「半導体片」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体材料内にｐ−ｎ接合を形成させた後に主ボディと切離し片とが得られるように分離する。例文帳に追加

At first, p/n junction is formed in a semiconductor material and then separation is operated so that a main body 10 and a separated piece 9 can be obtained. - 特許庁

半導体ウェーハＷを片面持ちではなく、両面持ちで密着保持することができるので、作業の迅速化が期待できる。例文帳に追加

Since the semiconductor wafers W can be held tightly not at one side but at both sides, the speeding up of work is expectable. - 特許庁

マトリクス基板１Ｂに搭載した複数の半導体チップを一括して樹脂封止した後、マトリクス基板１Ｂを複数の個片に分割することによって複数の樹脂封止型半導体装置を得る工程を含み、マトリクス基板１Ｂを複数の個片に分割する工程に先立って、樹脂封止型半導体装置のそれぞれにアドレス情報パターン８を付与する。例文帳に追加

This method is provided with a process for providing a plurality of resin sealed semiconductor devices by simultaneously sealing the plurality of semiconductor chips packaged on a matrix board 1B with resins and dividing the matrix board 1B a plurality of chips later, before the process for dividing the matrix board 1B into a plurality of chips, an address information pattern 8 is applied to each of resin sealed semiconductor devices. - 特許庁

このような保護層６は、個片化された半導体基板２を覆うように保護層を構成する材料１６を塗布したのち、個片化された半導体基板２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を用いて基台１１上の半導体基板２が凹部１８内に入るように基台１１との間でプレス加工することにより製造することができる。例文帳に追加

The protective layer 6 like this can be manufactured by applying a material 16 comprising the protective layer so as to cover the discretely divided semiconductor substrate 2, and then by press processing the semiconductor substrate 2 between bases 11 so that the semiconductor substrate 2 on the base 11 is entered into a concave part 18 with the use of a press mold 17 having the concave part 18 corresponding to the discretely divided semiconductor substrate 2. - 特許庁

この半導体用フィルム１０は、接着層３の支持フィルムとは反対側の面に半導体ウエハー７を貼着し、この状態で半導体ウエハー７および接着層３を切断して個片化し、得られた個片８３を支持フィルム４を介して少なくとも１本の突き上げピンにより突き上げつつ支持フィルム４からピックアップする際に用いるものである。例文帳に追加

The film 10 for a semiconductor is used by pasting a semiconductor wafer 7 on the surface opposite to the support film of the adhesive layer 3, and cutting and segmenting the semiconductor wafer 7 and the adhesive layer 3 in this state into individual pieces, and poking up the obtained individual piece 83 through the support film 4 with one poking-up pin and picking up the individual piece 83 from the support film 4. - 特許庁

細幅リール状接着剤フィルムの作製時および個片としたフィルムを支持部材に接着する前に剥離基材が剥がれず、個片としたフィルムを支持部材に接着したのち、剥離基材を粘着テープ等で剥離ができる半導体用接着フィルム、及びそれを用いた半導体チップ搭載用基板と半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor adhering film, a semiconductor chip mounting substrate and a semiconductor device using the film having a peel base which is not peeled off at manufacturing a narrow reel-like adhesive film and before adhering cut pieces of film to a support, but peeled by an adhesive tape, etc. after adhering the pieces of film to the support. - 特許庁

集積回路が形成された表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有する半導体ウエハの、前記表面を樹脂にて封止した後に個片の前記半導体チップ領域に分割するチップサイズパッケージの製造方法において、前記半導体ウエハの前記裏面に補強板５０を設けた後に個片に分割する工程を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing a chip size package by resin sealing the front surface of a semiconductor wafer having a front surface on which an integrated circuit is formed and a rear surface on the opposite side and then dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chip regions comprises a step for providing a reinforcing plate 50 on the rear surface of the semiconductor wafer before it is segmented into individual pieces. - 特許庁

簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。例文帳に追加

To provide a sample stage for a focused ion beam processing device, using an easy method for inexpensively making a plane-observed semiconductor thin sample, and to provide a method using the same for making the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample. - 特許庁

データバス１と第１のＮＭＯＳトランジスタ１２の間に、ゲート及びその片方の半導体領域を接続した第２のＮＭＯＳトランジスタ１３を配置し、そのトランジスタのもう片方の半導体領域には抵抗分割によって電源電圧よりも低い電位にする。例文帳に追加

A second NMOS transistor 13 whose gate and one side of semiconductor area are connected is arranged between the date bus 1 and the first NMOS transistor 12, and the potential of the other semiconductor area of the transistor 13 is set lower than the power supply voltage by a divided resistor. - 特許庁

梁状に加工した半導体薄膜としてＩｎＡｓ薄膜２を備え、ＩｎＡｓ薄膜２によって形成される片持ち梁１１の弾性的な変形を検出することにより、片持ち梁１１に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体力検出装置である。例文帳に追加

The semiconductor force detecting device is mechanical, and equipped with an InAs thin film 2 as a semiconductor thin film that is processed into a beam shape, and is capable of detecting minute forces applied to the cantilever beam 11 with high sensitivity, by detecting the elastic deformation of the cantilever beam 11 formed of the InAs thin film 2. - 特許庁

少なくとも片面に機能素子が形成された半導体ウエハの、少なくとも片面に、厚さ１．５〜１２５μｍのポリベンゾアゾールフィルムが厚さ１〜４０μｍの接着剤層を介してラミネートされていることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device is characterized by that a polybenzoazole film with a thickness of 1.5-125 μm laminated via an adhesive layer with a thickness of 1-40 μm on at least one of surfaces of a semiconductor wafer having a functional element formed on at least one of its surfaces. - 特許庁

少なくとも片面に機能素子が形成された半導体ウエハの少なくとも片面に、引張弾性率が４ＧＰａ以上、線膨張係数が２５ｐｐｍ以下、吸湿膨張係数が３５ｐｐｍ以下のポリイミド層を直接形成した半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device is so formed on at least a single-sized surface of a semiconductor wafer wherein the polyimide layer having a tensile elastic modulus not smaller than 4 GPa, a linear expansion coefficient not larger than 25 ppm, and a moisture absorbing expansion coefficient not larger than 35 ppm is formed directly as to form its functional elements on at least a single-sized surface of the semiconductor wafer. - 特許庁

本発明は、金属フレームを有する半導体素子を一括封止した後に、成形品をカットして個片化する抵抗が低く、個片化が容易で、刃の摩耗が少ないことを特徴とする樹脂組成物並びに半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition giving such semiconductor devices that make less resistance against being cut off and separated from each other, when the devices are produced after integrally sealing semiconductor elements having metal frames by using the composition, therefore are easily separated from each other, and make cutter blades less abraded, and to provide the semiconductor device by using the composition. - 特許庁

上記キットは、半導体層を形成すべき領域以外の領域にマスキングされている導電層が片面に形成された第一の樹脂基板、導電層が片面に形成された第二の樹脂基板、半導体粒子、電解質溶液およびシール剤を含む。例文帳に追加

The kit includes: a first resin substrate where a conductive layer overlaid on a region other than a region for forming a semiconductor layer therein is formed on one surface thereof; a second resin substrate with a conductive layer formed on one surface thereof; semiconductor particles; an electrolyte solution; and a sealing agent. - 特許庁

半導体集積回路が各々入るポケットをを設けた治具５の上面にウェハー２を載せ、吸着ノズル６を上昇させ半導体集積回路個片を吸着固定し、カッターブレード１を回転させながらウェハー２に押し当て、矢印方向に走行させることにより切断し、ウェハー２を切断し終えると吸着ノズル６は下降し吸着されたウェハー２の半導体集積回路個片も同時に下降し、ポケット５ａに収納され、この切断された半導体集積回路個片を吸着保持しながら治具搬送される。例文帳に追加

