「Al's」に関連した英語例文の一覧と使い方(137ページ目) - Weblio英語例文検索

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

To provide a means for satisfying conditions, in which a resin containing a solvent is not used, Al wire bonding is not used, a heat sink is formed, a hermetic seal is performed, and a manufacturing method is comparatively simple in order to achieve a heat-resistant package.例文帳に追加

高耐熱性パッケージを実現するために、溶媒を含有した樹脂を使用しない、Ａｌのワイヤボンディングを使用しない、放熱体を形成する、ハーメチック封止を行う、そして製造方法が比較的簡単であるなどの条件を満足させる手段を提供する。 - 特許庁

Contact with wiring layer for the entire part of source drain diffusing layer region is enabled by crossing a gate electrode without short-circuit with the gate electrode, by utilizing that an insulating film which is mainly formed of Al as the structural atoms has extremely large selection ratio of etching with an Si oxide film.例文帳に追加

Ａｌを主たる構成原子とする絶縁膜がＳｉ酸化膜とのエッチング選択比が極めて大きいことを利用し、ゲート電極を跨ぎゲート電極との短絡なしにソース・ドレイン拡散層全領域にわたる配線層とのコンタクトを可能とした。 - 特許庁

This wheels Al and A2 each include a wheel 11 with an air valve V mounted thereto and a tire 12 mounted to the wheel 11, and are each capable of being equipped with an air pressure detecting unit B (a wheel condition detecting unit) for detecting the air pressure of the tire 12.例文帳に追加

車輪Ａ１，Ａ２は、エアバルブＶを組付けたホイール１１と、同ホイール１１に組付けたタイヤ１２を備えるとともに、同タイヤ１２の空気圧を検出するための空気圧検出ユニットＢ（車輪状態検出ユニット）を搭載可能である。 - 特許庁

Further, the steel has a composition containing one or more kinds selected from ≤40% Cr, ≤10% Si, ≤10% Al, ≤10% W and ≤10% Mo, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

また、該鋼はＣｒ：４０％以下、Ｓｉ：１０％以下、Ａｌ：１０％以下、Ｗ：１０％以下、Ｍｏ：１０％以下のうちの１種または２種以上を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなることを特徴とする高強度フェライト系耐熱鋼。 - 特許庁

A stroke axis OA connecting a shearing center O of a torsion beam 5 to a support center AL (AR) of the trailing arm 2 is disposed on a plane perpendicular to the stroke axis OA below a straight line connecting a rotation center B of a stabilizer 9 to a fixture center C.例文帳に追加

トーションビーム５のせん断中心Ｏとトレーリングアーム２の支持中心ＡＬ（ＡＲ）とを結んだストローク軸ＯＡを、このストローク軸ＯＡと直交する平面上で、スタビライザ９の回動中心Ｂと固定中心Ｃとを結んだ直線よりも下方に配置する。 - 特許庁

The magnesium alloy contains 14.0-23.0% by mass of aluminum (Al), 11.0% by mass or less (excluding 0% by mass) of calcium (Ca), 12.0% by mass or less (excluding 0% by mass) of strontium (Sr) and 0.2-1.0% by mass of zinc (Zn).例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）：１４．０〜２３．０質量％、カルシウム（Ｃａ）：１１．０質量％以下（０質量％を含まず）、ストロンチウム（Ｓｒ）：１２．０質量％以下（０質量％を含まず）、および亜鉛（Ｚｎ）：０．２〜１．０質量％を含むことを特徴とするマグネシウム合金。 - 特許庁

The film hardness is made high by forming the wear resistant coating film containing at least one kind of element selected from Si, Ti, group IVa elements except Ti, group Va element, group VIa elements, B and Al to combine the elements.例文帳に追加

ＳｉとＴｉならびにＴｉを除くＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族元素、ＢおよびＡｌから選択される少なくとも一つの元素を所定量含有する耐摩耗性被膜を形成することにより、これらの元素の複合化による膜硬度の高硬度化を実現する - 特許庁

The method for producing powder for lithium granulated body production includes: mixing powder comprising LiOH-H_2O with H_2TiO_3, H_2SiO_3, H_2ZrO_3 or Al(OH)_3 powder and forming mixed powder; and heating this mixed powder to produce the granulated body production powder.例文帳に追加

リチウム造粒体製造用粉末の製造方法は、ＬｉＯＨ・Ｈ_２Ｏを含む粉体にＨ_２ＴｉＯ_３、Ｈ_２ＳｉＯ_３、Ｈ_２ＺｒＯ_３、あるいはＡｌ(ＯＨ)_３粉体を混合して混合粉末体を形成し、この混合粉末物を加熱して造粒体製造粉末を生成することを特徴とする。 - 特許庁

