「積書き」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

その加算結果をＲＡＭ１０の元の場所に書き戻すことによって、ＲＡＭ１０に、評価区間における被評価信号８，９の計測結果の累積加算値を格納する。例文帳に追加

The addition results are written back to the original location of the RAM 10, thereby storing a cumulative addition value of the measurement results of the signals to be evaluated 8, 9 in the evaluation section in the RAM 10. - 特許庁

キャッシュメモリ回路におけるリフィルに伴う読み込み動作、及び、ライトバック又はライトスルーに伴う書き込み動作によるペナルティーを抑えてシステム性能を向上させた半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit capable of improving system performance by suppressing penalty due to reading operation accompanying with refill in a cache memory circuit and writing operation accompanying with write-back or write-through. - 特許庁

情報記憶キャパシタに蓄積される電荷量を増加させることができ、読み出し書き込み動作の十分な動作マージンを確保可能な半導体記憶装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor memory device in which the quantity of electric charges accumulated in an information storage capacitor can be increased and sufficient operation margin of read and write operations can be secured. - 特許庁

ディスクとターンテーブルやクランバとの間に積層された、ゴミ，ホコリ，毛髪等塵芥のコロの作用によりすべりが発生し、ディスクの回転に異常が起こることで情報の読み書きエラーが生じるのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent read and write errors when a slip occurs due to dust such as dirt and hair accumulated between a disk and a turntable or a clamper to cause abnormal rotation of the disk. - 特許庁

メモリセルが仮想接地方式でビット線に接続されていても、メモリセルの書き込み時間の増大を防止でき、しかも、チップ面積の削減を有効に行うことができる半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory which can prevent elongation of the memory cell writing time even when the memory cells are connected to the bit lines in a virtual grounding system and effectively reduce the chip size. - 特許庁

ゲート絶縁膜中にシリコン窒化膜からなる電荷蓄積層を有するＭＯＳトランジスタをメモリセルとする仮想接地方式の不揮発性半導体メモリにおいて、非選択なメモリセルへの誤書き込みを防止する。例文帳に追加

To prevent the erroneous writing in an unselected memory cell in a nonvolatile semiconductor memory of virtual grounding system in which MOS transistor having a charge storage layer consisting of a silicon nitride film in the gate insulating film is used as a memory cell. - 特許庁

カラム制御回路２及びロウ制御回路３は、単位セルアレイＭＡＴ０１〜１１に含まれ且つ書き換えを行わないメモリセルの寄生容量に時刻ｔ１４で所定電荷を蓄積させる。例文帳に追加

The column control circuit 2 and the row control circuit 3 makes parasitic capacitance of the memory cells MC which are included in unit cell arrays MAT01-11 and in which re-writing is not performed accumulate the prescribed electric charges at a time t14. - 特許庁

目的とする幅に裁断したときに、その最断されたエッジ部を、データの読み書きの基準として用いても、問題を起こすことのない二軸配向積層ポリエステルフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体の提供。例文帳に追加

To provide a biaxially oriented polyester film causing no problem even if the cut edge part of the polyester film is used as the reading and writing standard of data when cut into set width, and a magnetic recording medium using it. - 特許庁

電荷を蓄積する手段としてＭＩＳトランジスタを用いた半導体メモリ装置において、データの書き込み動作及び読み出し動作の速度を向上できるようにする。例文帳に追加

To improve a speed of writing operation and reading operation of data in a semiconductor memory device using an MIS transistor as a means for storing charge. - 特許庁

この場合、電荷書き込み期間も短いが、データ信号線電荷蓄積容量を小さくすることにより、データ信号線駆動回路１７からデータを十分供給できる。例文帳に追加

In this case, data is sufficiently supplied from a data signal line driving circuit 17 by reducing the data signal line charge storage capacities though a charge write period is short. - 特許庁

一対の電極の間に、少なくとも表示層と、電荷発生層及び該電荷発生層の両面に積層された同一の両極性電荷輸送層を含む光スイッチング層と、を有する光書き込み型表示媒体である。例文帳に追加