After the wafers 2 are cut, the suction nozzle 6 is moved down to lower the sucked semiconductor integrated circuit pieces of the wafers 2 at the same time, and the cut semiconductor circuit pieces are put in the pockets 5a and carried by the jig, while being sucked and held. - 特許庁

容器本体内にロボットハンドを進入させて半導体ウェーハ１の下方に位置させ、ロボットハンドを容器本体の正面方向に向け斜め上方に移動させつつ半導体ウェーハ１を容器本体の支持片１２から持ち上げ、ロボットハンド上に半導体ウェーハ１を吸着して後退させる。例文帳に追加

A robot hand is entered in the container body and positioned below the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 is lifted from a support piece 12 of the container body while moving the robot hand obliquely upward in the front direction of the container body, and the semiconductor wafer 1 is sucked and retracted onto the robot hand. - 特許庁

十分な粘着性を有すると共に、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップが容易にできるダイシングテープ、これを備えるダイボンディングフィルム一体型接着シート、並びにこれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a dicing tape having sufficient adhesion properties, in which easy pick up of a diced semiconductor chip with a die bonding film is performed, and also to provide die bonding film integrated adhesive sheet provided with the tape, and a semiconductor device and a method of manufacturing the device, using the tape and the sheet. - 特許庁

基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層が積層された半導体ウエハ加工用接着テープであって、該接着テープの幅が、該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きく、このテープ幅でロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープ。例文帳に追加

The adhesive tape for semiconductor wafer processing includes at least an adhesive layer for circuit member connection laminated on a base film, and has a width which is ≥3 mm larger, per one side, than the width of the semiconductor wafer on which the adhesive tape is stuck on each side, and is wound in a roll shape to the width. - 特許庁

半導体ウェハ２０表面に貼り付けて半導体ウェハ２０を保持保護するための粘着シート１０であって、基材層１２の片面に、粘着剤層１１が配置されており、粘着層１１の厚みが、４〜４２μｍであり、かつ２５℃における弾性率が０．５〜９ＭＰａである半導体ウェハ保持保護用粘着シート。例文帳に追加

In this adhesive sheet 10 for holding and protecting a semiconductor wafer 20 by being stuck to a surface of the semiconductor wafer 20, an adhesive layer 11 is arranged on one side of a base film 12; the adhesive layer 11 has a thickness of 4-42 μm; and an elastic modulus thereof at 25°C is 0.5-9 MPa. - 特許庁

加熱により溶けて光の反射状態を変化させる物質を、半導体チップ１１の少なくとも片面に塗る塗布手段１３と、前記半導体チップ１１の物質塗布面を観察する光学顕微鏡１２と、この光学顕微鏡１２に電気的に接続された画像処理装置１４とを具備することを特徴とする半導体チップの漏洩電流箇所の検出装置。例文帳に追加

This detection device of the leakage current spot of a semiconductor chip is characterized by being equipped with an application means 13 for applying a material melting by heat and changing the reflection state of light on at least one side of the semiconductor chip 11, an optical microscope 12 for observing the material applied surface of the semiconductor chip 11, and an image processing device 14 electrically connected to the optical microscope 12. - 特許庁

島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lのソース側かドレイン側のどちらか片側において、ゲート電極ＧＴを該島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの輪郭に沿って切れ目なく延長させて分岐閉路ＤＥＴを設け、サブチャネルとなる島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの端部の電流成分経路を無くす。例文帳に追加

In either one side of the source side or the drain side of the island-type semiconductor thin film SEMI-l; a branch closed circuit DET is provided by extending a gate electrode GT endlessly along the profile of the island-type semiconductor thin film SEMI-l, to eliminate the current component route at the end of the island-type semiconductor thin film SEMI-l which will become a sub channel. - 特許庁

