「エッチ率」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

基板、特に太陽電池に用いられる基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行うエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method by which recessed and projecting sections can be formed highly efficiently with a short unit process time on the surface of a substrate, particularly, the substrate used for solar cells. - 特許庁

形成する膜の屈折率やエッチングレートについてのウエハ相互間の差を抑止しつつ、ウエハ相互間の膜厚均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve film thickness uniformity among wafers while deterring the wafers from having differences in refractive index of a formed film and etching rate. - 特許庁

低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。例文帳に追加

To provide processing conditions under which a low-dielectric-constant film (Low-k film, e.g. SiOCH) can be etched at a high selection ratio with high precision without being damaged. - 特許庁

例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。例文帳に追加

To efficiently clean the inside of a chamber of a substrate treatment device, for instance, a spin type wet etching treatment device. - 特許庁

基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing device for efficiently washing or etching the upper and lower faces of a substrate. - 特許庁

アッシングやエッチング等の表面処理における処理効率を向上させ、処理ガスのロスを抑制する。例文帳に追加

To suppress a loss of a treatment gas by improving treatment efficiency in surface treatment such as ashing or etching. - 特許庁

低抵抗金属膜５、低誘電率膜７を成膜した後、レジスト９を用いてドライエッチングし、パターニングする。例文帳に追加

The method carries out a patterning by forming a low-resistance metal film 5 and a low-dielectric constant film 7 and then dry-etching using a resist 9. - 特許庁

成膜終了後に行なわれるエッチングの工程を確実かつ効率的に行なう方法およびそれに適した装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for surely and efficiently performing an etching process that is made after a film has been formed, and to provide a device suited for the method. - 特許庁

エッチング工程中にもプローブヘッドが保護でき、プローブカードの不良率を低減できるプローブカードの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a probe card, capable of protecting a probe head even during an etching process to reduce the percentage defective of the probe card. - 特許庁

２つのエッチング比率の異なる積層膜からなる絶縁膜に良好な形状のコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

To form a contact hole of a good shape in an insulating film made of laminated films having two etching ratios. - 特許庁

また、異屈折率領域集合体２５は通常のドライエッチングにより容易に作製することができる。例文帳に追加

In addition, the different refractive index region assembly 25 can be easily fabricated by ordinary dry etching. - 特許庁

この組成物は、アルミニウム予備処理プロセスのエッチング工程から生じるスマットを効率的に除去する方法において有用である。例文帳に追加

This composition is useful in a method for efficiently removing the smut generated in the etching stage of an aluminum pretreating process. - 特許庁

プリント基板から排出される銅エッチング廃液とレジスト廃液効率よく処理する方法及びそれに使用する薬剤を提供する。例文帳に追加

To provide a method of efficiently treating a waste copper etching solution and a waste resist solution both of which are discharged from a printed circuit board, and a chemical agent for use therein. - 特許庁

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus, capable of providing a boron nitride film having a high etching resistance and having a low permittivity, or to provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of providing a boron nitride film having a high etching resistance and having a low permittivity. - 特許庁

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus that has a high etching resistance and can provide a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, along with a method of manufacturing a semiconductor device that has a high etching resistance and can form a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, and a forming method of a film. - 特許庁

本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The microfabrication processing agent consisting of hydrogen fluoride, at least two components, and a solvent with acceptor number of each component of 35 or less and specific inductive capacity of 40 or less, and etching rate to the high permittivity film at 25°C twice or more than that to the silicone oxide film at 25°C. - 特許庁

誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an electro-optic device capable of preventing generation of electrostatic breakdown even when a high dielectric constant insulating film is used for a dielectric layer and dry etching is employed for etching the high dielectric constant insulating film or the like, and to provide an electro-optic device manufactured by the method. - 特許庁

そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。例文帳に追加

Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold. - 特許庁

多数の空孔を生成するように、ガス状エッチング媒体として等比率のO2、Ar、及びCCl2F2を使用し、該ガス状エッチング媒体に基板をさらすことからなる基板の製造方法において、基板をスパッタ可能な組成の近くに置きスパッタをさせ、エッチングすることを特徴とする熱吸収基板の製造方法。例文帳に追加