This laminated wiring is constituted by a Ti adhered layer 12 of 100 nm thick, a TiN barrier layer 14 of 30 nm thick, and an Al-Si wiring material layer 16 of 800 nm thick laminated in this order via an underlayer SiO2 film 10 on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板（図示せず）上に下地ＳｉＯ_2 膜１０を介して順に積層された厚さ１００ｎｍのＴｉ密着層１２、厚さ３０ｎｍのＴｉＮバリア層１４、及び厚さ８００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ配線材層１６から積層配線が構成される。 - 特許庁

A seed layer 3 comprising island-shaped films composed of either of a Co layer and a Co alloy layer, separated from each other and covered with a Cr based underlayer (4) is formed on a non-magnetic substrate 1 comprising an Al based alloy substrate or a glass substrate via at least an amorphous film 2.例文帳に追加

Ａｌ系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板１上に少なくともアモルファス膜２を介してＣｏ層或いはＣｏ合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Ｃｒ系下地層（４）で覆われた島状膜からなるシード層３を設ける。 - 特許庁

The coating comprises 1.0 to 3.5 mass% Mn and the balance Al with unavoidable impurities among which Cu is regulated to less than 0.1 mass%, Fe to less than 0.35 mass%, and Si to less than 0.5 mass%.例文帳に追加

この皮膜は、Ｍｎを１．０乃至３．５質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、不可避的不純物のうちＣｕが０．１質量％未満、Ｆｅが０．３５質量％未満、Ｓｉが０．５質量％未満に規制されている。 - 特許庁

By heating and baking a conductive frit for sealing that contains glass and at least one kind of a metal selected from among the group consisting of Si, Zn, Al, Sn and Mg to changed it to a sealing member 5 that bonds a back plate 2 and a spacer 4 of an image forming device 1.例文帳に追加

ガラスと、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｇの群から選ばれる少なくとも１種の金属とを含有する封着用導電性フリットを加熱、焼成して、画像形成装置１の背面板２とスペーサ４を接合する封着部材５とする。 - 特許庁

To provide a vibration absorbing device for always restricting the vibration movement of a payload part respective to an EL frame within a certain range in all directions in spite of translation and angle displacement over the rating of an AL rotating mechanism and an EL rotating mechanism to always optically maintain a distance space between both of them.例文帳に追加

ＡＬ回転機構やＥＬ回転機構の定格を超える並進・角度変位に拘わりなく常にＥＬフレームに対するペイロード部の振動移動を全ての方向で一定範囲内に制限して常に両者の距離空間を最適に維持する防振装置を提供する。 - 特許庁

The metal oxide particulates are expressed by a compositional formula of ABO_2 (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag; and B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl), and have a mean particle diameter of ≤100 nm.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_２（Ａの金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇ、Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）で表される金属酸化物微粒子であって、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物微粒子。 - 特許庁

There are successively laminated a Ti film 8, an Al film 9, a first Mo film 10, a transition element oxide film (MoOx film) 10A, and a second Mo film 11 on a semiconductor substrate 101 for composing the gate electrodes 13p, 13q, 13r,..., and 13w.例文帳に追加

半導体基体１０１の上に、順次、Ｔｉ膜８、Ａｌ膜９、第１Ｍｏ膜１０、遷移元素酸化膜（ＭｏＯ_ｘ膜）１０Ａ、第２Ｍｏ膜１１を積層してゲート電極１３ｐ，１３ｑ，１３ｒ，・・・・・，１３ｗを構成している。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, the Al content amount is 50 atom% or more against the sum of III element contents, a dislocation density is 10^11/cm^2 or below, and the half band width of an X-ray locking curve on a (002) plane is 200 sec or below.例文帳に追加

第一の窒化物半導体においてＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転移密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２００ｓｅｃ以下である。 - 特許庁

This colored steel sheet has the colored layer on its surface, which is formed by means of treating the hot-dip Zn-Al based alloy plated steel sheet with a nitric acid aqueous solution containing permanganate ions of 4-24 g/L and Cu ions of 4-15 g/L and having pH of 1.2-3.5.例文帳に追加

溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき鋼板を、過マンガン酸イオンの濃度が４〜２４ｇ／Ｌ、Ｃｕイオン濃度が４〜１５ｇ／Ｌで、ｐＨが１．２〜３．５の硝酸酸性の水溶液を用いて処理することにより、その表面に着色層を形成する。 - 特許庁