有機半導体素子はソース電極及びドレイン電極間に挟持されかつキャリア移動性を有する有機半導体層を備え、さらに、有機半導体層に包埋されかつソース電極及びドレイン電極間に離間して並設された少なくとも２つの平面の各々に配置されかつ膜厚方向において配置された少なくとも２つの中間電極片からなるゲート電極を有する。例文帳に追加

The organic semiconductor device is equipped with an organic semiconductor layer, where carriers are high in mobility and which is pinched between a source electrode and a drain electrode and a gate electrode composed of, at least two intermediate electrode pieces which are enveloped in the organic semiconductor layer and arranged on, at least, two planes provided between the source electrode and the drain electrode juxtaposed as separate from each other. - 特許庁

金属配線２１の形成工程と同時形成された第１のマーク１９が、ダイシングにより個片化された半導体装置２６の互いに平行な２つの側面、または１つの側面に一部が矩形状に露出されて、小型の半導体装置における半導体装置の方向及び製品情報の識別を可能とする。例文帳に追加

Part of a first mark 19 formed concurrently in a process of forming a metallic wire 21 is exposed in a rectangular shape, in two parallel side faces or one side face of the semiconductor device 26 separated into an individual piece by dicing, thereby enabling orientation of the semiconductor device and the product information to be identified in the compact semiconductor device. - 特許庁

キャリアフィルムを接着剤にコーティングしキャリアフィルムとともに接着剤をウエハーに貼り付けし、さらにキャリアフィルムとともにダイシングシート６に貼り付け半導体素子に個片化後、キャリアフィルムと接着剤層間で剥離させて半導体素子と半導体素子搭載用支持部材８とを接合する。例文帳に追加

The adhesive is coated with a carrier film for applying the adhesive to the wafer together with the carrier film, further applying it to a dicing sheet 6 together with the carrier film for being broken into pieces of semiconductor elements, and separating the carrier film and an adhesive layer for joining the semiconductor element and the support member 8 for mounting the semiconductor element. - 特許庁

半導体装置の製造工程において配線基板を個片分割する際に、配線基板にクラックが発生又は進展することを抑制して配線基板の断線を防止することにより、品質の向上を図ることができる半導体装置及び当該半導体装置を効率よく製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is improved in quality by preventing a wiring board from having a disconnection by suppressing cracking of the wiring board or development thereof when the wiring board is divided into individual pieces in a process of manufacturing the semiconductor device, and to provide a method of efficiently manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。例文帳に追加

The semiconductor chip with the coating film obtained by applying the sealing resin composition on the surface provided with the solder bump of a semiconductor wafer provided with the solder bump by a spin coating method to make a B-stage, and cutting the semiconductor wafer into individual pieces, is flip chip-mounted on the substrate through the solder bump, thereby the sealing resin layer is formed by the applied film. - 特許庁

リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置において、樹脂封止体の側面に出ているリードフレームの形状を変形することによりバリがなく、バリ取り工程を簡略化して製造可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device constituted of power semiconductor elements in which lead frames and a plurality of pads are arranged, bumps for electrically connecting them and a resin sealing body for carrying out one side sealing of them and a method for manufacturing the semiconductor device by simplifying a burr removing process without generating any burr by deforming the shape of the lead frame projected on the side face of the resin sealing body. - 特許庁

基板１の片面上に半導体チップ２が搭載されるとともに該半導体チップから配線が基板周縁にかけて施されたパッケージが複数個、上下に積み重ねられてなり、かつ、各パッケージの基板周縁の配線端部どうしが導電ペーストを硬化させたもの３により電気的かつ物理的に接続されていることを特徴とするスタック型半導体パッケージ。例文帳に追加

A stacked semiconductor package comprises a plurality of packages are stacked vertically, each having a semiconductor chip 2 mounted on one surface of a substrate 1 and a wiring extending from the semiconductor chip 2 to the peripheral edge of the substrate 1, and the wiring ends at the substrate peripheral edge of each package are connected electrically and physically to each other through hardened pieces 3 of conductive paste. - 特許庁

