「ミリング加工」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ミリング加工及び画像化方法及びシステム例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR MILLING AND IMAGING - 特許庁

スミリングによるスプライン装置、および、スミリングによるスプライン装置を製造するためのスミリング加工例文帳に追加

SPLINE DEVICE BY SMILLING, AND SMILLING PROCESSING FOR MANUFACTURING SPLINE DEVICE BY SMILLING - 特許庁

ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。例文帳に追加

When the wafer is irradiated with the ion beam, while rotating the wafer in milling, milling processing amount is made uniform on an entire surface of the wafer. - 特許庁

この試料は、アルゴンイオンビームを使ったミリングにより加工された。例文帳に追加

This specimen was processed by milling using an argon ion beam.  - 科学技術論文動詞集

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。例文帳に追加

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling. - 特許庁

磁気ヘッドスライダ５の製造方法は、浮上面を形成すべきスライダ本体５０に少なくとも３回のミリング工程を施すことにより、前記ミリング工程の数より多くの種類の深さがミリング加工されるものである。例文帳に追加

In a method of manufacturing a magnetic head slider 5, at least three times of milling steps are applied to a slider body 50 to form a floating surface thereon, so that more kinds of depths than the number of times of the milling step are milled. - 特許庁

イオンビームをミリング対象物に照射して加工した際にイオンミリングによって発生した被ミリング物の発生状況を計測評価し、評価結果に基づいてイオン源の電流、電圧、高周波数電力を含むパラメータの内の少なくとも一つにフィードバックをかけ、得られたミリングレートにより最適なミリング時間を自動算出してイオンミリングを行う。例文帳に追加

The stage of generation of the work to be milled generated by the ion milling when the work is irradiated with the ion beam is measured and evaluated, and at least one of the parameters including the current, the voltage and the high-frequency power of an ion source is fed back based on the result of evaluation, and the ion milling is achieved by automatically calculating the optimum milling time by the obtained milling rate. - 特許庁

第１金属層２４を多層膜Ｔ１のイオンミリング加工時のマスク層として用いる。例文帳に追加

A first metal layer 24 is used as a mask layer in ion milling process with a multilayer film T1. - 特許庁

その後、イオンミリングにより積層膜をｗ＝１００ｎｍ、ｌ＝１００ｎｍとなるように加工する。例文帳に追加

Thereafter, a laminate film is processed by ion milling to satisfy w=100 nm and l=100 nm. - 特許庁

前記ミリング加工は金属層表面にエッチングレジスト薄膜層５を施した後に行なう。例文帳に追加

The milling process is performed after an etching resist thin film layer 5 is formed on a surface of the metal layer. - 特許庁

切断速度が高く機械加工の質が高く寿命が長いミリングカッター（２）が提供される。例文帳に追加

The milling cutter (2) has a long service life, a high cutting rate and high quality of machining. - 特許庁

イオンや中性粒子のビームを用いたミリング加工による堆積物の発生を低減し、高信頼な加工を可能とし、特に数ｎｍの微小な高さの堆積物でも問題となるような薄膜磁気ヘッドの高信頼化を達成とするミリング装置及びミリング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a milling device and a milling method capable of highly reliable machining, and capable of attaining high reliability of a thin film magnetic head, particularly becoming problematic even with sediment having the microscopic height of several nm, by reducing generation of the sediment by milling machining using a beam of an ion and a neutral particle. - 特許庁

旋削加工、ミリング加工を行う複合加工機用数値制御装置において、加工プログラム、各種データの入力設定の操作性をよくする。例文帳に追加

To provide a numerical control device for a composite machine to carry out turning work and milling work improved in operability in input setting of a working program and various data. - 特許庁

得られた成形用金型素材をイオンミリング、イオンスパッタリングなどの加工方法にて所要形状に成形して成形用金型を得る。例文帳に追加

The obtained die stock for forming is formed into a required shape by a working method such as ion milling and ion sputtering to obtain a die for forming. - 特許庁

このような形状を有する垂直磁気記録単磁極ヘッドは、イオンビームミリング法によって加工することが可能である。例文帳に追加

A perpendicular magnetic recording single magnetic pole head having such a shape is processable by an ion beam milling method. - 特許庁

