「どらいえっちんぐそうち」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の課題は、フィルター及び冷却器を備えた固形物含有ドライエッチング排ガスの固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物の捕集方法によって解決される。例文帳に追加

There are provided the collection apparatus of the solid matter of dry etching exhaust gas containing solid matter having a filter and a cooler, and the collection method of solid matter using the same. - 特許庁

被測定物体のノッチを検査するノッチ検査装置及び方法において、濃淡パターンマッチング方法を使用することなく、しかも従来のエッジ検出方法に比べ、簡単かつ高精度の装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and a method simple and precise compared with a conventional edge-detection method, without using a concentration pattern matching method, in a device and a method for inspecting a notch of a measured object. - 特許庁

ドライエッチングによる層間絶縁膜へのコンタクトホール開口時に反応生成物が再付着しない液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method to produce a liquid crystal display device by which a reaction product is not deposited when a contact hole is opened in an interlayer insulating film by dry etching, and to provide a liquid crystal display device. - 特許庁

不純物汚染の恐れがなく、下部電極との間で高精度の平行度が得られるだけでなく、電極板と台座との良好な熱伝導により、結果として、エッチング特性が向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるという上部電極及びそれを装着したドライエッチング装置の提供。例文帳に追加

To provide an upper electrode, and a dry etching system using it, having no possibility of being contaminated with impurities in which not only highly accurate parallelism is kept with respect to a lower electrode but also the etching characteristics are enhanced, and the yield of silicon wafer is increased through good thermal conduction between an electrode plate and a base. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、第１エッチングガスを用いてシリコン基板１０１を選択的にドライエッチングして第１トレンチ部１０９を形成する工程と、第２エッチングガスを用いて、第１トレンチ部１０９の底部においてシリコン基板１０１をさらにドライエッチングし、第１トレンチ部１０９の底部から下方向に向かって拡径した部分を含む第２トレンチ部１１３を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device includes: a step of selectively dry-etching a silicon substrate 101 with a first etching gas to form a first trench 109; and a step of further dry-etching the silicon substrate 101 on the bottom of the trench 109 with a second etching gas to form a second trench 113 including a part radially expanding downwardly from the bottom of the first trench 109. - 特許庁

画素回路上に形成された保護絶縁膜（平坦化膜）をドライエッチングにより容易にパターニングすることができる製造方法、及び、該製造方法により製造された表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method in which a protective insulating film (flattening film) formed on a pixel circuit can easily be patterned by dry etching, and a display device manufactured by the manufacturing method. - 特許庁

成膜装置を用いて、絶縁体マスク２５のための絶縁膜２７を酸化膜２３上に成長する後に、フォトリソグラフィを用いて絶縁膜２７及び酸化膜２３をドライエッチングして絶縁体マスク２５を形成する。例文帳に追加

After an insulation film 27 for the insulator mask 25 is grown on the oxide film 23 using the deposition device, the insulation film 27 and the oxide film 23 are subjected to dry etching by using photolithography to form the insulator mask 25. - 特許庁

液晶表示装置のＴＦＴ薄膜トランジスタ形成のアレー工程において、ドライエッチングのローディング効果を低減できる液晶表示素子の製造方法を提案する例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display element, which can reduce the loading effect of dry etching in an array process for forming a TFT thin film transistor of a liquid crystal display device. - 特許庁

本半導体レーザ素子は、エッチングストップ１０７層、ｐ−第二及び第三クラッド層１０８、１０９、及びコンタクト層１１０がストライプ状リッジ形に形成され、電流注入領域１２０を構成する。例文帳に追加

For this semiconductor laser element, an etching stop layer 107, p- second and third clad layers 108 and 109 and a contact layer 110 are formed in a striped ridge shape, and a current injection region 120 is constituted. - 特許庁

半導体スイッチング素子の入力容量にチャージされた電荷を直流電源側に回生可能なドライブ回路、及びそれを利用したＸ線高電圧装置を提供する。例文帳に追加

To provide a drive circuit capable of regenerating electric charges stored in an input capacitance of a semiconductor switching element into a direct-current power supply side, and an X-ray high-voltage apparatus using it. - 特許庁

半導体装置内の金属又は金属化された層を垂直方向において接続するためにビアホールおよびビアライン領域のそれぞれのサイズに基づいたエッチングレートまたは選択性の違いを埋め合わせるビアラインバリア及びエッチストップ構造を提供する。例文帳に追加

To provide a via line barrier and an etching stop structure for compensating difference in selectivity or etching rate based on the sizes of respective via holes and via line regions, so that a metal or metallized layer in a semiconductor device is connected in vertical direction. - 特許庁

微細なコンタクトホールを形成するためのドライエッチングを行う半導体製造装置において、“エッチストップ”が生じないようにし、また、テーパー角などコンタクト形状の変動を抑制し、さらに、過度のオーバーエッチングを防ぎ、経時変化等の外乱に関わらずコンタクトの抜け性を確保する。例文帳に追加