第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極及びｐ側電極３５と配線基板１に形成された電極パターン３とを、第１半導体発光素子群１０の片側でワイヤボンディングする。例文帳に追加

An n-side electrode and a p-side electrode 35 of a first semiconductor light emitting element 11 to which an n-side electrode 34 and a p-side electrode 35 of a second semiconductor light emitting element 21 are not connected, and an electrode pattern 3 formed on the wiring board 1 are wire-bonded on one side of the first semiconductor light emitting element group 10. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、（ａ）エネルギー４４が加えられることによって被着体から自ら剥がれる性質を有する自己剥離型の粘着材２８が設けられたベース基材２６に、粘着材２８によって貼り付けられた半導体基板１１を、複数の半導体チップ１２に個片にすること、（ｂ）エネルギー４４を粘着材２８に加えること、を含む。例文帳に追加

A process for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for segmenting a semiconductor substrate 11 pasted by an adhesive 28 to a base substrate 26 provided with the adhesive 28 having a self-stripping property when energy 44 is applied, into a plurality of semiconductor chips 12, and a step (b) for applying the energy 44 to the adhesive 28. - 特許庁

ステッパーによりウエハを露光した場合においても、当該ウエハを個片化して得られた、ガラス基板で封止された半導体チップの製造歩留まりを向上させ、また、当該半導体チップを含む半導体装置の障害発生を減少させてその信頼性を向上させることができる接合ウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fabrication method of a joined wafer, which improves production yields of semiconductor chips sealed with a glass substrate into which the wafer is divided after exposed by a stepper, and reduces the occurrence of a failure in semiconductor devices comprising the semiconductor chips, thus improving their reliability. - 特許庁

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。例文帳に追加

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide. - 特許庁

窒化物系半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１１−２０）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１４を備える構成とする。例文帳に追加

The nitride system semiconductor laser element 100 comprises: the nitride semiconductor substrate 101 having a main surface of (11-20) surface; a resonator end surface orthogonal to the main surface; and an excavating part 114 as an excavating region for opening to the surface of the nitride semiconductor layer at least at one side of a stripe-shaped waveguide on a cleaving surface comprising the resonator end surface. - 特許庁

半導体パッケージ基板において、バンプ付き片面基板をレイアップし、電解ニッケル金メッキを付け、外部端子をエッチングマスクとし銅箔をエッチングすることで、半導体パッケージを製造することで、安価に製造でき、ボンディング特性が安定し、高周波特性の良い半導体パッケージを提供できる。例文帳に追加

A semiconductor package of the semiconductor package base board is manufactured by laying up a one-side base board with a dump and applying electrolytic nickel plating, then, etching copper foil while employing an outer terminal as an etching mask, whereby the semiconductor package base board manufactured inexpensively and having stabilized bonding characteristics and excellent high-frequency characteristics is provided. - 特許庁

ウェハーレベルパッケージの低コストのため、半導体ウェハーをチップに分割する前に、ウェハー上で一括して、再配線用回路を形成し、ワイヤーボンドし、その後にダイシングして、各チップを個片化する、半導体装置の製造方法を実現する。例文帳に追加

To realize the manufacturing method of a semiconductor device collectively forming a re-wiring circuit on a wafer, performing wire bonding, thereafter performing dicing, and dividing each chip into pieces before dividing the semiconductor wafer into the chips for the low cost of a wafer level package. - 特許庁

本製造方法は、第１の面及び第１の面に対向する第２の面を有する化合物半導体基板と、第２の面に金設けられた金属膜とを備えるウエハから第１のブレード及び第２のブレードを用いて半導体装置を個片化する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor device is made an individual chip by using a wafer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and with a metal film arranged on the second surface. - 特許庁

エキスパンド工程において、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げることが可能で、半導体ウエハをチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力を得ることが可能なウエハ加工用テープを提供する。例文帳に追加

