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積書きの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 765



例文

また、或る程度の回数にわたってリトライが繰り返されてバッファメモリにおけるデータの蓄量が少なくなったとしても、比較条件を緩いものに変更して強制的に書き込み及び有効データとしての確定を行って、データの書き繋ぎが途切れることを回避するようにもされる。例文帳に追加

Moreover, even when retries are repeated in the frequency of a certain extent and the amount of stored data in the buffer memory becomes small, it is made possible to avoid the data from being interrupted in the writing and the connecting of data by forcibly writing data in the memory while changing the comparison condition to a loose condition and by deciding the data as effective data. - 特許庁

大規模集回路の内部にパリティ・ビットを格納する記憶領域即ち内部メモリを確保し、外部メモリの特定のアドレスにデータを書き込む時に、該データからパリティ・ビットを生成し、該パリティ・ビットを、該内部メモリの、該外部メモリの当該アドレスと同一のアドレスに書き込むように構成する。例文帳に追加

A storing area, that is an internal memory, for storing the parity bit in inside of the large-scale integrated circuit is secured and in the case of writing data in the specific address of the external memory, the parity bit is generated from the data and is written at the same address as the address of the external memory in the internal memory. - 特許庁

共通条件制御手段7は、条件式に共通部分を有する複数のユーザ指定ルールがある場合、そのユーザ指定ルールの条件式が同時に満たされることがないようにユーザ指定ルールの条件式を書き換え、書き換え後のユーザ指定ルールを障害対処ルールとしてルール蓄手段2に記憶させる。例文帳に追加

When a plurality of user-specified rules having common parts exist in the condition expression, a common condition control means 7 rewrites the condition expression for the user-specified rules to avoid the condition expression for the user-specified rules from being met at the same time and stores the user-specified rules after rewritten, as trouble coping rules, in a rule accumulating means 2. - 特許庁

このため、1つの分割規則に従って画像Jを分割したときには、書き込みの対象となる相互に連なる各画素が1つの小領域jに収まらなくても、他の分割規則に従って画像Jを分割したときには、書き込みの対象となる相互に連なる各画素が1つの小領域jに収まることがあり、各分割規則別に求められたそれぞれの算値に誤差が生じる。例文帳に追加

Consequently, even if respective successive pixels to be written are not included in one small area (j) when an image J is divided according to one division rule, the successive pixels to be written are possibly included in the one small area (j) when the image J is divided according to another division rule and integrated values found by the division rules have errors. - 特許庁

例文

不揮発性メモリの動作を試験する試験回路を内蔵すると共に、試験結果を出力する出力端子と、試験回路の動作制御を指示する操作端子を有し、その操作端子から不揮発性メモリの書き込み回数、買い込み領域及び書き込みデータを指示できる半導体集回路を提供する。例文帳に追加

This semiconductor integrated circuit incorporates a test circuit testing operation of a non-volatile memory, while the device has an output terminal outputting a test result and an operation terminal indicating operation control of the test circuit, and the device can indicate the number of write-in of the non-volatile memory, a write region, and write data from the operation terminal. - 特許庁


例文

ディスクアレイ装置は、データを蓄するディスクモジュール群16、ディスクモジュール群に対してデータの書き込み又は読み出し動作を行う際データを一旦蓄える第1乃至第4のメモリモジュール11乃至14、書き込み又は読み出し動作を制御するディレクタモジュール群15を備えている。例文帳に追加

A disk array device is provided with a disk module group 16 for storing data, first to fourth memory modules 11 to 14 for temporarily storing data in operating the write or read operation of data in the disk module group, and a director module group 15 for controlling the write or read operation. - 特許庁

エンジンコントローラ12は、メインコントローラ30から給電停止モードへの移行の予告を受け付けると、新たなデータの受付を禁止するとともに、メモリに蓄されているデータの書き込みを継続し、当該データの書き込みが終了した後に、メインコントローラ30に対して、移行準備が整った旨を通知する。例文帳に追加

