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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > エッチ率の意味・解説 > エッチ率に関連した英語例文

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エッチ率の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 905



例文

沃素ガスをバルブ13を介して装置内に導入できるようにし、沃素ガス雰囲気下で、イオンビーム2の照射条件を加工領域の透過が高く、エッチレートも低くくなる条件を選ぶ。例文帳に追加

The introduction of gaseous iodine into the device through a valve 13 is made possible, and the conditions under which the transmittance of a processing region is high, and an etching rate is low are selected for the irradiation conditions of an ion beam 2 under a gaseous iodine atmosphere. - 特許庁

有機物ベース又は炭素ドープドSiO_2である低誘電物質とTEOSベースのSiO_2エッチストップとの間の界面における密着性の問題を解決する。例文帳に追加

To solve the problem of adhesion in an interface between a low dielectric constant substance being an organic base or carbon-doped SiO_2 and the SiO_2 etch stop of a TEOS base. - 特許庁

その結果、不用なシリコンがドライエッチング装置のチャンバ内に残存することがなくなり、ウェハ毎にチャンバ内の不用なシリコンを除去する手間が省け、作業効を低下させることなくインク流路基板を形成できる。例文帳に追加

Since unnecessary silicon is not left in the chamber of a dry etching system, the labor required for removing unnecessary silicon from the chamber for each wafer is saved and an ink channel substrate can be formed without lowering the work efficiency. - 特許庁

エッチング量の変化に対して横モードが変化しないような素子構造を提供し、特性の揃ったリッジ導波型III族窒化物半導体レーザを効よく製作することを可能にする。例文帳に追加

To provide an element structure whose lateral mode does not change with respect to the change of the etching amount, thus enabling to effectively manufacture a ridge waveguide type group-III nitride semiconductor laser with uniform properties. - 特許庁

例文

下地とのエッチング選択比を大きくできて電子供給の低下を来す恐れのないGaN系半導体デバイスの製造方法を提供する例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a GaN semiconductor device in which an etching selection ratio with a base can be enlarged and an electron supply rate is not dropped. - 特許庁


例文

強誘電体材料や高誘電材料の構成元素であるTiやPbなどがSiO_2 膜や半導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。例文帳に追加

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion. - 特許庁

これによって、基板の反り量が比較的大きく冷却効が低いエッチング開始直後において、イオンアシスト作用による加熱で基板に割れ又はクラックが生じることを回避する。例文帳に追加

Thereby, a split or crack is prevented from occurring on the substrate by heating by an ion assist action immediately after the start of etching at which the amount of warpage of the substrate is relatively large and cooling efficiency is low. - 特許庁

また、エッチャントの送込を停止した(ステップS4)後、環境調整剤としてイソプロピルアルコール(IPA)の送込を開始して(ステップS5)、処理チャンバー内を低比誘電環境に整えている。例文帳に追加

In addition, after sending the etchant is stopped (step S4), sending of isopropyl alcohol (IPA) as an environment regulator is started (step S5), so that the inside of the processing chamber is put in low relative permittivity environments. - 特許庁

基板101上に透明な膜をエッチングして形成した光散乱体108を設けることで、光の取り出し効を向上させることができる。例文帳に追加

By the provision of a light scattering body 108 formed by etching a transparent film formed on a substrate 101, the light extraction efficiency can be improved. - 特許庁

例文

エッチング作業、それに伴う設備や版等を不要として、能よく短時間で、コストがかからず、しかも信頼性の高い製品を得ることができることとした回路パタ−ンの形成方法とする。例文帳に追加

To obtain a method of forming a circuit pattern whereby a high- reliability product can be obtained efficiently for a short time, without costing by eliminating the need of etching works and associated facilities, form plates, etc. - 特許庁

例文

また、インクジェット法により、ピッチが小さいエッチング用マスクを形成できるので、微細な凹凸構造ができ、その結果、光閉じ込め効果が改善されるので、高効の太陽電池を得ることができる。例文帳に追加

Since an etching mask having a fin pitch can be formed by ink jet method, a fine protruding/recessed structure can be obtained and since the light confinement effect is improved, a high efficiency solar cell can be produced. - 特許庁

