「半導体片」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

ＺｎＯ系結晶等の比較的モース硬度の低いウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体装置をウエハ状態からチップ状態に個片化する際にチッピングや不正劈開の発生を防止して、高歩留りで素子分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents an outbreak of a chipping or unauthorized cleavage and makes an element separation at a high yield when the semiconductor device having a wurtzite type crystal structure having relatively low Mohs hardness such as a ZnO-based crystal and the like is cut into individual pieces from a wafer state to a chip state. - 特許庁

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。例文帳に追加

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system. - 特許庁

また、半導体装置１の製造工程では、プリント配線基板２が複数個連なって形成された多数個取り基板をキャリア治具の一種であるリング状のフレームに貼り付けられた粘着シートに接着して基板反りを矯正しながら、ダイボンド、ワイヤボンディング、樹脂封止、はんだバンプ７の形成、ならびに半導体装置１の個片化を行う。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device 1 comprises the steps of: adhering a multi-chip board composed of a plurality of printed wiring boards 2 connected in series to an adhesive sheet pasted to a ring-like frame, one of carrier jigs; straightening the board; die bonding; wire bonding; resin sealing; forming solder bumps 7; and cutting the board into individual semiconductor devices 1. - 特許庁

支持体の少なくとも片面に帯電防止層を有する帯電防止型光学フィルムであって、該帯電防止層が化合物半導体および化合物半導体を溶解する溶媒を含有する溶液を、該溶液により膨潤される支持体上に、塗布および乾燥させることにより形成される層であることを特徴とする帯電防止型光学フィルム。例文帳に追加

The antistatic optical film has an antistatic layer on at least one surface of a support, wherein the antistatic layer is formed by applying a solution containing a compound semiconductor and a solvent that dissolves the compound semiconductor on a support that is swollen by the solution, and drying the solution. - 特許庁

粉塵付着やチッピング片の付着によるボンディング性の低下、金属バリによるパターン間ショートや層間絶縁低下など、品質上の間題を解消したガラス繊維とエポキシ樹脂からなる基材を使用する、半導体素子や電子部品の搭載密度の高い半導体装置用基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for a semiconductor device for which problems of quality such as the decline of a bonding property due to dust sticking and sticking of chipping pieces and inter-layer short-circuits and inter-layer insulation decline due to metal burrs are dissolved, a base material composed of glass fibers and an epoxy resin is used and the loading density of a semiconductor element and electronic parts is high. - 特許庁

基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０^７〜１×１０^１０Ｐａの範囲にある樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。例文帳に追加

The adhesive film for the surface protection of a semiconductor wafer has an adhesive agent layer formed on one surface of a substrate film comprising a resin layer having a storage modulus in a range of 1×10^7-1×10^10 Pa at least at 23-200°C and a resin layer having residual stress after 30 sec of 0.5(%) or less at 120°C. - 特許庁

半導体チップ１０の電極パッド１が形成されている面に、電極パッド１と接続した金属薄膜４を形成する工程と、金属薄膜４を互いに電気的に独立した複数の金属薄膜片に分割するように、金属薄膜４を物理的に切断する工程とから半導体装置を製造する。例文帳に追加

The semiconductor apparatus is manufactured by a process of forming a metal thin film 4 connected with an electrode pad 1 on a face where the electrode pad 1 is formed of a semiconductor chip 10 and a process of physically cutting off the metal thin film 4 so as to divide the metal thin film 4 into a plurality of metal thin film pieces electrically independent from each other. - 特許庁

本発明に係る表面保護用シート１０は、半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いられるものであって、 基材シート１の片面に、貼付する半導体ウエハの外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部３と、その外周に形成された粘着剤層２が形成されている部分とが設けられてなることを特徴としている。例文帳に追加

The surface protection sheet 10 is used when the rear surface of a semiconductor wafer is ground, and it is provided with an opening 3 on one surface of a substrate sheet 1 wherein no adhesive agent layer smaller in diameter than the outside diameter of the semiconductor wafer to be adhered and a section where an adhesive agent layer 2 formed around its outer circumference is formed. - 特許庁