Upon receiving a notice of making transition to power supply interruption mode from a main controller 30, the engine controller 12 forbids reception of new data and sustains writing of data stored in the memory and notifies the main controller 30 that transition is ready upon finishing writing of data. - 特許庁

CPU105がフラッシュROM106にデータを書き込んでいる途中の時刻で、ユーザによるリセット操作によりフリップフロップ100にリセット信号109が入力された場合、CPU105がフラッシュROM106にデータを書き込んでいる間は、リセット遅延信号107が‘H’レベルであるため、論理回路102の出力信号は、常に‘L’レベルとなる。例文帳に追加

When a reset signal 109 is input to a flip-flop 100 by a user's reset operation while a CPU 105 is writing data to a flash ROM 106, output signal of an AND circuit 102 is regularly on "L" level since a reset delay signal 107 is on "H" level while the CPU 105 is writing data to the flash ROM 106. - 特許庁

効果効能についての書き込みを期待して健康食品やペットフードを販売する事業者がウェブサイトに掲示板を設置し、その結果、薬事法に違反する医薬品的な効果効能の書き込みが実際にあり、それを極的に利用する行為があった場合には、このような掲示板が効果効能についての広告とみなされ、薬事法に違反すると解釈される可能性がある。例文帳に追加

If a business entity that sells health foods sets up an electronic message board on its website expecting the postings of messages concerning medical efficacy of its product, and proactively utilizes the posted messages concerning medicinal efficacy in a manner prohibited under the Pharmaceutical Affairs Law, such electronic message board may be held as an advertisement of medical efficacy and thus be in violation of the Pharmaceutical Affairs Law.  - 経済産業省

例文

知識データベースに対して情報データが読み出し・書き込みされるようになされており、複数のユーザ用端末間の情報データの送受信を媒介するコミュニケーション媒介手段と、媒介した情報データを知識データベースに蓄する知識蓄手段と、蓄された情報データの情報内容を分析して情報内容が合致する知識データベースに情報データを書き込む分析手段とを備えるナレッジマネジメントシステムとする。例文帳に追加

This knowledge management system is provided with a communication mediating means for mediating the exchange of information data between plural terminals for user, while reading/writing information data to a knowledge database, knowledge storage means for storing the mediated information data in the knowledge database, and an analytical means for analyzing the information contents of the stored information data and writing the information data in the knowledge database with matched information contents. - 特許庁

例文

RTLのシミュレーションにおいて監視対象とされたRTLに含まれる信号がゲートレベルネットリストに含まれていない場合でも、テストベンチを書き換えることなくゲートレベルネットリストのシミュレーションを行うことが可能な半導体集回路設計支援装置、半導体集回路設計支援方法、半導体集回路設計支援プログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit design support device, a semiconductor integrated circuit support method, and a semiconductor integrated circuit design support program for simulating a gate level netlist without rewriting a test bench even when a signal included in an RTL to be monitored in the simulation of the RTL is not included in the gate level netlist. - 特許庁

これにより、データ書き込み時に、ギャップ部および第1メモリゲート電極MG1下の電荷蓄層CSLに注入されるホットエレクトロンの注入量を第2メモリゲート電極MG2下の電荷蓄層CSLに注入されるホットエレクトロンの注入量よりも減少させて、ギャップ部および第1メモリゲート電極MG1下の電荷蓄層CSLにおけるデータの消去残りを防ぐ。例文帳に追加

Accordingly, the quantity of hot electrons injected to a charge storage layer CSL under a gap section and the first memory gate electrode MG1 is made smaller than that to the charge storage layer CSL under the second memory gate electrode MG2 when the data is written, and incomplete erasing of data in the gap section and the charge storage layer CSL under the first memory gate electrode MG1 is prevented. - 特許庁

