度比を推定する。例文帳に追加

Furthermore, a relative value is calculated from difference of calculation values for inband received power density ratios before correction and after correction of the radio parameter, and the inband receiving power density ratio after correction of the radio parameter is presumed adding the relative value to the measured data of the inband receiving power density ratio. - 特許庁

この介在層６は、ヒータ基板１の加熱時に相対的に高温部となる領域が、相対的に低温部となる領域に比べて高密度となるような密度分布をもって配置されていることを特徴としている。例文帳に追加

The inclusion layer 6 is arranged with a density distribution in which a region which becomes relatively a high temperature part in heating of the heater substrate 1 becomes high density than the region which becomes relatively a low temperature part. - 特許庁

本炭化タンタル焼結体は、純度が９８．５質量％以上で真密度に対するかさ密度の比率である相対密度が９６．５％以上である。例文帳に追加

The tantalum carbide sintered compact has a purity of ≥98.5 mass%, and whose relative density as a ratio of bulk density to true density is ≥96.5%. - 特許庁

発泡金属の密度と同成分金属の密度の比で表される相対密度が０．２０以下の発泡金属体であって、平均気泡粒径が３．７ｍｍ以下である衝撃吸収特性に優れた発泡金属である。例文帳に追加

The foamed metal excellent in impact absorption characteristic has ≤3.7 mm average air bubble grain size in a foamed metallic body having ≤0.20 relative density expressed by a ratio of the foamed metal density to density of a metal with the same components. - 特許庁

相対密度が９０％を超えるような高密度範囲でも、密度の値に関わりなく安定して２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の比抵抗が得られる。例文帳に追加

A specific resistance of 2.0×10^-2 Ωcm or less can be stably achieved regardless of density value, even at a high density range where the relative density is more than 90%. - 特許庁

比較的高い密度（約5より比重の大きい）の、または、高い相対原子量の金属（特に水銀または鉛など、有毒であるもの）例文帳に追加

a metal of relatively high density (specific gravity greater than about 5) or of high relative atomic weight (especially one that is poisonous like mercury or lead)発音を聞く  - 日本語WordNet

ポリオレフィン発泡体粒子は、表層発泡比の方が内部発泡比よりも相対的に低くて高密度の表層を有することを特徴とする。例文帳に追加

The polyolefin foam particle has a high-density surface layer because the expansion ratio at the surface layer is lower than that in the inside. - 特許庁

水平パッド２が下肢部衝撃吸収パッド１に比して相対的に低密度となるようにフロアスペーサ３が成形されている。例文帳に追加

This floor spacer 3 is formed in such a manner that a horizontal pad 2 may have relatively low density compared with the lower limb impact absorbing pad 1. - 特許庁

この焼結体ターゲットの比抵抗は５０ｍΩ・ｃｍ以下であり、かつ、相対密度は９０％以上である。例文帳に追加

The target of the sintered compact has resistivity of 50 mΩ.cm or less, and relative density of 90% or more. - 特許庁

計測した層圧損値dＰnから、層密度dＰn／Ｌを求め、計測区間における流動層の相対面積比と前記層密度の相関関係を求める。例文帳に追加

Bed density dPn/L is determined from a measured bed pressure loss value dPn, and a correlation between the relative area ratio and the bed density of a fluidized bed in a measuring section is determined. - 特許庁

これらにより、相対密度が高い炭化硼素質焼結体が得られるので、相対密度と比例関係にある中性子吸収能を高くすることができるとともに、圧縮強度も高くなるので、耐久性が向上し、ひいては安全性を高めることができる。例文帳に追加

Both the absorbers and the control rods make it possible to obtain the boron carbide based sintered compacts with high relative density, thereby enabling neutron absorbing power in proportion to relative density to heighten, enhance compressive strength, thereby improving durability, and consequently can enhance safety. - 特許庁

この黒鉛は、鍛造用金型１０が使用される際、相対密度が第２層１８に比して大きく、且つ第１層１６の相対密度以下に設定された第３層２０の気孔を経由して該第３層２０の表面に導出される。例文帳に追加

