「エッチ率」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching. - 特許庁

ＤＲＡＭ装置５とメモリ混載ロジック装置９ａとのパターンが設けられ、メモリ混載ロジック９ａに対するＤＲＡＭ装置５の占有するパターン比率が、基板４をエッチングする際のＤＲＡＭ装置の開口率とほぼ等しくなるよう設定したマスク３を用いることによりＤＲＡＭ装置のエッチングレシピの共有化をはかる。例文帳に追加

The patterns for a DRAM device 5 and the memory hybrid logic device 9a are arranged, and by using a mask 3 where the occupation ratio of the pattern of the DRAM device 5 to the memory consolidation logic device 9a is set almost equal to the aperture ratio of the DRAM device at etching a substrate 4, the etching recipe of the DRAM device is used in common. - 特許庁

無機反射防止膜１０５に対してレジストパターン１０６をマスクに選択的エッチングを行なって、パターン化された無機反射防止膜を形成した後、有機低誘電率膜１０４に対してパターン化された無機反射防止膜をマスクに選択的エッチングを行なってパターン化された有機低誘電率膜を形成する。例文帳に追加

The inorganic anti-reflection film 105 is selectively etched with a resist pattern 106 as a mask to form a patterned inorganic anti-reflection film 105, and then the organic low dielectric constant film 104 is selectively etched with the patterned inorganic anti-reflection film as a mask to form a patterned organic low dielectric constant film. - 特許庁

反射率調整層の厚み及び屈折率により、透明導電フィルムの反射率を制御し、エッチング工程の後に異なるブロックの間の反射率の差をなくすことによって、上記異なるブロックの間に同一の光学表示効果向上させる透明導電フィルム構造を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of a transparent conductive film which controls the reflectance of a transparent conductive film by the thickness and refractive index of a reflectance adjusting layer and by eliminating a difference in reflectance between different blocks after an etching process, and improves the same optical display effect between the different blocks. - 特許庁

レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用粘着シートにおいて、前記粘着シートは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられているものであり、かつ基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^2 ）〕以下であることを特徴とするレーザー加工用粘着シート。例文帳に追加

The adhesive sheet is such that at least an adhesive layer is provided on a substrate, wherein the etching rate(etching speed/energy fluence) of the substrate is ≤0.4[(μm/pulse)/(J/cm^2)]. - 特許庁

レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用保護シートであって、前記保護シートは、少なくとも基材を有しており、かつ前記基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が２×１０^−４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以上であることを特徴とするレーザー加工用保護シート。例文帳に追加

The protective sheet at least has a base material, and the etching ratio (etching rate/energy fluence) of the base material is ≥2×10^-4[(μm/pulse)/(J/cm^2)]. - 特許庁

レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用粘着シートにおいて、前記粘着シートは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられているものであり、前記基材は、波長３００ｎｍ以下の紫外レーザー光を照射した際のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．００６〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以下であることを特徴とするレーザー加工用粘着シート。例文帳に追加

The etching rate (etching speed/energy fluence) of the base material is ≤0.006 [(μm/pulse)/(J/cm^2)] when the base material is irradiated with an ultraviolet laser beam having ≤300 nm wave length. - 特許庁

シリコン製電極板と、該電極板を支持する台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電極において、 （ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ （ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッチング装置用上部電極を提供。例文帳に追加

In the upper electrode for a dry etching system comprising a silicon electrode plate and a base supporting it, (a) the base is composed of graphite, and (b) the silicon electrode plate and the base are bonded through organic adhesive containing a filler having Young's modulus of 6×109 to 68×109 N/m2. - 特許庁

グルーブパターンを有する基板上に、磁壁移動層が表面側になるような積層順で磁性膜を積層し、この磁性膜表面を、基板に垂直な方向から入射する加速イオンによってスパッタエッチングし、スパタリング率のイオン入射角依存性を利用してグルーブ側部の磁壁移動層を選択的にエッチング除去する。例文帳に追加

On a substrate having a group pattern, magnetic films are laminated in such a laminating order as a magnetic wall movement layer comes on the front side, and this magnetic film surface is etched by sputtering accelerated ions made incident thereto from the direction perpendicular to the substrate, and the magnetic wall movement layer on the group side is selectively etched and removed by making use of ionic incident angle dependency of a sputtering rate. - 特許庁

アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon etching liquid which removes the surrounding constituent material accurately and efficiently so as to form a capacitor structure having protrusions and recesses, for amorphous or polycrystalline silicon, while ensuring a well-balanced etching in the center and at the end of a wafer in which a large number of capacitor structures are formed, and to provide a formation method of a capacitor structure using the same. - 特許庁

その多結晶シリコンの横断面に対して、５０％フッ化水素水溶液と７０％硝酸水溶液との比率が１：５０の混酸溶液により１５μｍのエッチング処理を行ったとき、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが２００μｍ以下となる。例文帳に追加

When the polycrystalline silicon is etched to the depth of 15 μm with regard to the cross section using a mixed acid solution containing an aqueous solution of 50% hydrogen fluoride and an aqueous solution of 70% nitric acid in the ratio of 1:50, the etching depth at the boundary between the seed crystal part and the precipitated silicon part is at most 200 μm. - 特許庁

水晶板上に感光性樹脂からなる被膜を形成し、マスクをもちいて露光光により前記樹脂を感光させることによって、所望の形状を形成し、前記樹脂形状を用いて水晶板を一括ドライエッチング加工する水晶振動子の製造方法であって、前記マスクを透過した露光光の透過率が制御されかつ水晶板を一括ドライエッチング加工することを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method of the crystal oscillator which forms a coating film consisting of photopolymer on the quartz plate, forms a desired shape by exposing resin with exposed light by using a mask and performs batch dry etching processing of the quartz plate by using the resin shape, transmissivity of the exposed light transmitted the mask is controlled and the batch dry etching processing of the quartz plate is performed. - 特許庁

下層配線１上に第１エッチングストッパー層２ａ、多孔質の第１低誘電率膜２ｂおよび第１キャップ層２ｃの積層した第１層間絶縁膜２を形成し、Ｃ_４Ｆ_８のような炭素含有量が多いフルオロカーボンガスを用いレジストマスク３を使用したドライエッチングによりビアホール４を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 2 laminating a first etching stopper layer 2a, a porous first dielectric constant film 2b, a first cap layer 2c, is formed on a lower layer wiring 1, and a via-hole 4 is also formed with the dry etching method using a resist mask 3 by utilizing a fluorocarbon gas including a large amount of carbon such as C_4F_8. - 特許庁

例えば、７０３ｎｍ、８３６ｎｍ、８３７．６ｎｍ等の長波長の光は、３９６．２ｎｍ等の短波長の光に比べてプラズマエッチング時の反応生成物に対する透過率が高いので、エッチング反応室の終点検出窓に反応生成物が付着しても、安定した終点検出が可能である。例文帳に追加

Lights having long wavelengths of 703 nm, 836 nm, 837.6 nm, etc., have high transmittances with respect to reaction products in plasma etching, as compared with short wavelengths of 396.2 nm, etc., and hence, even if reaction products deposit on the end point detecting window of an etching reaction chamber, the end point can be detected stably. - 特許庁

ドライエッチング後に処理済み基板を取り出すために真空処理室を大気に戻し開放する際に、放出される可能性のある残留プロセスガスの有無を検知して真空処理室を大気へ戻す際に効率的かつ安全に有害な残留プロセスガスを除去できるようにしたドライエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching apparatus for removing harmful residual process gas efficiently and safely when returning a vacuum treatment chamber to the atmosphere by detecting the presence or absence of the residual process gas that may be discharged when returning the vacuum treatment chamber to the atmosphere for releasing to take out an already treated substrate after dry etching. - 特許庁

金属膜のエッチング工程を必要とせず簡単なプロセスによりパターン形成することができ、銅（Ｃｕ）等のエッチング制御が困難な金属であっても精細にパターニングでき、かつ材料の利用効率の優れた金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a metal wiring substrate and a method of manufacturing the same, which can form a pattern of a metal film with a simple process not requiring any etching process on a metal film, can precisely form a fine pattern, even on a metal such as copper (Cu) that is difficult to control etching, and is superior in material utilization efficiency, and a metal wiring substrate for reflection liquid crystal display. - 特許庁

支持体上に、有機ＥＬ素子、蒸着法による色変換層、およびバリア層を形成し、バリア層をエッチストップ層とするドライエッチングにより、バリア層上にパターン化高屈折率層を形成し、カラーフィルタと貼り合わせることを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting device includes a process in which an organic EL element, a color conversion layer by a vapor depositing method and a barrier layer are formed on a supporting body, and a patterned high refractive index layer is formed on the barrier layer by a dry etching with the barrier layer as an etching-stop layer and is stuck to a color filter. - 特許庁