レーザーによる書き込みが可能であり、感光層の重合阻害が抑制されると共に、合紙を介在させずに複数枚を直接層した場合にも、当該層に起因する感光層側の最表面とそれに隣接する支持体の裏面との接着及び擦りキズの発生を抑制しうる平版印刷版原版、及び平版印刷版原版層体を提供する。例文帳に追加

To provide a lithographic printing original plate and a lithographic printing original plate laminate that are writable with a laser beam, suppress polymerization inhibition in a photosensitive layer, and can suppress adhesion or scratches between the outermost surface in the photosensitive layer side and a back face of the adjacent support caused by stacking even when a plurality of plates are directly stacked without using inserting paper. - 特許庁

電気的に書き込みおよび消去が可能な複数の記憶素子を有し、各記憶素子のゲート電極(ワード線WL2,WL3)下方および隣接する記憶素子のゲート電極間で複数の絶縁膜2,3,4を層して形成された層絶縁膜1内に離散化された電荷蓄手段(キャリアトラップ)を含む。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory comprises a charge storage means (carrier trap) scattered in a multilayer insulation film 1 of a plurality of insulation films 2, 3 and 4 formed beneath the gate electrode (word line WL2, WL3) of each of a plurality of electrically writable and erasable memory elements and between the gate electrodes of adjacent memory elements. - 特許庁

情報圧縮処理を行なうマイクロコンピューター集回路101に不揮発性メモリー211の書き込み制御を行なうメモリーコントローラ105をマイクロコンピューター集回路101のデータバス108上に集し、データバス108から汎用ポートを介することなく直接不揮発性メモリー211にアクセスする構成とすることでメモリーアクセスの高速化を可能とする。例文帳に追加

A memory controller 105 that applies write control to a nonvolatile memory 211 is integrated on a data bus 108 of a microcomputer integrated circuit 101 that conducts information compression processing and accesses directly the nonvolatile memory 211 not via a conventional port from the data bus 108 to attain quick memory access. - 特許庁

イメージセンサ22によって読み取られた各色の画像データに対して所定の画像処理を施す入力画像処理部53と、入力画像処理部53によって画像処理された画像データを蓄する画像蓄メモリ57と、画像蓄メモリ57の書き込み読み出しの制御を行うメモリ制御部55とを備え、前記メモリ制御部55は、イメージセンサ22から入力される各色の画像データを前記画像蓄メモリ57に蓄し、画像蓄メモリ57から同一走査ラインの各色の画像データを、同一の時刻で読み出して入力画像処理部53に供給する。例文帳に追加

The memory control part 55 stores the image data in the respective colors inputted from the image sensor 22 on the image storage memory 57, reads the image data in the respective colors from the same scan line from the image storage memory 57 at the same time and supplies the image data to the input image processing part 53. - 特許庁

1つのコマンドにより複数のシステム内メモリを書き換える場合に,電源断などで一部のシステム内メモリが書き換えられないような状況が発生したときであっても,リーダライタまたはホストコントローラの処理を複雑にすることなく,すでに書き換えたシステム内メモリを元に戻し,以前の状態を保持することの可能なICカード,情報処理システム,集回路チップ,およびデータ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an IC card, an information processing system, an integrated circuit chip, and a data processor that can restore a system memory having been rewritten to maintain it without complicating processing of a reader writer or host controller even if some of a plurality of system memories can not be rewritten owing to a disconnection of power etc. when the plurality of system memories are rewritten with one command. - 特許庁

厩戸皇子は『法華経』・『維摩経』・『勝鬘経』の三つの経の解説書(『三経義疏』)を書き、『十七条憲法』の第二条に、「篤(あつく)く三宝を敬へ三寶とは佛(ほとけ)法(のり)僧(ほうし)なり」(「篤敬三寶三寶者佛法僧也」)と書くなど、仏教の導入に極的な役割を果たした。例文帳に追加