When the die 10 for forging is used, the graphite passes through the pores of the third layer 20 having a relative density higher than that of the second layer 18 and also set to the value equal to or lower than that of the first layer 16, and is drawn out to the surface of the third layer 20. - 特許庁

この離型材や潤滑材等は、鍛造用金型１０が使用される際、相対密度が第２層１８に比して大きく、且つ第１層１６の相対密度以下に設定された第３層２０の気孔を経由して該第３層２０の表面に滲出する。例文帳に追加

When the die 10 for forging is used, the release material, lubricant or the like pass through the pores of the third layer 20 having a relative density higher than that of the second layer 18 and also set to the value equal to or lower than that of the first layer 16, and is exuded to the surface of the third layer 20. - 特許庁

得られた焼結体である高周波用磁性体磁器は、その相対密度（理論密度に対する焼結体の密度の比）が９５％以上、平均結晶粒径が２μｍ以上、結晶粒径の３σ（σは標準偏差）が２μｍ以下である。例文帳に追加

The sintered magnetic ceramic for high frequency has a relative density (the ratio of the density of the sintered compact to the theoretical density) of ≥95%, an average crystal particle diameter of ≥2 μm and 3 σ (σ is standard deviation) of the crystal particle diameter of ≤2 μm. - 特許庁

インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。例文帳に追加

This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more. - 特許庁

結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that has a fixed crystal face orientation, can perform relatively high-densely integration, and has a comparatively simple process. - 特許庁

炭化珪素多結晶からなる炭化珪素体であって，炭化珪素の純度が９９．９９９９重量％以上であり、相対密度が９９％以上であり、珪素の比率が７０．１２重量％以上である。例文帳に追加

This silicon carbide body comprising silicon carbide polycrystal has ≥99.9999 wt.% purity of the silicon carbide, ≥99% relative density and ≥70.12 wt.% percentage of silicon. - 特許庁

高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing zinc oxide-based oxide pellets in which the height is relatively large, and relative density is suppressed, with good yield and in a mass-production manner. - 特許庁

ＷＩＰ法又はＣＩＰ法等の汎用のプレス法を用いて塗布膜３０に均一に加圧し、塗布膜３０に比べて相対的に膜密度が高められた有機ＥＬ層５０を形成する。例文帳に追加

In this organic EL device, an organic EL layer 50 is formed as to have a relatively higher film density than that of a coating film 30 by uniformly pressurizing the coating film 30 using a general-purpose press method such as a WIP method or a CIP method. - 特許庁

この発明は、嵩密度を大きくして敷設厚みを相対的に薄くし、短いもしくは小さな炭の占める割合を高くして音の拡散効率を高めつつ、比表面積を大きくして調湿性能も向上させる。例文帳に追加

The bulk density is greater, a placement thickness is relatively smaller and the rate of short or small coals is higher to improve the diffusion efficiency of noises, while a specific surface area is larger to improve moisture control performance. - 特許庁

本発明の磁気記録メディア用αアルミナ粉末は、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上であり、１２５０℃で大気圧下に焼成して得られる焼結体の相対密度が８０％以上である。例文帳に追加

The α-alumina powder for the magnetic recording medium has a ≥10 m^2/g BET specific surface area and a sintered body obtained by calcining the α-alumina at 1,250°C under normal pressure has ≥80% relative density. - 特許庁

２種以上の混合粉末を原料とし、ミクロ組織が連続相と分散相からなる相対密度９８％以上の固化成形体において、原料粉末Ａの混合率が４０容量％以下であり、かつ原料粉末Ａと原料粉末Ｂの平均粒径の比が、以下の式（１）を満たす粉末を液相温度未満で固化成形したことを特徴とする連続相と分散相が制御された高密度固化成形体。例文帳に追加