イオンミリングを用いて主磁極加工する際、レジストマスク側面に生成する再付着層を確実に除去する。例文帳に追加

To surely remove a re-deposition layer formed on the side face of a resist mask in a main pole processing by using an ion milling. - 特許庁

試料以外に照射されてしまうイオンビームをできるだけ少なくし、加工効率の良いイオンミリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion milling apparatus where ion beam ends up irradiating other than a testpiece is reduced to a minimal extent and a processing efficiency is improved. - 特許庁

磁気抵抗効果素子に使用する磁気抵抗効果膜のイオンミリング工程の加工時間を短縮し、リード素子の分解能を向上させる。例文帳に追加

To reduce processing time of an ion milling process of a magnetoresistance effect film for use in a magnetoresistance effect element, thereby improve resolution of a lead element. - 特許庁

下パンチ１４の接触面５６にミリング加工によって溝６０を形成することによって、成形体７０の離型性が向上する。例文帳に追加

A releasing property is improved by forming a groove 60 on the contact face of the lower punch 14 by milling. - 特許庁

イオンミリングによる加工時に、金属配線のエッジ近傍で絶縁膜が異常にエッチングされることを防止する。例文帳に追加

To prevent a second insulating film from being abnormally etched in the vicinities of the edges of a second metal wiring layer at the time of a processing using an ion milling in the manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

特に本発明では、上記面取り加工の後に、イオンミリングによるＡＢＳ面の形成を行うことにより、前記加工面からの粒子の脱粒を防止し、きれいに均された加工面を形成することができる。例文帳に追加

Especially hereupon, the drop of grain from the chamfered surface 20 is prevented and the chamfered surface which is beautifully evened is formed by forming A, B and C surfaces by means of ion milling after chamfering. - 特許庁

旋盤等によるミリング加工の加工プログラムの作成が容易で、高い加工精度が得られ、工作機械の構造も簡単となる工作機械用の数値制御装置を得る。例文帳に追加

To provide a numerical control device for a machine tool easy to form a working program of milling work by a lathe, etc., capable of providing high working precision and also to simplify a structure of the machine tool. - 特許庁

エッチングやミリングによって層間絶縁膜の一部を加工する場合には、加工後に再度、表面を酸化処理するか、加工後も酸化処理した膜が残るように設計することで絶縁不良を防止することができる。例文帳に追加

When a part of the interlayer insulating film is worked by etching or milling, insulating failures are prevented by employing the design of oxidizing the surface again after the working or leaving an oxidized film even after the processing. - 特許庁

翼の後縁２６に隣接する圧力側３０部分を選択的に除去することは、圧力側３０部分を、放電加工（ＥＤＭ）、レーザ・マイクロ加工、電気化学的加工（ＥＣＭ）、アブレシブ・ウォータ・ジェット加工、ミリング、またはそれらの組み合わせによって除去することができる。例文帳に追加

Selectively removing the pressure side 30 part proximate to the trailing edge 26 of the airfoil includes removing the pressure side 30 part by electrical discharge machining (EDM), laser micro machining, electrochemical machining (ECM), abrasive water jet machining, milling or combinations thereof. - 特許庁

加工モニタ用パターン８は、磁気抵抗効果素子６よりもイオンミリングレートが大きな膜を磁気抵抗効果素子６の膜厚よりも厚く形成しておき、磁気抵抗効果素子６をパターン化する工程と同じ工程でイオンミリング処理によってパターン形成する。例文帳に追加

The patterns 8 for process monitor are formed by ion milling processing with the same stage as the stage for previously forming the film having an ion milling rate higher than that of the MR elements 6 to a film thickness thicker than the film thickness of the MR elements 6 and patterning the MR elements 6. - 特許庁

主磁極材２５と主磁極材を加工するためのマスク３０の間に、アルカリに可溶な無機絶縁膜２４を５ｎｍ〜１００ｎｍ配置し、イオンミリングにより主磁極加工する。例文帳に追加

