意味 | 例文 (905件) |
エッチ率の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 905件
ポリシリコン膜103に対してパターン化された有機低誘電率膜をマスクに選択的エッチングを行なってゲート電極を形成する。例文帳に追加
The polysilicon film 103 is selectively etched with the patterned organic low dielectric constant film as a mask to form a gate electrode. - 特許庁
低誘電率膜104に対してトレンチエッチングを行ってもフェンス113が形成されない、配線構造の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming a wiring structure in which no fence is formed even when trench-etching is performed on a film having a low dielectric constant. - 特許庁
エッチング耐性が維持され、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a composition for forming a resist underlayer film, which can form the resist lower layer film maintaining etching resistance and reducing reflectance. - 特許庁
FeRAMセルを高密度かつ高スループットで製造するには、精密かつ効率的なエッチングプロセスが必要である。例文帳に追加
To provide a precise and efficient etching process to fabricate a FeRAM cell with high memory densities and high throughput. - 特許庁
半導体ウェハ等の基材の外周部の不要膜を効率良く輻射加熱し、エッチングレートを高める。例文帳に追加
To enhance etching rate by radiation heating unnecessary films on the outer periphery of a substrate, e.g. a semiconductor wafer, efficiently. - 特許庁
酸化剤、キレート剤および水溶性フッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。例文帳に追加
The etchant composition for a thin film having a high dielectric constant is an aqueous solution containing an oxidant, a chelating agent, and a water-soluble fluorine compound. - 特許庁
C_4F_8/Ar/N_2系混合ガスを用いてSiOC系低誘電率膜をエッチングする場合、Arの流量比を80%以上とする。例文帳に追加
In etching the SiOC based low permittivity film using a C_4F_8/Ar/ N_2 based mixture gas, flow rate ratio of Ar is set at 80% or above. - 特許庁
そして、第2および第3の低誘電率層間絶縁膜7,9をエッチングして配線溝と接続孔とを同時に形成する。例文帳に追加
Second and third low permittivity interlayer insulating films 7 and 9 are etched to simultaneously form the wiring channel and connection hole. - 特許庁
エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。例文帳に追加
To form an amorphous carbon film which has excellent etching resistance, and in which the reduction of reflectance is possible upon the exposure of a resist film. - 特許庁
エッチング後の低誘電率膜の開口の側壁を保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of protecting the sidewall of an opening in a low dielectric constant film after etching, and to provide its fabrication process. - 特許庁
イオンビーム照射による試料Sのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Mの交換を短時間で効率良く行う。例文帳に追加
To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation. - 特許庁
低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。例文帳に追加
To provide a treatment condition for achieving precise etching with a high selection ratio without generating any film damage in a low-permittivity film (Low-k film, such as SiOCH). - 特許庁
シリコン基板101の上にSiO_2膜102を介して形成された高誘電率絶縁膜103をドライエッチングする。例文帳に追加
A high dielectric constant insulating film 103 formed over a silicon substrate 101 with an SiO_2 film 102 between is dry-etched. - 特許庁
塩化銅含有エッチング廃液を効率よくかつ低められたスラッジ発生量で処理し、スラッジを回収するための方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for efficiently treating an etching waste liquid containing copper chloride to recover sludge with a low occurring amount of sludge. - 特許庁
誘導結合型反応性イオンエッチング装置のチャンバーをなす材料として高誘電率材料を用いることもできる。例文帳に追加
A high dielectric constant material may be used as a material that forms a chamber of an inductively coupled type reactive ion etching device. - 特許庁
絶縁層5をプラズマエッチングするに際し、曲率を持つ形状の電極を使用して加工することが望ましい。例文帳に追加
The insulation layer 5 is plasma-etched preferably by using an electrode whose shape has curvature. - 特許庁
低誘電率膜104に対してトレンチエッチングを行ってもフェンス110が形成されない、配線構造の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming a wiring structure in which no fence is formed even when a film having a low dielectric constant is subjected to trench-etching. - 特許庁
半導体基板に対するドライエッチング等の加工、および加工後の異物除去のための洗浄を効率よく実現する。例文帳に追加
To efficiently perform processes to a semiconductor substrate, such as dry etching, and cleaning for removing foreign materials after the processes. - 特許庁
従って、高導電率化工程及びエッチング工程のいずれにおいても半導体層はダメージを受けることがないため信頼性が向上する。例文帳に追加
Therefore, the semiconductor layer is not damaged in the process for enhancing conductivity and the etching process to improve its reliability. - 特許庁
第2の絶縁膜3は、第1の絶縁膜2とのエッチング選択比が大きく且つ多孔質の低誘電率材料からなる膜である。例文帳に追加
This second insulating film 3 is a film having a large etching selection ratio from the first insulating film 2 and made of a porous low dielectric constant material. - 特許庁
レートの早いエッチングを要することなく、平坦度の高い半導体ウェハを効率よく製造することができる。例文帳に追加
To provide an efficient manufacturing method of a highly flat semiconductor wafer without requiring fast rate etching. - 特許庁
その後、エッチングを行って、中間ガラス層5にレジストパターンを形状転写し、凹部を高屈折率の紫外線硬化樹脂で埋める。例文帳に追加
Then the shape of the resist pattern is transferred into an intermediate glass layer 5 by etching, and the recesses are filled with a UV-curing resin having a high refractive index. - 特許庁
低誘電率の、ダマシン法に適したエッチングストッパ膜を備えた、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a highly reliable semiconductor device provided with the etching stopper film of low dielectric constant suitable for a damascene method and a production method therefor. - 特許庁
低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for forming a dielectric barrier with a low dielectric constant, improved etching resistivity, and excellent barrier characteristics. - 特許庁
半導体基板等の基板を洗浄する方法(又は装置)において、洗浄効率の向上を図り、更には基板のエッチングを防ぐ。例文帳に追加
