「半導体片」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

この半導体装置は、ＩＧＢＴ素子４０２と、このＩＧＢＴ素子４０２の一面に半田接合されると共に外部端子を有する第１金属配線板２５と、ＩＧＢＴ素子４０２の上面に半田接合された第１金属配線板２５の端部片２５ｂの上に実装される温度センサ５０１とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises an IGBT element 402, a first metal wiring board 25 which is solder-jointed to one surface of the IGBT element 402 and has an external terminal, and a temperature sensor 501 which is mounted on an end piece 25b of the first metal wiring board 25 that is solder-jointed to the upper surface of the IGBT element 402. - 特許庁

ゲート電極の片側または両側に形成されたメモリ機能体の蓄積電荷の多寡または分極状態により、その下方に位置するオフセット領域の抵抗値が変化するように構成されている半導体記憶素子のオフセット領域の抵抗値を精度良く求める特性評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of evaluating the characteristics which enables accurate calculation of a resistance value of an offset region of a semiconductor storage element which is so structured that the resistance value of the offset region located below a memory functional body may be changed depending on the amount of accumulated charges or polarized state of the memory functional body formed on one side or on both sides of a gate electrode. - 特許庁

前記基板１０Ａの周縁部が給電部材４０のホルダー部４１で押え付けられ、光源取付面２１に設けたスリット２１ｂに脚片５１を挿入係着した固定フレーム５０によりホルダー部４１の周縁部が押え付けられることにより、半導体型光源１０が光源取付面２１に組付けられる。例文帳に追加

A peripheral of the base plate 10A is pressed down by a holder part 41 of a feeding member 40 and a peripheral of the holder part 41 is pressed down by a fixing frame 50 with its leg piece 51 insertion-locked with a slit 21b provided on the light source fitting face 21 so as to assembly the semiconductor type light source 10 is assembled on the light source fitting face 21. - 特許庁

本発明は処理対象物を支持体の上に配置して熱処理装置に、特に連続的に搬送する扁平な対象物、例えばシリコンウエ−ハの半導体ウエ−ハ等の対象物の熱処理を片側だけで行うことができ、対象物を支持体上に問題なく装着し得、汚染の問題もなく、高い処理量を達成できる熱処理方法及び装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method and device for heat treatment which can heat treat a flat object continuously for example, a silicon semiconductor wafer only on one side, in particular, to be conveyed to a heat treatment device, while the object to be treated is placed on a support body, load the object on a support body without problems, without contamination problems, and achieve high treatment capacity. - 特許庁

そして、前記側面とは反対側の側面が上を向くようにシリコン基板を傾け、上を向いた側面に対し垂直方向から収束イオンビームを照射して不良箇所を含む薄膜状の薄片に切り出すことにより、表面に配線層が形成された半導体集積回路から不良箇所を含む平面ＴＥＭサンプルを作製する。例文帳に追加

The silicon substrate is tilted so that the side surface opposite to the former points upward, a converged ion beam is radiated to the upward pointing side surface from the perpendicular direction to cut it into a thin-film-like thin piece including the fault place, thereby preparing the flat TEM sample including the fault place from the semiconductor integrated circuit having the wiring layer on its surface. - 特許庁

半導体集積回路のシリコン基板の裏面側から不良箇所を特定し、その不良箇所を含む領域のシリコン基板を選択的に薄膜化し、シリコン基板の裏面側から、不良箇所を含む矩形領域の周囲に収束イオンビームにより溝を形成して中央部に不良箇所を含む小片を形成する。例文帳に追加

A fault place is specified from the rear surface side of a silicon substrate of a semiconductor integrated circuit, the silicon substrate in the region including the fault place is selectively thinned, a groove is formed around the rectangular region including the fault place with a converged ion beam from the rear surface side of the silicon substrate, and a small piece including the fault place is formed in a central part. - 特許庁

光学フィルムがガラス基板の片面に貼り合わされてなる液晶パネルを再資源化する方法であって、液晶パネルを酸化物半導体と混合し、加熱することによりガラス基板を回収する混合加熱工程と、混合加熱工程で得られたガラス基板を粉砕する粉砕工程を含むことを特徴とする液晶パネルの再資源化方法。例文帳に追加

The method for recycling the liquid crystal panel made by sticking an optical film onto one surface of a glass substrate includes: a mixing and heating process of mixing the liquid crystal panel with an oxide semiconductor and heating the resulting mixture to recover a glass substrate; and a pulverizing process of pulverizing the glass substrate obtained on the mixing and heating process. - 特許庁