An inorganic insulating film 24 soluble in alkali is disposed in thickness of 5nm to 100nm between a main pole material 25 and a mask 30 for processing the main pole material 25, and then the main pole processing is performed by the ion milling. - 特許庁

イオンミリングにおいて、イオンビームの強度分布を任意に変更して、被加工物の所望の加工形状を達成できるようにする。例文帳に追加

To provide a system and a method for ion milling by which a material to be worked can be formed in a desired worked shape by arbitrarily changing the intensity distribution of an ion beam at the time of performing ion milling. - 特許庁

イオンビームを利用した多層膜のミリングにおいて、サブナノメートル精度で反射波面の位相を補正するとともに加工時間の短縮を実現した多層膜の表面形状加工方法及び表面形状加工装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a surface shape processing method and a surface shape processing device of a multilayer film which corrects a phase of a reflected wave surface with precision of subnanometer and in which shortening of processing time is attained in milling of the multilayer film utilizing ion beams. - 特許庁

機械制御手段実行手段は記憶された選択状態（例えば、第１系統は旋削加工機能、第２系統はミリング加工機能、第３系統はローダ機能を選択）に応じて、各系統に加工等の制御を同時並行的に実行させる。例文帳に追加

A machine control means performing means causes the respective systems to simultaneously perform control of the processes in parallel in accordance with a stored selection state (a machining process function is selected for a first system, a milling process function for a second system and a loader function for a third system, for example). - 特許庁

イオン又は中性粒子のビームを照射して被処理基板８の加工を行う加工室２を設けたミリング装置において、加工室２に面してイオン又は中性粒子のビームが照射される部分がアルミニウム又はアルミニウム合金からなる装置部材７、８、５０、５３を有する。例文帳に追加

This milling device is provided with a machining chamber 2 for machining a processing object board 8 by irradiating the beam of the ion or the neutral particle, and has device members 7, 8, 50, and 53 facing to the machining chamber 2, and constituting a part irradiated with the beam of the ion or the neutral particle out of aluminum or an aluminum alloy. - 特許庁

特に、対話機能用ソフトウェア１２によって、旋削加工用制御ソフトウェア４，ミリング加工用制御ソフトウェア５が格納されているメモリにアクセスして加工運転に必要な工具補正量やワーク座標系等の各種データを随時読み出すことができる。例文帳に追加

Especially, it is possible to read the various data of tool correction quantity, a work coordinate system, etc., required for working operation by making an access to a memory in which a control software 4 for the turning work and a control software 5 for the milling work by the software 12 for the interactive function when required. - 特許庁

屈折率に差がある複数の物質を周期的に積層した多層膜のイオンビームによるミリングに際し、反射位相変化の小さい方の物質を基準としてミリングの深さを検知することを特徴とする多層膜の表面形状加工方法及び表面形状加工装置によって解決される。例文帳に追加

The surface shape processing method and the surface shape processing device of the multilayer film is characterized by detecting, in the milling of the multilayer film on which a plurality of substances with difference in refractive indexes are periodically laminated by the ion beams, depth of the milling on the basis of a substance with smaller reflection phase change. - 特許庁

イオンミリング装置のイオンガンと被加工物の間に、加速電極と減速電極からなる引き出し電極と、補正電極１０が配置されている。例文帳に追加

In the ion milling system, lead-out electrodes composed of accelerating and decelerating electrodes and a correction electrode 10 are disposed between an ion gun and the material to be worked. - 特許庁

本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an ion milling device capable of easily manufacturing a sample without performing parallel processing in the case where the mask surface side and loading surface of the sample are non-parallel, and to provide an ion milling method. - 特許庁

得られた表面酸化された窒化アルミニウム基板上に金属膜を形成し、この金属膜の一部をイオンミリングやレーザー加工等により除去して配線パターンを形成する。例文帳に追加

A metal film is formed on the obtained aluminum nitride substrate whose surface is oxidized, and a part of the metal film is removed by ion milling, laser processing, or the like, and a wiring pattern is formed. - 特許庁

セラミックス絶縁板３とアルミニウム板等の金属層４Ａ、４Ｂからなる複合部材２の一方の金属層４Ａの不要部分（回路間隙構成部分）を主としてミリング加工によって除去する。例文帳に追加