Prince Umayado played an active role in the introduction of Buddhism, writing the "Sankyogisho" commentaries on the three sutras of "Hokke-kyo" (the Lotus Sutra), "Yuimagyo" (Vimalakirti Sutra) and "Shomangyo" (Srimala Sutra) and the second article of the Seventeen-Article Constitution, which states, "Sincerely revere the three treasures; the three treasures are the Buddha, his laws and the priesthood".  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

しかし禁令が布かれて百年あまりの日本では長崎で通詞をする人間も読み書きは出来ず、ひとたび失敗をすれば切腹させられかねない状況や、通詞としての価値を下げかねない蘭学の普及に極的になることはなかった。例文帳に追加

However, after the ban that had continued about 100 years in Japan, even the translators in Nagasaki could not read and write Dutch, and under the circumstance in which only one mistake could lead to Seppuku (suicide by disembowelment), the translators were unenterprising about dissemination of western learning (they also thought western learning would diminish the value of translators.)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

現金のみ増しなどの非接触式ICカードに対するデータの読み込み及び書き込みを一定時間掛けて行う際に、カードケースに収容したままで処理することができる非接触式ICカード用リーダライタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reader/writer device for a contactless IC card, capable of processing the contactless IC card while storing it in a card case when reading and writing data from/to the contactless IC card such as loading of cash for a prescribed time. - 特許庁

本発明は、外部とのデータの受け渡しを直列データで行い、メモリセルへのデータの読み書きを並列データで行う半導体集回路に関し、特に、メモリセルから読み出されるデータを高速に伝達することを目的とする。例文帳に追加

To transmit data read out from a memory cell at high speed in a semiconductor integrated circuit which performs delivery and receipt of data for the out side with series data and performs writing and reading data in/from a memory cell with parallel data. - 特許庁

所定のデータの書き込み,読み出しが可能なレジスタを備えたクロック生成制御回路と,クロック分周設定信号のタイミングにより,基準クロックを入力して分周クロックを生成する半導体集回路が提供される。例文帳に追加

This clock generation control circuit is provided with a register to/from where prescribed data can be written or read and this semiconductor integrated circuit inputs a reference clock, and generates a frequency-division clock in the timing of a clock frequency division setting signal. - 特許庁

RAMに書き込むデータを入力するために用いられるデータバスのビット数と入力データのビット数とが異なる場合に、データを入力するデータバスのラインを選択することができる半導体集回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit which permits the selection of lines of data buses for inputting data when the bit count of a data bus used for inputting data to be written in a RAM is different from the bit count of input data. - 特許庁

本発明による半導体装置は、カルコゲナイド材料を用いた記憶層とダイオードで構成されたメモリセルを層した構造のメモリアレイを有し、選択されたメモリセルが位置する層に応じて、初期化条件及び書き換え条件が変更されるものである。例文帳に追加

A semiconductor device has the memory array having a structure in which memory cells are stacked including memory layers using a chalcogenide material and diodes, and initialization conditions and rewrite conditions are changed according to the layer in which a selected memory cell is positioned. - 特許庁

ユーザがこの用紙に対し修正の書き込み等を行ってスキャナから入力すると、画像蓄サーバは、入力データから修正予約データ及び修正された文書画像データを取得し、修正予約データに基づく修正態様の判定処理を行う。例文帳に追加

When the user writes corrections on the paper and inputs it from a scanner, the image storage server obtains the correction reservation data and the corrected document image data from the data inputted, and performs the process of determining the way of correction based on the correction reservation data. - 特許庁

主データの誤りの有無を示す誤り訂正データを上書きにより蓄するメモリにおいて、このメモリにデータ欠落領域が発生した場合においても、そのメモリからの出力データに基づいて主データの誤り訂正を正しく実行する。例文帳に追加

To perform error correction of main data properly on the basis of output data from a memory even when a data missing area has occurred to the memory in the memory for accumulating error correction data to show whether or not the main data contains errors by overwriting. - 特許庁