The high density solidified molding is obtained by using two or more powdery mixtures as raw materials, has microstructure composed of a continuous phase and a dispersed phase and a relative density of ≥98%, wherein the continuous phase and the dispersed phase are controlled. - 特許庁

銅粉末に、１００℃までの熱膨張係数が６×１０^−６／Ｋ以下の鉄基合金粉末を、質量比で、５〜６０％添加し、混合した混合粉末を用い、相対密度で９３％以上に圧縮成形した後、４００〜６００℃で焼結する。例文帳に追加

A powdery mixture obtained by mixing, to copper powder, 5 to 60 mass% iron based alloy powder whose thermal expansion coefficient up to 100°C is ≤6×10^-6/K is subjected to compression molding to ≥93% relative density, and is thereafter sintered at 400 to 600°C. - 特許庁

そのうち、第一波長の光の波長が４３０ｎｍより小さくなり、且つ、発光ダイオードを駆動する駆動電流密度が２００ｍＡ／ｃｍ^２より大きくなるときに、この発光素子は、比較的高い発光効率と相対的安定な色温度分布を有する。例文帳に追加

In such a constitution, when the wavelength of the light of the first wavelength becomes shorter than 430 nm, and driving current density to drive the light-emitting diode becomes higher than 200 mA/cm^2, the light-emitting device has comparatively high luminous efficiency, and color temperature distribution which is relatively stable. - 特許庁

そのため、隣接する磁石同士の間隙部上または隣接する磁気抵抗素子の間隙部付近に位置する感磁部２０の磁気抵抗部の密度をその他の領域に比べて相対的に高めることにより、磁石同士の間隙部での感度低下が抑制される。例文帳に追加

Thus, by setting the density of the magneto-resistive parts of the magneto-sensitive parts 20 at positions above gaps between neighboring magnets and positions around gaps between the neighboring magneto-resistive elements relatively higher than that of other regions, decrease in the sensitivity at gaps between neighboring magnets can be suppressed. - 特許庁

この方法は、相対密度Ｄが、９０％＜Ｄ＜９８．５％で、全体の気孔率に対する閉じた細孔の比率が０．８より大となるようにする焼結工程と、（０．４０〜０．６５）×固相線温度の温度と、５０〜３００ＭＰａの圧力下で熱間等方加圧プレス加工する工程とを含む。例文帳に追加

The method includes: a sintering stage where relative density D is allowed to satisfy 90%<D<98.5% and the ratio of closed pores to the whole porosity is made higher than 0.8; and a stage where hot isostatic pressing is performed at a temperature satisfying (0.40 to 0.65)×a solidus temperature under 50 to 300 MPa. - 特許庁

その後、画像を構成する画素の密度が比較的高い画像を生成する領域であって、複数のフレーム画像データの画像が記録している領域内に含まれる画像生成領域を、複数のフレーム画像データの画像同士の相対位置に基づいて決定する（Ｓ６）。例文帳に追加

Thereafter, an image generation region which generates an image of relatively high pixel density constituting the image, and is included in the region having the recorded images of the plurality of frame image data is determined, based on the mutual relative positions of the images of the plurality of frame image data (S6). - 特許庁

このような高透明・高強度ＹＡＧセラミックスは、例えば、原料粉末として易焼結性の合成微粉末を用い、相対密度９５％以上に常圧焼結した後、粒成長抑制のため比較的低温でＨＩＰ処理することにより得ることができる。例文帳に追加

The high transparency and high strength YAG ceramic can be obtained, e.g., by subjecting easily sinterable synthetic fine powder as raw material powder to atmospheric sintering to a relative density of ≥95%, and thereafter performing HIP (Hot Isostatic Press) treatment at relatively low temperature for suppressing the growth of grains. - 特許庁

基板Ｐの内部にレーザ光を集光すると共に基板Ｐとレーザ光を相対移動させて、基板Ｐ内に改質領域Ｓ１からなる分割予定線Ｓを形成する際に、分割予定線Ｓの端部Ｓ２は、他の領域Ｓ１に比べて改質密度が高く形成される。例文帳に追加

