「差成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

こうした中、中国自身においても、輸出・投資依存型の経済成長から転換し、格差社会の歪みを是正して、バランスのとれた経済成長を目指す動きが見られる。例文帳に追加

There is movement seen within China itself to transition away from export and investment dependent economic growth, correct the distortions in the gap between the rich and poor and aim for more balanced economic growth. - 経済産業省

一方、③これに対してGDP成長率に占める非IT寄与分については米国の方が我が国に比して相当程度大きく、これがこれらの期間のGDP成長率の差をもたらしていることがわかる。例文帳に追加

In particular, the contribution of labor services is positive in the US while it is negative in Japan due to the differences in the handling of employment and wages in Japan and the US in the late 1990s. - 経済産業省

しかし、国内市場と海外市場の成長性の差は明白であり、成長を追い求める企業と海外との結びつきは、今後、より強くなっていくであろう。例文帳に追加

There is a clear growth gap between domestic and overseas markets, however, and growth-oriented enterprises’ overseas ties are likely to strengthen in the years ahead.  - 経済産業省

長期にわたる輸出・投資依存型の経済成長による消費の伸び鈍化や、都市と農村間の格差が大きな問題となっており、中国政府もこの成長路線からの転換をはかろうとしている。例文帳に追加

Major issues include a decline in consumption growth due to long-term dependence on exports and investment as economic driving forces, and the gap between cities and rural areas. The Chinese government is trying to direct the course of its expansion away from this path. - 経済産業省

そしてこの背景には、米国と欧州・日本等の主要経済圏との間にある経済成長率の格差等から、成長率の高い米国に資金が流入しているという側面もある。例文帳に追加

In addition, there is another dimension to this picture. That is, due to factors including disparities in economic growth rates between the U.S. and the major economies including Europe and Japan, funds are flowing into the U.S. where the growth rate is higher. - 経済産業省

９０年代の経済成長も貧困問題を解決せず、相対的な貧富の格差はむしろ拡大しました。例文帳に追加

The growth of regional economies in the 1990s has not solved the poverty issue;　the relative gap between the haves and the have-nots is, in fact, wider than　before.  - 財務省

財政健全化計画は，信頼に足る，明確に説明され，国の状況に即して差別化され，経済成長を促進する措置に焦点を当てる。例文帳に追加

Fiscal consolidation plans will be credible, clearly communicated, differentiated to national circumstances, and focused on measures to foster economic growth.  - 財務省

財政健全化計画は，信頼に足る，明確に説明されるもので，国の状況に即して差別化され，経済成長を促進する措置に焦点を当てる。例文帳に追加

Fiscal consolidation plans will be credible, clearly communicated, differentiated to national circumstances, and focused on measures to foster economic growth.  - 財務省

格差の拡大は、社会の一体性を損ない、社会を不安定にするとともに、持続的な経済成長を阻害する可能性もあります。例文帳に追加

The widening inequality may not only hinder social cohesion and risk social stability but also undermine sustainable economic growth.  - 財務省

世界的な経済・金融の動向を反映して、7 か国の全てにおいて、程度の差はあるが、成長は短期的にいくぶん減速すると見込まれる。例文帳に追加

In all our economies, to varying degrees, growth is expected to slow somewhat in the short-term, reflecting wider global economic and financial developments.  - 財務省

製造プロセスを高める調整許容誤差を考慮した、トレンチとエピタキシャル成長層とを有するメモリセルを提供する。例文帳に追加

To provide a memory cell having a trench and an epitaxial growing layer, taking into consideration an adjustment allowable error which enhances a manufacture process. - 特許庁

成長する窒化物単結晶厚膜と基板の熱膨張係数差によって生じる亀裂、反りを抑制することを目的とする。例文帳に追加

To inhibit the crack and warpage generated by the difference in thermal coefficient of expansion between a nitride single-crystal thick film to be grown and a substrate. - 特許庁

格子定数差のある基板上に化合物半導体層を通常のプロセス条件でエピタキシャル成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for epitaxially growing a compound semiconductor layer on a substrate having a lattice constant difference in ordinary process conditions. - 特許庁

その結果、外部電極３となるめっき膜の成長の終端点を、段差１２の位置に高精度に制御することができる。例文帳に追加

As a result, a termination point of the growth of the plating film as the external electrode 3 is highly-accurately controlled in the position of the step 12. - 特許庁

製作誤差や熱変形があっても、容易に組立でき、駆動軸の円滑な回転を可能とする結晶成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a crystal growing apparatus which is easily assembled and where a driving shaft is smoothly rotatable even if manufacturing errors and thermal deformation are caused. - 特許庁

それによって、めっき工程において、段差１２の部分で外部電極３となるめっき膜の成長を実質的に停止または遅延させる。例文帳に追加

By that, in a plating process, the growth of a plating film as the external electrode 3 is substantially stopped or delayed at the part of the step 12. - 特許庁

よって、この２層間での結晶の格子定数の差が小さくなり、ｐ型コンタクト層が良質に成長する様になった。例文帳に追加

Thus, the difference in crystal lattice constants between the two layers is smaller, making the growth of p-type contact layer of satisfactory quality. - 特許庁