半導体集回路装置10は、データを記憶する半導体メモリ装置20と、前記半導体メモリ装置20へのデータの書き込みを制御する第1シーケンサ回路51と、前記半導体メモリ装置からのデータの読み出しを制御する第2シーケンサ回路52とを具備することを特徴とする。例文帳に追加

This integrated semiconductor circuit device 10 has a semiconductor memory device 20 to store data, a 1st sequencer circuit 51 to control writing of data to the above semiconductor memory device 20, and a 2nd sequencer circuit 52 to control reading of data from the above semiconductor memory device. - 特許庁

第一タグリーダーおよび第二タグリーダーが同じ商品データを読み取った場合には、そのデータに係る商品が消費または廃棄されたと判断して、その旨を商品データ蓄手段へ書き込む消費廃棄判断手段を備えても良い。例文帳に追加

The system can has a consumption rejection determination means determining that the article on data is consumed or rejected when the first tag reader and the second tag reader read same article data and writing the effect into the article data accumulation means. - 特許庁

溶断ヒューズを用いてビットデータの書き込みを行い、これに基づいて抵抗値を調整することにより、パッケージング後に高精度の電圧設定を実現できる電圧設定回路及び電圧設定方法、並びに二次電池用保護回路及び半導体集回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a voltage setting circuit and a voltage setting method, for performing accurate voltage setting after packaging by writing bit data by use of a fuse and adjusting a resistance value based on this, a secondary battery protection circuit, and a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

マイクロチップ302の埋設された各ペットが店舗を利用した際に、その利用内容を反映した個別店舗利用内容データを、マイクロチップ302に書き込まれている個体識別コードCIDと一対一に対応付けた形で情報提供サーバに記憶蓄する。例文帳に追加

When a shop is used for each pet with a microchip 302 embedded, individual shop use content data reflecting its use content are stored and accumulated in an information providing server in a form that the data are in one-to-one correlation with an individual identification code CID written in the microchip 302. - 特許庁

スパイラルサーボパターンに基づいて、同心円状のサーボトラックを構成する目標サーボパターンを書き込むサーボ書込み方法において、スパイラルサーボパターンの再生波形の振幅算値に基づいてスパイラルサーボパターンの傾きを算出する構成である。例文帳に追加

In the servo writing method for writing a target servo pattern constituting concentric servo tracks on the basis of the spiral servo pattern, the inclination of the spiral servo pattern is calculated on the basis of an amplitude integrated value of a reproduction waveform of the spiral servo pattern. - 特許庁

情報処理装置から書き込み要求を受けたデータを蓄する複数の論理ボリュームを有する記憶制御装置において、論理ボリューム毎にその論理ボリュームにマウントする上位装置が存在するかどうかを管理するテーブルを保持する。例文帳に追加

A storage control device, which has a plurality of logical volumes for accumulating data by writing requests of information processing devices, holds a table for managing, for every logical volume, whether any upper device is mounted on the logical volume. - 特許庁

しきい値電圧等の各種ばらつきや低電圧化に伴って起こるディスターブに対する耐性向上と書き込み特性の改善を両立し、そのために生じる面増、パワー増や、スピード特性悪化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device which improves both write characteristics and tolerance against disturb caused by variations of threshold voltage or the like and reduction of voltage, and suppresses increase in area, increase in power and deterioration of speed property. - 特許庁

回路構成が書き換え可能なプログラマブルデバイス(11)を備えた半導体集回路(1)において、制御部(12)は、プログラマブルデバイス(11)に、指定されたビット幅および指定された個数のCPU(14)ならびにこれ接続されるバス(17,18)の回路構成をする。例文帳に追加

In this semiconductor integrated circuit 1 equipped with the programmable device 11 having a rewritable circuit structure, a control part 12 forms, in the programmable device 11, a circuit comprising the CPUs 14 of designated bit widths and of a designated quantity, and buses 17 and 18 connected to them. - 特許庁

