「エネルギ準位」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

各物理系は3つのエネルギー準位を有し、2つの遷移が光学的に遷移可能であり、量子ビットが残りの光学的に禁制な遷移を構成する2つの準位の重ね合わせの状態によって表され、複数の物理系が共通の共振器モードにより結合されている。例文帳に追加

Each physical system has three energy levels in which two transitions are optically possible, and the quantum bit is expressed according to the state of superposition of the two levels constituting remaining optically prohibitive transition, and a plurality of physical systems are combined by a common resonator mode. - 特許庁

この際、基準点から所定クランク角手前の位置でオルタネータのトルクが発生しなくなることを考慮して、基準点から所定クランク角手前の位置で目標軌道とエンジン回転挙動とのエネルギ偏差が０となるようにオルタネータのトルクを制御する。例文帳に追加

In this case, the torque of an alternator is controlled so that an energy deviation between the target track and the engine rotation behavior becomes zero at the position a predetermined crank angle before the reference point considering the torque of an alternator is not generated at the position a predetermined crank angle before the reference point. - 特許庁

ｎＭＯＳのゲート電極６の仕事関数ΦＭｎを、シリコンの電子親和力χsと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値にする、すなわち、χs＜ΦＭｎ＜Φｉの関係が成り立つように設定する。例文帳に追加

A work function ΦMn of a gate electrode 6 of nMOS is made into value between electron affinity χs of silicon and an energy difference Φi of intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of χs<ΦMn<Φi. - 特許庁

例えば、入射光のエネルギに対する有機材料のキャパシタンスの変化量を求めることで有機材料のバンドギャップ内準位の欠陥などに起因した深い準位を評価でき、デバイスの特性・信頼性を評価することが可能となる。例文帳に追加

For example, the invention enables to evaluate a deep level due to a defect level or the like within a band gap of the organic material by obtaining variation of capacitance of the organic material with respect to the energy of an incident light, resulting in enabling to evaluate properties and reliability of the device. - 特許庁

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。例文帳に追加

The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher. - 特許庁

電子輸送層の化合物は、光学吸収端から求めたエネルギーギャップが３．０ｅＶ以上で、ＨＯＭＯ準位の絶対値が隣接する有機発光層（青色発光層）の発光材料のＨＯＭＯ準位の絶対値より大きい。例文帳に追加

As for the compound of the electron transport layer, the energy gap obtained from an optic absorption end is 3.0 eV or more, and the absolute value of HOMO level is larger than that of the HOMO level of light-emitting material of the neighboring organic light-emitting layer (the blue light-emitting layer). - 特許庁

コア粒子と白金シェル層の界面の白金、白金シェルの最外表面の白金５ｄ軌道電子の、フェルミ準位を基準とした平均束縛エネルギーをＥ_intとする時、コア粒子は、Ｅ_out≧３．０ｅＶとなる元素を含有する。例文帳に追加

When the average constraint energy is determined to be E_int based on the Fermi level of platinum in the boundary of core particles and the platinum shell layer; that is, platinum 5d orbital electrons on the outermost surface of the platinum shell, core particles contain an element with E_out≥3.0 eV. - 特許庁

建物の小区画単位での環境パフォーマンスデータを把握し、把握したデータと、実際的に適切な使用基準または排出基準と照らし合わせ、エネルギ消費量及び廃棄物排出量の管理を行う建物環境支援システムを提供する。例文帳に追加

To provide a building environment support system for obtaining environmental performance data for small block units of a building, and for collating the obtained data with actually proper use standard or emission standard, and for managing energy consumption and waste emission. - 特許庁

記録液を吐出する為のエネルギー発生素子を備えた記録素子基板６を支持する支持部材４には、インクジェット記録装置に装着した際に該記録ヘッドの位置の基準となる少なくとも１つの基準面を設けられる。例文帳に追加

A support member 4 which supports a recording element substrate 6 including an energy generation element for ejecting a recording liquid is provided with at least one reference plane as a reference for the position of the recording head when attaching the recording head to the inkjet recording apparatus. - 特許庁

突発的外力に対する安全性診断は、対象物９１の基準点変位予測を行い、前述したエネルギ伝達率（ＲＭＳ比）を用いて注目物理量の予測最大値を算出し、許容最大変位と比較して安全性の診断を行う（ステップ１０１０、ステップ１０１２、ステップ１０１３）。例文帳に追加