To contrive improvement in cleaning efficiency and further to prevent etching of substrates in a method (or an equipment) for cleaning substrates such as semiconductor substrates. - 特許庁
マスク開口率によらずにマスクに対する基板のエッチング選択比を高く保つことができる表面パターニング方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for patterning a surface which can keep the etching selection ratio of a substrate to a mask high irrelevantly to a mask opening rate. - 特許庁
有機系低誘電率材料膜層に所定形状のエッチング加工を施すことが可能なプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加
To execute the etching work of a prescribed shape to an organic low dielectric constant material film layer. - 特許庁
塩化銅含有エッチング廃液を効率よくかつ低められたスラッジ発生量で処理するための方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for efficiently treating a copper chloride- containing waste etching solution with a reduced amount of sludge generated. - 特許庁
その形状をエッチング等により高屈折率樹脂28からなる層に転写し、所望の形状の第2レンズを形成する。例文帳に追加
The shape is transferred to a layer formed of the high-refractive-index resin 28 by etching etc., to form the 2nd lens in a desired shape. - 特許庁
これにより、プラズマ生成効率を向上させて大面積基板60をエッチングできる高密度プラズマを均一に生成できる。例文帳に追加
Therefore, and high density plasma capable of etching the substrate 60 having the large area can be uniformly generated by improving the plasma generation efficiency. - 特許庁
SO2は低誘電率膜18に対し高い保護性、NF3は拡散防止膜17に対し高いエッチング速度を実現する。例文帳に追加
The SO_2 realizes high protection properties to the low dielectric constant film 18, and the NF_3 realizes a high etching speed to the diffusion preventive film 17. - 特許庁
本発明は、簡単な操作で、経済的に効率よく、エッチング廃液中の金を回収する方法を提供しようとするものである。例文帳に追加
To provide a method for economically and efficiently collecting gold from etching waste with a simple operation. - 特許庁
より高い効率を達成でき、性能を低下させずにエッチング後の追加層の蒸着を可能にする回折光学部材を提供すること。例文帳に追加
To provide a diffractive optical member that attains a higher power efficiency and performs the vapor deposition of an additional layer after etching without degradation in performance. - 特許庁
加工効率を向上させ、実用性を高めた、近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。例文帳に追加
To provide a laser beam stimulation etching processing device using near field light, whose processing efficiency and feasibility are raised, and to provide its processing method. - 特許庁
処理室内に温度勾配がないので、ウエハ相互間の屈折率やエッチングレートを均一化できる。例文帳に追加
There is no temperature gradient in the processing chamber, so refractive indexes and etching rates can be made uniform among the wafers. - 特許庁
レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device with high power generation efficiency in which laser etching is easy. - 特許庁
エッチング廃液に代表されるシュウ酸を主成分とする酸溶液からの効率のよいインジウム回収方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for efficiently recovering indium from an acid solution essentially consisting of oxalic acid represented by an etching waste solution. - 特許庁
低誘電率膜のエッチング量を制御したデュアルダマシン構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device with a dual damascene structure where etching amount of a low dielectric constant film is controlled. - 特許庁
エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a washing device and a washing method which improve using efficiency of etching gas, and to provide a solar cell manufacturing method. - 特許庁
基体上のエッチングの発生を抑制し、効率のよい膜を形成することができる構造物作製方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a structure by which an efficient film is formed by suppressing the occurrence of etching on a base body. - 特許庁
水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a plasma etching device for a quartz plate with which the quartz plate is efficiently worked and made extremely thin. - 特許庁
微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。例文帳に追加
To provide a surface treatment method and its apparatus which can efficiently remove an oxide film generated in a minute connection hole by means of dry etching. - 特許庁
微細構造体の倒壊を防止するとともに、効率よく現像、洗浄またはエッチングをするための方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for preventing a fine structure from collapsing and for efficiently developing, cleaning or etching. - 特許庁
反応性エッチングを利用した薄膜磁気ヘッドの記録ギャップ及び磁気コアの加工工程をより安定的に、かつ効率的なものにすること。例文帳に追加
To provide a more stable and efficient working stage of a recording gap and a magnetic core of a thin film magnetic head utilizing reactive etching. - 特許庁
所定の線形関数は、プラズマエッチングされる薄膜のパターン開口率に応じて、複数の線形関数の中から選択される。例文帳に追加
The prescribed linear function is selected from a plurality of linear functions in accordance with the opening ratio of the pattern in a thin film to be plasma-etched. - 特許庁
処理ガス中のH_2O又はOH基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。例文帳に追加
The proportion of H_2O or compound which includes an OH group in the treatment gas is changed as the etching proceeds. - 特許庁
振動部のエッチングを効率的に短時間で行える圧電振動片ウエハの製造方法の提供。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a piezoelectric vibration chip wafer, with which etching of a vibrating part can be efficiently performed in a short time. - 特許庁
これにより、フォーカスリング107はエッチング対象物のパターン開口率に応じた表面積を持つ。例文帳に追加
Therefore, the focus ring 107 has a surface area in accordance with the pattern opening rate of an etching object. - 特許庁
コンタクト層のエッチングの有無に拘わらず、少なくとも従来の太陽電池と同程度の光電変換効率を有する。例文帳に追加
To obtain photoelectric conversion efficiency which is at least of the same degree as that of the conventional solar battery, irrespective of the etching of a contact layer. - 特許庁
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