3値データ記憶可能な電荷蓄部を有するメモリセルと、書き込みデータを一時的に記憶するデータ回路を備えたEEPROMであって、データ回路は2個の入力端子を有する3個のNOR論理回路から構成される。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory is an EEPROM provided with a memory cell having electric charges accumulating section which can store ternary data and a data circuit storing temporarily write data, the data circuit is constituted of three NOR logic circuits having two input terminals. - 特許庁

これにより画素電極22に必要な書き込みマージンを有する補助容量を確保するものの、画素電極22領域に対して補助容量線38が平面的に占める面を縮小し、開口率の向上を図り輝度を向上する。例文帳に追加

Thus, although the auxiliary capacitor having the writing margin enough for the pixel electrode 22 is maintained, the two-dimensional area possessed by the auxiliary capacitance line 38 is decreased with respect to the pixel electrode 22 to improve the opening rate and to improve the luminance. - 特許庁

キャパシタCAPは、下部電極40、キャパシタ誘電体膜41、上部電極42を層させた構造を有し、読み出しおよび書き込みトランジスタを埋め込んだ層間絶縁膜6上(または、さらに上層の層間絶縁膜上)に形成されている。例文帳に追加

The capacitor CAP has a multilayer structure of a lower electrode 40, a capacitor dielectric film 41, and an upper electrode 42 formed on an interlayer insulating film 6 (or further on the upper interlayer insulating film) embedded with the read and write transistors. - 特許庁

DMA転送によるデータの上書き防止の設定/解除について、ソフトウェア処理による煩雑さを無くすとともに、ソフトウェアによって誤った制御をされたDMACが原因で発生する異常画像の発生防止と解析を容易に行うことができる半導体集回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit capable of removing complexity by software processing in setting/releasing the overwriting protection of data by DMA transfer, and easily preventing and analyzing generation of abnormal images caused by erroneously controlled DMAC by software. - 特許庁

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。例文帳に追加

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing. - 特許庁

ルート探索を行う場合、中継ノードは、ディスカバリパケットPの受信時の受信電波強度を評価し、その評価段階に応じたリンクコストを読み出し、受信したディスカバリパケットPのリンクコストフィールドFに書き込まれている値に加算し、リンクコストの算値とする。例文帳に追加

When performing route search, the received radio wave intensity of a relay node in receiving a discovery packet P is evaluated, link cost in accordance with the evaluation grade thereof is read and added to a value written in a link cost field F of the received discovery packet P to be used as a cumulative value of the link cost. - 特許庁

記録媒体制御部(18)は、制御部(22)の制御下で、一時蓄メモリ(16)から記録媒体(20)に、インデックステーブル境界、インデックステーブル及び後続のフィルの境界、または、MXFデータ終端までを書き込み単位として、MXFデータを記録する。例文帳に追加

Under control of a control part (22), a recording medium control part (18) records MXF data from the temporary accumulating memory (16) to a recording medium (20) by taking up to an index table boundary, an index table, and a consecutive fill boundary, or an MXF data end as a writing unit. - 特許庁

本発明にかかる半導体集回路は、複数のメモリセルによって構成されるメモリセル部22と、メモリセルへのデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部と、クロックCLKに応じて制御部へ入力されるパルス信号を生成するパルス信号生成部と、を備える。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit of the present invention comprises: a memory cell section 22 composed of a plurality of memory cells, a control section for controlling writing and reading of data to/from the memory cells; and a pulse signal generating section for generating a pulse signal to be fed into the control section in response to a clock CLK. - 特許庁

基板11上に磁性層を含む多層層膜12が成膜されており、ランド部13,15及びその間のグルーブ部14夫々にはトラックの長さ方向に再生専用領域Rと書き変え可能領域Wとが形成されている。例文帳に追加