このバンプレス半導体装置は、（ａ）平板の片面に導電性粒子を静電気的に吸着させ、（ｂ）該バンプレス半導体装置の電極パッド面に、該平板の導電性粒子吸着面を重ねて超音波圧着することにより、導電性粒子を電極パッドに金属結合させて該平板から電極パッドに転着させることにより製造できる。例文帳に追加

The bumpless semiconductor device can be fabricated by (a) attracting conductive particles electrostatically to one side of a plate, and (b) placing the conductive particle attracting plane of the plate upon the plane of electrode pad of the bumpless semiconductor device and bonding them ultrasonically thereby metallic bonding the conductive particles to the electrode pad and transferring the conductive particles from the plate to the electrode pad. - 特許庁

本発明は、有機エレクトロルミネセンス半導体素子の発光層内における電荷再結合バランスを取り、電流分布の片寄りをなくして、ホール注入層が電子により劣化することを防ぎ、ホスト層のホール移動度を改善し、ホスト層の酸化を防止して高出力で、長寿命で、高輝度な有機エレクトロルミネセンス半導体素子を提供することにある。例文帳に追加

To provide a high output, long lifetime, and high luminance organic electroluminescence semiconductor element by balancing charge recombination in the light emitting layer of the organic electroluminescence semiconductor element, and eliminating deviation in current distribution thereby preventing a hole injection layer from being deteriorated by electrons, improving hole mobility of a host layer and preventing oxidation of the host layer. - 特許庁

この発明は、外部ランドとフインガ—間の引き回し配線の長さの差を最小に構成した配線基板の片面に、センターパッド半導体チップ２個を裏面同士を重ねて固定し、各々のセンターパッドと対応するフィンガーとの間の接続を導電率の高い金属線で行ない、容量が２倍で、半導体装置の厚み寸法を薄くすることである。例文帳に追加

To reduce the thickness size of a semiconductor device, having twice the capacity by superposing and fixing two center pad semiconductor chips on the rear surfaces on one side surface of a circuit board constituted, so that the difference in the lengths of drawing-around wirings between an external land and a finger is minimal; and connecting the fingers corresponding to respective center pads with metal wirings have high conductivity. - 特許庁

板バネが半導体装置の樹脂ケース中央部を押圧するので、半導体装置の片側に機械的ストレスが集中することがなく、チップクラック等のトラブルを防止することができ、また、取り付けに際しては、棒状取り付け部材を挿入孔に押し込むなどの単純な動作だけで取り付けられる固定構造を提供する。例文帳に追加

To provide a fixing structure by which a trouble such as chip cracking can be prevented by making a plate spring press the center of the resin case of a semiconductor device to prevent the concentration of mechanical stress on one side of the semiconductor device, and by which the semiconductor device can be mounted only by simple work such as pushing a bar-like mounting member into an insertion hole at mounting. - 特許庁

ＭＣＰ１００において、ユニバーサルスペーサチップ片５０は、半導体チップ１２０上に配置したときに、当該半導体チップ１２０の上面からはみ出さないように、且つ、パッド１１２及び１３２の間隔に基づいて、ボンディングワイヤ１１４及びボンディングワイヤ１３４の配線長が最小となるように、構成される。例文帳に追加

In an MCP 100, a universal spacer chip piece 50 is structured in such a way that it does not overhangs the upper surface of a semiconductor chip 120 when it is arranged on the semiconductor chip 120, and that lengths of bonding wires 114 and bonding wires 134 are the minimum, respectively, based on a distance between pads 112 and 132. - 特許庁

半導体記憶装置１０は、一方の面に外部接続端子が設けられ、外部接続端子が設けられる領域と略同じ平面形状に個片化された有機基板１１と、有機基板１１に対して相対的に位置決めされた載置領域２１を有するリードフレーム１３と、載置領域２１に接着された半導体メモリチップ１５と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor storage device 10 comprises: an organic substrate 11 which has external connection terminals provided on one surface thereof and is divided into pieces having substantially the same plane shape as areas provided with the external connection terminals; a lead frame 13 positioned relative to the organic substrate 11 and having a mounting area 21; and a semiconductor memory chip 15 bonded to the mounting area 21. - 特許庁

