「差成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

経済成長の影で、多くの国々で所得格差は拡大しています。例文帳に追加

Despite continued economic growth, income inequality is widening in many Asian countries.  - 財務省

気相成長装置において、基板面内の温度差を低減する。例文帳に追加

To reduce a difference in temperature in a substrate surface in a vapor phase growth device. - 特許庁

ＩｎＰ層の成長に伴い形成された段差を平坦化する。例文帳に追加

To planarize a step formed accompanied by the growth of an InP layer. - 特許庁

ＩｎＰ層の成長に伴い形成された段差を平坦化する。例文帳に追加

To planarize a step that is formed along with the growth of an InP layer. - 特許庁

第3-1-12図　アジアとヨーロッパ（ユーロ圏）のGDP成長率の分散（標準偏差）例文帳に追加

3-1-12 Disparity (standard deviation) in real GDP growth in Asia and Europe (Euro zone) - 経済産業省

（外需・設備投資主導の成長構造がもたらす企業間格差）例文帳に追加

(Disparity between companies due to the structure of growth directed by foreign demand and capital investment) - 経済産業省

それにより高い成長速度が得られ、１バッチに多数枚の基板を投入しても基板間や同一基板内における成長速度の差が少ない液相成長方法、及び液相成長装置を提供する。例文帳に追加

Thus, there is provided the liquid phase growth method and apparatus capable of providing a high growth rate and showing little difference in the growth rate among the substrates or within the same substrate even when a plurality of substrates are loaded in one batch. - 特許庁

高い成長速度が得られ、１バッチに多数枚の基板を投入しても基板間や同一基板内における成長速度の差が少ない液相成長方法、及び液相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid phase growth method and a liquid phase growth apparatus capable of providing a high growth rate and showing little difference in the growth rate among substrates or within the same substrate even when a plurality of substrates are loaded in one batch. - 特許庁

経済成長志向であり,開発格差の是正を求める,G20の強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組みと整合的であること。例文帳に追加

Be economic-growth oriented and consistent with the G20 Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth, which requires narrowing of the development gap.  - 財務省

Ｎ型領域の一部の成長温度とｐ型領域の一部の成長温度との間の温度差は、少なくとも１４０℃である。例文帳に追加

The temperature difference between a part of growing temperature of the n-type region and a part of growing temperature of the p-type region is at least 140°C. - 特許庁

また、包括的成長を掲げ、貧困削減と格差解消により国全体での高度経済成長の実現を打ち出している。例文帳に追加

Also, it declared inclusive growth to achieve high economic growth in the entire country through poverty reduction and the solution of inequality. - 経済産業省

また、日本、米国、英国の3か国について潜在成長率と就業者数の成長率を時系列で見ると、就業者数の成長率の格差が潜在成長率の格差となって現れていることがうかがえる（第2-1-14図、第2-1-15図）。例文帳に追加

In addition, a look at the potential growth rate and the growth rate of the number of employees in time series in three countries (Japan, the U.S., and the U.K.) reveals a difference between the growth rate of the number of employees and the potential growth rate (see Figures 2-1-14 and 2-1-15). - 経済産業省

その国の都市部と郊外との生活水準の差は、経済成長が著しく早いからだ例文帳に追加

The gap in standard of living between the urban areas and suburban areas of that country is due to the remarkably fast economic growth.  - Weblio Email例文集

とりわけ、格差是正に配慮した成長戦略により貧困削減を進めるとの方針を歓迎します。例文帳に追加

In particular, I welcome the strategic direction of reducing poverty through inclusive growth.  - 財務省

第一に、成長に伴い格差の拡大が生じていることには注意が必要です。例文帳に追加

First, the widening disparities that accompany economic growth need to be addressed.  - 財務省

この後、測定された段差部６の高さ分だけ選択成長層５の一部を除去する。例文帳に追加

Part of the selective growth layer 5 is removed by an amount corresponding to the measured height of the step 6. - 特許庁

ただし、先進国と新興国の成長速度の差は縮まらず、新興国の存在感は一層高まる。例文帳に追加

However, with advanced economies failing to narrow the growth rate gap with emerging economies, emerging economies have further increased their presence. - 経済産業省

こうした革新性の違いは、取り組んだ後の企業成長率に大きな差をもたらす。例文帳に追加

These differences in innovativeness engender large differences in enterprise growth rates after implementation. - 経済産業省