エッチングストップ層での光吸収および活性層への光閉じ込め効の低下を抑え、特性を向上させることができる半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser whose characteristic can be improved by suppressing reduction in efficiency of optical absorption in an etching stop layer and optical confinement to an active layer. - 特許庁

炭素数8以上のアルキル基またはアルケニル基をもつスルホン酸系または硫酸エステル系界面活性剤10ppm〜10000ppm(重量比)、HF 0.01-20重量%、水で構成される高誘電材料膜除去用エッチング液。例文帳に追加

An etchant for removing a high dielectric constant material film is composed of sulfonic acid system having alkyl group or alkenyl group of carbon numbers of 8 or more or sulfate-based surfactant 10 ppm to 10,000 ppm (wt. ratio), HF 0.01 to 20 wt.%, and water. - 特許庁

高精度にエッチング開始位置を制御し、高効でかつ大量に拡面処理することが可能な、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor by which the starting position of etching is highly accurately controlled, and area expansion treatment can be highly accurately performed in large quantity. - 特許庁

ギャップ形状に対応して開口を変化させたレジストパターン21及び第3の絶縁層3を同時にエッチングすることにより、レジストの形状が第3の絶縁膜3に転写されていく。例文帳に追加

Subsequently, a resist pattern 21 and the third insulation layer 3 having an open area ratio varied in correspondence with the gap shape are etched simultaneously thus transferring the resist pattern 21 to the third insulation layer 3. - 特許庁

回路パターン形成の際のエッチングによるファインピッチ化が可能で、製造効が良好なレジスト形成配線基板及び電子回路の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist formation wiring substrate which enables a fine pitch by etching during formation of a circuit and provides an excellent manufacturing efficiency, and a method of manufacturing an electronic circuit. - 特許庁

従って、工程チャンバ40の内部に全体的に均一なプラズマを形成することで、工程対象ウェハのエッチング、線幅及び均一度等の要素に不良が発生することを防止することができる。例文帳に追加

Therefore, plasma with overall uniformity is formed in the process chamber 40, so that the occurrence of failures for etching rate, linewidth, uniformity, etc., of the wafer to be processed can be prevented. - 特許庁

有効屈折制御構造15は、コア22をクラッド21に埋め込んだ形状の埋め込み型光導波路をエッチングして樹脂23を充填した構造である。例文帳に追加

An effective refractive index control structure 15 is obtained by etching an embedded-type optical waveguide having a core 22 embedded in a clad 21 and filling it with a resin 23. - 特許庁

埋込配線の形成方法に関し、比誘電の増加をもたらすことなくエッチング残渣を除去するとともに、金属の浸食をもたらすことなく配線露出表面の清浄化を行う。例文帳に追加

To provide a method of forming a buried wire for removing etching residuals without increasing a dielectric constant, and cleaning a wire-exposed surface without corroding metal. - 特許庁

ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist removing agent composition having such components that photoresist residues or polymers after dry etching are easily removed and an insulating film with a low dielectric constant is not corroded or oxidized. - 特許庁

光導波路形成時のプラズマエッチングによる暗電流等のノイズ成分の増加を抑制し、かつ集光効を向上することができる撮像装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an imaging device which can suppress an increase in a noise component such as a dark current due to plasma etching in forming an optical waveguide and can improve condensing efficiency. - 特許庁

半導体デバイスの製造における成膜やエッチング過程において、凸凹を有する正常な導体パターンが含まれたウエハ上の、導体欠落、短絡、異物付着などの欠陥を高い確で検出する。例文帳に追加

To detect a defect such as conductor omission, short-circuit and foreign matter attachment on a wafer, including a normal conductor pattern having ruggedness with high probability in the process of film creating and etching, in manufacturing of a semiconductor device. - 特許庁

Cu配線に対応した保護膜として、当該Cuの拡散防止及びビア孔23形成時のエッチングストッパーとしての機能を有し、しかも低誘電を示す構造の保護膜16を提案する。例文帳に追加

A protective film 16 preventing the diffusion of the Cu of Cu wiring, functioning as an etching stopper at the time of forming a via hole 23, and exhibiting a low dielectric constant is proposed as a protective film corresponding to the Cu wiring. - 特許庁