本発明の表面保護用シートは、半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いる表面保護用シートであって、基材シートの片面に、貼付する半導体ウエハの外径よりも小径の熱可塑性接着剤が形成されていない開口部と、該開口部を囲繞する熱可塑性接着剤層を含む貼着部とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This surface protecting sheet, used in grinding the rear surface of the semiconductor wafer, has on one surface of a substrate sheet an opening portion having a diameter smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer to be pasted and having no thermoplastic adhesive formed thereon, and a pasting portion including a thermoplastic adhesive layer surrounding the opening portion. - 特許庁

ＩＶ）接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程を備える、半導体装置の製造方法に使用するダイシングテープであって、ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、工程ＩＶ）におけるダイシングテープと接着シートとの接着力が２０Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とするダイシングテープ。例文帳に追加

This dicing tape is used for this manufacturing method of a semiconductor device including a process (IV) of providing a plurality of segmented semiconductor chips with adhesive tapes by cutting the adhesive tapes, and characterized in that a yield point is not shown in tensile deformation of the dicing tape, and adhesive force between the dicing tape and the adhesive sheet is 20-100 N/m in the process (IV). - 特許庁

変形容易な絶縁フィルム１０の片面に薄膜配線パターン８を付けたＴＡＢテープ２０に、半導体チップ搭載用凹部２４を有する放熱板兼補強板たる金属製スティフナ４を貼り合わせ、そのスティフナ４の半導体チップ搭載用凹部２４の底部に、熱硬化性もしくは熱可塑性の高信頼性接着剤フィルム１２をあらかじめ貼り合わせる。例文帳に追加

In this semiconductor device, a metallic stiffener 4 which is a radiating plate serving also as a reinforcing plate having a semiconductor chip mounting recess is bonded to a TAB tape 20 formed by attaching a thin film interconnection pattern 8 to one surface of an easily deformable insulating film 10, and a thermosetting or thermoplastic highly reliable adhesive film 12 is bonded to the bottom of the semiconductor chip mounting recess of the stiffener 4 in advance. - 特許庁

片面プリント配線板の積層板に半導体チップを搭載し、該チップの電極と下面の電極とを接続する構造において、積層板には下面の電極の少なくとも一部分が露出するように設けた開口部を有するようにし、露出した電極と対応する半導体チップの電極とをボンディングワイヤにより接続する構成とした。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the semiconductor chip mounted on the laminate of a single-sided printed circuit board, and the electrodes of the chip connected to the electrode of the lower surface, in such a manner that the laminate has an opening provided to expose at least one part of the electrode of the lower surface and the exposed electrode is connected to the electrode of the corresponding chip via a bonding wire. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、バンプが形成された複数の半導体基板１それぞれを、予めミシン目２ｂが形成された配線基板２の表面に固定する工程と、ミシン目２ｂに沿って配線基板２を破断することにより、配線基板２を複数の個片に分割する工程と、を具備する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of fixing a plurality of semiconductor substrates 1 in which a bump is formed, to the front surface of the wiring board 2 in which a perforation line 2b is formed beforehand, and a step of dividing the wiring board 2 into a plurality of the pieces by fracturing the wiring board 2 along the perforation line 2b. - 特許庁

各アームに複数の半導体スイッチングデバイスを備え、入力直流電圧を任意の周波数の交流電圧に変換する電力変換回路であって、入力直流電圧を半分の電圧に分割する電圧中点と、半導体スイッチングデバイスの片側アームの中点との間に、逆阻止能力を有す双方向スイッチを接続する。例文帳に追加

In the power inverter circuit that has a plurality of semiconductor switching devices on each arm and converts an input DC voltage into an AC voltage of any given frequency, a bidirectional switch having reverse blocking capability is connected between a voltage midpoint that divides an input DC voltage in half and a midpoint of one side arm of the semiconductor switching device. - 特許庁

絶縁表面に略垂直に形成された厚さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の薄片状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆って形成されたストライプ状の幅１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のゲートを有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加

A field effect transistor includes: a thin oxide semiconductor with a thickness of 1 nm or more and 30 nm or less formed approximately perpendicular to an insulation surface; a gate insulation film formed covering the oxide semiconductor; and stripe-shaped gates each with a width of 10 nm or more and 100 nm or less formed covering the gate insulation film. - 特許庁

