「エッチ率」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same. - 特許庁

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant. - 特許庁

プリント配線板のエッチングプロセスにおいて発生する膨大な化学エッチング廃液に含まれる塩化銅成分を高効率に除去することができる化学エッチング廃液に含有される塩化銅の析出方法と、その析出方法に好適に用いられる化学エッチング廃液含有に含有される塩化銅の析出装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for precipitating copper chloride contained in a chemical etching waste water, which can effectively remove a copper chloride component contained in a enormous amount of chemical etching waste water produced in an etching process for a printed wiring board, and to provide an apparatus for precipitating copper chloride contained in the chemical etching waste water, preferably used for the precipitation method. - 特許庁

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum material having superior etching characteristics for an electrolytic capacitor electrode, which can reliably increase the surface area, by making etch pits densely and uniformly formed on its surface, using the etch pits as starting points, and making them further deeply etched into tunnel-shaped pits so as to be hardly combined with each other, and consequently can increase the capacitance. - 特許庁

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode or the like being excellent in etching characteristics which can surely increase an expanded surface rate and increase further electrostatic capacitance by forming etch pits in a high density and uniformly, and etching, from the etch pits as an origin, deeply and so as to hardly occur coupling in a tunnel. - 特許庁

ニッケルを含む塩化鉄系エッチング液を電解槽にて再生する方法において、電解槽の陰極側で、エッチング液中の金属のうちエッチング工程により溶解されたＦｅ−Ｎｉ合金の量をエッチング工程により溶解された合金比率で電析回収し、電解槽の陽極側で、陰極側の還元反応により生成される塩素イオンを消費充当して２価鉄を３価鉄に酸化する。例文帳に追加

In the method for regenerating the iron chloride-based etching liquid containing nickel in an electrolytic cell, an Fe-Ni alloy in an amount dissolved by an etching stage among metal in the etching liquid is electrolytically recovered at the ratio of the alloy dissolved by the etching stage on the cathode side of the electrolytic cell, and chlorine ions produced by a reduction reaction on the cathode side are consumed to oxidize bivalent iron into tervalent iron. - 特許庁

この発明は、熱吸収効率の高い基板を得るためのものであって、スパッタリングによって熱吸収基板の表面をエッチングして凹凸を形成する方法と、その時に使用されるガス状エッチング媒体である。例文帳に追加

This invention concerns a highly efficient feat absorbing substrate, and includes formation of extrusions and indentations on the surface of the heat absorbing substrate and the etching medium used in this process.  - 特許庁

セリウムイオンおよびクロムイオンを含有するクロムエッチング液の廃液からクロムイオンを分離して、セリウムイオンを酸化セリウムとして安価に収率よく回収するクロムエッチング廃液処理方法の提供。例文帳に追加

To provide a chromium etching waste liquid treatment method in which chromium ions are separated from the waste liquid of a chromium etching liquid comprising cerium ions and the chromium ions, and the cerium ions are inexpensively recovered as cerium oxide in a high yield. - 特許庁

１価銅イオンと２価銅イオンおよび塩酸を含むエッチング液であって、１価銅イオンが全銅イオンに対しモル分率で０.１以上、かつ、１価銅イオンの飽和濃度以下であることを特徴とするエッチング液。例文帳に追加

The etchant includes monovalent copper ions, divalent copper ions, and hydrochloric acid, wherein the mole fraction of the monovalent copper ions to the total copper ions is 0.1 or more, and the monovalent copper ions have the saturated concentration thereof or lower. - 特許庁

各種酸化シリコン膜間のエッチング速度差が少なく、且つ酸化物の除去効率に優れ、特にコバルトシリサイドを形成する場合に有益なエッチング液を提供する。例文帳に追加

To reduce the difference in the etching rate between-various silicon oxide films to obtain excellent oxide removing efficiency, and to provide etching fluid useful on forming a cobalt silicide. - 特許庁

薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method for a semiconductor element which raises a photoresist selection ratio for formation of a thin photoresist to improve etching efficiency. - 特許庁

そしてこれらフッ素系活性種の生成比率を調整すれば、選択エッチングにおいて絶縁膜３６とＳＯＧ膜３８との平坦化エッチング等を実施することが可能になる。例文帳に追加

By adjusting the generation factor of fluorine active species, planarization etching, and the like, of an insulating film 36 and an SOG film 38 is performed in selective etching. - 特許庁

この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。例文帳に追加

The semiconductor layer 3 has a high etching selection ratio with respect to the first conductive layer 2 and sufficiently high etching efficiency for the first conductive layer 2. - 特許庁