少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained. - 特許庁

無機粒子と、該無機粒子表面を被覆し、フッ素と窒素とを含む有機材料を含有する被覆層とを有し、Ｘ線光電子分光法により、Ａｒエッチングしながら測定した窒素原子に対するフッ素原子の含有量の比率が、Ａｒエッチング時間が０秒以上１００秒以下の範囲内において２．０以上２０以下であることを特徴とするトナー用外添剤。例文帳に追加

The external additive for toner includes: inorganic particles; and a covering layer covering the surfaces of the inorganic particles and containing an organic material including fluorine and nitrogen, wherein the ratio of the content of the fluorine atoms to the nitrogen atoms measured by X-ray photoelectron spectroscopy while performing Ar etching is 2.0 to 20 in a state where Ar etching time lies within the range of 0 to 100 s. - 特許庁

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。例文帳に追加

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth. - 特許庁

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography, for forming a resist underlayer film capable of reducing reflectance, having high etching resistance, high heat resistance and solvent resistance, and free of the occurrence of twist particularly in the etching of a substrate; and to provide a pattern forming method using the same. - 特許庁

リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a resist underlayer film of a multilayer resist film having at least three layers used in lithography, wherein the resist underlayer film reduces reflectance, has high etching resistance, high heat, and solvent resistances, and avoids wrinkling on a substrate particularly during the etching of the substrate, and also to provide a patterning process using the same. - 特許庁

トナー粒子と、シリカ粒子と、フッ素及び窒素を含む有機材料を含有する被覆層を表面に有し、Ｘ線光電子分光法により、Ａｒエッチングしながら測定した窒素原子に対するフッ素原子の含有量の比率が、Ａｒエッチング時間が０秒以上９０秒以下の範囲内において１．９以上１９以下である無機粒子と、を含んで構成される静電荷像現像用トナー。例文帳に追加

The toner for electrostatic charge image development includes toner particles, silica particles and inorganic particles having the coating layer containing an organic material containing fluorine and nitrogen on the surface thereof and having a content ratio of fluorine atoms to nitrogen atoms of 1.9 to 19 in the range of 0 to 90 sec Ar etching time, measured by an X-ray photoelectron spectroscopy while Ar etching is performed. - 特許庁

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film. - 特許庁

例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material. - 特許庁

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。例文帳に追加

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask. - 特許庁

クロムイオンおよびセリウムイオンを含有するエッチング液の廃液から、セリウムイオンを酸化セリウムとして収率よく回収する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for recovering cerium ions as cerium oxide in good yields from a waste etchant containing chromium ions and cerium ions. - 特許庁

セリウムおよびクロムを含有する溶液から、セリウムを高純度で効率よく回収する方法および回収したセリウムを用いるクロムエッチング液を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently recovering cerium with high purity from a solution containing cerium and chromium and to provide a chromium etching solution using the recovered cerium. - 特許庁

セリウム化合物とクロム化合物を含有するクロムエッチング液から、セリウムを効率よく回収することが可能なセリウムの回収方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of efficiently recovering cerium from chromium etching solution containing cerium compound and chromium compound. - 特許庁

フレキシブル基板のカールがなく、金属箔エッチング後のポリイミドフィルムのカールがないフレキシブル基板であり、高線膨張率の熱可塑性ポリイミドを有さず、かつ、高い密着力を有するフレキシブル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a flexible substrate not having a curl and the curl of a polyimide film after the etching of a metal foil, including no thermoplastic polyimide having the high coefficient of linear expansion and having high adhesion strength. - 特許庁

エッチングにて形成される劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よく、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開することができる。例文帳に追加

To efficiently and surely cleave a bar-like element joint body having a groove for cleavage formed by etching into a plurality of semiconductor laser elements. - 特許庁

半導体用エッチングガスや半導体用クリーニングガスとして注目される重要な化合物である二フッ化カルボニルを、高純度で効率よく、安価で安全に製造する方法の提供を目的としている。例文帳に追加

To provide a process for efficiently, inexpensively and safely producing highly pure carbonyl difluoride which is an important compound notable as an etching gas or a cleaning gas for semiconductors. - 特許庁