また、半導体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載しており、インターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有する。例文帳に追加

Further, the semiconductor package has a semiconductor element mounted on the interposer, and the method of manufacturing the interposer includes a step of forming the conductor pattern on a metal foil of the prepreg formed by bonding the metal foil to the one surface by etching and a step of forming the coating layer so as to cover at least the part of the conductor pattern. - 特許庁

封止成形時においては、ゲルタイムが短く、かつ溶融粘度が小さいものであり、また硬化後においては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高く、かつ線膨張係数（α１）が半導体素子及び半導体素子搭載用基板の線膨張係数（α１）に近いものである片面封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for single-side sealing use, exhibiting a short gel time and low melt viscosity in sealing and giving a cured product having high glass transition temperature (Tg) and a linear expansion coefficient (α1) close to the linear expansion coefficient (α1) of a semiconductor element and a substrate for mounting the semiconductor element. - 特許庁

フリップチップ実装体の樹脂封止方法は、フリップチップ実装体に印刷マスクを重ね合わせて配線基板上の半導体チップの周囲に封止樹脂を印刷注入するフリップチップ実装体の樹脂封止方法において、前記配線基板と半導体チップの隙間に浸透させる封止樹脂で前記隙間内の空気を前記チップの片側から追い出すようにする。例文帳に追加

In this resin-sealing method of the flip-chip package where the print mask is overlapped to the flip-chip packaging body, and a sealing resin is subjected to print injection around a semiconductor chip on a wiring board, air inside clearance is discharged from one side of the chip by the sealing resin that is permeated to the clearance between the wiring board and semiconductor chip. - 特許庁

このメカニカル検出器は、片持ち梁２１を構成する半導体材料２１Ａからの透過スペクトルの変化から、片持ち梁２１の弾性的な変形を検出する検出手段（波長可変レーザー光源２２、光検出器２３）を有する。例文帳に追加

The mechanical detector comprises the detection means (wave length variable laser light source 22, optical detector 23) for detecting the elastic deformation of the cantilever 21 from the variation of the transmitted spectrum from a semiconductor material 21A of the cantilever 21. - 特許庁

半導体物質中金の微粉末と白金などの触媒金属の微粉末を担持させてなるシート片の３一方の面に磁気発生装置４を付設して磁気発生装置の磁力線がこのシート片３を通って外部に放出されるようにする。例文帳に追加

A magnetism generating device 4 is disposed on one surface of a seat piece 3 carrying gold micro powder and catalyst metal micro powder of platinum or the like in semiconductor material to release magnetic flux of the magnetism generating device through the seat piece 3. - 特許庁

回路基板の回路パターン上に短絡片を半田付けし、その短絡片上にボンディングワイヤーを接合した構成の半導体装置の、ボンディングワイヤーの接合不良率を低減し、安定したワイヤーボンディングをおこなうこと。例文帳に追加

To stably perform wire bonding by reducing a connecting defective ratio of a bonding wire of a semiconductor device of a constitution for soldering a short circuit piece onto a circuit pattern of a circuit substrate and connecting the wire onto the short circuit piece. - 特許庁

反りが少なくて、且つ、耐リフロー性に優れる片面封止型のパッケージが得られる封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること、及びその封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されている反りが少なくて、且つ、耐リフロー性に優れる片面封止型半導体装置をを提供すること。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for sealing that can give a one-face sealing type package with reduced warpage and excellent reflow crack resistance and provide a one-face sealing type semiconductor device of reduced warpage and excellent reflow crack resistance that is sealed by using this epoxy resin for sealing. - 特許庁

第１基材フィルムの片面に、剥離可能に調整されている、ウエハ貼付用の第１粘着剤層が積層されており、かつ第１基材フィルムの他の片面には、剥離可能に積層されている少なくとも１つの第２基材フィルムを有することを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。例文帳に追加

The protective sheet for processing the semiconductor wafer is characterized by being laminated, on one side of a first substrate film, with a peelably-controlled first adhesive layer for adhering the wafer and, on the other side of the first substrate film, having at least one second substrate film peelably laminated. - 特許庁