A process of manufacturing heat absorbing substrate wherein a large number of holes can be produced employing gas phase etching medium in equal proportion of O2, Ar and CCl2F2, and exposing the medium to the substrate, the substrate is placed near the sputterable component, and …effect sputtering, and complete etching are conducted.  - 特許庁

マンガン塩を有効成分として含むエッチング液を陽極電解酸化処理してエッチング性能を回復乃至維持する方法において、電解酸化処理によるエッチング液の処理効率をより向上させることができ、しかも電解処理装置のメンテナンスを容易にすることが可能な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method which can enhance the efficiency of treating an etchant by electrolytic oxidation treatment, and besides, can facilitate the maintenance of an electrolytic treatment apparatus, in a method of recovering and/or maintaining etching performance by electrolytically anodizing the etchant containing a manganese salt as an effective component. - 特許庁

少なくとも、板状物を保持するチャックテーブル１１と、チャックテーブル１１に保持された板状物を研削する研削手段１２ａ、１２ｂと、研削済みの板状物を洗浄する洗浄手段１３と、洗浄済みの板状物をドライエッチングするドライエッチング手段１４とからなる研削システムを構成し、研削からドライエッチングまでを効率良く行う。例文帳に追加

This grinding system is composed at least of a chuck table 11 for holding a plate matter, grinding means 12a and 12b for grinding the plate matter held by the chuck table 11, a cleaning means 13 for cleaning the ground plate matter, and a dry etching means 14 for dry etching the cleaned plate matter, thus realizing efficient grinding up to dry etching steps. - 特許庁

表面の少なくとも一部にエッチングにより荒らした領域（エッチング領域）を有する発光ダイオードにおいて、当該エッチング領域に薄膜の透明導電膜を有効な形で形成でき、ＬＥＤ効率を大幅に向上することが可能である発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a light emitting diode having a region (etching region) roughened by etching at least partially on the surface in which a thin-film transparent conductive film can be formed into an effective form in the etching region and the efficiency of LED can be sharply enhanced, and to provide its fabrication method. - 特許庁

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate. - 特許庁

エッチング後に不良品率を増大させる原因となるレジストを一切用いずにドライエッチング法によって、ＡＴカット水晶基板等の圧電基板の片面中央部に対して所望の緩やかな曲面形状を備えた半球状（凸レンズ状）の凸部を形成することを始めて可能にしたドライエッチング装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a dry-etching apparatus or the like capable of forming a semi-spherical (convex lens like) projecting part provided with a desired loose curved shape on one surface center part of a piezoelectric substrate such as an AT cut quartz crystal substrate for the first time by the dry-etching method without using a resist causing the increase of percent defective after etching. - 特許庁

この混合ガスの比率を調整しつつプラズマ化し、少なくとも臭素イオンをウェハ側へと加速するバイアスパワーを制御して多結晶シリコン層１２の垂直方向のエッチング速度を変化させることにより、フッ素ラジカルによる等方性エッチング時間の制御に反映させ、レジストパターン１３に応じたエッチングパターンの寸法変換差を所定範囲で調整する。例文帳に追加

The dimensional conversion difference of the etching pattern corresponding to the resist pattern 13 is adjusted within a prescribed range by generating the plasma by adjusting the ratio of the mixed gas and by varying the vertical etching rate of the polycrystalline silicon layer 12 to be reflected in the control of the duration of isotropic etching using the fluorine radical by changing the etching rate by controlling the bias power which accelerates bromine ions to the wafer 10 side. - 特許庁

金属の微細加工を、同一ノズルからエッチング液と気体の双方を同時に噴射し、エッチング液が霧状に噴射される２流体エッチングにより行う方法において、加工特性が高く、効率よく高精度に行うことのできる金属微細加工製品の製造方法およびその製造方法により作られた金属微細加工製品を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a finely-processed metallic product, which efficiently processes a metal so as to acquire superior properties with high accuracy by using a binary fluid etching technique of simultaneously spraying both of an etching liquid and a gas from the same nozzle to spray the etching liquid in a mist form, and to provide the finely-processed metallic product made by the manufacturing method. - 特許庁