This lead frame material for a semiconductor system is composed of a Cu alloy having a composition containing, by weigh, 0.07 to 0.4% Cr, 0.01 to 0.15% Zr, 0.002 to 0.4% Al, and the balance Cu with inevitable impurities and excellent in rollability and bending workability.例文帳に追加

半導体装置のリードフレーム材を、重量％で、Ｃｒ：０．０７〜０．４％、Ｚｒ：０．０１〜０．１５％、Ａｌ：０．００２〜０．４％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成を有する圧延性および曲げ加工性にすぐれたＣｕ合金で構成する。 - 特許庁

The reflector obtained by laminating the reflection sheet configured by laminating a high-refractive index layer, a low-reflective index layer, and the metallic layer mainly composed of Ag and Al on a polymer film to a molding with the polymer film side as an adhesive side by an adhesive is used and is processed to a lamp reflector.例文帳に追加

高分子フィルム上に、高屈折率層、低屈折率層、ＡｇやＡｌを主体とする金属層を積層して構成した反射シートを、高分子フィルム側を接着面として、成形体と接着剤により貼り合わせることにより得られる反射体を用い、ランプリフレクターに加工する。 - 特許庁

The low crystalline carbon fiber is preferred to have a carbon face interval d_002 of 0.38 nm or more, and the graphite coating the surface is preferred to have a carbon face interval d_002 of 0.37 nm or less, while the metal is preferred to be one not ionizing in the battery such as Al.例文帳に追加

前記低結晶炭素繊維としては炭素面間隔ｄ_００２ が０．３８ｎｍ以上のものが好ましく、その表面を被覆する黒鉛質としては炭素面間隔ｄ_００２ が０．３７ｎｍ以下のものが好ましく、金属としてはＡｌなどの電池内でイオン化しない金属が好ましい。 - 特許庁

A control section coats the surface of a silicon substrate having a via hole VH with a metal film BM1 (Ti film) and a metal nitride film BM2 (TiN film), and uses a CVD method to form an Al-CVD film P1 in the inside of the via hole VH coated with the metal nitride film BM2.例文帳に追加

制御部が、ビアホールＶＨを有したシリコン基板の表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。 - 特許庁

The aluminum-alloy material has a composition which consists of 1.0-1.6 mass% Mn and the balance Al with inevitable impurities and in which the contents of Cu, Fe and Si among the inevitable impurities are regulated, by mass, to ≤0.01%, ≤0.15% and ≤0.15%, respectively.例文帳に追加

アルミニウム合金材の組成を、Ｍｎを１．０乃至１．６質量％含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＣｕは０．０１質量％以下、Ｆｅは０．１５質量％以下、Ｓｉは０．１５質量％以下に規制された組成とする。 - 特許庁

The Al_xGa_1-xN single crystal 2 (0<x≤1) grown under suitable conditions by preferably a sublimation method has dielectric loss tangent of not more than 5×10^-3 when at least any one high-frequency signal of 1 MHz and 1 GHz is applied under an atmosphere temperature of 25°C.例文帳に追加

好ましくは昇華法により好適な条件で成長させたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶２は、２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０^-3以下である。 - 特許庁

The aluminum alloy substrate for a magnetic disk has a composition containing, by mass, 0.01 to 0.1% Cu, 3.0 to 6.0% Mg, 0.02 to 0.1% Cr, 0.04 to 0.7% Zn and 0.001 to 0.02% Ni, and the balance Al with impurities.例文帳に追加

磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、Ｃｕ：０．０１乃至０．１質量％、Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｒ：０．０２乃至０．１質量％、Ｚｎ：０．０４乃至０．７質量％及びＮｉ：０．００１乃至０．０２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不純物からなる。 - 特許庁

To provide a bonding material which is applicable for bonding a Zn-Al-based alloy having a melting point of not lower than 260°C, has an improved wettability in bonding, reduces processes for manufacturing the material, and has an improved bonding reliability to a thermal stress.例文帳に追加

２６０℃以上の融点を有するＺｎ−Ａｌ系合金を接続に適用すること、接続時の濡れを改善すること、材料製造時のプロセスを低減すること、熱応力に対する接続信頼性を向上することを可能とする接続材料を提供する。 - 特許庁

In another embodiment, a sintered body comprising the Nb_3Al base alloy of the A15 type structure of a stoichiometric content and one or more kinds of metals selected from In, Sn, Al, Cu, Pb, Au and Ag is filled in the sheath material of the Nb_3Al base superconductive wire rod.例文帳に追加

他の形態では化学量論比組成でＡ１５型構造のＮｂ_３Ａｌ基合金と、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇから選択される１種以上の金属とからなる焼結体をシース材内に充填したＮｂ_３Ａｌ基超伝導線材とする。 - 特許庁