開気孔を有する再結晶炭化珪素であって、前記開気孔の内壁面のカーボン層がエッチングにより除去されており、室温抵抗10000Ω・cm以上であることを特徴とする。例文帳に追加

This recrystallized silicon carbide has open pores, a carbon layer on the inner wall surface of each open pore is removed by etching and the resistivity at room temp. is10000 Ω.cm. - 特許庁

次に、ダメージ層7を除去して低誘電膜2の表面に形成された変質層8の改質処理をした後に、ビアホールのエッチングストッパー膜として、第一ライナー膜を形成する。例文帳に追加

Then, after the damaged layer 7 is removed and the altered layer 8 formed on the surface of the film 2 is modified, a first liner film is formed as an etching stopper film for a via hole. - 特許庁

誘電体膜のマスクを形成し、化学的エッチング方法により単結晶及び多結晶ウェハの表面に効果的な凹凸を形成し、光の吸収の高い太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a solar cell high in the absorption index of light by forming a dielectric film mask and forming effective recesses and projections on the surface of single crystal and polycrystal wafers through chemical etching method. - 特許庁

活性層ストライプのエッチング時のばらつきを低減し、発光点位置を高精度に制御した光ファイバーとの結合効の高い半導体レーザを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser having high joint efficiency with an optical fiber in which a luminous point position is controlled with a high degree of accuracy by reducing variation of an active layer stripe at etching. - 特許庁

サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching. - 特許庁

支柱間の凹部に空気泡を発生させずにウェットエッチングを行い、支柱間の凹部に露出した酸化シリコン層を効良く除去できるSOI基板の加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for machining an SOI substrate in which a silicon oxide layer exposed to a recess between posts can be removed efficiently by performing wet etching without generating an air bubble in the recess between the posts. - 特許庁

高いCMP速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効よく形成することができる、CMP用研磨剤及び研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing compound in which reliable embedded pattern of a metal film can be formed efficiently by fully decreasing etching rate while maintaining high CMP speed, and to provide a polishing method therefor. - 特許庁

所定の凹状パターンをエッチングによって形成する際に、凹状パターンの底に堆積する反応生成物を効良く確実に除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which efficiently and surely removes reaction products deposited at the bottom of a specified concave pattern during etching for forming this pattern. - 特許庁

また、ブラスト処理及びエッチング処理による金属表面1aの粗面化により、平滑な金属表面に輻射層を積層した場合に比べて輻射が向上する。例文帳に追加

Additionally, by roughening the metallic surface 1a with a blasting treatment and an etching treatment, a radiation ratio is improved in comparison with a case of laminating a radiation layer on a smooth metallic surface. - 特許庁

このように、背面電極6および背面電極に電圧を印加する接続線6aが、絶縁基体上に形成された銅箔をエッチングすることにより同時に形成されるため、効よく、EL素子を製作することができる。例文帳に追加

Since the back plate 6 and the connection line 6a to impress the voltage to the back plate are formed simultaneously by etching the copper foil formed on the insulating substrate, the EL element can be produced efficiently. - 特許庁

Al系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響が小さく、結合効が高い半導体光集積素子を、簡便な作製プロセスで提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical integrated element using a simple and convenient manufacturing process, in which the effect due to oxidization and side etching of an Al-system semiconductor material is small, and combination efficiency is high. - 特許庁

プラズマエッチング装置に用いられるガラス状炭素製チャンバー内壁保護部材において、灰分が50ppm以下及び熱伝導が5W/m・K以上であるガラス状炭素製チャンバー内壁保護部材。例文帳に追加

The ash content and coefficient of thermal conductivity of this internal wall protective member for glassy carbon-made chamber used for a plasma etching device are adjusted to50 ppm and ≥5 W/m.K, respectively. - 特許庁

サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer. - 特許庁

生産コストが低く、高い導電で(比抵抗値の低く)、透明性、エッチング処理性に優れた透明導電性フィルム及びその製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a transparent electroconductive film excellent in transparency and etching treatment properties at a low production cost in a high conductivity (low specific resistance) and to provide a method for producing the film. - 特許庁

このため、斜面262をエッチングで形成する必要がないので、偏向用基板20bを効よく製造することができ、かつ、偏向突起261の斜面262については、傾き角度の精度が高く、ばらつきが発生しない。例文帳に追加