When a division projected line S consisting of a reforming area S1 is formed within a substrate P by condensing laser beams inside the substrate P and relatively moving the substrate P and the laser beams, the reforming density of an end S2 of the division projected line S is higher than that of other area S1. - 特許庁

相対湿度が比較的高くなる環境下で画像記録を行なう場合に、光源の発光効率の変動、低下を伴なうような温度上昇を抑えつつ、打滴密度の比較的低い低濃度領域の硬化を高感度に行なえ、低濃度領域で良好に階調再現することができる像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus favorably reproducing the gradient in a low-density region while suppressing a temperature rise which may involve fluctuations and decrease in luminous efficiency from a light source and performing curing of low-density regions having a comparatively low droplet-stroke density, at high sensitivity, in cases where an image recording is carried out in the environment with a comparatively high relative-humidity. - 特許庁

マグネシウム含有量がケイ素含有量に対してモル比で１．８〜２．２の範囲の値であり、比誘電率が６．４〜７．５の範囲にあり、周波数１４ＧＨｚにおける誘電正接が１×１０^−４以下であって、相対密度が９９．４％以上であることを特徴とするフォルステライト系セラミックス焼結体。例文帳に追加

The forsterite-based ceramic sintered compact has a molar ratio of magnesium content to silicon content of 1.8-2.2, a dielectric constant of 6.4-7.5, a dielectric dissipation factor at a frequency of 14 GHz of ≤1×10^-4 and a relative density of 99.4% or higher. - 特許庁

少なくともＣａ及びＴｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal-oriented ceramic composed of a polycrystal body of a perovskite type compound containing at least Ca and Ti, oriented at a high degree of orientation in the pseudo-cubic (100) plane, having high relative density and capable of controlling the composition relatively easily, to provide its manufacturing method, to provide the anisotropic-shaped powder used for the ceramic and to provide its manufacturing method. - 特許庁

主として、インジウム、ストロンチウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、上記複合酸化物焼結体中のインジウム、ストロンチウム及び錫の総原子数に対する、錫及びストロンチウムの原子数の比が、それぞれ０〜０．３及び０．０００１〜０．０５であり、相対密度が９７％以上であり、平均粒径が７μｍ以下である、複合酸化物焼結体。例文帳に追加

The multiple oxide sintered compact is mainly composed of indium, strontium and oxygen, where ratios of the number of atoms of tin and strontium to the total number of atoms of indium, strontium and tin in the multiple oxide sintered compact are 0-0.3 and 0.0001-0.05, respectively, the relative density is 97% or more, and the mean particle size is 7 μm or less. - 特許庁

イットリウム元素換算で０．１〜０．５質量％の量のイットリウム化合物を含有し、該イットリウム化合物のうち、窒化イットリウムが占める比率が、５〜３０％であり、且つ、該窒化イットリウムの少なくとも一部が窒化アルミニウム結晶粒子の二粒界に存在し、且つ、相対密度が９８％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体である。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact comprises 0.1-0.5 mass% of a yttrium compound in terms of yttrium element, in which the percentage that yttrium nitride occupies in the yttrium compound is 5-30%, at least a part of the yttrium nitride exists in two-grain boundary of aluminum nitride crystal particles, and the relative density thereof is ≥98%. - 特許庁

少なくともＮａ及びＮｂを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide crystal-oriented ceramics composed of a polycrystal body of a perovskite type compound at least comprising Na and Nb, oriented at a high degree of orientation in the pseudo-cubic {100} plane, having high relative density and capable of controlling the composition relatively easily, to provide a method for producing the same, to provide anisotropic-shape powder used therefor, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

本方法は、１つ又は２つの熱量計によって気体燃料の温度、発熱量及び相対密度を測定して、ウォッベ指数を求める段階と、測定したウォッベ指数値を気体燃料についての事前定義ウォッベ指数値と比較する段階と、少なくとも１つの熱交換器によって事前定義定ウォッベ指数値に到達するように気体燃料の温度を調整する段階とを含む。例文帳に追加