本発明は、ステージ２に複数のコンタクトピン４を設けると共に、可動するコンタクト片５Ｆ、５Ｓによりコンタクトピン４を選択的に押圧し、このコンタクト片５Ｆ、５Ｓに対応する特定部位でコンタクトピン４を半導体ウエハの裏面に当接させる。例文帳に追加

A plurality of contact pins 4 are provided on a stage 2 and are selectively depressed by movable contact pieces 5F, 5S, so that contact pins 4 abut at the rear surface of the semiconductor wafer at specified positions corresponding to the contact pieces 5F, 5S. - 特許庁

集束イオンビーム２で薄膜加工した半導体ウェーハの微細試料片３を摘出するために、搬送手段７に設けられた保持手段先端部９を試料片３に接触させ、接触面の表面活性化による原子間結合を利用して両者を接合して、取り出す。例文帳に追加

To extract a minute sample piece 3 of a semi-conductor wafer thin film processed by a focused ion beam 2, the distal end 9 of a supporting means provided on a transfer means 7 is brought into contact with the minute sample piece 3, and the sample connected to the end making use of the interatomicbonds caused by surface activation of the contact surface is extracted. - 特許庁

電源モジュール６２は、切欠部９１に挿通されて回路基板ユニット６１を支持し半導体素子７７とは電気的に接続された導電性の突出片１０１と、突出片１０１を保持する絶縁性の主体部６５とを含む。例文帳に追加

A power supply module 62 includes a conductive projection piece 101 inserted into the notch 91 in order to support the circuit board unit 61 and connected electrically with the semiconductor element 77, and an insulating main body 65 which holds the projection piece 101. - 特許庁

損失線路部品４２は、プレーン片面銅張り基板と１本以上のストリップ導体が形成されているストリップ銅張り片面基板と絶縁層に挟まれた半導体層または高損失誘電体とから構成されて外装樹脂で封止されている。例文帳に追加

A lossy line component 42 is composed of a plane substrate whose one side is clad with copper, a strip substrate whose one side is clad with copper, in which one or more strip conductors are formed, and a semiconductor layer or a high-loss dielectric held between insulating layers, and is sealed with an exterior resin. - 特許庁

このとき、半導体基体表面に残存するパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂの底面部のＳｉＮ膜１２が横方向からエッチング除去され、これらのパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂはその足場を掬われるようにして除去される。例文帳に追加

Here, particles 14 and 20, remaining on the surface of a semiconductor base body and an SiN film 12 at the bottom surface part of a polysilicon fragment 18b, are etching-removed from lateral direction, allowing the particles 14 and 20 and polysilicon fragment 18b to be bitten at roots and removed. - 特許庁

配線基板に搭載された複数の半導体チップを一括して封止している樹脂を加熱する際に該樹脂の上に搭載される冶具であって、枠部と、枠部に着脱可能に保持された複数の加重個片とを有し、複数の加重個片には、相対的に熱伝導率が小さな第１の加重個片と、相対的に熱伝導率が大きな第２の加重個片が１つ以上含まれている。例文帳に追加

A jig is mounted on a resin when heating the resin which seals a plurality of semiconductor chips mounted on a wiring board in a lump, and has a frame portion and a plurality of weighting individual pieces held detachably in the frame portion, wherein the plurality of weighting individual pieces includes at least one first weighting individual piece which has a relatively small thermal conductivity, and at least one a second weighting individual piece which has a relatively large thermal conductivity. - 特許庁

ワークを個片化する複数の加工ステージの一に前記ワークを載置するステップと、前記載置ステップで前記複数の加工ステージの一に載置された前記ワークを個片化するステップと、前記個片化ステップで個片化された前記ワークと、前記ワークを載置していない残る加工ステージとを同時に洗浄するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step to place a work on one stage of a plurality of processing stages for dicing of the work into pieces, a step to dice the work placed thereon in the previous step, and a step to clean the work pieces diced in the previous step as well as the other stages wherein no work is placed at the same time. - 特許庁

放射線検出用の半導体結晶１の両面に設けられた電極膜Ａと、両面または片面に設けられた電極膜Ａを機械的切削による切削溝３によって縦横に分割して形成されてなる複数のピクセル電極２とを備える。例文帳に追加