As a result, the substrate 20b for deflection is efficiently manufactured because there is no need for forming the slope 262 with etching, and further the tilt angle of the slope 262 of the deflecting protrusion 261 is highly precisely formed and no fluctuation in the tilt angle occurs. - 特許庁

銅を含む二重金属層の一括エッチングを可能にし、低コストで低抵抗配線を形成することができるようにしてこれにより製品の特性と製品の収を改善する。例文帳に追加

To enable simultaneous etching of double metallic layers including copper and to form low-resistant wiring at a low cost improving the characteristics of products and the yield of the products. - 特許庁

リードフレームを形成するためのエッチングパターンを形成する際に高精度を必要とせず、効的にリードフレームを製造することを可能にする。例文帳に追加

To efficiently manufacture a lead frame without requiring a high accuracy in forming an etching pattern to form the lead frame. - 特許庁

Cu層62上に拡散防止絶縁膜64、低誘電絶縁膜66を成膜し、その上にそれぞれエッチングレートの異る3層のハードマスク68,70,72をを形成する。例文帳に追加

A diffusion prevention insulating film 64 and a low dielectric insulating film 66 are formed on a copper layer 62 and three hard mask layers 68, 70 and 72 having different etching rates are formed thereon. - 特許庁

本発明は、インク流路基板の貫通孔を貫通孔の外周のみをエッチングして形成するプロセスにおいて、作業効を低下させることなくインク流路基板を形成する方法を提案することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for forming an ink channel substrate without lowering the work efficiency in a process for making a through hole through the ink channel substrate by etching only the outer circumference of the through hole. - 特許庁

これにより、回折格子の表層部に生じたエッチングダメージや不純物偏析などが除去され、良好な再成長界面上に埋め込み層が形成されるため、活性層の発光効を向上させることができる。例文帳に追加

Thus, etching damage, impurity segregation or the like produced in the surface layer of the diffraction grating are removed, and the buried layer is formed on an appropriate re-growth boundary, resulting in improving the luminous efficiency of the active layer. - 特許庁

電解エッチングによる粗面の均一性を保持するとともに、溶解効を向上させるPS版用アルミニウム合金支持体の素体及び同支持体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide method for manufacturing an element body of an aluminum alloy substrate for PS plate which improves dissolution efficiency and its substrate while uniformity of a roughened surface by electrolytic etching is kept. - 特許庁

SOI基板の絶縁層に枠状のエッチングストッパを設け、その内側に空洞を形成することにより、ダイヤフラム部を正確に効よく形成する。例文帳に追加

To form a diaphragm accurately and efficiently by providing a frame- like etching stopper in an insulating layer of an SOI substrate and forming a cavity inside thereof. - 特許庁

エッチング処理時に基板への悪影響を極力小さくして、効的にパターン形成を行うことができる電気配線の製造方法を得ることにある。例文帳に追加

To obtain a process for producing electric wiring in which patterning is carried out efficiently by minimizing adverse effect of etching on a substrate. - 特許庁

それ故、本発明のインジウムの回収方法は、ITO透明電極製造時に排出されるエッチング廃液のようなシュウ酸溶液から、インジウムを効よく吸着することができる。例文帳に追加

Therefore, regarding the method for recovering indium, indium can be efficiently adsorbed from an oxalic acid solution such as an etching waste solution exhausted upon the production of an ITO transparent electrode. - 特許庁

本発明により提供されるエッチング速度均一性の改良は、製造歩留まりを向上させるだけでなく、費用効にも優れており、微粒子及び又は重金属汚染の危険を発生させない。例文帳に追加

Etching rate uniformity improvement provided by the invention not only improves manufacturing yields but also excels in cost efficiency and does not cause risks of particulates and/or heavy metal contamination. - 特許庁

水晶基板等の高硬度で脆い硬脆性材料からなる基板に対する微細加工を効よく安定して実現できる基板のドライエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide the dry etching method of a substrate efficiently and stably achieving micro-fine working to a substrate made of hard and brittle materials with high hardness and brittleness such as a crystal substrate. - 特許庁

例文

高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus that has excellent plasma generation efficiency, a high etching speed and high throughput for input power of high-frequency electric power. - 特許庁

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