並びにエッチング進行中、そのタンク本体を片側に傾斜させながら円錐形に旋回運動させ、タンク中のエッチング液をタンク本体の傾斜回転に従って流動させて、平置き固定されたタンク内のパネルに対し、往復回転のフラッシング効果を起こし、エッチング効率を加速させる。例文帳に追加

While etching is in progress; the tank body is turned conically while being inclined to one side, the etching liquid in the tank is allowed to flow in accordance with the inclination rotation of the tank body, and a flushing effect of reciprocating rotation is generated to the panel in the tank placed and fixed flatly, thus accelerating etching efficiency. - 特許庁

気相エッチング工程Ｐ４において気相エッチングが施されると、その気相エッチングはコンタクト層２６およびＡｌについて中間的な割合を有する中間層２４を通過してウインドウ層２２に到達するので、十分な高さで高アスペクト比の多数の針山状の微小突起４０が得られて、高い光取り出し効率が得られる。例文帳に追加

When gas phase etching is performed in a gas phase etching process P4, since the gas etching passes through the contact layer 26 and the intermediate layer 24 having the intermediate ratio for Al to reach the window layer 22, many pincushion-like minute projections 40 with sufficient height and high aspect ratio are obtained, and the high light extraction efficiency is obtained. - 特許庁

デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。例文帳に追加

To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure. - 特許庁

ＳｉＯＣ系低誘電率材料からなる第１の絶縁膜１１２と、ポーラスシリカからなる第２の絶縁膜１１３を積層して配線間絶縁膜１１１を形成し、ＣＦ_4を含有するエッチングガスで第２の絶縁膜１１３を、Ｃ_4Ｆ_6を含有するエッチングガスで第１の絶縁膜１１２をそれぞれドライエッチングする。例文帳に追加

After an interconnecting insulating film 111 is formed by laminating a first insulating film 112 composed of an SiOC-based low-permittivity material and a second insulating film 113 composed of porous silica upon another, the second and first insulating films 113 and 112 are respectively dry-etched with an etching gas containing CF_4 and another etching gas containing C_4F_6. - 特許庁

容量絶縁膜（５２０）は、高誘電率を有する誘電体膜（５２１）と、当該誘電体膜（５２１）よりエッチングレートが低い保護膜（５２２）とから構成されているため、容量絶縁膜（５２０）がエッチング処理によってパターニングされた際に、誘電体膜５２１が過剰にエッチングされることがなく、所定の形状にパターニングされる。例文帳に追加

Since a capacitance insulating film (520) is composed of the dielectric film (521) having a high dielectric constant, and a protective film (522) having an etching rate lower than that of the dielectric film (521), when the capacitance insulating film (520) is patterned by an etching process, the dielectric film (521) is never be excessively etched, and is patterned to a prescribed shape. - 特許庁

有機系反射防止膜のプラズマによる高異方性および高選択性エッチング用のエッチングガスとして注目される重要な化合物である硫化カルボニルを効率よく簡便にかつ安価に製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for effectively, easily and inexpensively producing carbonyl sulfide which is an important compound attracting attention as an etching gas for highly anisotropic and highly selective etching by a plasma of an organic reflection preventing film. - 特許庁

選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。例文帳に追加

To efficiently provide a transflective electrode substrate by simplifying a manufacturing process of the transflective electrode substrate by using etching liquids selective etching, and by making the process produce no waste of time by avoiding complicated repetitive works. - 特許庁

フォトニック結晶を既に成長した半導体層内にエッチングするのではなくフォトニック結晶を成長させることは、効率を低下させることがあるエッチングが原因の損傷を回避し、電気接点がその上に形成される、割り込まれていない平坦な表面を提供する。例文帳に追加

Growing the photonic crystal means that, rather than etching a photonic crystal into an already-grown semiconductor layer, damage caused by etching which may reduce efficiency are avoided, and uninterrupted, planar surfaces are provided on which to form electrical contacts. - 特許庁

精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、その後の最終焼鈍によりエッチング特性が均一でエッチングによる拡面率の大きいアルミニウム材が得られる、電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode which can be treated in a short time without any precise atmospheric control and obtain the aluminum material with uniform etching characteristic and large effective area by the etching through the subsequent final annealing. - 特許庁