The optical writing type display medium includes at least: a display layer; and an optical switching layer including a charge generation layer and the same bipolar charge transfer layers stacked on both surfaces of the charge generation layer, between a pair of electrodes. - 特許庁

これにより書き込み放電後にスキャン側電極−サステイン側電極間の電位差を打ち消すようにセルの壁面に蓄積される電荷量を減少させることで壁電荷量を調節することができる。例文帳に追加

Thus, the wall charge amounts can be adjusted by reducing the charge amounts accumulated on the wall surface of a cell so as to offset a potential difference between the scanning side electrode and the sustaining side electrode after write discharge. - 特許庁

データの読み書きの際に格別な制御方式や手順が必要なく、通常のＭＯＳＦＥＴ回路と同じような取り扱いができ、かつ占有面積も少ない不揮発性のラッチ回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonvolatile latch circuit that dispenses with any special control systems and procedures when reading/writing data, can be handled in the same way as a normal MOSFET circuit, and has small occupation area. - 特許庁

パネルサイズの大面積化や画素の高密度化による画素部への書き込み不足の生じない液晶パネル用の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor for a liquid crystal panel that prevents the lack of write into a pixel part by increasing a panel size and the density of a pixel. - 特許庁

本発明は、閾値ばらつきを抑えることができ、かつ低消費電力性に優れた信頼性の高い半導体記憶装置と、その書き込み方法及び読み出し方法、並びにそれを用いた集積回路装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a highly reliable semiconductor memory which can suppress threshold dispersion and is superior in low power consumption, the write method and read method and an integrated circuit device using it. - 特許庁

アンテナ面積やアンテナへの供給電力が制約される場合であっても通信距離を伸ばすことが可能な誘導式読書き装置用小型ループアンテナを提供することである。例文帳に追加

To provide a small loop antenna for an inductive reader/writer extending a communication range even when an antenna area and power supply to the antenna are limited. - 特許庁

ステップ３Ｓ３は、データ処理装置３０が記録ユニットを用いてカップリングの行なわれるデバイス１０に適する電気規格または特性データを集積回路４０に書き込むステップである。例文帳に追加

The step 3S3 is a step wherein the data processor 30 writes the characteristic data or the electric standard fit for the device 10 performed with the coupling into the integrated circuit 40 by use of a recording unit. - 特許庁

面積が増加することを抑制しつつ、ビット線長が短い場合であっても、メモリセルにデータを書き込むために必要な時間を確保することができる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing the increse of area, and securing a period of time required for writing data in a memory cell even when bit line length is short. - 特許庁

録画データ管理装置１０１ａは、録画データ記録装置１０１ｃに蓄積されている録画データをフォーマット変換させ、リムーバブルメディア１０２に書き込ませる。例文帳に追加

A video recording data management device 101a performs format conversion of video recording data stored in a video recording data recorder 101c, and the video recording data is written on a removable media 102. - 特許庁

ＡＣＳステージと次のＡＣＳステージとに関連した経路判断は、トレースバック・メモリに書き込む前にＡＣＳ処理中に１組として累積され、これにより、トレースバック・メモリへのアクセスを最小限にする。例文帳に追加

Path decisions relating to the ACS stage and the next ACS stage are accumulated as a set during ACS processing before being written to the trace back memory, and thus, an access to the trace back memory is minimized. - 特許庁

動作回路９は、動作対象の選択されたメモリトランジスのデータ書き込みまたは消去のために、その積層絶縁膜の局部に高エネルギー電荷を注入する動作を制御する。例文帳に追加

The operation circuit 9 controls operation injecting high energy electron charges to a local part of its lamination insulation film for data writing or erasing of a selected memory transistor to be operated. - 特許庁

この光書き込み型記録媒体は、基板１と透明基板２の間に透明電極４０と表示層８と光スイッチング層５〜７と電極３とを積層して構成される。例文帳に追加

This optical write type recording medium is constituted by stacking a transparent electrode 40, a display layer 8, optical switching layers 5 to 7, and an electrode between a substrate 1 and a transparent substrate 2. - 特許庁