急激な温度差が発生する急速昇降温装置で使用しても、温度追従性が良い気相成長用ＳｉＣ製治具を提供する。例文帳に追加

To provide an SiC tool for gas phase development, which exhibits a good temperature following property even when used in a rapid temperature-raising/lowering device in which a sudden temperature difference occurs. - 特許庁

トレッド部の径成長差を低減しつつベルトエッジセパレーションの発生を抑制できる空気入りタイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a pneumatic tire that can control generation of any belt edge separation while reducing the radial growth difference of a tread part. - 特許庁

本発明によれば、バリア層２３と井戸層２１との成長温度の差を１３０℃以上とすることにより、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。例文帳に追加

The ESD breakdown voltage is improved by setting the difference in growth temperature between the barrier layer 23 and well layer 21 to not less than 130°C. - 特許庁

こうした内外の成長率格差を反映して、我が国は今後、対外依存度（GDPに占める貿易額の割合）を増していくこととなる。例文帳に追加

Reflecting the differences in growth rates between Japan and the rest of the world, Japan’s foreign dependency rate (proportion of trade amount in GDP) will increase. - 経済産業省

これらを見ても分かるように、その大小には差があるものの、共通して東アジアの高成長が今後も続くと推計されている。例文帳に追加

As evident from these figures, although there are differences in scale, it is expected that East Asia will continue to experience high levels of growth across the board. - 経済産業省

世界経済、特に東アジア経済との成長率格差を反映して、貿易量が増加するという試算結果となった。例文帳に追加

The results of the estimation showed that the trade value would increase, reflecting the gap in the growth rate between Japan and the world economy, especially the East Asian economy. - 経済産業省

こうして、市場統合の結果、域内経済はその内部経済格差を縮小させながら全体として成長していく。例文帳に追加

In this manner, as the result of market integration, the economy of the East Asian region will achieve overall growth while at the same time reducing its internal economic disparities. - 経済産業省

加えて、製品の差別化や販売方法の工夫という、製造業が成長するために必須の経営努力を継続していくことも重要である。例文帳に追加

It is also important for subcontractors to continually work on the sales methods and differentiation of their products, which are critical management efforts for growing a manufacturing business. - 経済産業省

1980年代以降、沿海部は改革・開放の波に乗って、内陸部より高い経済成長率を達成し、内陸部との格差を広げてきた。例文帳に追加

After the 1980s, the coastal regions rode on　the waves of the reform and open-door policies and achieved higher economic growth rates than theinland areas, thereby increasing the disparity between the two regions. - 経済産業省

中国は、改革開放の方針の下、まず経済成長が優先され、現在は拡大した格差の是正に取り組んでいる過程にある。例文帳に追加

China, at first, gave priority to economic growth under the reform and door-open policy and now is engaged in correction of its growth disparities. - 経済産業省

2011年にかけて、先進国と新興国の経済成長の格差は一層鮮明化し、様々な形で不均衡（インバランス）が生じている。例文帳に追加

The gap of economic growth between the advanced and emerging economies further increased in 2011 and the imbalance in growth in various forms is emerging. - 経済産業省

中国の国内消費が経済成長の割には振るわない背景の一つとしては、拡大しつつある格差の存在がある。例文帳に追加

One factor behind the weakness of China’s domestic consumption relative to its economic growth is the presence of expanding disparities. - 経済産業省

一方で、所得格差の拡大も背景にあり、消費の成長は、輸出や投資に比べて伸び悩んでいる（第3-1-3-30図）。例文帳に追加

On the other hand, there is a background of expanding incomedisparities, too.(B) The growth strategy for achieving the model - 経済産業省

各地域の成長の状況を実質GDP（1990年ベース）で見ると、1970年における実質GDPはそれほど大きな差がなかった。例文帳に追加

Development in each region in terms of real GDP, based on 1990 figures, differs very little from real GDP in the three regions as based on 1970 figures. - 経済産業省

これをエッチングして段差を設け、段差の側面を核として横方向エピタキシャル成長させれば、段差を埋める部分は縦方向に伝搬する貫通転位をほとんど伝搬しない。例文帳に追加

After etching the basic bottom layer 20 to form steps and performing transverse epitaxial growth by utilizing the side faces of the steps as the nuclei, the parts that bury the steps hardly allow the through dislocations which propagate in the longitudinal direction to propagate. - 特許庁

中国における格差は、主に、①地域間の格差（沿海部と内陸部間の格差）、②都市・農村間の格差、③都市部内の格差の3つに分けることができるが、社会の一部の層に成長の果実が集中しているため、全体としての消費拡大にはつながっていない。例文帳に追加

The disparities in China can be divided into the three main categories of (a) regional disparities (disparities between coastal areas and inland areas), (b) disparities between cities and rural communities, and (c) disparities within urban areas. The fruits of growth are concentrated in a portion of the layers of society, however, so they are not leading to an expansion in consumption overall. - 経済産業省