エッチングピットを高密度かつ均一に形成させ、このピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる電解コンデンサ用アルミニウム電極材を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel. - 特許庁

ドライエッチング加工工程数を少なく、且つ、各ドライエッチング加工工程間での位置合わせ精度が要求されるレベルに満たない場合であっても、できるだけ凹部や柱の発生を少なくして、光効率を上げることができる回折光学素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a diffraction optical element permitting to improve an optical efficiency by reducing the number of dry etching processes, and lessening the occurrences of concave parts and pillars as far as possible even when registration accuracy among each dry etching processes does not satisfy a required level. - 特許庁

ＴＣＰエッチャーを用い、エッチングガスの供給制御機構１９では塩素ガス及び酸素ガスの系の混合ガス、ここでは塩素ガス、酸素ガス、ヘリウムガスを含む混合ガスの比率を調整してチャンバー１１内に供給し、プラズマ化する。例文帳に追加

In the supply control mechanism 19 of etching gas, the ratio of the mix gas of chlorine gas and oxygen gas, mix gas including chlorine gas, oxygen gas and helium gas here is adjusted by using a TCP etcher, and gas is supplied into a chamber 11 and is made into plasma. - 特許庁

異方性エッチングで用いられる犠牲層１０２に、適度なテーパーを付けることによって、その上に堆積されるエッチングストップ層１０３の薄膜の犠牲層の肩部での応力集中を緩和し、メンブレン割れの発生確率を低減する。例文帳に追加

The sacrifice layer 102 used for the anisotropic etching is moderately tapered to release stress concentration at the shoulder part of a thin film sacrifice layer of the etching stop layer 103 deposited thereupon, thereby lowering the generation probability of membrane cracking. - 特許庁

異なるエッチング特性及び屈折率を有する複数の媒質６、７を基３板上に積層して基体２１が形成され、基体２１の表面に周期的に配列される複数の孔部６ａ、６ｂをエッチングや陽極酸化等により形成する。例文帳に追加

A base body 21 is formed by laminating plural media 6 and 7 having different etching characteristics and refractive indices on a substrate 3 and plural hole parts 6a and 6b periodically arrayed on the surface of the base body 21 are formed by etching or anodic oxidation, etc. - 特許庁

エッチャントをＳＣＣＯ2に混合させた処理流体を処理チャンバーに供給して洗浄処理を開始する（ステップＳ３）が、エッチャント内にメタノールを含有させて洗浄処理の開始時点より処理チャンバー内を高比誘電率環境に整えている。例文帳に追加

Start (step S3) of cleaning with a processing fluid supplying an etchant mixed into SCCO2 to a processing chamber makes methanol to be included in the etchant, and puts the inside of the processing chamber in high relative permittivity environments. - 特許庁

反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for forming a resist underlayer film to form a resist underlayer film, having a lowered reflectance, a high etching resistance, and high heat and solvent resistances, in particular, without wiggling during substrate etching, and to provide a patterning process that uses the film. - 特許庁

表面が粗面化され、かつ酸化皮膜が形成されたアルミニウム電解コンデンサ用陽極箔として、アルミニウム箔とアルミニウム繊維との積層体にした場合のエッチング条件を設定しやすくすることにより、エッチング倍率を容易に向上させることを目的にしている。例文帳に追加

To easily improve an etching rate by making it easy to set an etching condition, when a laminate of an aluminum foil and an aluminum fiber is selected as an anode foil for an aluminum electrolytic capacitor with a rough surface and with an oxide film formed thereon. - 特許庁

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。例文帳に追加

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same. - 特許庁

スプレーエッチング装置において、スプレーノズルと被エッチング材との間に、１個あたり０．２００ｃｍ^２以上の面積および３０．０ｃｍ^２以下の支配面積を有する多数の開口を、開口率７５％以下になるように配置した邪魔板を設ける。例文帳に追加

In a spray etching device, a baffle board in which numerous apertures having an area of 0.200 cm^2 or more and a controlling area of 30.0 cm^2 or less per piece are disposed so that a numerical aperture becomes 75% or less is provided between a spray nozzle and etching materials. - 特許庁