Related to safety diagnosis against an abrupt external force, a reference point displacement is estimated for the object 91, and the energy transmissibility (RMS ratio) is used to calculated an estimated maximum value of an interested physical amount which is compared with a tolerable maximum displacement (step 1010, step 1012, and step 1013). - 特許庁

トンネル電流が流れやすい絶縁膜を有する半導体装置について正確な界面準位密度及びそのエネルギー分布を評価することを可能とする半導体装置の試験方法及び試験装置を提供することを提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for testing a semiconductor device capable of evaluating an exact interface state density and its energy distribution of the semiconductor device having an insulating film permitting the tunnel current to easily flow. - 特許庁

離散的なエネルギー準位をもつ複数の量子ドットとこれらの周囲を取り囲む誘電体マトリックスを含む構造部と、前記誘電体マトリックスを通して前記量子ドットへ電子を注入する電子注入部とを有する屈折率変化素子。例文帳に追加

This refractive index changing element has a structure section which includes quantum dots of discrete energy levels and a dielectric matrix that enclose these dots, and an electron injector for injecting electrons into the quantum dots through the dielectric matrix. - 特許庁

シリコン単結晶基板４１中に、ボロンとともに、該ボロンに比べ酸素と深いエネルギー準位を形成しづらいガリウムが添加される形となり、少数キャリアのライフタイムの低下を抑制しながら、結晶の抵抗率を低くすることができる。例文帳に追加

Since the gallium which hardly forms a deep energy level as compared with boron is doped into the substrate 41 together with boron, the resistivity of the crystal can be lowered while the decline in the lifetime of a minority carrier is suppressed. - 特許庁

ホール注入バッファ層における互いに隣接する層部分のうち、陰極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物が、陽極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物よりも高い最高被占軌道のエネルギー準位を有するものであることが好ましい。例文帳に追加

The hole injection buffer layer is formed by laminated two or more layer parts including respectively different kinds of porphyrin compounds. - 特許庁

ドリフト領域４内に形成されている結晶欠陥には、バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥が含まれている。例文帳に追加

A crystal defect formed in the drift region 4 includes a crystal defect of a trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in a region of <0.2 eV in an energy difference from the center of a band gap. - 特許庁

制御手段４０は、光検出手段３０の検出結果に基づいて、第１の光の所定の周波数成分と第２の光の所定の周波数成分の周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数に等しくなるように制御する。例文帳に追加

The control means 40 performs control so that a frequency difference between a prescribed frequency component of the first light and a prescribed frequency component of the second light becomes equal to a frequency equivalent to an energy difference of two ground levels of the alkali metal atom based on detection results of the light detection means 30. - 特許庁

図２中の斜線部で示されるような、分子Ｘの回転準位に対する励起エネルギーに同調し、Ｐ１〜Ｐ１４で示された狭い複数の帯域をもつ櫛形スペクトルの電磁波をこの分子Ｘに照射した場合を考える。例文帳に追加

Consider a case where a molecule X is irradiated with an electromagnetic wave of a comb-shaped spectrum which synchronizes with exciting energies corresponding to rotational levels of a molecule X, as illustrated as an oblique line portion in Fig.2, and has two or more narrow bands shown as P1 to P14. - 特許庁

ＣＰＵ２７は、所定単位の印刷後に履歴メモリ２８に格納された最新の履歴データから蓄熱補正値Ｃｎを算出し、この蓄熱補正値Ｃｎに対応した熱エネルギを各発熱素子に発生させて蓄熱分布のバラツキを平準化する。例文帳に追加

The CPU 27 computes a heat storage correction value Cn from the newest history data stored in the hysteresis memory 28 after a specified unit is printed and equalizes the heat storage profile staggering by making each heating element generate a heat energy corresponding to the heat storage correction value Cn. - 特許庁

レーザ光Ｌのピーク波長は、Ｅｒ^3+のエネルギー準位が^4Ｉ_11/2から^4Ｉ_13/2へ遷移する場合の発光波長帯（２．９４μｍ帯）に含まれており、励起光Ｌｐのピーク波長は、Ｅｒ^3+の上記吸収波長帯に含まれる最大吸収ピーク波長より長い。例文帳に追加

The peak wavelength of a laser beam L is included in a luminous wavelength band (2.94 μm band) when the energy level of Er^3+ is transits from ^4I_11/2 to ^4I_13/2, and the peak wavelength of the exciting light Lp is longer than the maximum absorption peak wavelength included in the absorption wavelength band of the Er^3+. - 特許庁