ガイド層を埋め込むために再成長させるときに、再成長の初期に作られる再成長初期層の屈折率が設計値と異なるために意図しない屈折率差が発生し、かつエッチング深さによって全体の屈折率差がばらつくために、光導波路や回折格子の特性がばらついてしまうという課題を解決する。例文帳に追加

To solve the problem in making regrowth for embedding a guide layer, where characteristics of an optical waveguide and a diffraction lattice are varied as an unexpected refractive index difference is produced, because a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth is different from a design value and as refractive index differences as a whole are varied according to etching depths. - 特許庁

厳密解を持ち、差分間隔０の極限でソフトウェア信頼度成長モデルと方程式、厳密解ともに一致する差分方程式を用いた推定値と実測データとの相対推定誤差を指標とし、その指標の値が最小のものを、実測データに最も適合するソフトウェア信頼度成長モデルとして選択する。例文帳に追加

What has an exact solution and the minimal value for an indication which is a relatively projected error between a projected value and the actually measured data with a difference equation where the software reliability growth model matches up to both the equation and the exact solution at an extreme limit of zero difference interval being used is selected as the software reliability growth model which fits most to the actually measured data. - 特許庁

サセプタの各領域間で温度差が生じず、サセプタに支持された半導体基板に温度差によるスリップが発生しない化学気相成長用サセプタを提供する。例文帳に追加

To provide a susceptor for chemical vapor deposition with which no temperature difference is generated between regions of the susceptor resulting in a semiconductor substrate supported by the susceptor which will not cause slippage due to the temperature difference. - 特許庁

化合物半導体基板１にリソグラフィー技術を用いて段差構造２を形成し、結晶成長技術により上記段差構造を有する基板上の特定の部位にのみ選択的に量子ドット６を形成する。例文帳に追加

After step structures 2 are formed on a compound semiconductor substrate 1 by using lithography, quantum dots 6 are selectively formed only in specific portions on the substrate 1 having the step structures 2 by using a crystal growing technique. - 特許庁

成長するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。例文帳に追加

To suppress defects by suppressing a crack due to a thermal expansion coefficient difference and lattice constant difference of a growing III-V compound semiconductor layer and a substrate crystal. - 特許庁

段差２を形成した基板１上にくびれ部４を有する半導体膜３を形成し、くびれ部４および段差２と通過して結晶成長させる。例文帳に追加

A semiconductor film 3 having a constricted part 4 is formed on a substrate 1 on which a level difference 2 is formed, and crystal growth across the constricted part 4 and the level difference 2 is realized. - 特許庁

この時、主に段差の上段面に形成されたバッファ層２１からの横方向エピタキシャル成長により段差が覆われ、表面が平坦となる。例文帳に追加

In this occasion, the steps are covered by the layers formed by the transverse epitaxial growth from the buffer layers 21 formed mainly on the upper step faces of the steps, and the surface is flattened. - 特許庁

差分（△２−△１）に応じて、歪んだＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ上に成長可能な歪んだＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮのＡｌ組成を増加でき、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮとＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮのＡｌ組成差を０．５以上にできる。例文帳に追加

According to the difference (Δ2-Δ1), the Al composition of Al_ZGa_1-ZN having distortion capable of growing on Al_YGa_1-YN having distortion can be increased, and the difference of the Al composition between Al_YGa_1-YN and Al_ZGa_1-ZN can be set at 0.5 or more. - 特許庁

日本社会の経済格差は、高度成長の過程で縮小し、社会階層間の流動性は増加したと考えられてきたが、1990年代以降、再び社会の中の経済格差の拡大が指摘されるようになっている。例文帳に追加

The economic divide in Japanese society is considered to have shrunk and mobility between social classes to have increased in the process of high growth. Since the 1990s, however, observers have noted that the economic divide in society is again widening. - 経済産業省

エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。例文帳に追加

It includes measurement of a thickness A of the semiconductor wafer before the epitaxial growth process, measurement of a thickness B of the epitaxial wafer obtained after the epitaxial growth process and calculation of the thickness of the epitaxial layer as a difference (B-A) between the thickness B and the thickness A. - 特許庁

本発明のＣＶＤエピタキシャル成長方法によれば、ＳｉＣのＣＶＤエピタキシャル成長方法において、基板の上流側におけるガス温度と基板の下流側におけるガス温度との差が０〜２００℃の範囲内であることを特徴とする。例文帳に追加

In this CVD epitaxial method of SiC, the difference between the temperature of a gas on the upstream side of a substrate and the temperature of the gas on the downstream side of the substrate is adjusted to 0-200°C. - 特許庁

ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶマスク（多層膜反射マスク）のパターンにおける日向面側と日陰面側とにＥＵＶ露光に伴いそれぞれ成長する異物の成長量の差に応じて、ＥＵＶマスクの交換時期又はクリーニング時期を決定する。例文帳に追加

A replacement period or cleaning period of the EUV mask is determined in accordance with the difference in growth amount of the foreign bodies growing through EUV exposure on the sunny side and shade side of the pattern of the EUV mask (multilayer reflective mask) for EUV lithography. - 特許庁