The stage 10 is provided with a lower board 6, an upper board 7 which is slidable along the upper face of the lower board 6, and the upper board 7 is composed of a flat base material of an Al-Mg die cast alloy and an anodized aluminum layer formed on the surface of the flat base material.例文帳に追加

ステージ１０は、下板６と、下板６の上面に沿って移動可能な上板７とを備え、上板７は、Ａｌ−Ｍｇ系ダイキャスト合金の平板状母材と平板状母材の表面に形成されたアルマイト層とから成る。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

The method for manufacturing the AFI type aluminophosphate is the method for manufacturing the AFI type aluminophosphate of the particulates, in which at the time of performing hydrothermal synthesis of aqueous starting raw materials including a P source, an Al source, an Fe source, and a template, the raw materials are stirred at a stirring line speed of ≥0.05 m/s.例文帳に追加

また、ＡＦＩ型鉄アルミノフォスフェートの製造方法は、上記の微粒子のＡＦＩ型鉄アルミノフォスフェートの製造方法であり、Ｐ源、Ａｌ源、Ｆｅ源およびテンプレートを含む水性出発原料を水熱合成するに際し、０．０５ｍ／ｓ以上の攪拌線速で攪拌する。 - 特許庁

When the sludge contains metallic components like Ca or Al, the carbonized material is subjected to water-adding treatment to finish heat generation due to hydration of the metallic components in advance, to prevent temperature rise of the carbonized material by a hydration reaction during later storage or the like.例文帳に追加

また汚泥がＣａ，Ａｌ等の金属成分を含有する汚泥である場合、炭化物に対し水添処理を行って金属成分の水和による発熱を予め終了させておき、後の貯蔵中等に炭化物が水和反応を起して温度上昇するのを防止する。 - 特許庁

Since the crystal phase containing the elements Si, Al, Sr, and O and having a low loss is present, and further, the average grain size of the alumina crystal grains 1 is ≥10 μm, the number of grain boundaries is reduced, thus dielectric dissipation factor in 1 MHz to 8.5 GHz can be lowered.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数１ＭＨｚ〜８．５ＧＨｚにおける誘電正接を小さくすることができる。 - 特許庁

The inevitable impurities are controlled in ≤0.10% Nb, ≤0.010% P, ≤0.005% S, ≤0.30% Cu, ≤0.30% Cr, ≤0.30% Mo, ≤0.010% Al, ≤0.010% O and ≤0.010% N.例文帳に追加

この不可避的不純物は、Ｎｂ：０．１０％以下、Ｐ：０．０１０％以下、Ｓ：０．００５％以下、Ｃｕ：０．３０％以下、Ｃｒ：０．３０％以下、Ｍｏ：０．３０％以下、Ａｌ：０．０１０％以下、Ｏ：０．０１０％以下及びＮ：０．０１０％以下に規制される。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

The second layer 12 is composed of Al_xGa_1-xN (0<x<1) having a composition x varying in the thickness direction such that the composition x of the surface touching the third layer 13 is higher than the composition x of the surface touching the first layer 11.例文帳に追加

第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布を有している。 - 特許庁

A continuously cast aluminum alloy material comprising, by mass, 0.20 to 1.20% Fe, and the balance Al with inevitable impurities is subjected to cold rolling at a draft of 30 to 70%, is further subjected to high temperature precipitation treatment of 1 hours or more at 500 to 640°C, and is subsequently subjected to cold rolling.例文帳に追加

Ｆｅ：０．２０〜１．２０質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなる連続鋳造アルミニウム合金材に、３０〜７０％の圧下率で冷間圧延し、さらに、５００℃〜６４０℃で１時間以上の高温析出処理後に冷間圧延を行う。 - 特許庁

Regarding the ratios among the Al element, Ce element and Zr element composing the oxide solid solution, when being expressed in terms of their oxides Al_2O_3, CeO_2 and ZrO_2, to their total 100 mol%, preferably, CeO_2 is 2 to 40 mol% and ZrO_2 is 2 to 40 mol%.例文帳に追加

上記酸化物固溶体を構成するＡｌ元素、Ｃｅ元素及びＺｒ元素の比は、これらの酸化物Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２及びＺｒＯ_２を用いて換算したとき、これらの合計１００ｍｏｌ％に対して、ＣｅＯ_２が２〜４０ｍｏｌ％、ＺｒＯ_２が２〜４０ｍｏｌ％であることが好ましい。 - 特許庁