ダイシング工程においては高い粘着力を有し半導体素子などの切断片の脱離飛散が抑えられるとともに、ピックアップ工程においては活性面を有する被加工物に対しても優れた軽剥離性及び低汚染性が得られる粘着剤層を有するダイシング用粘着フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide an adhesive film for dicing including an adhesive agent layer for showing higher adhesive force to suppress releasing and scattering of cutting pieces of a semiconductor element or the like in the dicing process, and to assure superior light exfoliation property and low contamination property even for a workpiece having active surfaces in the pickup process. - 特許庁

半導体チップを搭載するためのはんだバンプの狭ピッチ化がなされた多層配線基板を可能とし、かつ、多層配線基板への個片別け加工等において積み重ね加工を可能とする多層配線基板多面付け体と、このような多層配線基板多面付け体を製造するための製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide multiple mounted components on a multilayered wiring board to which bumps are formed at narrow pitches on its surface for mounting semiconductor chips, and which can be cut into pieces in a laminated state at the time of dividing individual multilayered wiring boards from each other, and to provide a method of manufacturing the body. - 特許庁

半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a sample analysis method and an apparatus by which desired locations such as foreign substances and defects detected by inspection of all or part of a wafer are accurately located without cutting or separating the wafer, and are analyzed by various kinds of analytical apparatuses, with processing them into a sample piece suitable for various kinds of analyses. - 特許庁

扁平な対象物（１０）である、特に半導体部品、例えばシリコンウエ−ハの適切な処理を片側でだけ行なうことを可能にすると同時に、連続的全製造工程に組み込んだ場合に高い処理量を得るために、対象物の下側を完全に又はほぼ完全に覆う特に石英ガラスからなる支持体（２０）の上に対象物を扁平に配置することが提案される。例文帳に追加

In order to appropriately treat a flat object 10, particularly a semiconductor component, for example, a silicon wafer only on one side, and at the same time, to achieve a high treatment capacity when used in all the continuous manufacturing processes, the object is placed flatly on a support body 20 in particular made of quartz glass, which covers the lower side of the object completely or almost completely. - 特許庁

一体して切断可能な直線状の共通切断片と、共通切断片からフレーム内部に略直角方向に延在された同一棒状をなす複数のくし型形状端と、各くし型形状端の延長線上に電極パッドが配置できるように形成された部品搭載領域とを有するリードフレームを用い、くし型形状端の延長線上で、チップ部品と半導体素子とのワイヤーボンディングを行い、モールド後にリードフレームの共通切断片を除去することによって、各くし型形状端を入出力用端子とした。例文帳に追加

Using this lead frame, wire bonding is effected to the extension lines of the comb ends between the chip component and a semiconductor elements by removing the common cut piece of the lead frame after molding, thereby allowing the individual comb ends to serve as input/output terminals. - 特許庁

基材フィルム１４の少なくとも片側の表面にエネルギー線硬化性粘着剤層１２をもち、エネルギー線を照射することで粘着力が低下する半導体加工時に使用される粘着テープ１０であって、粘着剤成分として（メタ）アクリル酸エステル系共重合体、光重合開始剤を含み、全粘着剤層体積に対して０．５〜１０．０ｖｏｌ．％の無機フィラーを含むことを特徴とする粘着テープ１０。例文帳に追加

The adhesive tape 10 is used in processing semiconductors in which adhesion is lowered owing to irradiation with energy rays and has an energy ray curable adhesive layer 12 on at least one side of a base film 14 and the adhesive layer comprises a (meth)acrylate copolymer as an adhesive component, a photopolymerization initiator, and 0.5-10.0 vol.% inorganic filler based on the entire volume of the adhesive layer. - 特許庁

本発明の結晶シートの製造方法は、冷却された基板の主面の片面または両面をシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを製造する方法であって、シート材料は金属材料および／または半導体材料を含有し、基板は、シート材料からなる母材と、母材の一部または全面を覆う皮膜を有し、皮膜がシート材料と異なる材料からなることを特徴とする。例文帳に追加

The sheet material comprises a metallic material and/or a semiconductor material, the substrate has a matrix formed of a sheet material and a film covering a part or an entire surface of the matrix, and the film is formed of a material which is different from the sheet material. - 特許庁

電動機５を駆動する交流電圧を出力するインバータ主回路部２と、センサを用いずにインバータ制御におけるパルス巾変調制御のデッドタイムに電流位相を検出する電流位相検出回路部４と、検出した電流位相から回転子の位置を知り、電動機５を駆動する電圧生成のためのパルス巾変調波形をインバータ主回路部２に出力するインバータ制御回路部３とを備え、インバータ主回路部２とインバータ制御回路部３と電流位相検出回路部４を半導体片に集積する。例文帳に追加