素子の端面領域を混晶化することにより、端面領域のバンド構造の底のエネルギー準位が混晶化されない素子内部のバンド構造に比べて相対的に高くなり、端面へのキャリアの拡散を低減する。例文帳に追加

By subjecting the end-surface regions of the semiconductor light emitting element to mixed crystallization, the energy level of the bottom of the band structure of each end-surface region becomes higher than the band structure of the inside of the element subjected to no mixed crystallization to reduce the diffusion of carriers to each end surface of the element. - 特許庁

活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。例文帳に追加

The effective VBM 141 of the active layer 14 is formed at an energy level higher than the VBM 131 of a Be_0.3Zn_0.7Se_0.2Te_0.8 mixed crystal configuring the p-type clad layer 13, and a junction between the active layer 14 and the p-type clad layer 13 is formed in a type I structure. - 特許庁

Ｔｍイオンを直接励起するのではなく、最初に、Ｙｂ（イッテルビウム）を共添加した系によりＹｂを励起し、次に、Ｙｂ−Ｔｍ間のエネルギー移動によりＴｍの^３Ｈ_５準位にイオンを励起し、無輻射過程を経て^３Ｆ_４−^３Ｈ__６間の反転分布を形成する。例文帳に追加

First, Yb(ytterbium) is first excited by a system co-added with the Yb, rather than directly exciting the Tm ions, and then due to the energy transfer between Yb and Tm ions of ^3H_3 level of Tm are excited, and a population inversion between ^3F_4 and ^3H_6 levels is formed through no-radiative process. - 特許庁

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。例文帳に追加

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented. - 特許庁

前記赤および緑色発光層１４ａに含まれる赤色燐光発光材料および緑色燐光発光材料のＨＯＭＯと前記スペーサー層１４ｂを構成する正孔輸送性材料のＨＯＭＯがほぼ同じエネルギー準位にある。例文帳に追加

The HOMOs for a red phosphorescent material and a green phosphorescent material included in the red and green light emitting layer 14a and the HOMO for a hole transport material constituting the spacer layer 14b are at almost the same energy level. - 特許庁

単位セルを２以上並置した状態で直列に接続する構成とする場合であっても、小型化及び軽量化が容易であり、かつ、設置されるべき空間の体積を基準とする体積エネルギー密度を充分に得ることができる電気化学キャパシタの提供。例文帳に追加

To provide an electrochemical capacitor that can be reduced in size and weight even when the capacitor is constituted to serially connect unit cells in a state where two or more unit cells are arranged in parallel with each other and, in addition, can sufficiently obtain a volume energy density on the basis of the volume of a space to be installed. - 特許庁

ｐＦ値（土壌水分のエネルギー準位）が３以下である農作物土壌１立方メートルあたり、シアナミドとして１．２ｋｇ（０を含まず）以下のシアナミド含有物質を混合することを特徴とする農作物土壌の重金属固定方法。例文帳に追加

The immobilizing method of heavy metals used in soil for the crops is characterized by incorporating 1.2 kg or less (not including 0) of the cyanamide-containing substance in terms of cyanamide per one cubic meter of the soil for the crops of which the pF value (the energy level of soil water content) is 3 or less. - 特許庁

誘電性の材料により構成される基板上に互いに共鳴するエネルギー準位を有する偶数個の量子ドットを形成させ、かかる量子ドットのサイズ並びにその間隔を供給される近接場光の波長以下となるように調整する。例文帳に追加

An even number of quantum dots which have energy levels resonant with each other are formed on a substrate constituted of a dielectric material, and a size and a gas of such quantum dots are adjusted so as to be not more than a wavelength of a near field light to be supplied. - 特許庁

光信号の発振を抑圧するために、光ファイバおける希土類のエネルギー準位に相当する波長の光の強度に基づき励起光源２４の出力強度を制御することで良好な信号品質を得ることができる。例文帳に追加

In order to suppress oscillation of the optical signal, the output intensity of the exciting light source 24 is controlled on the basis of the intensity of light having the wavelength corresponding to the energy level of rare earth in the optical fiber, thereby obtaining excellent signal quality. - 特許庁

そして、量子井戸対は、そのバンドギャップエネルギーが漸次変化するとともに、電界の印加されない状態で、第１の井戸層８の第１準位が光吸収層４のフェルミ準位以下でありかつ第２の井戸層１０の第１準位が光吸収層４のフェルミ準位以上である。例文帳に追加