To provide a wafer processing tape with which intervals between semiconductor chips as individual pieces can be widened uniformly and sufficiently, and expanding force which is large enough to part a semiconductor wafer into chips can be obtained in an expand step. - 特許庁

その後、あるいは研磨した表面を保護用フィルムで被覆した後、隣接する半導体素子間の研磨した封止樹脂と実装基板、あるいはさらに保護用フィルムを切断して個片化し、ほぼ直方体形状の半導体装置を形成する。例文帳に追加

Thereafter, or after the polished surface is covered with a protection film, the almost rectangular parallelopiped semiconductor device is formed by cutting into pieces the polished sealing resin provided between adjacent semiconductor elements and mounting substrate or the protection film. - 特許庁

基材フィルム（１）の少なくとも片面に粘着剤層（２）を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ^3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。例文帳に追加

In the adhesive sheet for semiconductor processing having an adhesive layer (2) on at least one surface of a base film (1), the base film contains polyethylene having a density of 0.915 g/cm^3 or lower. - 特許庁

回路面上に電極が形成された半導体デバイス６と、配線パターンの片面又は両面に熱可塑性絶縁樹脂層を有する可撓性基板１０１と、半導体デバイス６の周囲に配置された少なくとも１つの挿入基板２０１とを備えている。例文帳に追加

The package comprises a semiconductor device 6 in which electrodes are formed on a circuit plane, a flexible substrate 101 having thermoplastic insulating resin layers on one or both sides of a wiring pattern, and at least one of insertion substrate 201 arranged around the semiconductor device 6. - 特許庁

半導体ウエハの回路面側にダイシングシートを貼付し、シート側からの短波長のレーザー光照射によりウエハを回路毎に個片化し、半導体チップを作成する際に使用されるレーザーダイシングシートを提供すること。例文帳に追加

To provide a laser dicing sheet to be used in the production of semiconductor chips, wherein the dicing sheet is stuck to a circuit surface side of a semiconductor wafer and the wafer is divided to individual pieces for every circuit by the irradiation of laser beam of a short wavelength from the sheet side. - 特許庁

本発明の半導体装置は、半導体基板上の配線層に形成された実配線と、配線層の実配線の存在しない領域に、所定形状の複数の配線片を繰り返し配列して形成されたダミーパターンとを備えている。例文帳に追加

This semiconductor device is equipped with actual wiring formed on a wiring layer on a semiconductor substrate and a dummy pattern composed of wiring pieces which have the prescribed shape and are cyclically arranged in a region where no actual wiring of the wiring layer resides. - 特許庁

個片化された半導体ウェーハ１に接着された粘着性テープ２４を剥離する剥離機構であって、粘着性テープ２４の剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリア２−１〜２−７に分離された多孔質材２で前記半導体ウェーハ側を吸着固定する特徴としている。例文帳に追加

A peeling mechanism which peels an adhesive tape 24 stuck to a single semiconductor wafer 1 fixes the wafer 1 through adsorption by means of a porous material 2 separated into at least two adsorption region 2-1 to 2-7 in the peeling direction of the tape 24. - 特許庁

窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体の片面または内部に発熱体が形成されてなる半導体製品加熱用ヒータであって、板状体表面の少なくとも一部に保護層が形成されてなる半導体製品加熱用ヒータ。例文帳に追加

In a heater for heating semiconductor product where a heating element is formed on one side face or in a planar body of nitride ceramic or carbide ceramic, a protection layer is formed on at least a part of the surface of the planar body. - 特許庁

本製造方法では、補強テープ１０を半導体チップ間で切断するときに、個片化された半導体チップ５を、表面保護テープ８と補強テープ１０とに挟まれた状態としている（切断すべき補強テープ１０を外側に露出させている）。例文帳に追加

When a reinforcing tape 10 is cut between semiconductor chips, each segmented semiconductor chip 5 is sandwiched between a surface protection tape 8 and a reinforcing tape 10 (the reinforcing tape 10 to be cut is exposed to the outside). - 特許庁