Unnecessary portions (circuit gap constituent portions) of one metal layer 4A of a composite member 2 comprising a ceramic insulating plate 3 and metal layers 4A and 4B like aluminum plates are removed by milling process mainly. - 特許庁

ハードマスク３４ａを使って磁性体層３０をイオンミリングにより加工してから、非磁性体層２９に対してウェットエッチングを行う。例文帳に追加

The magnetic body layer 30 is worked by ion milling by using a hard mask 34a and then wet etching is performed to the non-magnetic body layer 29. - 特許庁

ウェットエッチングは、磁性体層３０の下部にある非磁性体層２９が一部侵食されるまで行い、その後にイオンミリングで磁性体層３０の両側部を加工する。例文帳に追加

The wet etching is performed until the non-magnetic body layer 29 existing in a lower part of the magnetic body layer 30 is partially eroded and then both side parts of the magnetic body layer 30 are worked by ion milling. - 特許庁

高速度鋼の原料粉末に常温でメカニカルミリングを施し、粉末の平均粒子径を略３０μｍ以下とする冷間加工済高速度鋼粉末の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the cold worked high-speed steel powder, mechanical alloying is applied to raw-material powder of high- speed steel at ordinary temperature to regulate the average particle size of the powder to about ≤30 μm. - 特許庁

２段階にミリング加工を行なうことにより、回路側面部の底部に段差をつけて縁部に構成し、外部応力の軽減を図ることができる。例文帳に追加

A level difference is given to a bottom of a circuit side face part to constitute an edge by performing the milling process in two stages, so that external stress can be reduced. - 特許庁

大口径のイオン源電極に熱変形が生じても大口径のイオン源電極から均一で安定なイオンビーム電流の引き出しを可能にして加工精度の向上をはかったイオンミリング加工方法およびその装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an ion milling method and its device wherein a uniform and stable ion beam current is dram out of a large diameter ion source electrode and whereby working precision is improved even if a thermal deformation is generated in the large diameter ion source electrode. - 特許庁

所望の強度分布のイオンビームを被加工物に照射し、各電極片１０ａ〜１０ｃに印加される電圧を適宜変化させることによって、異なる強度分布のイオンビームを被加工物に照射させることができ、所望のミリング形状が得られる。例文帳に追加

In addition, a desired milled shape can be obtained by projecting ion beams having different intensity distributions upon the material to be worked by appropriately changing the voltages impressed upon the electrode pieces 10a-10c while an ion beam having a desired intensity distribution is projected upon the material. - 特許庁

第１、第２及び第３系統の各プログラム解析部は、各選択された機械制御手段専用のプログラム（旋削加工機能専用の加工プログラム、ミリング加工機能専用の加工プログラム、ローダ制御機能専用のプログラム）を読み込み、プログラム解析、補間、軸制御により、各機械の各軸を動作させる。例文帳に追加

Respective program analysis parts of the first, second and third systems read selected programs only for machine control means (process program only for machining process function, process program only for milling process function and program only for loader control function), and respective shafts of respective machines are operated by program analysis/interpolation and shaft control. - 特許庁

イオンビームを照射するイオンビーム源と、試料を固定する試料ホルダを備えたイオンミリング装置において、試料の一部を遮蔽するマスクを備え、イオンビーム源とマスクとの間に非軸対称レンズを配置し、試料の加工の希望範囲に合わせてイオンビームを変形させるようにした構成のイオンミリング装置を提供する。例文帳に追加

The ion milling apparatus is provided with an ion beam source for emitting ion beams and a testpiece holder for fixing the testpiece, and a mask is provided for shielding a part of the testpiece, and a non-axially symmetric lens is arranged between the ion beam source and the mask, and the ion beam is deformed to meet a desired range for processing the testpiece. - 特許庁

本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

In the ion milling device for fixing the sample having a plane to a sample holder unit in a vacuum chamber and irradiating the sample with an ion beam to make the sample undergo milling processing, the sample holder unit has a fixing structure capable of fixing the sample along the inclination on the back side of the sample with respect to the plane of the sample coming into contact with the mask which shields the ion beam. - 特許庁