次に、アジア、アフリカ、中南米について、各地域の経済成長の格差を見てみる。例文帳に追加

The disparity in economic development among Asia, Africa, and Latin America is examined below. - 経済産業省

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced. - 特許庁

得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。例文帳に追加

In the obtained gallium nitride substrate, the level difference between the region that has been planarily grown and the region in which the facet growth has been made at the time of the crystal growth of the polarity surface side is 7 μm or less, more preferably 5 μm or less. - 特許庁

面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができる原子層成長による薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film by growth of an atom layer, which enables increase in difference in growth speed which depends on crystal orientation, and to eliminate the generation of an abnormal growth and which enables to improve a shape controllability than the conventional method. - 特許庁

この後、選択成長用マスク４を除去し、選択成長用マスク４が除去された領域と、選択成長層５が積層されている選択領域３との境界部分に形成された段差部６の高さを測定する。例文帳に追加

Next, the selective growth mask 4 is removed, and the height of a step 6 formed at the boundary between an area on the first epitaxial layer 2 other than the removed selective growth mask 4 and the selective area 3 having the selective growth layer 5 laminated thereon is measured. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面のマスク４を除かずに、側面を核として、マスク４上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

Thus without removing the mask 4 and with using the side of the steps as nuclei, a second group III nitride-based compound semiconductor 32 which dose not grow in epitaxially on the mask 4 can be grown upward with filling up the steps by longitudinal and lateral epitaxial growth. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

The second group III nitride compound semiconductor 32 is epitaxially grown upward and in the longitudinal and transverse directions so that the step parts are buried with the grown semiconductor. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

A second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown by transverse epitaxy to bury the stepped parts, and can also be grown upward thereafter, wherein the upper face of the upper steps and the side faces of the steps are utilized as the nuclei for the growth. - 特許庁

段差の上段の上面３１ａ及び側面３１ｂを核として、GaN３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。例文帳に追加

The GaN layer 32 is laterally epitaxially grown with upper and side surfaces 31a and 31b of upper parts of the step differences as nuclei to bury the step differences, and thereafter it can also be grown upwards. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分の上方にも成長させることができる。例文帳に追加

A second nitride-based III group compound semiconductor layer 32 can be grown even to an upper region above the steps by epitaxially growing in horizontal directions by utilizing the upper face and the side faces of each upper part of the steps for the nuclei. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差の下段（元基板1の凹部）上方を埋めたのち、さらに上方にも成長させる。例文帳に追加

Using the upper surface and the side face at the upper stage of level difference as nuclei, GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction and the upper part of the lower stage of level difference (recess of the original substrate 1) is filled before GaN 32 is also grown epitaxially above. - 特許庁

フロック成長ゾーンＺ１とフロック沈降ゾーンＺ２内との間では、みかけ上の比重差が生じ、この比重差によって、フロック成長ゾーンＺ１からフロック沈降ゾーンＺ２に向けた流れが生じる。例文帳に追加

Between the floc growth zone Z1 and the floc sedimentation zone Z2, an apparent difference in specific gravity is generated and, because of the apparent difference in specific gravity, a flow toward the floc sedimentation zone Z2 from the floc growth zone Z1 is generated. - 特許庁

一般に途上国の経済成長においては、当初、格差は拡大するが、やがて成長の果実が全体に行きわたるようになれば、格差は低下していくことが指摘されている。例文帳に追加

It is pointed out that generally in developing countries, disparities grow initially in the process of economic growth and shrink as the fruits of growth spread over the whole society. - 経済産業省

一方で経営革新の成果として企業成長率を取り、成長率のばらつきをみるために標準偏差で比較すると「代表者の個人的なアイデア」の標準偏差が高い（第2-1-38図折れ線グラフ）。例文帳に追加

If on the other hand we look at the enterprise growth rate as an outcome of business innovation and compare the standard deviations as a measure of variation in growth rates, we find the standard deviation for "personal ideas of representatives" to be higher (Fig. 2-1-38 line graph). - 経済産業省

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓ層の成長温度と、このＧａＩｎＮＡｓ層を成長した後の熱履歴（エピタキシャル成長工程およびメタライズ工程における処理温度）における最大温度との差が、レーザダイオードの寿命と密接に関連している。例文帳に追加