Then, the quantization well pair is changed successively in band gap energy, and the first level of the first well layer 8 is the Fermi level or below of the light absorbing layer 4 in the state in which the electric field isn't applied, and the first level of the second well layer 10 is the Fermi level or above of the light absorbing layer 4. - 特許庁

励起光源に、イオンを基底準位からレーザ下準位又はそれより上方のエネルギレベルへ励起する第１の半導体レーザ励起光源と、第１励起光源とは異なる波長を有し、イオンをレーザ下準位からレーザ上準位へ励起する第２の半導体レーザ励起光源とを使用する。例文帳に追加

For the pumping light source, a first semiconductor laser pumping light source for exciting ions from a ground level up to a laser lower level or an energy level higher than the laser lower level, and a second semiconductor laser pumping light source which has wavelength different from the wavelength of the first pumping light source and excites ions from the laser lower level up to a laser upper level, are used. - 特許庁

本発明は、基底準位より高い２つのエネルギー準位間の誘導放出遷移を利用するレーザ発振器またはレーザ増幅器において、レーザ増幅器の利得ピーク波長またはレーザ発振器の発振波長を長波長側にシフトさせることにより、より広い波長帯域での増幅動作が可能なレーザ増幅器およびレーザ発振器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain a laser oscillator or a laser amplifier, utilizing stimulated emission transition between two energy levels higher than the ground level, in which amplification operation can be effected over a wider wavelength band, by shifting the gain peak wavelength of the laser amplifier or the oscillation wavelength of the laser oscillator to the long wavelength side. - 特許庁

ゲート絶縁膜３２に接する範囲の第２半導体領域２４ｂと第２半導体領域２４ｂに接する範囲のゲート絶縁膜３２との少なくとも一方に、第２半導体領域２４ｂのフェルミ準位よりも高いエネルギー準位を有する結晶欠陥２５ａが形成されている。例文帳に追加

A crystal defect 25a having an energy level higher than the Fermi level of the second semiconductor region 24b is formed in at least one of the second semiconductor region 24b within a range where the second semiconductor region 24b is in contact with the gate insulating film 32 and the gate insulating film 32 within a range where the gate insulating film 32 is in contact with the second semiconductor region 24b. - 特許庁

一対の電極と前記一対の電極の間に配置される発光層とを有し、前記発光層はゲスト材料とホスト材料とを有し、前記ゲスト材料は燐光発光材料であり、前記ホスト材料の最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．０３ｅＶ以下であることを特徴とする有機発光素子。例文帳に追加

The organic light emitting element is such that it has a pair of electrodes and a light emitting layer arranged between the pair of the electrodes, wherein the light emitting layer has a guest material and a host material, the guest material being a phosphorescence light emitting material, and wherein the energy difference of the minimum excited singlet level and the minimum excited triplet level of the host material is 0.03 eV or lower. - 特許庁

試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。例文帳に追加

The level of capture center is revealed by measuring the peak of intensity and wavelength of emitting light, because if ion beam 21 is irradiated on sample 15, the light of wavelength accoding to the difference of energy level of valence band and capture center is emitted, when holes excited by ion irradiation move to the capture center. - 特許庁

製品パフォーマンス（排出実績）指標および原単位基準（例えば、販売した製品の平均GHG 原単位、販売した製品の平均エネルギー効率、1 使用時間当たりの平均排出量、販売した乗物の平均燃料効率、走行距離（1ｋｍ）当たりの平均排出量、販売した燃料のGHG 原単位、機能単位当たりの平均排出量など）例文帳に追加

Product performance indicators and intensity metrics (e.g., average GHG intensity of sold products, average energy efficiency of sold products, average emissions per hour of use, average fuel efficiency of sold vehicles, average emissions per kilometer driven, GHG intensity of sold fuels, average emissions per functional unit, etc.)  - 経済産業省

有機化合物層が、電荷輸送性ポリウレタンを含有し、有機化合物層が電子エネルギー準位の励起一重項状態から直接基底状態への遷移により蛍光発光する蛍光発光材料を含有し、電荷輸送性ポリウレタンが特定の構造のトリアリールアミン化合物から選択された部分構造として含む繰り返し単位よりなる。例文帳に追加

An organic compound layer has a charge transporting polyurethane, the organic compound layer contains a phophorescent light emitting material emitting a phosphorescent light by transition of an electronic energy level from an excited singlet state to a direct ground state, and the charge transporting polyurethane is made of a repeating unit included as a partial structure selected from triarylamine compounds having a specific structure. - 特許庁