To ensure through passage of a contact regardless of the disturbance such as aged changes, etc., by seeing that etch stop does not occur, suppressing the fluctuation of the contact form such as a taper angle, etc., and further, preventing excessive overetching, in a semiconductor manufacturing device which performs the dry etching for forming a minute contact hole. - 特許庁

室温近傍の比較的低い温度で基板を維持して加工する、例えば高アスペクト比のドライエッチング等のプラズマ処理装置でも、防護シールドの温度を適切に制御する。例文帳に追加

To appropriately control the temperature of a protective shield even in a plasma treatment device of, for instance, dry etching of a high aspect ratio or the like which processes a substrate by keeping the substrate at a relatively low temperature close to room temperature. - 特許庁

平面表示装置に用いるマトリクスアレイ基板において、ドライエッチングによりパターン配線を製造する際に、近接して並列される配線間に、エッチング残渣に起因する短絡が生じるのを防止することができるものを提供する。例文帳に追加

To provide a matrix array substrate used in a planar display device, for which short-circuits due to etching residuals between closely and parallelly arranged wirings are prevented in manufacturing pattern wiring by dry etching. - 特許庁

４００℃以上の温度での熱処理をしなくても、塩素ガスのみのドライエッチングでは得られない低い値のｎ型電極のコンタクト抵抗を有する窒化物半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a nitride semiconductor device which has contact resistance of an n-type electrode of low value not acquired by dry etching using only chlorine gas, even if thermal treatment of at least 400°C is not performed. - 特許庁

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。例文帳に追加

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device. - 特許庁

ガス絶縁開閉装置などの絶縁媒体、ＬＳＩのドライエッチング剤あるいはフッ素化剤として使用されている六フッ化硫黄ガスの処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for treating sulfur hexafluoride gas to be used as an insulating medium of a gas insulation switchgear, or the like and a dry etching agent or a fluorinating agent of LSI (large scale integrated circuits). - 特許庁

誘電率が４以下であり、大気中で放置しても膜応力が変化せず、リーク電流が小さく、かつ炭素含有シリコン酸化膜よりドライエッチ速度が非常に遅い、銅配線のエッチングストップ膜として使用され得るシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing silicon carbide film which secures a dielectric coefficient of 4 or less, stable film stress even when the film is left in the atmosphere, a small leak current, extremely slow dry etching velocity which is lower than that of the silicon oxide film including carbon, and may be used as an etching stop film of copper wiring. - 特許庁

基板１上にフォトレジスト２を被着形成し、これをフォトリソグラフィでパターニングしてレジスト窓パターン３を形成した後、等方性ドライエッチングで基板１をエッチングすることによりオーバーハング５を形成し、その上から金属のパターン材料６を蒸着し、フォトレジスト２を除去することによって不要なパターン材料６ａを除去して所望のパターン６ｂを形成する。例文帳に追加

After a resist window pattern 3 is formed by adhering photoresist 2 onto a substrate 1 and patterning it by photolithography, the substrate 1 is etched by dry etching to form an overhang 5, a pattern material 6 of metal is vapor-deposited thereupon, and the photoresist 2 is removed to remove an unnecessary pattern material 6a, thereby forming a desired pattern 6b. - 特許庁

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分の下層側ゲート絶縁層４ａを除去する。例文帳に追加

When the retentive capacity of a liquid crystal display is structured, after a thick lower-layer-side gate insulating layer 4a of an insulating layer 4 is formed, the part of the layer 4a overlapping a lower electrode 3c is removed by the dry etching. - 特許庁

ドライエッチング処理される基板２を静電吸着する静電チャック１１は、基板２と相似形状の静電吸着面１３ａを備える基板保持部１３を有する。例文帳に追加

An electrostatic chuck 11 electrostatically attracting a substrate 2 to be dry-etched has a substrate holding part 13 with an electrostatic attraction face 13a with a shape similar to that of the substrate 2. - 特許庁

ドライエッチング装置から排気される昇華性物質を含んだ排ガスの排ガス処理装置内部までの排ガス通路においての昇華性物質の析出を防ぎ、固形物の堆積をなくす。例文帳に追加

To prevent the precipitation of a sublimable substance in an exhaust gas passage reaching the interior of an exhaust gas treatment apparatus for treating the sublimable substance-containing exhaust gas discharged from a dry etching apparatus to eliminate the deposition of a solid. - 特許庁

本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide the collection apparatus of solid matter suited to simple and safe treatment of dry etching exhaust gas containing solid matter, and the collection method of the solid matter using the same. - 特許庁

本発明による反応性ドライエッチング装置においては、真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段が設けられる。例文帳に追加

In a reactive dry etching apparatus according to the present invention, a magnetic field generating means for forming circular magnetic neutral lines at the magnetic field zero position, which exist in succession in a vacuum chamber, is provided. - 特許庁

アルミニウム膜の選択ドライエッチングで発生した残存塩素によって発生するウエハ面のアルミニウム膜腐食を抑制する半導体製造装置の提供。例文帳に追加

To provide semiconductor manufacturing equipment which suppresses the corrosion of an aluminum film on the surface of a wafer by residual chlorine produced by selectively dry-etching the aluminum film. - 特許庁

ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the reliability of manufacturing processes can be ensured even when wet etching is performed, and bonding strength between a substrate and a chip is enhanced, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ドライエッチング法を用いてW/WN/Poly-Si/SiO_2積層膜にゲート電極構造のパターンを形成する際におけるSiO_2層の抜けを防止する、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which prevents the omission of an SiO_2 layer, at the time of forming the pattern of gate electrode structure in W/WN/Poly-Si/SiO_2 laminating films by using a dry etching method. - 特許庁

より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring. - 特許庁

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する配線構造を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring structure of simple wiring process, for improving wiring reliability, and realizing cost reduction, where a minute wiring structure is formed without the use of dry-etching or ashing process with a wiring groove, related to a fine multilayer interconnection of a semiconductor device. - 特許庁

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved. - 特許庁

有機合成の試薬、半導体製造装置のクリーニングガス、エッチングガス等に有用なトリフルオロメチルハイポフルオライト（ＣＦ_3ＯＦ）の精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a purification method for trifluoromethyl hypofluorite (CF_3OF) that is useful as a reagent for organic syntheses, a cleaning gas and an etching gas for semiconductor production units. - 特許庁

有機合成の試薬、半導体製造装置のクリーニングガス、エッチングガス等に有用なトリフルオロメチルハイポフルオライト（以下、ＣＦ_3ＯＦ）の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing trifluoromethyl hypofluorite (CF3OF) useful as a reagent of an organic synthesis, a cleaning gas for a semiconductor production apparatus, an etching gas or the like. - 特許庁

ＳＡＣプロセスにおいて安定かつ制御性良くエッチングストッパ膜の除去を実現し、再現性の優れた信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which realizes a removal of an etching stopper film stably with excellent controllability in a SAC process, and is superior in reproducibility and high in reliability. - 特許庁

堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR CLEANING DEPOSITION FILM FORMING DEVICE, DRY ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE INCLUDING STEP OF EXECUTING EITHER OF THE METHODS - 特許庁

真空容器内に設けられた均一化リングに付着する反応生成物を低減させることが可能なドライエッチング方法および装置を提供すること。例文帳に追加

To provide dry etching method/device for reducing reaction products bonded to an equalized ring disposed in a vacuum vessel. - 特許庁

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。例文帳に追加

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate. - 特許庁

本発明の課題は、排ガス導入口を下部、処理ガス導出口及びインジケーターを上部に備えた容器に、反応処理剤及び吸着剤を層状に充填されていることを特徴とする、ドライエッチング排ガス処理装置によって解決される。例文帳に追加

The dry etching exhaust gas treating device, wherein a processing agent and an absorbent medium are loaded in stratified state in a container having an exhaust gas introducing inlet at a lower portion and a treating gas discharging outlet and an indicator at an upper portion, is provided. - 特許庁

リソグラフィ工程のドライエッチング後において、ウェット洗浄によりレジストを除去するとともに、微細パターンにダメージを与えることなくパーティクルや金属不純物を十分に除去し、素子特性に優れた半導体装置を歩留まりよく製造する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics with a better yield by removing a resist by wet cleaning and by sufficiently removing particles and metal impurities without damaging a micro pattern after dry etching in a lithographic process. - 特許庁

本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching. - 特許庁

半導体基板１０内にトレンチ１１を有する半導体装置において、トレンチ１１の底面１１ａに、ドライエッチング処理により高さが概ね均一な凹凸形状の粗さ１１ｂを形成する。例文帳に追加

In a semiconductor device having the trench 11 within a semiconductor substrate 10, roughness 11b shaped by uneven concave and convex surfaces in almost equal height is formed through at the bottom surface 11a of the trench 11 a dry etching process. - 特許庁

ドライエッチングを行った後の基板表面から、レジストおよびポリマー残渣を除去して基板表面を清浄化し、半導体装置の生産歩留まりの向上および生産性の安定化を図る。例文帳に追加

To improve the yield and stabilize productivity of a semiconductor device, by removing resist and polymer residues from a substrate surface, after dry etching for cleaning up thereof. - 特許庁

本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。例文帳に追加

To provide a small, low-cost stage cooling mechanism for a plasma processing apparatus, which performs such plasma processing as filming or dry-etching a substrate that is an object to be processed. - 特許庁

パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus preventing a dielectric breakdown of a passivation film in a process of dry etching for forming a pad opening on the passivation film. - 特許庁

プラズマ生成初期におけるプラズマ誘導ダメッジのないウエハー全面積に渡ってプラズマ密度の径方向に均一にするドライエッチング装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a dry etching device where plasma density in the direction of a diameter is made uniform for the whole wafer area without plasma induction damage at the initial stage of plasma generation. - 特許庁

従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるとともに、下地膜の不所望なエッチング等を防止して高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device or the like by which productivity efficiency can be improved than before and a semiconductor device can be efficiently manufactured, and the unnecessary etching of a base film can be prevented so as to manufacture a high-performance semiconductor device at a high yield. - 特許庁