面積０．０１ｍｍ×０．０１ｍｍ当たりの平均反射率が可視波長のいずれかで背景領域から５％以上変化している要素領域の集合によって視認可能な図形７１０，７２０を書き込む。例文帳に追加

Figures 710 and 720 are drawn which are visible as an aggregate of element regions which vary by 5% or greater in the averaged refractive index per the area of 0.01 mm×0.01 mm than a background region for any one of visible wavelengths. - 特許庁

差分データ蓄積領域３２２に書き込まれたデータを全てミラーリング領域２２２へ反映させた後で、ミラーリング領域１１２，２１２間のミラーリングを再開させる。例文帳に追加

After reflecting all the data written to the difference data storage area 322 on the mirroring area 222, mirroring between the mirroring areas 112 and 212 is restarted. - 特許庁

車両用窓ガラス１０は、情報を送受信可能なアンテナを備えているため、これらの情報をＩＣチップに書き込み、車両用窓ガラス１０に情報を蓄積させることができる。例文帳に追加

Since the window pane 10 for the vehicle is provided with the antenna capable of transmitting/receiving the information, the information is written in the IC chip and the information can be accumulated in the window pane 10 for the vehicle. - 特許庁

スタック型メモリセルの書き込み／消去動作電圧を低減し、これによりメモリセルの高集積化や消費電力低減を実現することが可能な半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory and a method of manufacturing the semiconductor memory which reduces a write/erase operating voltage for stack type memory cells to obtain a highly integrated memory cell structure and the reduction of power consumption. - 特許庁

フラッシュメモリ等の特定の大きさのブロックを単位として、データの書き込み、読み出し、及び消去を行う被試験対象の試験を効率的に行うことができる半導体集積回路試験装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit test device and its method capable of efficiently performing a test of an object of writing, reading and eliminating the data, by a unit of a block of a specific size of a flash memory and the like. - 特許庁

このように書き込み線２０２、２０４の幅をＭＴＪセル１０６の幅よりも小さく設定することにより、ＭＲＡＭが使用する面積を効果的に縮小することができ、高密度化を図ることができる。例文帳に追加

By setting the widths of the writing lines 202 and 204 to be smaller than that of the MTJ cell 106, the area used by the MRAM can be reduced effectively, and a densely packaged MRAM is realized. - 特許庁

画像データの拡大や回転などの処理を行いながら、フレームメモリへの書き込みやフレームメモリからの読み出しを効率よく実行できる半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit, capable of efficiently performing writing to a frame memory or reading from the frame memory while performing processing such as enlargement or rotation of image data. - 特許庁

グラフィックスプレーンに書き込むべきデータ量が多大であっても、ピクチャの表示と同期したグラフィクスのアップデートを実現することができる集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit in which graphics may be updated synchronously with a picture display even when the amount of data to be written into a graphics plane is large. - 特許庁

半導体基板上に相変化メモリを複数段積層した縦型チェイン構造を有する半導体記憶装置において、上下のメモリセル間で生じる書き換え電流の差を低減する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device having a vertical chain structure in which a plurality of phase change memories are laminated on a semiconductor substrate, which reduces the difference in rewriting current between an upper memory cell and a lower memory cell. - 特許庁

半導体集積回路装置の動作を記述した動作レベル回路記述から具体的な機能（回路）を記述したＲＴＬ回路記述を生成する際に、レジスタの読み出し・書き込みポート数を制約する。例文帳に追加

To restrict the numbers of read and write ports of a register when generating an RTL circuit description that describes concrete functions (circuit) out of an operation level circuit description describing the operation of a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

本発明は、メモリセルへのデータの書き換え動作を遅くすることなく、メモリセルの占有面積を小さくすることのできる半導体装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that reduces occupation area of a memory cell without slowing down writing operation for data to the memory cell. - 特許庁

メモリーセルのデータが意図せずに書き換えられることを防止できる電源切換回路、不揮発性記憶装置、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。例文帳に追加

To provide a power source switch circuit, a nonvolatile storage device, an integrated circuit device, and an electronic apparatus for preventing data in a memory cell from being rewritten unintentionally. - 特許庁