The difference between growth temperature of a GaInNAs layer and maximum temperature of a thermal hysteresis (processing temperature of an epitaxial growth step and a metallization step) after the GaInNAs layer is grown is closely related to the life of a laser diode. - 特許庁

そして、ガス流路３６Aのそれぞれのガス流量の変化がウェハ２８上の膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した膜成長感度データを用いて、回帰計算により、上記の膜成長速度の偏差を減らすように、それぞれのガス流路３６Aのガス流量が調整される。例文帳に追加

Then, the gas flow rate of each of the gas flow passages 36A is adjusted by recurrence calculation so that the deviation of the film growing speed can be reduced, using film growing sensitivity data defining sensitivity influenced by a change of a gas flow rate of each of the gas flow passages 36A on a change in film growing speed on the wafer 28. - 特許庁

結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。例文帳に追加

The level difference between an area grown on (0001)C plane and an area grown on a facet plane being a crystal surface other than the C-plane is controlled to be ≤0.3 μm by controlling the etching speed and the etching amount. - 特許庁

大臣達は、欧州の ASEM加盟国による成長に融和的な形の、差別化された財政再建や、成長を強化する政策および構造改革の完全な実施を支持した。例文帳に追加

Ministers supported the full implementation by the European Member States of differentiated growth-friendly fiscal consolidation as well as growth-enhancing policies and structural reform.  - 財務省

同時に，開発格差の是正と貧困の削減は，成長の新たな軸を生み出し，世界的なリバランスに貢献することにより，強固で持続可能かつ均衡ある成長というより広範な枠組みの目的を達成する上で，不可欠である。例文帳に追加

At the same time, narrowing the development gap and reducing poverty are integral to achieving our broader Framework objectives of strong, sustainable and balanced growth by generating new poles of growth and contributing to global rebalancing.  - 財務省

凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor member having low dislocation density of a surface by preventing intersecting between crystal growth from a convex portion of a substrate having unevenness and crystal growth from a concave portion. - 特許庁

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、窒化物半導体内に成長界面を少なくとも２つ有することにより基板と窒化物半導体との応力差を緩和させる。例文帳に追加

In a method for growing nitride semiconductor on a substrate, at least two growing interfaces are formed in the nitride semiconductor, thereby relieving difference of stress between the substrate and the nitride semiconductor. - 特許庁

ウエハ内の局所的温度差が生じない、また歩留まりが向上し、完成した半導体素子の特性が安定するエピタキシャル成長方法およびエピタキシャル成長装置を得る。例文帳に追加

To obtain a method for epitaxial growth and equipment for epitaxial growth, where local temperature differences in a wafer do not occur, yield is improved, and characteristics of finished semiconductor devices are stable. - 特許庁

サセプタの成長面と基板の成長面との間に生じる段差をウェハ面内の膜厚均一性に影響しないレベルに抑えることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a step generated between the growing surface of a susceptor and the growing surface of a substrate to lie within a level that would not influence the film thickness uniformity in a wafer surface. - 特許庁

複数の結晶面を有する粒子をシードとして利用し、所定範囲内の格子定数差を有する結晶成長物質を蒸着して、前記結晶面のうち少なくとも一つにナノワイヤーを成長させる。例文帳に追加

The manufacturing method comprises utilizing a particle having a plurality of crystal faces as a seed, depositing a crystal growing material having a lattice constant difference in a given range on it, and growing a nanowire on at least one of the crystal faces. - 特許庁

さらに、各環境要素ごとに前記差に対応する成長ポイントを読み出し（ステップＳ６）、各ペットごとに今回の合計成長ポイントを算出する（ステップＳ７）。例文帳に追加

A growing point corresponding to the difference in each environmental element is read out (step S6) and current total growing points are calculated in each pet (step S7). - 特許庁

差（ｄ_２−ｄ_１）に基づいて第２組成の化合物半導体層２３，２５の成長レートを求めるとともに、第１組成の化合物半導体層２２，２２′の成長レートを求める。例文帳に追加

The growing rates of the second composition compound semiconductor layers 23, 25 is obtained based on a difference (d_2-d_1), and the growing rate of the first composition compound semiconductor layers 22, 22' is obtained. - 特許庁