低誘電率で、対レジストエッチング選択比が高く、かつ酸化珪素保護膜なしでも剥離の問題を生じないような有機シロキサン系絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide an organic siloxane insulating film of low permittivity and high etching selective ratio against resist where no peeling problem occurs even with no silicon oxide protective film. - 特許庁

基板をエッチングして階段状回折構造を形成する際に、形状の劣化を少なくして回折効率の高い回折光学格子の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a diffraction optical grating of high diffraction efficiency, with which the deterioration in a shape is reduced in forming a step-wise diffraction structure by etching a substrate. - 特許庁

フォトマスクの製造方法に関し、フォトマスクに於けるエッチングバイアスの予測をパターン開口率に対応して行なうことで、高精度の予測を可能にしようとする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a photomask by which an etching bias in a photomask can be predicted with high accuracy corresponding to a pattern opening ratio. - 特許庁

このエッチストップ物質はシリコン含有物質であり、そして低誘電率物質（ｋ＝３．５〜５）に変換され、この物質は紫外線照射及びシリル化、酸素プラズマの後にシリコンに富む酸化シリコンになる。例文帳に追加

The etch stop substance is a silicon containing substance, and then converted into the low dielectric constant substance (k=3, 5-5), which becomes silicon oxide rich in silicon after ultraviolet irradiation, silylation and oxygen plasma. - 特許庁

誘電体多層膜を反応性イオンエッチングにより加工し、アスペクト比が高く、垂直性の優れた溝を高い加工効率で形成し、２次元もしくは３次元周期構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a two-or three-dimensional periodic structure by processing a dielectric multilayer with a reactive ion etching and forming a groove excellent in perpendicularity having a high aspect ratio with high processing efficiency. - 特許庁

銀合金の比率によらず耐久性のある安定な結晶粒を作ることで、安定したエッチング性を得る銀電極を備えた表示体が得ること。例文帳に追加

To obtain an indicator provided with silver electrode with which stable etching properties are obtained by making stable crystal grains having high durability regardless of ratio of silver alloy. - 特許庁

具体的に、例えば、高誘電率膜として、ＨｆＯ_２を用いて、Ａｌイオンまたは、Ｓｉイオンを注入し、ＨｆＯ_２膜中の酸素と、注入したイオンとを結合させた後、ＨＦ水溶液により、エッチングする。例文帳に追加

Concretely, Al ion or Si ion is injected by using HfO_2 as the high dielectric constant film, and oxygen in the HfO_2 film is connected to the injected ion, and then etching is carried out by using HF water solution. - 特許庁

深いエッチピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum material for electrolytic capacitor electrode with which the surface area ratio is surely improved by uniformly generating deep etching pits at high density and electrostatic capacitance can be increased. - 特許庁

これにより、ＣＦ＋系イオンの直進性を抑え、ＣＦ＋系イオンにより周辺部がテーパ状のエッチング孔１１２Ａを短時間で効率よく形成することができる。例文帳に追加

Consequently, the rectilinear propagation of the CF+ ions is prevented, and an etching hole 112A having a tapered periphery is efficiently formed in a short time by the CF+ ions. - 特許庁

銅配線の表面に残存したフッ素の除去及び有機絶縁膜のエッチングを効率的に行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which removal of fluorine remaining on a surface of copper wiring and etching of an organic insulating film are efficiently performed. - 特許庁

回折効率の高い多段階型回折光学素子用凹凸部材を、ドライエッチャなどの高価な装置を必要とせず、高い生産性をもって実現し得る製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a projecting and recessing member for a multistage diffraction optical element with high diffraction efficiency, which is feasible with high productivity without necessitating any expensive device such as a dry etcher. - 特許庁

縦型構造の半導体装置１において、トレンチ２を等方性エッチングで形成することにより、トレンチ２の断面形状を曲率半径ｒ一定の半円形にさせる。例文帳に追加

In the semiconductor device 1 having a longitudinal structure, the trench 2 is formed by isotropic etching to section the trench 2 in a semicircular shape having a radius (r) of curvature. - 特許庁

電解コンデンサ電極用アルミニウム箔において、深いエッチングピットを均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量のさらなる増大を図る。例文帳に追加

To uniformly generate deep etched pits on an aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes, thereby further enhancing the surface expanding and increasing the electrostatic capacity. - 特許庁