The inverter main circuit portion 2, the inverter controlling circuit portion 3, and the current-phase sensing circuit portion 4 are integrated into the semiconductor chip 1. - 特許庁

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。例文帳に追加

Thereafter, an LDD region is formed in a self-alignment manner by injecting an impurity element into a semiconductor layer through the region with the smaller thickness of the gate electrode. - 特許庁

半導体光学素子用樹脂レンズの製造方法において、キャビティ凹部を有する成形型の前記凹部に液状のレンズ用樹脂材料を充填し、少なくとも前記成形型のキャビティ凹部に充填されたレンズ用樹脂材料の表面を覆うように薄片材で蓋をし、次いで前記樹脂材料を加熱して硬化させることによって、レンズ用樹脂材料の加熱硬化時の収縮によるひけ又は気泡の混入などを原因とする欠損の発生を防止しすることができる。例文帳に追加

The defect formation due to sinking or air bubble inclusion caused by the contraction of the resin material for lens can be prevented by filling a liquid resin material for lens into a depression of a form block with a cavity depression, covering at least the surface of the resin material for lens filled into the cavity depression of the form block so as to shroud with a flake member, and heating and curing the resin material. - 特許庁

少なくとも基材上に透明導電層、色素を吸着させた多孔質の金属酸化物半導体層、電荷輸送層、導電性触媒層及び／又は導電層を順に形成してなる色素増感太陽電池において、前記基材の少なくとも片面に、無機化合物層及び水溶性高分子に、（ａ）1種以上の金属アルコキシド及びその加水分解物、（ｂ）または塩化錫、の少なくとも一方を含む被覆層が形成されてなることを特徴とする色素増感太陽電池。例文帳に追加

A covered layer containing at least either of (a) one kind or more of metal alkoxide and its hydrolyzed substance or (b) tin chloride in an inorganic compound layer and water soluble high polymer is formed on at least one face of the basic material in the dye-sensitized solar battery. - 特許庁

電子部品又は半導体部品を樹脂封止する際に端子部をマスキングするために貼着して使用されるマスキング用粘着テープにおいて、基材１の少なくとも片側に、粘着剤に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層３を１層以上と、その上層に熱膨張性微小球を含有しないか又はその含有量が前記熱膨張性層３より小さい粘着剤層４とを設けたことを特徴とする。例文帳に追加

In the adhesive tape adherently used for masking a terminal part of an electronic component or semiconductor component, one or more heat expanding layers 3 each having a thermal expansion minute ball in an adhesive agent are provided and an adhesive agent layer 4 having no thermal expansion minute ball or its content being smaller than that of the thermal expansion layer 3 on at least one side of a base 1. - 特許庁

紫外線照射を行なうことにより伸長可能とされた伸長テープ２３にウェハー２０を貼り付けるテープ貼り付け工程（ステップ３０）と、個片化された半導体チップを形成するためにウェーハ１０をフルダイシングするダイシング工程（ステップ３１）と、このダイシング工程が終了した後に伸長テープ２３に紫外線照射することにより伸長テープ２３を伸長させるテープ伸長工程（ステップ３２）と、テープ伸長工程が終了した後に伸長テープ２３にウェーハ２０の背面を研削するグラインディング工程（ステップ３３）とを有する。例文帳に追加

The method comprises step 30 of laminating a wafer onto an extension tape expandable by the ultraviolet irradiation, step 31 of full-dicing the wafer to form individualized semiconductor chips, step 32 of expanding the expansion tape by the ultraviolet irradiation after ending the dicing step, and step 33 of grinding the expansion tape to ground the back surface of the wafer after the tape expansion step. - 特許庁

半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。例文帳に追加

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening. - 特許庁

半導体基板と、この基板の片面に形成されたこれとは異なる導電型の高濃度ドーパント拡散層及びこの高濃度ドーパント拡散層よりもドーパント濃度が低い低濃度ドーパント拡散層を含む二段エミッタ層と、この二段エミッタ層の高濃度ドーパント拡散層と電気的に接続する略平行な複数の細線状の電極とを具備する太陽電池セルであって、上記高濃度ドーパント拡散層が、上記電極の形状に対応する細線状の形状を有し、この細線状高濃度ドーパント拡散層の長手方向に沿って幅方向片側又は両側に高濃度ドーパント拡散層が突出した突出部が複数個形成されてなることを特徴とする太陽電池セル。例文帳に追加

According to the present invention, even when displacement between a pattern of the high-concentration dopant diffusion layer in the two-stage emitter layer and a pattern of the electrodes arises more than a little in mass production, extreme degradation in photoelectronic conversion efficiency can be suppressed, and as a result, solar battery cells with high efficiency can be manufactured in high yield. - 特許庁