中心部に位置するπ共役系および前記π共役系の周囲に配置されるアルカン鎖を含む有機分子で形成され離散的なエネルギー準位を持つ複数の量子ドットと、前記量子ドットをその中に分散させる誘電体マトリクスとを有する構造部と、前記構造部に対して電子を注入する電子注入部とを具備することを特徴とする屈折率変化素子。例文帳に追加

The refractive index change element includes a structural part having a plurality of quantum dots formed of organic molecules each containing a π-conjugated system positioned in a center part and alkane chains arranged around the π-conjugated system and having a divergent energy level and a dielectric matrix in which the quantum dots are dispersed and an electron injecting part injecting electrons into the structural part. - 特許庁

陽極と陰極との間に発光層を含む少なくとも２層の有機層を有してなり、前記陰極と前記発光層との間に、（ａ）少なくとも１種のＬＵＭＯのエネルギー準位が２．1ｅＶ以下の芳香族化合物、及び（ｂ）少なくとも１種の下記式（１）で表される金属酸化物を含む有機層を有する有機電界発光素子。例文帳に追加

This organic electroluminescent element includes at least two organic layers each including a luminescent layer between an anode and a cathode, and includes, between the cathode and the luminescent layer, an organic layer containing (a) at least one aromatic compound having a LUMO energy level ≤2.1 eV, and (b) at least one metal oxide represented by the following formula (1): (Ba_lSr_mCa_n)O_x. - 特許庁

半導体の多重量子井戸における量子閉じ込めスタルク効果を利用した光変調器１５を用い、信号を乗せる光の波長をλ_S、多重量子井戸の電子と正孔の量子準位間のエネルギー差に相当する波長をλ_PLとしたとき、λ_S−λ_PL＜６０ｎｍであることを特徴とする。例文帳に追加

An optical modulator 15 is used, which uses quantum confinement Stark effect of the multi-quantum well of a semiconductor and is characterized by λS-λPL<60 nm, where λS is the wavelength of light which is superposed on a signal, and λPL is the wavelength corresponding to the energy difference between quantum levels of electrons and positive holes of the multi-quantum well. - 特許庁

本願発明は、光信号光を他の制御光を用いて制御し、フォトニック結晶６１を配し、該フォトニック結晶６１の高誘電体部に量子ドットを配し、制御光の波長域に量子ドットのエネルギ準位及びフォトニック結晶の誘電体バンドを設定し、信号光の波長域にフォトニック結晶のエアーバンドを設定する。例文帳に追加

The element is formed by controlling the light signal light by using another control light, disposing the photonic crystals 61, disposing the quantum dots in the high dielectric sections of the photonic crystals 61, setting the energy levels of the quantum dots and the dielectric bands of the photonic crystals at the wavelength region of the control light and setting the air bands of the photonic crystals at the wavelength region of the signal light. - 特許庁

光増感色素（１４）を保有した半導体層（１３）を有し、光増感色素（１４）への光入射により発生した電荷キャリアが半導体層（１３）を通して取り出されるように構成されている色素増感型光電変換装置において、電荷キャリアを移動させる通路のエネルギー準位が異なる複数の領域（１３Ａ〜１３Ｄ）によって半導体層（１３）を構成する。例文帳に追加

In the dye-sensitized photoelectric converter having a semiconductor layer (13) containing a photosensitization dye (14) and so arranged that charged carriers generated upon an impingement of light on the photosensitization dye (14) are extracted through the semiconductor layer (13), the semiconductor layer (13) consists of a plurality of regions (13A-13D) having different energy levels in the migration passage of charged carriers. - 特許庁

支持体上に、中間層、感光層をこの順に有し、該支持体の表面が陽極酸化処理されている電子写真感光体において、該中間層が有機電子輸送物質を含有し、該有機電子輸送物質の最高占有分子軌道のエネルギー準位（ＨＯＭＯ）の値が、６．００（ｅＶ）以上である。例文帳に追加

In the electrophotographic photoreceptor which has an intermediate layer and a photosensitive layer in this order on a support and in which the surface of the support has been anodically oxidized, the intermediate layer contains an organic electron transport material and the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the organic electron transport material is ≥6.00 eV. - 特許庁

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁

なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)^2)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。例文帳に追加

k satisfies k=(2 mE/(h/2π)^2)^0.5, where m represents the mass of electron, E represents the energy level of trap of the tunnel insulating film, h represents Planck's constant, and π represents circular constant. - 特許庁

本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。例文帳に追加

The two-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt metal-insulator transition (MIT) semiconductor material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor material layer. - 特許庁