A semiconductor radiation detecting element is provided with an electrode film A arranged on both surfaces or one surface of a semiconductor crystal 1 for detecting radiation, and a plurality of pixel electrodes 2 formed by dividing the electrode film A lengthwise and crosswise with mechanically cut grooves 3. - 特許庁

半導体チップ搭載用テープキャリア基材を、ポリイミドフィルムに導電性のある被膜を形成し、その上に湿式銅めっきを片面、または両面に施し、その後、物理的に銅表面を研磨し、更にその銅表面に化学研磨を行うことで製造する。例文帳に追加

The tape carrier base material for semiconductor chip mounting is formed by forming a conductive film in a polyimide film, applying wet-type copper plating to one surface or both surfaces thereof, a copper surface is thereafter physically polished and further chemically polished. - 特許庁

チップと、このチップの片面側に半田層１５，１７を介して夫々形成されたアノード電極１６及びカソード電極１８と、前記チップを樹脂封止する外囲器１９とを具備することを特徴とする樹脂封止型半導体素子。例文帳に追加

The resin encapsulated semiconductor device comprises a chip, an anode electrode 16 and a cathode electrode 18 formed on one side of the chip via solder layers 15, 17, respectively, and a package 19 for resin encapsulating the chip. - 特許庁

半導体素子２１１と回路基板２１５との電気的接続を、従来の配線用ワイヤに変えて突起電極２１２及び金属片２１４を使用することにより、浮遊インダクタンスや導通抵抗の低減を図ることができ、又、回路装置の小型化を図ることができる。例文帳に追加

The floating inductance, conduction resistance and the like can be reduced and the circuit device can be downsized by using protruded electrodes 212, metal pieces 214 and the like in place of conventional wires for electrical connection between the semiconductor elements 211 and a circuit board 215. - 特許庁

半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみを摘出、搬送、固定が可能で、特にマイクロマニピュレーションにおけるプローブ先端位置決めを容易にすることで自動化に適した試料作製装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sample preparation apparatus that can extract only the sample piece which includes a desired specific region from a semiconductor wafer and a device chip, can transfer and fix the piece, and in particular, is suitable for automation by facilitating probe tip positioning at micromanipulation. - 特許庁

薄型半導体パッケージであるＣＳＰなどのチップ４／接着剤／ポリイミドテープ等で積層されたテープに穴やスリットの打ち抜き加工やパッケージを個片化するために切断分離する際に、発生する切断屑を有効に抑制できる。例文帳に追加

The die can effectively reduce wastes generated when a tape laminated with those of a chip 4, such as a CSP, of a thin semiconductor package, an adhesive and a polyimide tape, etc., is punched with holes or slit or when the package is fragmented. - 特許庁

この構成では、薄片状の酸化物半導体の三方の面をゲートが覆うこととなるため、ソース、ドレインから注入される電子を効率的に排除し、ソースとドレインの間をほぼ空乏化領域とでき、オフ電流を低減できる。例文帳に追加

Since three faces of the thin oxide semiconductor are covered by the gates in this structure, electrons injected from a source and a drain can be effectively eliminated and the space between the source and the drain can be made substantially a depletion region, thereby reducing the off current. - 特許庁

ダイシングライン１７に沿って分割された保護シート８９上の半導体固片９０群を対象とし、それらのダイシング加工した側面を少なくとも含む機械加工面９０ａ、９０ｂにつき、ダメージ域ｈ１、ｈ２をエッチング処理して除去することにより、上記の目的を達することができる。例文帳に追加

With regarad to a group of semiconductor solid pieces 90 on a protection sheet 89 divided along dicing lines 17, damage areas h1 and h2 are removed by etching from surfaces 90a and 90b subjected to machining including the side faces subjected to dicing. - 特許庁

次に、第１の切断の続きの第２の切断をダイシングブレード（例えば第２のダイシングブレード）で行うことにより、一括封入ブロック１を、電子部品をそれぞれ有する電子装置（例えば半導体パッケージ）に個片化する。例文帳に追加

Finally, the batch enclosure block 1 is diced into pieces for electronic devices (such as a semiconductor package) that use the electronic components by performing a second cutting as a follow-on to the first cutting using a dicing blade (such as a second dicing blade). - 特許庁