The method includes phases measuring, by means of one or two calorimeters, temperature, calorific value and relative density of a gaseous fuel in order to determine the Wobbe index, comparing the measured Wobbe index value with a predefined Wobbe index value for the gaseous fuel and regulating the temperature of the gaseous fuel by means of at least one heat exchanger in order to reach the predefined Wobbe index value. - 特許庁

また、長距離引き回し配線である第５層配線Ｍ_5 および第６層配線Ｍ_6 では、低誘電率絶縁膜と比して膜密度が相対的に大きいＴＥＯＳ酸化膜を用いることによって、第４層間絶縁膜２０および第５層間絶縁膜２３の放熱性および機械的強度を向上させる。例文帳に追加

A TEOS oxide film which has a higher film density than a low-permittivity insulating film is used for insulation of a fifth wiring layer M5 and a sixth wiring layer M6 which are laid out long in length, by which a fourth interlayer insulating film 20 and a fifth interlayer insulating film 23 are enhanced in heat dissipating properties and mechanical strength. - 特許庁

少なくともＢａ及びＴｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１１１｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal-orientated ceramic comprising a polycrystal of a perovskitic compound containing at least Ba and Ti, having a pseudocubic face {111} with a high degree of orientation, having a high relative density, and being easily amenable to compositional control and a method for producing the same and to provide an anisotropically shaped powder used therefor and a method for producing the same. - 特許庁

平均粒径０．７〜１．８μｍのアルミナ粒子２のマトリクスに粒径０．１５μｍ以下のナノジルコニア粒子３を分散させてなり、アルミナ粒子２とナノジルコニア粒子３の含有量が両者の重量％比で８０：２０〜９５：５であり、相対密度が９３％以上である複合セラミック体１である。例文帳に追加

The composite ceramic body 1 is formed by dispersing nano-zirconia particles 3 having ≤0.15 μm particle diameter in a matrix of alumina particles 2 having 0.7-1.8 μm average particle diameter and contains the alumina particles 2 and the nano-zirconia particles 3 in the ratio by weight of 80:20 to 95:5 and has ≥93% relative density. - 特許庁

少なくともＰｂ及び／又はＣａ、並びに、Ｔｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal-oriented ceramic consisting of a polycrystal body of a perovskite type compound containing at least Pb and/or Ca and Ti, wherein a pseudo-cubic {100} face is oriented at a high orientation, having a high relative density and also capable of controlling the composition relatively easily, to provide its manufacturing method and to provide an anisotropic-shape powder to be used for the ceramic and its manufacturing method. - 特許庁

半導体集積回路のＴＥＧ（評価素子群）は、複数のシフトレジスタで構成されるが、シフトレジスタではセルレイアウトサイズに比べて相対的に入出力の端子数が少ないため、配置配線を行うと配線の密度が小さくなり、その結果として配線層の不良検出感度が低くなる。例文帳に追加

To solve the problem that since the TEG (test element group) of a semiconductor integrated circuit is configured of a plurality of shift registers, and the number of terminals of inputs and outputs of the shift registers is relatively smaller than the layout size, the density of wiring is made small after carrying out placing and routing, and the failure detecting sensitivity of a wiring layer is made low as a result. - 特許庁

基板７１の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜７３を形成する成膜工程と、エネルギー面積密度に所定の分布を有するレーザ光の照射領域を基板７１に対して相対的に移動しながら、レーザ光を半導体薄膜７３に間欠的に照射して、非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程とを行なう。例文帳に追加

The forming method comprises a film forming step of forming a thin film 73 of an amorphous or polycrystalline semiconductor having a comparatively small grain size on a substrate 71, and a step of intermittently irradiating a laser beam having a specified energy area density distribution on the semiconductor thin film 73 with laser beam irradiating regions moving, relative to the substrate 71. - 特許庁