絶縁層であるポリイミド樹脂の加工をプラズマエッチングで行うに際し、電極形状が曲率を持つようにしたことにより、加工精度よくエッチングが行える。例文帳に追加

The etching of a polyimide resin of the insulation layer can be performed with high processing accuracy by making the shape of an electrode so as to have curvature, when it is processed by plasma etching. - 特許庁

低誘電率多孔質絶縁材料が、開口エッチングの際にエッチング雰囲気に曝され、露出表面に微小な凹凸が発生することを防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of minute irregularities in the exposed surface of a low permittivity and porous insulating material when it is exposed to an etching atmosphere at the time of open etching. - 特許庁

そして、このマスク層をエッチングマスクとしたドライエッチングで有機系の低誘電率絶縁膜３に配線溝９を形成し、導電体膜のＣＭＰでもって溝配線を形成する。例文帳に追加

Then, a wiring groove 9 is made in an organic low-permittivity insulating film 3 by the dry etching using this mask layer as an etching mask, and groove wiring is made by the CMP of a conductor film. - 特許庁

このＳｉＣＮ系エッチングストッパ膜は、低誘電率（５〜５．５）を有し、かつ、層間絶縁膜１０６に対して十分なエッチング選択比が取れる。例文帳に追加

This SiCN etching stopper film has a low dielectric constant (5 to 5.5) and a sufficient etching selection ratio can be taken with respect to a layer insulating film 106. - 特許庁

半導体素子の製造方法において、エッチング生成物の影響及びクリーニング生成物の影響を除去でき、再現性のよい高効率のエッチング処理を可能として製品素子の性能の向上を図る。例文帳に追加

To improve performance of a product element by removing an influence of etching products and that of cleaning products, and by performing efficient etching treatment having improved reproducibility in a manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

基板に対するドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を効率的に除去あるいは減少させることができるドライエッチング装置および基板の除電方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dry etching device in which a residual electrostatic attraction force generated in a substrate by performing dry etching of the substrate can be removed or reduced efficiently, and to provide a neutralization method of a substrate. - 特許庁

屈折率１．４４４のＳｉ０_２基板１０上にマスク１２，１４を配置し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法により基板１０をエッチングする（ａ）。例文帳に追加

Masks 12, 14 are arranged on an SiO2 substrate 10, having a refractive index of 1.444, the substrate 10 is etched reactive ion etching(RIE) method (a). - 特許庁

別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。例文帳に追加

To provide a ridge type semiconductor laser allowing a ridge to be formed by selective etching without separately adding an etching stopper layer, small in threshold current and excelling in efficiency. - 特許庁

配線密度や配線精度に優れたプリント配線板を効率的に製造することのできるエッチング処理装置とその装置を用いてプリント配線板用基板をエッチング処理する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an etching processing device for efficiently manufacturing a printed wiring board superior in wiring density and wiring accuracy, and to provide an etching processing method for a substrate for a printed wiring board which uses the device. - 特許庁

セミギャップ平行平板型のＵＨＦ帯ＥＣＲプラズマエッチング装置を用い、エッチングガス流量に対する酸素ガス流量の比率を０．７から１．３の範囲内にする。例文帳に追加

The ratio of oxygen gas flow rate to etching gas flow rate is set in the range of 0.7-1.3 using a semi-gap parallel plate type UHF band ECR plasma etching system. - 特許庁

このエッチング溝３のエッチング量Ｘを１００ｎｍから１７０ｎｍの範囲の所定の値に設定することで、トレンチ開口部の縁を大きな曲率半径で丸めることができる。例文帳に追加

The depth X of etching of the etching groove 3 is set at a prescribed range of 100 to 170 nm, by which the edge of a trench opening can be roounded large in a curvature radius. - 特許庁

基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部３，４の曲率半径を大きくする。例文帳に追加

The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like. - 特許庁

プラズマ処理時の分解効率を向上させることで、エッチングに用いるガスの使用量の低減を図るとともに、排ガス中のＰＦＣ濃度を低減させることができるプラズマエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma-etching method, where by improving decomposition efficiency at plasma processing, the amount of gas used for etching is reduced, while PFC concentration in exhaust gas is reduced. - 特許庁

その後、トレンチエッチング工程において生成するデポ物１１０はその隙間に堆積されるため、デポ物１１０が低誘電率膜１０４のエッチング時におけるマスクとなることはない。例文帳に追加

Since deposits 110 produced in a trench-etching step performed thereafter are caused to deposit in the gap, the deposits 110 do not become a mask at the time of etching the film 104. - 特許庁

シリコンの異方性エッチングを利用して光学反射面に利用可能な面を持つ光学素子を、一度の異方性エッチングで効率よく大量に作製する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical element having a surface which can be used as an optical reflecting surface by utilizing anisotropic etching of silicon with a single process of anisotropic etching with the efficiency and in large quantities. - 特許庁

これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。例文帳に追加

Process window can be expanded dramatically by using these etching agents, and such processing as requiring a low side etching rate and a high aspect ratio can be accommodated without relying upon a special excitation operation of a substrate, or the like. - 特許庁

下層配線と上層配線との間を電気的に接続するための開口部を、過剰エッチングやエッチング不足を生じることなく、効率よく且つ低コストで形成する。例文帳に追加

To form an opening for electrically connecting between a lower layer wiring and an upper layer wiring efficiently and at a low cost without causing an excessive etching or etching shortage. - 特許庁

透明高屈折率薄膜層と透明金属薄膜層からなる透明導電性薄膜積層体を反応ガスを用いたドライエッチング手法により、微細なパターニドライエッチング法を用いてパターニングする。例文帳に追加

To pattern a transparent conductive thin film laminated product comprising a transparent, high-refraction factor thin film layer and a transparent metal thin film layer by a fine patterning dry etching method. - 特許庁

Ａｌを主成分とする反射層を用いても、反射層の表面がエッチング液やエッチングガスで荒らされることはないので、高反射率の反射層を得ることができる。例文帳に追加

Even when a reflecting layer consisting principally of Al is used, the surface of the reflecting layer is not damaged with the etchant or etching gas, so that the reflecting layer having the high reflection factor can be obtained. - 特許庁

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time. - 特許庁

ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、を満たす。例文帳に追加

Thickness T of the cluster protective layer satisfies a following relation, when the dosage of the gas cluster ion beam is n, and the etching efficiency of the cluster protective layer is the etching volume Y per cluster (a and b are constants). - 特許庁

エッチング前のウェーハの浮きを防止して製品の信頼性及び歩留りを向上させるとともに、装置稼動率の向上及び生産コストの低減を行うことができるプラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide plasma etching equipment wherein lifting of a wafer before etching is prevented, reliability and yield of a product are improved, and improvement of equipment utilization rate and reduction of production cost can be performed. - 特許庁

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。例文帳に追加

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation. - 特許庁

構造を簡素化でき、干渉の問題が伴わず、高効率のプラズマを形成でき、良好な垂直エッチング性を得ることができるエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching device which can have its structure simplified, generate plasma with high efficiency without any problem of interference, and obtain excellent vertical etching characteristics. - 特許庁

エッチング装置の利用効率を低下させずにエッチングレートの温度依存性を利用可能な半導体の製造方法、及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for utilizing dependence on temperature of an etching rate without reduction of utilization efficiency of an etching apparatus, and also to provide an apparatus for manufacturing the same semiconductor device. - 特許庁

先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not apply a thermal damage to a lower layer wiring formed previously, and can remove a water content or etching gas component coupled to a film of a low dielectric constant after etching. - 特許庁

水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma etching system of quartz crystal plates which is capable of efficiently and extremely thinly working the quartz crystal plates, and a plasma etching method. - 特許庁

設備の大型化を招くことなく、基板に残存する塩素系ガスを効率良く取り除くことが可能なエッチング後処理方法及びエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching post-treatment method and an etching system wherein equipment is not caused to increase its size and chlorine-based gas remaining on a substrate can be efficiently removed. - 特許庁

エッチング液に浸すことにより基板を薄くする製造方法において、液晶表示セルにエッチング液が進入することを防止して、効率よく製造が行なえる液晶表示パネルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a liquid crystal display panel, with which the liquid crystal display panel can be efficiently manufactured by preventing infiltration of an etchant liquid in a liquid crystal display cell, in the manufacturing method where a substrate is immersed in the etchant and made thin. - 特許庁

このエッチング液によりエッチング処理して現出した金属微細組織を光学顕微鏡またはレーザ顕微鏡により観察し、サブグレインサイズを求め、このサブグレインサイズからクリープ損傷率を求める。例文帳に追加

The metal microstructure exposed through an etching treatment using the etching solution is observed under an optical or laser microscope to determine a subgrain size, and the creep damage is derived from the subgrain size. - 特許庁

プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。例文帳に追加

To simplify the device and reduce the cost by increasing the utilization efficiency of negative ions in plasma thereby enabling rapid etching even of an etch-resistant material such as ferroelectric material or precious metal. - 特許庁

長尺帯状の金属薄板にフレーム単位で多面付けされたエッチング部品を効率よく、安全に個々のフレーム単位に分離するエッチング部品の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing etched components, in which the etched components multifacetedly-stuck to a long, belt-like and metallic sheet by a frame unit are separated into individual frame units efficiently and safely. - 特許庁