データの書き込み不良を抑えつつ、面積を小さく抑えることができる不揮発性の記憶装置、または当該不揮発性の記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一とする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory device in which the occurrence of a defect in data writing is suppressed and whose area can be decreased, or a semiconductor device including the nonvolatile memory device. - 特許庁

より確実に複数のメモリーに同一データが書き込まれるようにすることにより信頼性を向上させることができる集積回路装置及び電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device and electronic equipment for improving reliability by more certainly writing the same data to a plurality of memories. - 特許庁

不揮発性メモリセルの面積を増大することなく、かつ、製造プロセスを変更することなく、不揮発性メモリセルのデータ書き込み速度およびデータ消去速度の向上を図ることのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide such a technology that can improve data writing speed and data erasing speed of a nonvolatile memory cell without increasing the area of the nonvolatile memory cell and changing the production process. - 特許庁

短時間に電源ＯＮ／ＯＦＦ操作を繰り返し行なう場合に、不揮発性メモリーへの累積点灯時間の書き込み回数を増加することを防止することができるプロジェクター及びその制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a projector capable of preventing an increase in the number of writing times of an accumulated lighting time into a non-volatile memory, in the case of repeatedly turning on/off a power source in a short time, and to provide a control method of the projector. - 特許庁

装着されたＵＳＢメモリ４１１の書き込み速度を計測した結果に基づいて、適切なサイズの蓄積用バッファ領域５０４をＤＲＡＭ４０２中に確保する。例文帳に追加

On the basis of the result of measuring the write speed of a mounted USB memory 411, a storage buffer area 504 in a suitable size is secured within a DRAM 402. - 特許庁

集積度を高めるために、バイアス線を他行の読み出しワード線で代用したり、記憶セルを直列に接続し、ＮＡＮＤ構造とし、読み出しワード線と書き込みワード線を共用してもよい。例文帳に追加

To increase a degree of integration, a bias line may be substituted by a read word line of other row, the memory cells may be connected in series to be a NAND structure, and the read word line and the write word line may be shared. - 特許庁

回路規模の少ない構成で、ＬＳＩ内部に格納された、セキュリティデータの不正な読み出しや、書き換えを防止しつつ、スキャンテストが可能な集積回路を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an integrated circuit allowing scan tests, while preventing security data stored in an inside of an LSI from being read out or rewritten in unauthorized manner, by constitution of a reduced circuit scale. - 特許庁

処理系（図示せず）からの処理要求等の信号と書き込みデータ及びリフレッシュ要求が処理受付／予約ブロック１に供給され、先着順及び優先順位に従って蓄積されて予約が行われる。例文帳に追加

A signal of a processing request or the like, write data and a refresh request from a processing system (not illustrated) are supplied to a processing acceptance/reservation block 1, stored in the order of arrival and according to priority levels and reservation is performed. - 特許庁

原稿読み取り動作が行われ、標準メモリのワークエリア１１５に１ページ分の原稿が蓄積され、この画像データをリードしてデータ圧縮した後、ＳＯ−ＤＩＭＭに書き込む。例文帳に追加

A read operation for a draft is executed, one page of the draft is stored in a work area 115 of a standard memory, the image data are read and the data are compressed then written in a SO-DIMM(shift-out dual in-line memory module). - 特許庁

会議管理サーバ、板面を有し、手書き情報を入力する入力ボード、画像蓄積装置がネットワークを介して相互に接続されて構成される、会議に関する処理の実行を支援するための会議支援システムである。例文帳に追加

The conference support system supports process of a conference, which comprises a conference management server, an input board which comprises a board surface for inputting information by hand writing, and an image accumulating device, being connected each other through a network. - 特許庁

ＣＭＯＳ製造プロセス工程内で実装が可能で、素子面積の拡大を抑制しながらも、書き込み、読み出し、及び消去の能力を十分に発揮できる信頼性の高い不揮発性メモリセルを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable nonvolatile memory cell which can be mounted in a CMOS manufacturing process, and sufficiently exhibits capabilities in writing, reading, and erasing while suppressing an increase in element area. - 特許庁