A multi-layer laminated film 12 containing a magnetic layer is deposited on a substrate 11, and a reproduction-dedicated regions R and a rewritable region W are formed in the direction of the track length in the land parts 13, 15, and a groove part 14 between them, respectively. - 特許庁

プラズマディスプレイにおいて、維持パルス数が少ないなどで維持期間終了後に蓄される壁電荷が少ないサブフィールドにおいて消去が十分に行えず、書き込み放電が不安定になることを解決し、安定に壁電荷を消去できるようにすることを目的とする。例文帳に追加

To solve the problem that erasing is not performed sufficiently in a sub-field in which the amount of wall electric charge stored after a sustenance period is completed is small because the number of sustaining pulses is small or the like and writing discharge becomes instable and to erase the barrier electric charge stably in a plasma display panel. - 特許庁

トナーカートリッジがエンプティとなり、取り外されると(ステップS11でYes→S12→S13でYes)、取り外されてからの経過累時間が所定時間を経過したときに、プリンタが有するメモリに、このカートリッジについてのエンプティ情報を書き込む(S15でYes→S16)。例文帳に追加

When a toner cartridge becomes empty and detached (in step S11 Yes→S12→in S13 Yes), empty information for the cartridge is written in the memory of a printer (in S15 Yes→S16) when a cumulative elapsed time after the detachment exceeds a predetermined time. - 特許庁

データ蓄装置に搭載されたHDD10(1)〜10(15)から、HDDの種類や制御プログラムのバージョンの情報を読み出し、読み出した情報と設定情報とに基づき、搭載されたHDDの種類やバージョンに対応する設定情報をこれらのHDDに書き込ませる。例文帳に追加

Information of the kind of the HDD or the version of the control program is read out from HDDs 10(1)-10(15) loaded on this data accumulation device, and setting information corresponding to the kind of the loaded HDD or the version is written in the HDDs based on the read-out information and the setting information. - 特許庁

マトリクス型画像表示装置10の各画素2は、画素2に書き込まれるデジタル映像信号を上位Mビット、下位Lビット(M≠0、L≠0)とすると、2^M :1の面比で、第1の画素表示部11および第2の画素表示部12に分割されている。例文帳に追加

The individual pixels of the matrix type image display device 10 are divided into a 1st pixel display part 11 and a 2nd pixel display part 12 with an area ratio of 2M:1 provided that a digital video signal written to a pixel 2 consists of higher-order M bits and lower-order L bits (M≠0, L≠0). - 特許庁

クロスポイント型強誘電体メモリの不揮発性、高集性を活かしつつ、そのランダムアクセス性を向上させ、かつ書き換え回数を低減でき、ディスターブ回数の上限を容易に制御することができるメモリ装置およびそれを用いたメモリシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a memory device in which a random access characteristic is improved, the number of times of rewriting can be reduced, and the supremum of the number of times of disturbance can be easily controlled, making the most of a nonvolatile characteristic and a high integration characteristic of a cross point type ferroelectric memory and a memory system using it. - 特許庁

CPU120は算出したライトバルブ白色面Sqに基づき、調整用パターン画像を修正して、パターン画像メモリ107の内容を書き換え、画像処理部108,液晶ライトバルブ駆動部110などに画像投射を指示する。例文帳に追加

The CPU 120 corrects a pattern image for adjustment based on the calculated light valve white area Sq to rewrite the content of a pattern image memory 107 and designates an image processing part 108 and a liquid crystal light valve driving part 110 or the like to project the image. - 特許庁

例文

電荷蓄用コンデンサCから液晶セルLCに次画像が書き込まれる前に、前記第3トランジスタTR3のゲートにリセット信号RESETを供給して、液晶セルLCに保持されている前画像の信号電圧を消去用配線Eを通じて放電(消去)する。例文帳に追加

Before the following image is written to the liquid crystal cell LC from the charge storage capacitor C, the signal voltage of the preceding image being held in the liquid crystal cell LC is discharged (erased) through the wiring for erasure E. - 特許庁

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