The oxidation catalyst for cleaning exhaust gas is characterized in that one or more noble metals selected from the group consisting of Pt, Pd and Rh are deposited on a carrier which contains a crystalline oxide comprising Al and P in a skeleton thereof, in an amount of ≤0.5 wt.% of the total weight of the oxidation catalyst.例文帳に追加

骨格にＡｌとＰを含む結晶性酸化物を含む担体に、Ｐｔ、Ｐｄ及びＲｈからなる群より選ばれる１種以上の貴金属が、触媒全重量に対して０．５重量％以下の割合で担持された排ガス浄化用酸化触媒。 - 特許庁

Then second mesa junction B extending the boundary between the first Al-containing compound semiconductor layer 20 and substrate 2 or to the surface of the substrate 2 are formed from the contact layer 4 toward the lower layers, and the semiconductor layer 20 is converted into an insulating layer 20a by oxidizing the layer 20.例文帳に追加

コンタクト層４から下層に向かって、第１の含Ａｌ化合物半導体層２０と基板２の界面または基板２の表層に至る第２のメサＢを形成し、第１の含Ａｌ化合物半導体層２０を酸化させて絶縁層２０ａに転化する。 - 特許庁

The group III nitride light emitting diode includes: a metallic reflection film including an Al reflection layer or an Ag reflection layer; a bonding electrode separately provided from the metallic reflection film; and a protection film provided between the bonding electrode and the metallic reflection film and made of a non-metallic material.例文帳に追加

Ａｌ反射層またはＡｇ反射層を含む金属反射膜を備え、更に、金属反射膜とは別個に設けられるボンディング電極と、該ボンディング電極と該金属反射膜との間に設けられる、非金属材料からなる保護膜を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a TiN film 41 of an antireflection film on an Al shielding film 10, forming a black dye-filled polyimide film 11 thereon, opening the film 11 on a position for forming the marker 15, and thereafter opening the film 41 by anisotropically etching.例文帳に追加

Ａｌ遮光膜１０上に反射防止膜であるＴｉＮ膜４１を被覆し、その上に黒色染料入りポリイミド膜１１を形成し、マーカ１５を形成する箇所の上の黒色染料入りポリイミド膜１１を開口し、その後、ＴｉＮ膜４１を異方性エッチングで開口する。 - 特許庁

To produce an Al alloy soft material for upset butt welding securely and sufficiently excellent in the joinability of the upset butt weld zone and having high proof stress of ≥85 N/mm2 generally required as that of an automotive two-piece wheel rim material.例文帳に追加

アプセットバット溶接部の接合性が確実かつ充分に優れ、かつ自動車の２ピースホイールリム材として一般に要求される８５Ｎ／ｍｍ^2 以上の高耐力を有するアプセットバット溶接用Ａｌ合金軟質材を提供する。 - 特許庁

To produce an Al-Sc master alloy containing scandium whose content not only exceeds conventional one, but also exceeds the theoretical one though a thermal reduction process is adopted, to reduce the heat load of production equipment by enabling operation in a low temperature region, and to enable remarkable contribution to the reduction of the production cost.例文帳に追加

熱還元法を採用しつつも従来の含有量を凌ぐことは勿論、理論含有量をも超えるスカンジウムを含んだＡｌ−Ｓｃ母合金を生成できること、低温域における操業を可能にして製造設備の熱負荷を軽減し、製造コストの低減に大きく寄与できるようにすること。 - 特許庁

The powder 10 for the dust core comprises soft magnetic metal powder 1, an alkoxide layer 2 covering the soft magnetic metal powder 1 and made of Al-Si-O-based compound oxide, and an insulating layer 4 covering the alkoxide layer 2, wherein glass powder 3 having a low melting point is dispersed in the alkoxide layer 2.例文帳に追加

圧粉磁心用粉末１０は、軟磁性金属粉末１と、該軟磁性金属粉末１を被覆するＡｌ−Ｓｉ−Ｏ系複合酸化物よりなるアルコキシド層２と、該アルコキシド層２を被覆する絶縁層４と、からなり、該アルコキシド２層内に低融点のガラス粉末３が分散しているものである。 - 特許庁

In this case, the composition of Al in the distortion inhibition layer 13 is set so that the lattice constant at room temperature in the distortion inhibition layer 13 substantially coincides with that in the bulk state of the n-type cladding layer 15 by heat shrinkage or thermal expansion.例文帳に追加

ここで、歪抑制層１３におけるＡｌの組成を、該歪抑制層１３の室温における格子定数が、ｎ型クラッド層１５のバルク状態の格子定数と熱収縮又は熱膨張によって実質的に一致するように設定する。 - 特許庁